本發(fā)明涉及電子器件封裝及其制造方法。

背景技術(shù)：

伴隨著電子設(shè)備的進(jìn)展，電子領(lǐng)域中在開(kāi)發(fā)各式各樣的安裝技術(shù)。例如作為IC及感應(yīng)器等電子器件的安裝技術(shù)(即封裝技術(shù))，有采用電路基板或引線框架的安裝技術(shù)。也就是說(shuō)，作為普通的電子器件的封裝方式，有“采用電路基板的封裝”及“采用引線框架的封裝”等。

如圖12A所示，“采用電路基板的封裝”具有在電路基板上安裝感應(yīng)器500、控制器IC502、LSI504、及MLC506等電子器件的方式。作為這樣的封裝的種類，一般有“引線鍵合型(W/B型)”和“倒裝片型(F/C型)”。另一方面，如圖12B所示，“引線框架類型”具有包含由引線及墊片等形成的引線框架的形態(tài)。例如，美國(guó)專利第7927922號(hào)公報(bào)、美國(guó)專利第7202107號(hào)公報(bào)、日本特表2008-522396號(hào)公報(bào)及日本專利第5521130號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了這些背景技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

用于解決課題的手段

本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的電子器件封裝中，具備具有第1主面和與所述第1主面成相反側(cè)的第2主面的金屬圖形層，配置在所述第1主面上并與所述金屬圖形層電連接的電子器件，配置在所述第1主面上并與所述金屬圖形層電連接的至少1個(gè)金屬構(gòu)件，配置在所述第1主面、所述電子器件及所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件上的密封樹(shù)脂層、以及配置在所述第2主面上的絕緣層；所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的厚度大于所述電子器件的厚度；俯視圖中，所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件只設(shè)在與所述第1主面的邊相接的位置上；位于所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的下方的區(qū)域中的所述金屬圖形層的至少一部 分從所述絕緣層中露出。

附圖說(shuō)明

圖1A是示意性地表示本發(fā)明的電子器件封裝的制造方法的工序剖視圖。

圖1B是示意性地表示本發(fā)明的電子器件封裝的制造方法的工序剖視圖。

圖1C是示意性地表示本發(fā)明的電子器件封裝的制造方法的工序剖視圖。

圖1D是示意性地表示本發(fā)明的電子器件封裝的制造方法的工序剖視圖。

圖1E是示意性地表示本發(fā)明的電子器件封裝的制造方法的工序剖視圖。

圖1F是示意性地表示本發(fā)明的電子器件封裝的制造方法的工序剖視圖。

圖1G是示意性地表示本發(fā)明的電子器件封裝的制造方法的工序剖視圖。

圖2A是示意性地表示本發(fā)明的電子器件封裝的制造方法的工序剖視圖。

圖2B是示意性地表示本發(fā)明的電子器件封裝的制造方法的工序剖視圖。

圖2C是示意性地表示本發(fā)明的電子器件封裝的制造方法的工序剖視圖。

圖3是示意性地表示具有一體地連接在框狀構(gòu)件上的多個(gè)金屬構(gòu)件的形態(tài)的金屬構(gòu)件的立體圖。

圖4A是用于說(shuō)明使用圖3所示的金屬構(gòu)件時(shí)的切割處理的樣式的示意俯視圖。

圖4B是用于說(shuō)明使用圖3所示的金屬構(gòu)件時(shí)的切割處理的樣式的示意性剖視圖。

圖5是示意性地表示一體化構(gòu)件的立體圖。

圖6A是示意性地表示“軟釬料部的形成樣式”的工序剖視圖。

圖6B是示意性地表示“軟釬料部的形成樣式”的工序剖視圖。

圖7是示意性地表示本發(fā)明的電子器件封裝的構(gòu)成的剖視圖。

圖8是電子器件封裝的剖視圖，是用于對(duì)由干式鍍膜層及濕式鍍膜層構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)的金屬層進(jìn)行具體的說(shuō)明的剖視圖。

圖9A是用于說(shuō)明只設(shè)在“周邊部”的金屬構(gòu)件的樣式的示意立體圖。

圖9B是用于說(shuō)明只設(shè)在“周邊部”的金屬構(gòu)件的樣式的示意俯視圖。

圖10A是用于說(shuō)明只設(shè)在“周邊部”的金屬構(gòu)件的樣式的示意俯視圖。

圖10B是用于說(shuō)明只設(shè)在“周邊部”的金屬構(gòu)件的樣式的示意側(cè)視圖。

圖10C是用于說(shuō)明只設(shè)在“周邊部”的金屬構(gòu)件及軟釬料部的樣式的示意性剖視圖。

圖11是示意性地表示進(jìn)一步具有軟釬料部的本發(fā)明的電子器件封裝的構(gòu)成的剖視圖。

圖12A是示意性地表示現(xiàn)有技術(shù)的使用電路基板的電子器件封裝的構(gòu)成樣式的剖視圖。

圖12B是示意性地表示現(xiàn)有技術(shù)的使用引線框架的電子器件封裝的構(gòu)成樣式的剖視圖。

具體實(shí)施方式

(成為本發(fā)明基礎(chǔ)的見(jiàn)識(shí))

本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)封裝技術(shù)具有以下問(wèn)題點(diǎn)及改善點(diǎn)，并提出了本發(fā)明涉及的電子器件封裝及其制造方法。

就“背景技術(shù)”中談及的封裝來(lái)講，“采用電路基板的封裝”(參照?qǐng)D12A)盡管能夠?qū)崿F(xiàn)高密度安裝，但因采用電路基板而在散熱性方面殘留問(wèn)題。此外，基板成本本身也不能無(wú)視，成本上不一定能說(shuō)感到滿足。進(jìn)而，說(shuō)起來(lái)也不能無(wú)視進(jìn)行引線鍵合或倒裝片安裝所需的成本，期望進(jìn)一步降低成本。例如，倒裝片安裝中需要高價(jià)的固定件。另一方面，“引線框架型”(參照?qǐng)D12B)因采用引線框架而難進(jìn)行微細(xì)加工，所以不適 合高密度安裝。

此外，從封裝的二次安裝這一點(diǎn)來(lái)看，已知在軟釬料熔化方面也有改善點(diǎn)。具體地講，在將封裝向印刷基板等二次基板上安裝時(shí)在加熱特性方面具有改善點(diǎn)。特別是在將封裝與二次基板軟釬焊接合時(shí)，例如在進(jìn)行軟熔軟釬焊時(shí)，起因于封裝中所含的構(gòu)成要素的熱容量特性，有時(shí)對(duì)軟釬料熔化帶來(lái)局部的差異，擔(dān)心軟釬焊接合不能成為所希望的連接。

例如將“在電子器件等上直接形成有金屬層的封裝”向二次基板進(jìn)行安裝連接時(shí)，起因于這樣的金屬層本身具有的熱容量特性，加熱時(shí)的熱不能整體均勻擴(kuò)散，擔(dān)心封裝中央部附近的軟釬料難熔化。換句話講，認(rèn)為在封裝中包含熱容量大的器件和熱容量小的器件時(shí)，在向二次基板上安裝時(shí)軟釬料熔化產(chǎn)生差異，因此，在軟釬焊接合部的可靠性方面期望進(jìn)一步改善。

本發(fā)明包含以下項(xiàng)目所述的電子器件封裝及其制造方法。

[項(xiàng)目1]、一種電子器件封裝，其具備：

金屬圖形層，其具有第1主面和與所述第1主面成相反側(cè)的第2主面，電子器件，其配置在所述第1主面上，并與所述金屬圖形層電連接，至少1個(gè)金屬構(gòu)件，其配置在所述第1主面上，并與所述金屬圖形層電連接，

密封樹(shù)脂層，其配置在所述第1主面、所述電子器件及所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件上，以及

絕緣層，其配置在所述第2主面上；

所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的厚度大于所述電子器件的厚度；

俯視圖中，所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件只設(shè)在與所述第1主面的邊相接的位置上；

位于所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的下方的區(qū)域中的所述金屬圖形層的至少一部分從所述絕緣層中露出。

[項(xiàng)目2]、根據(jù)項(xiàng)目1所述的電子器件封裝，其中，所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的厚度為所述密封樹(shù)脂層的厚度的50％以上且90％以下。

[項(xiàng)目3]、根據(jù)項(xiàng)目1或2所述的電子器件封裝，其中，所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的側(cè)面從所述密封樹(shù)脂層的端面露出。

[項(xiàng)目4]、根據(jù)項(xiàng)目3所述的電子器件封裝，其中，所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的所述露出的所述側(cè)面與所述密封樹(shù)脂層的所述端面為同一面。

[項(xiàng)目5]、根據(jù)項(xiàng)目1～4中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝，其中，

所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件具備多個(gè)金屬構(gòu)件；

俯視圖中，所述多個(gè)金屬構(gòu)件只設(shè)在與所述第1主面的邊相接的位置上。

[項(xiàng)目6]、根據(jù)項(xiàng)目5所述的電子器件封裝，其中，俯視圖中，所述多個(gè)金屬構(gòu)件相互隔著間隔地沿著所述第1主面的邊配置。

[項(xiàng)目7]、根據(jù)項(xiàng)目1～4中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝，其中，所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件具有長(zhǎng)方體或立方體的形狀。

在此種情況下，所述長(zhǎng)方體及所述立方體的邊及角也可以帶圓角。

[項(xiàng)目8]、根據(jù)項(xiàng)目1～7中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝，其中，所述金屬圖形層包含第1金屬層和第2金屬層。

[項(xiàng)目9]、根據(jù)項(xiàng)目1～8中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝，其中，所述絕緣層為阻焊劑層。

[項(xiàng)目10]、一種電子器件封裝的制造方法，其包含以下工序：

(i)將電子器件及至少1個(gè)金屬構(gòu)件貼裝在粘結(jié)性載體上的工序，

(ii)以被覆所述電子器件及所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的方式，在所述粘結(jié)性載體上形成密封樹(shù)脂層，得到電子器件封裝前體的工序，

(iii)從所述電子器件封裝前體上剝離所述粘結(jié)性載體，使所述電子器件及所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件從所述密封樹(shù)脂層的表面露出的工序，

(iv)在所述密封樹(shù)脂層的所述表面上形成金屬層的工序，以及

(v)以分割所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的方式進(jìn)行切割處理的工序；

其中，所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的厚度大于所述電子器件的厚度。

[項(xiàng)目11]、根據(jù)項(xiàng)目10所述的電子器件封裝的制造方法，其中，在所述工序(i)中，以將所述電子器件置于所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的相對(duì)內(nèi)側(cè)的方式，將所述電子器件和所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件設(shè)置在所述粘結(jié)性載體上。

[項(xiàng)目12]、根據(jù)項(xiàng)目10或11所述的電子器件封裝的制造方法，其中，

所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件具備多個(gè)金屬構(gòu)件；

在所述工序(i)中，將所述多個(gè)金屬構(gòu)件連接在框狀構(gòu)件上。

[項(xiàng)目13]、根據(jù)項(xiàng)目12所述的電子器件封裝的制造方法，其中，以將所述多個(gè)金屬構(gòu)件置于所述框狀構(gòu)件的外緣的內(nèi)側(cè)的方式，使所述多個(gè)金屬構(gòu)件和所述框狀構(gòu)件相互連接。

[項(xiàng)目14]、根據(jù)項(xiàng)目12或13所述的電子器件封裝的制造方法，其中，所述多個(gè)金屬構(gòu)件各自具有長(zhǎng)方體或立方體的形狀。

[項(xiàng)目15]、根據(jù)項(xiàng)目13所述的電子器件封裝的制造方法，其中，所述切割處理是在所述框狀構(gòu)件的所述外緣的內(nèi)側(cè)、即在將所述多個(gè)金屬構(gòu)件分別分割的位置上進(jìn)行。

[項(xiàng)目16]、根據(jù)項(xiàng)目10～15中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝的制造方法，其中，在所述工序(iv)中，通過(guò)在實(shí)施了干式鍍膜法后實(shí)施濕式鍍膜法而形成所述金屬層。

[項(xiàng)目17]、根據(jù)項(xiàng)目9～11中任一項(xiàng)所述的電子器件封裝的制造方法，其中，所述工序(i)中采用的所述至少1個(gè)金屬構(gòu)件的厚度為所述工序(ii)中形成的所述密封樹(shù)脂層的厚度的50％以上且90％以下。

根據(jù)上述的本發(fā)明的一個(gè)方式，能夠?qū)崿F(xiàn)所希望的散熱特性及高密度安裝，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)安裝成本廉價(jià)的封裝。此外，封裝的二次安裝時(shí)的連接可靠性也可提高。

就“散熱特性”來(lái)講，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，不進(jìn)行經(jīng)由引線鍵合或凸塊的安裝，也就是說(shuō)，封裝成為無(wú)引線鍵合及無(wú)凸塊，經(jīng)由金屬鍍膜圖形層而高效率地散熱。

此外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，金屬層/金屬圖形層可進(jìn)行微細(xì)加工，有利于高密度安裝。

另外，本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的封裝為“無(wú)基板結(jié)構(gòu)”。因?yàn)椤盁o(wú)基板”，所以不使用基板，有助于以相應(yīng)的程度降低制造成本。此外，與引線鍵合及倒裝片安裝等相比，能夠以簡(jiǎn)易的工藝進(jìn)行封裝，因此在這點(diǎn)上也能謀求低成本化。

而且，本發(fā)明的一個(gè)方式還有利于能進(jìn)行更適合的二次安裝的封裝技術(shù)。具體地講，在將封裝與二次基板軟釬焊接合時(shí)，例如在軟熔軟釬焊時(shí)，不易引起“起因于封裝中所含的構(gòu)成要素的熱容量特性等的軟釬料熔化的 局部的差異”，軟釬焊接合容易成為所希望的連接。也就是說(shuō)，在二次安裝時(shí)，軟釬料熔化可更均勻，在瞬態(tài)熱特性及二次安裝時(shí)的軟釬料安裝性方面可謀求提高。作為一個(gè)例示，即使為具備比較厚的金屬圖形層的封裝，在該封裝的周邊部進(jìn)行軟釬焊接合的二次安裝時(shí)，瞬態(tài)熱(二次安裝時(shí)的熱)也可更均勻地向周邊部的軟釬料部傳遞，可進(jìn)行所希望的軟釬焊接合。

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的電子器件封裝及其制造方法詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。附圖所示的各種要素不過(guò)是為理解本發(fā)明而示意性示出的，注意其尺寸比及外觀等與實(shí)物有所不同。

為了便于說(shuō)明，首先對(duì)“電子器件封裝的制造方法”進(jìn)行說(shuō)明，然后對(duì)“電子器件封裝”進(jìn)行說(shuō)明。

[本發(fā)明的制造方法]

首先，對(duì)本發(fā)明涉及的電子器件封裝的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖1A～圖1G及圖2A～圖2C示意性地示出與本發(fā)明的制造方法相關(guān)的工藝。在本發(fā)明的制造方法中，首先實(shí)施工序(i)。也就是說(shuō)，以貼裝在粘結(jié)性載體10上的方式將電子器件20及金屬構(gòu)件30設(shè)在粘結(jié)性載體10上(參照?qǐng)D1A及圖1B)。

粘結(jié)性載體10是具有粘結(jié)性、可支承電子器件及金屬構(gòu)件的構(gòu)件。只要是具有“粘結(jié)性”、且有利于以后的剝離處理的構(gòu)件，可以使用任何一種粘結(jié)性載體10。例如，粘結(jié)性載體10可以是由基板和粘結(jié)層構(gòu)成的載體薄板。也就是說(shuō)，如圖1A所示，可以使用在支承基材14上設(shè)有粘結(jié)層16的雙層結(jié)構(gòu)的載體薄板?？紤]到后面進(jìn)行脫模處理，支承基材14也可以具有撓性。

作為粘結(jié)性載體10的支承基材14，只要不給以后進(jìn)行的“金屬構(gòu)件及電子器件的配置”以及“密封樹(shù)脂層的形成”等帶來(lái)障礙，可使用任何一種薄板狀基材。例如，支承基材14的材質(zhì)可以是樹(shù)脂、金屬及/或陶瓷等。作為支承基材14的樹(shù)脂，例如可列舉出聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹(shù)脂、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸類樹(shù)脂、聚環(huán)烯烴樹(shù)脂、聚碳酸酯等。作為支承基材14的金屬，例如可列舉出鐵、銅、鋁或它們的合金等。作為支承基材14的金屬，作為一個(gè)例示，可以是SUS等不銹鋼材。此外，作為支承基材14的陶瓷，例如可列舉出磷灰石、氧化鋁、二氧化硅、 碳化硅、氮化硅、碳化硼等。支承基材本身的厚度可以為0.1mm～2.0mm，也可以為0.2mm～1.0mm(例如0.2mm)。另一方面，粘結(jié)性載體10的粘結(jié)層16只要相對(duì)于金屬構(gòu)件及電子器件呈現(xiàn)粘結(jié)性即可，沒(méi)有特別的限制。例如，粘結(jié)層本身可以是通過(guò)含有選自丙烯酸類樹(shù)脂系粘接劑、聚氨酯樹(shù)脂系粘接劑、有機(jī)硅樹(shù)脂系粘接劑及環(huán)氧樹(shù)脂系粘接劑中的至少1種以上的粘接性材料而形成的。粘結(jié)層16的厚度可以為2μm～50μm，也可以為5μm～20μm(例如大約10μm)。另外，作為粘結(jié)層16，也可以使用雙面膠帶。作為雙面膠帶，例如可以使用PET薄膜等在樹(shù)脂薄層的兩主面上形成有粘接劑層的膠帶。

電子器件20在不與金屬構(gòu)件30重疊的范圍內(nèi)貼裝在粘結(jié)性載體10上。關(guān)于設(shè)在粘結(jié)性載體10上的電子器件20，只要是在電子安裝領(lǐng)域中可使用的電路器件及電路元件，可使用任一種。盡管終歸不過(guò)是例示，但作為這樣的電子器件的種類，可列舉出IC(例如控制器IC)、感應(yīng)器、半導(dǎo)體元件(例如MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體電場(chǎng)效應(yīng)型晶體管))、電容器、功率元件、發(fā)光元件(例如LED)、芯片電阻、芯片電容器、芯片變阻器、芯片熱敏電阻、其它芯片狀的層疊濾波器、連接端子等。

電子器件20也可以以其電極25與粘結(jié)性載體10相接的方式進(jìn)行配置。這是因?yàn)樵谝院蟮膭冸x操作中，能使電子器件20的電極25露出。

相對(duì)于粘結(jié)性載體10而設(shè)置的金屬構(gòu)件30為厚度大于電子器件的構(gòu)件。也就是說(shuō)，如圖1B所示，作為整體將具有“金屬方塊”的形態(tài)那樣的金屬構(gòu)件30貼裝在粘結(jié)性載體10上。

這里，本說(shuō)明書(shū)中所說(shuō)的“壁厚的金屬構(gòu)件”，指的不是以層形態(tài)所代表的那樣的厚度比較薄的構(gòu)件，而是以方塊形態(tài)那樣厚度比較厚的構(gòu)件。基于此點(diǎn)，“壁厚的金屬構(gòu)件”不具有圖案化的層形態(tài)，而具有在電子器件封裝中占比較大的體積的塊狀/方塊形態(tài)。進(jìn)一步講，本發(fā)明中的“壁厚的金屬構(gòu)件”，本質(zhì)上是為提高二次安裝時(shí)的瞬態(tài)熱特性及軟釬焊安裝性而設(shè)置的，也就是說(shuō)，是為了二次安裝時(shí)使軟釬料熔化更均勻而設(shè)置的，基于這樣的觀點(diǎn)而具有厚的形態(tài)。

壁厚的金屬構(gòu)件30比較容易制作。例如，通過(guò)使用模具沖裁金屬材料可得到壁厚的金屬構(gòu)件30。

這樣的金屬構(gòu)件30可以具有大致長(zhǎng)方體或大致立方體等形狀。也就是說(shuō)，可以是作為整體具有“方塊”的形態(tài)的金屬構(gòu)件。此外，如后述，金屬構(gòu)件30也可以是由“一體地連結(jié)在框狀構(gòu)件上的多個(gè)金屬構(gòu)件”得到的，因此，多個(gè)金屬構(gòu)件30可以具有框狀排列的配置形態(tài)。

金屬構(gòu)件30的材質(zhì)只要有助于提高瞬態(tài)熱特性，可以是任何一種材質(zhì)。例如，金屬構(gòu)件30的金屬材料質(zhì)可以是選自銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)、鈀(Pd)、白金(Pt)及鎳(Ni)中的至少1種。

金屬構(gòu)件30如上所述為厚度大于電子器件20的構(gòu)件，但可以與其它構(gòu)件對(duì)比也具有相應(yīng)的厚度。例如，工序(i)中使用的金屬構(gòu)件30的厚度，也可以為以后的工序(ii)中形成的密封樹(shù)脂層40的厚度的50％～90％。金屬構(gòu)件30的厚度也可以為密封樹(shù)脂層40的厚度的60％～90％。在工序(i)中也可以使用金屬構(gòu)件30的厚度為密封樹(shù)脂層40的厚度的70％～90％的金屬構(gòu)件30。此外，如果以其他切口來(lái)判斷，則金屬構(gòu)件30的厚度也可以為封裝厚度的一半以上，例如金屬構(gòu)件30的厚度也可以為封裝厚度的55％～85％的范圍。也可以在工序(i)中使用金屬構(gòu)件30的厚度為封裝厚度的65％～85％的范圍這樣的金屬構(gòu)件30。具體的金屬構(gòu)件30的厚度因制造的封裝而不同，所以不能一般化，例如可以是1mm～6mm的范圍，也可以是1.5mm～5.5mm的范圍。也就是說(shuō)，金屬構(gòu)件30也可以具有mm級(jí)的厚度。

如上所述，金屬構(gòu)件30是為更有助于二次安裝時(shí)的瞬態(tài)熱特性而設(shè)置的，所以在工序(i)中，電子器件20也可以置于金屬構(gòu)件30的相對(duì)內(nèi)側(cè)(參照?qǐng)D1B)。也就是說(shuō)，也可以在粘結(jié)性載體10上，以位于電子器件20的外側(cè)的方式配置金屬構(gòu)件30。

金屬構(gòu)件30也可以以位于以后的切割處理中的切割線上的方式配置在粘結(jié)性載體10上。這意味著在最終得到的電子器件封裝100中，金屬構(gòu)件30只置于電子器件封裝的周邊部，能以有利于這樣的“只置于周邊部”的方式配置金屬構(gòu)件30。

在工序(i)之后實(shí)施工序(ii)。也就是說(shuō)，如圖1C所示，以被覆電子器件20及金屬構(gòu)件30的方式在粘結(jié)性載體10上形成密封樹(shù)脂層40，得到電子器件封裝前體110。

密封樹(shù)脂層40可通過(guò)在利用旋轉(zhuǎn)涂布法或刮刀涂布法等將樹(shù)脂原料涂布在粘結(jié)性載體10的粘結(jié)面上后實(shí)施熱處理或光照射等來(lái)設(shè)置。也就是說(shuō)，可通過(guò)使涂布的樹(shù)脂原料熱固化或光固化來(lái)設(shè)置密封樹(shù)脂層40。或者，也可以通過(guò)用其它方法在粘結(jié)性載體10的粘結(jié)面上貼合樹(shù)脂薄膜等來(lái)設(shè)置密封樹(shù)脂層40。另外，也能將未固化狀態(tài)的粉體狀或液狀的密封樹(shù)脂填充在模具中，通過(guò)加熱固化來(lái)設(shè)置密封樹(shù)脂層40。

關(guān)于密封樹(shù)脂層40的材質(zhì)，只要能提供絕緣性，可以是任何種類的材質(zhì)。例如，密封樹(shù)脂層40的材質(zhì)也可以是環(huán)氧系樹(shù)脂或有機(jī)硅系樹(shù)脂等。密封樹(shù)脂層40的厚度一般要求大于電子器件20及金屬構(gòu)件30的厚度。例如，如上所述，也可以以金屬構(gòu)件30的厚度為密封樹(shù)脂層40的厚度的50％～90％的方式比金屬構(gòu)件30更厚地形成密封樹(shù)脂層40。也可以以金屬構(gòu)件30的厚度為密封樹(shù)脂層40的厚度的60％～90％的方式比金屬構(gòu)件30更厚地形成密封樹(shù)脂層40。也可以以金屬構(gòu)件30的厚度為密封樹(shù)脂層40的厚度的70％～90％的方式比金屬構(gòu)件30更厚地形成密封樹(shù)脂層40。

在工序(ii)之后實(shí)施工序(iii)。也就是說(shuō)，如圖1D所示，從電子器件封裝前體110上剝離粘結(jié)性載體10，由此，使電子器件20及金屬構(gòu)件30從密封樹(shù)脂層40的表面露出。也就是說(shuō)，如圖示那樣，以粘結(jié)性載體10和密封樹(shù)脂層40彼此隔離的方式除去粘結(jié)性載體10。通過(guò)這樣的處理，能夠使電子器件20及金屬構(gòu)件30分別相對(duì)于密封樹(shù)脂層40以同一面的狀態(tài)露出。

在工序(iii)中，從電子器件封裝前體110上剝離粘結(jié)性載體10，由此，從密封樹(shù)脂層40的表面使電子器件20的電極25露出，同時(shí)在其外側(cè)區(qū)域，也可以使金屬構(gòu)件30的面(按圖示的形態(tài)稱為“下表面”)露出。

在工序(iii)之后實(shí)施工序(iv)。也就是說(shuō)，相對(duì)于密封樹(shù)脂層40的表面，形成金屬層50(參照?qǐng)D1E及圖1F)。具體地講，以與電子器件20及金屬構(gòu)件30各自的露出面(從密封樹(shù)脂層40的露出面)相接的方式形成金屬層50。

金屬層50的形成可以用干式鍍膜法及濕式鍍膜法來(lái)實(shí)施。更具體地講，在工序(iv)中，也可以通過(guò)在實(shí)施了干式鍍膜法后實(shí)施濕式鍍膜法，形成金屬層50。也就是說(shuō)，如圖1E所示，用干式鍍膜法形成干式鍍膜層51， 然后用圖1F所示的濕式鍍膜法形成濕式鍍膜層52，由此，也可以形成由干式鍍膜層51和濕式鍍膜層52構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)的金屬層50。

干式鍍膜法包含真空鍍膜法(PVD法)及化學(xué)氣相沉積鍍膜法(CVD法)。真空鍍膜法(PVD法)包含濺射、真空蒸鍍及離子鍍等。另一方面，濕式鍍膜法包含電鍍法(例如電解鍍)、化學(xué)鍍膜法及熱浸鍍法等。作為一個(gè)方式，在本發(fā)明的制造方法中，作為干式鍍膜法可實(shí)施濺射，而作為濕式鍍膜法可實(shí)施電鍍法(例如電解鍍)。

另外，通過(guò)在實(shí)施了干式鍍膜法后實(shí)施濕式鍍膜法，能夠形成“由相對(duì)小的平均晶體粒徑構(gòu)成的干式鍍膜層51”及“由相對(duì)大的平均晶體粒徑構(gòu)成的濕式鍍膜層52”。也就是說(shuō)，能夠用干式鍍膜法形成“由相對(duì)小的平均晶體粒徑構(gòu)成的襯底層”，然后用濕式鍍膜法形成“由相對(duì)大的平均晶體粒徑構(gòu)成的壁厚的層”，能夠形成平均晶體粒徑彼此不同的雙層結(jié)構(gòu)的金屬層50。另外，本說(shuō)明書(shū)中的所謂“晶體粒徑”，指的是基于“沿著金屬層的厚度方向切斷的剖視圖像”算出的晶體粒徑值。例如，“晶體粒徑”意味為具有與從這樣的剖視圖像得到的晶粒的面積相同的面積的圓的直徑尺寸，“平均晶體粒徑”意味為以數(shù)平均(例如50個(gè)的數(shù)平均)算出這樣的晶體粒徑的值。

如此利用干式鍍膜法和濕式鍍膜法的制造方法，具有“相對(duì)于金屬構(gòu)件的露出面及電子器件的電極露出面而直接形成金屬層”的工藝特征。這是因?yàn)槟軌蚍浅１〉卦O(shè)置“成為厚的濕式鍍膜層52的襯底的干式鍍膜層51”，能夠視為這樣的厚的濕式鍍膜層52與電子器件20的電極露出面及金屬構(gòu)件30的露出面直接面接觸。因厚的濕式鍍膜層52而能夠加厚地設(shè)置金屬層50，因此可將金屬層50用作“散熱構(gòu)件”等。特別是從著眼于制造工藝來(lái)看，認(rèn)為正因?yàn)閷?shí)施干式鍍膜法，而能夠用以后的濕式鍍膜法加厚且高密合力地形成濕式鍍膜層52。

通過(guò)實(shí)施干式鍍膜法而形成100nm～3000nm厚的干式鍍膜層51(參照?qǐng)D1E)，接著，通過(guò)實(shí)施濕式鍍膜法也可以形成18μm～500μm厚的濕式鍍膜層52(參照?qǐng)D1F)。如此，相對(duì)于非常薄的干式鍍膜層51，能夠更厚地形成濕式鍍膜層52，其結(jié)果是，作為整體能夠加厚地設(shè)置金屬層50。

用干式鍍膜法形成的干式鍍膜層51例如也可以含有選自Ti(鈦)、Cr (鉻)及Ni(鎳)中的至少1種金屬材料。另一方面，用濕式鍍膜法形成的濕式鍍膜層52也可以含有選自Cu(銅)、Ni(鎳)及Al(鋁)中的至少1種金屬材料。

另外，雖然終歸不過(guò)是一個(gè)例子，干式鍍膜層51并不局限于以單層形成，也可以以多個(gè)層形成。例如，作為干式鍍膜層51，可以通過(guò)濺射形成Ti薄膜層和Cu薄膜層。更具體地講，可以在形成Ti薄膜層后形成Cu薄膜層。在此種情況下，也可以通過(guò)電鍍?cè)谶@樣的雙層結(jié)構(gòu)的濺射層上作為濕式鍍膜層52形成厚的Cu鍍層。

也可以對(duì)金屬層50施加圖案形成處理。也就是說(shuō)，也可以通過(guò)對(duì)由干式鍍膜層51和濕式鍍膜層52構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)的金屬層50施加圖案形成處理，形成金屬圖形層54(參照?qǐng)D1G)。具體地講，通過(guò)對(duì)金屬層50施加圖案形成處理，如圖1G所示，例如形成“與電子器件20的電極露出面相接的金屬圖形層”及“與金屬構(gòu)件30的露出面相接的金屬圖形層”。這意味著通過(guò)圖案形成處理能夠進(jìn)行所希望的布線形成(例如包含取出電極的所希望的布線圖形形成)。在某一方式中，以在電子器件封裝的周邊部(例如在密封樹(shù)脂層的周邊部，作為一個(gè)例示，只在這樣的周邊部)設(shè)置金屬圖形層54的方式進(jìn)行金屬層50的圖案形成處理。圖案形成處理本身只要是電子安裝領(lǐng)域所用的處理，就沒(méi)有特別的限制。例如，可以采用實(shí)施抗蝕劑層形成、曝光/顯影及蝕刻等的光刻蝕法來(lái)實(shí)施所希望的圖案形成處理。

在金屬層的圖案形成處理后，也可以對(duì)這樣的圖形化的金屬圖形層54形成絕緣膜即抗蝕劑層60。例如，如圖2A所示，也可以以至少部分地被覆金屬圖形層54的方式在密封樹(shù)脂層的表面(通過(guò)剝離粘結(jié)性載體而露出的表面)上形成阻焊劑層即抗蝕劑層60。這樣的抗蝕劑層60的形成，可以與電子安裝領(lǐng)域通常采用的阻焊劑層的形成相同。

在形成金屬層后，例如在形成金屬圖形層54后或形成抗蝕劑層60后，實(shí)施切割處理。也就是說(shuō)，以得到所希望的電子器件封裝的方式實(shí)施切斷處理。

在本發(fā)明的制造方法中，以將金屬構(gòu)件30一分為二的方式進(jìn)行切割處理(參照?qǐng)D2B)。例如，以將金屬構(gòu)件30對(duì)半分割的方式進(jìn)行切割處理。通過(guò)這樣的切割處理，能夠最終得到只在周邊部設(shè)置金屬構(gòu)件30的電子器 件封裝100(參照?qǐng)D2C)。也就是說(shuō)，能夠得到具備“具有比電子器件20厚的形態(tài)，且只設(shè)在密封樹(shù)脂層40的周邊部的金屬構(gòu)件30”的電子器件封裝100。

特別是，由于以將金屬構(gòu)件一分為二的方式進(jìn)行切割處理，因此能夠得到金屬構(gòu)件30的側(cè)面30A從密封樹(shù)脂層40的端面40A露出的電子器件封裝100。在此種情況下，例如能夠得到金屬構(gòu)件30的露出的側(cè)面30A與密封樹(shù)脂層40的端面40A彼此成為同一面的電子器件封裝100。

切割處理中采用的方法只要是常規(guī)的方法即可。特別來(lái)說(shuō)，切割方法只要能夠?qū)⒔饘贅?gòu)件一分為二，就沒(méi)有特別的限制。盡管終歸不過(guò)是例示，也可以采用切割刀、切割鋸或激光等進(jìn)行切割處理。

另外，在工序(i)中采用多個(gè)金屬構(gòu)件30時(shí)，也可以以將這樣的多個(gè)金屬構(gòu)件30全部各自一分為二的方式進(jìn)行切割處理。

本發(fā)明的制造方法能夠以多種工藝方式實(shí)施。以下對(duì)其進(jìn)行說(shuō)明。

(具備多個(gè)金屬構(gòu)件的電子器件封裝的制造方式)

本發(fā)明中，可以制造具備多個(gè)金屬構(gòu)件30的電子器件封裝100。特別是可以制造“將多個(gè)金屬構(gòu)件30只置于密封樹(shù)脂層40的周邊部的電子器件封裝100”。

在這樣的制造方式中，在工序(i)中將多個(gè)金屬構(gòu)件30配置在粘結(jié)性載體10上，通過(guò)在工序(iv)后進(jìn)行的切割處理將該多個(gè)金屬構(gòu)件30全部分別一分為二。更具體地講，在工序(i)中多個(gè)金屬構(gòu)件30配置成全部位于電子器件10的外側(cè)，在切割處理中，以將如此配置的多個(gè)金屬構(gòu)件30全部各自一分為二的方式進(jìn)行切斷處理。例如，在工序(i)中在以作為整體而形成框狀的方式配置多個(gè)金屬構(gòu)件30時(shí)，以將如此框狀配置的多個(gè)金屬構(gòu)件30全部分別一分為二的方式進(jìn)行切割處理。如果進(jìn)行這樣的處理，就能最終得到“多個(gè)金屬構(gòu)件以作為整體形成框狀的方式排列的電子器件封裝”。

作為多個(gè)金屬構(gòu)件30，也可以使用圖3所示那樣的金屬構(gòu)件300。也就是說(shuō)，在工序(i)中也可以采用具有如圖示那樣將多個(gè)金屬構(gòu)件30一體地連接在框狀構(gòu)件31上的形態(tài)的金屬構(gòu)件300。在工序(i)中將這樣的金屬構(gòu)件300配置在粘結(jié)性載體10上，在工序(iv)后進(jìn)行的切割處理中， 沿著切割線320，將該多個(gè)金屬構(gòu)件30全部分別一分為二(參照?qǐng)D4A、4B)。由此能夠最終得到“多個(gè)金屬構(gòu)件以作為整體形成框狀的方式排列的電子器件封裝”。

另外，這樣的金屬構(gòu)件300通過(guò)采用模具沖裁金屬材料比較容易得到。此外，即使是這樣的金屬構(gòu)件300，金屬構(gòu)件30本身也可以具有與上述同樣的形態(tài)。也就是說(shuō)，設(shè)在金屬構(gòu)件300上的多個(gè)金屬構(gòu)件30也可以分別具有大致長(zhǎng)方體或大致立方體的形狀。在工序(i)中，以位于金屬構(gòu)件300的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的方式將電子器件20配置在粘結(jié)性載體10上。也就是說(shuō)，電子器件20位于圖3的區(qū)域32中。

框狀構(gòu)件31作為整體可以具有矩形狀或正方形狀。此外，終歸因是“框狀”，其內(nèi)側(cè)的區(qū)域32為中空。由于將電子器件置于這樣的中空的區(qū)域32中，所以可將金屬構(gòu)件300看作為具有設(shè)置電子器件的區(qū)域32的構(gòu)件。在框狀構(gòu)件31中，在相當(dāng)于“矩形狀”或“正方形狀”的各邊的部分上連接有金屬構(gòu)件30。從圖示的形態(tài)得知，在金屬構(gòu)件300中，多個(gè)金屬構(gòu)件30也可以具有作為整體對(duì)稱的位置關(guān)系及配置關(guān)系。

如果采用圖3所示那樣的金屬構(gòu)件300，就能在工序(i)中將多個(gè)金屬構(gòu)件30以彼此沒(méi)有位置偏離的狀態(tài)配置在粘結(jié)性載體10上。此外，即使在其以后的的工序(ii)～(iv)及切割處理等中也能防止位置偏離。具體地講，在配置在粘結(jié)性載體10上后即使對(duì)金屬構(gòu)件30施加偶發(fā)的意外的力，多個(gè)金屬構(gòu)件30也不會(huì)發(fā)生彼此位置偏離，能夠維持初期的位置。例如，即使在起因于形成密封樹(shù)脂層時(shí)的固化等而在樹(shù)脂內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)，也能保持多個(gè)金屬構(gòu)件30的位置。

從圖3所示的形態(tài)得知，在金屬構(gòu)件300中，也可以以將多個(gè)金屬構(gòu)件30置于框狀構(gòu)件31的內(nèi)側(cè)的方式相互連接多個(gè)金屬構(gòu)件30和框狀構(gòu)件31。在此種情況下，切割處理可在框狀構(gòu)件31的內(nèi)側(cè)、且在將多個(gè)金屬構(gòu)件30分別一分為二的位置上進(jìn)行。通過(guò)這樣的切割處理，可將框狀構(gòu)件31除去，能夠得到具備多個(gè)金屬構(gòu)件30的所希望的電子器件封裝100。

(多個(gè)電子器件封裝的成批制造方式)

按照本發(fā)明的制造方法，能夠成批制造多個(gè)電子器件封裝。具體地講，為了同時(shí)得到多個(gè)電子器件封裝，作為工序(i)的金屬構(gòu)件30，而采用具 備與多個(gè)電子器件封裝相當(dāng)?shù)膫€(gè)數(shù)的一體化構(gòu)件。

例如，可以采用圖5所示那樣的一體化構(gòu)件310。如圖示，一體化構(gòu)件310具有將多個(gè)圖3的金屬構(gòu)件300一體化組合而成的形態(tài)。在工序(i)中將這樣的一體化構(gòu)件310配置在粘結(jié)性載體10上，通過(guò)工序(iv)后進(jìn)行的切割處理，將該多個(gè)金屬構(gòu)件30全部分別一分為二。由此，可成批制造多個(gè)“具備多個(gè)金屬構(gòu)件的電子器件封裝”。

另外，即使是這樣的一體化構(gòu)件310，也能夠通過(guò)采用模具沖裁金屬材料來(lái)得到。此外，在工序(i)中，以位于金屬構(gòu)件30的內(nèi)側(cè)的區(qū)域32中的方式將電子器件20配置在粘結(jié)性載體10上，切割線在框狀構(gòu)件31的內(nèi)側(cè)，且成為將多個(gè)金屬構(gòu)件30分別一分為二的位置。通過(guò)這樣的切割處理，可除去框狀構(gòu)件31，可成批地得到多個(gè)“具備多個(gè)金屬構(gòu)件的電子器件封裝”。

更具體地講，在工序(i)中，將一體化構(gòu)件310配置在粘結(jié)性載體10上，但以分別置于相當(dāng)于其各自的框狀構(gòu)件的內(nèi)側(cè)區(qū)域的多個(gè)電子器件設(shè)置區(qū)域的方式，分別配置“在多個(gè)電子器件封裝中分別使用的電子器件20”。由此，在工序(ii)后可成批地得到“多個(gè)電子器件封裝前體110一體化而成的電子器件封裝前體”。所以，最終，只要在剝離處理后進(jìn)行切割處理，就可得到多個(gè)電子器件封裝。也就是說(shuō)，在工序(v)后，通過(guò)進(jìn)行切割處理個(gè)別地分開(kāi)，可同時(shí)得到多個(gè)電子器件封裝。

(軟釬料部的形成方式)

在本發(fā)明的制造方法中，也可以附加地實(shí)施軟釬料部的形成。具體地講，如圖6A及6B所示，可以在切割處理后形成“用于與安裝電子器件封裝的基板連接的軟釬料部70”。這里所說(shuō)的“基板”，指的是二次基板，例如印刷基板(印制布線板)等。

軟釬料部70例如也可以以與金屬圖形層54至少相接的方式形成。這里，在本發(fā)明的制造方法中，也可以將軟釬料部70只形成在電子器件封裝的主面的周邊區(qū)域上。也就是說(shuō)，盡管在電子器件封裝的主面(圖示的形態(tài)中為封裝的下側(cè)面)的周邊區(qū)域或邊緣附近區(qū)域中形成軟釬料部70，但在其內(nèi)側(cè)的封裝主面區(qū)域中未必形成軟釬料部70。

這在本發(fā)明中關(guān)系到能否通過(guò)金屬構(gòu)件30來(lái)調(diào)整二次安裝時(shí)的瞬態(tài)熱 特性。只設(shè)在電子器件封裝的主面的周邊區(qū)域或邊緣附近區(qū)域中的軟釬料部70，在二次安裝后能夠容易從外部確認(rèn)軟釬焊接合狀態(tài)。本發(fā)明中，由于因存在金屬構(gòu)件30而能夠使二次安裝時(shí)的瞬態(tài)熱特性成為適合，更具體地講，由于二次安裝時(shí)的熱向封裝橫方向/外側(cè)方向傳播，所以即使只在電子器件封裝的主面的周邊區(qū)域或邊緣附近區(qū)域中設(shè)置軟釬料部70，也能夠?qū)崿F(xiàn)所希望的軟釬料熔化。

[本發(fā)明的電子器件封裝]

接著，對(duì)本發(fā)明的電子器件封裝進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的電子器件封裝為通過(guò)上述的本發(fā)明的制造方法得到的封裝。

圖7中示意性地示出本發(fā)明的電子器件封裝的構(gòu)成。如圖示，電子器件封裝100具備至少1個(gè)電子器件20、金屬構(gòu)件30及密封樹(shù)脂層40。

電子器件20及金屬構(gòu)件30埋設(shè)在密封樹(shù)脂層40中。從圖示的樣式得知，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，電子器件20及金屬構(gòu)件30也可以以與密封樹(shù)脂層40成同一面的狀態(tài)埋設(shè)。也就是說(shuō)，“電子器件20的表面”和“密封樹(shù)脂層40的表面”實(shí)質(zhì)上處于同一平面上，同時(shí)“金屬構(gòu)件30的表面”和“密封樹(shù)脂層40的表面”也可以實(shí)質(zhì)上處于同一平面上。就電子器件20來(lái)講，電子器件的電極25也可以與密封樹(shù)脂層40形成同一面狀態(tài)。也就是說(shuō)，電子器件的電極25的表面和密封樹(shù)脂層40的表面也可以實(shí)質(zhì)上處于同一平面上。

在本發(fā)明的電子器件封裝100中，金屬構(gòu)件30的厚度大于電子器件20的厚度。此外，金屬構(gòu)件30只設(shè)在電子器件封裝100的周邊部。也就是說(shuō)，如圖7所示，比電子器件20厚的金屬構(gòu)件30只設(shè)在密封樹(shù)脂層40的周邊部。

這樣的金屬構(gòu)件30為厚度大于電子器件20的構(gòu)件，但可以與其它構(gòu)件對(duì)比也具有相應(yīng)的厚度。例如，金屬構(gòu)件30的厚度T₃₀也可以為密封樹(shù)脂層40的厚度T₄₀的厚度的50％～90％(參照?qǐng)D7)。金屬構(gòu)件30的厚度T₃₀也可以為密封樹(shù)脂層40的厚度T₄₀的60％～90％，金屬構(gòu)件30的厚度T₃₀也可以為密封樹(shù)脂層40的厚度T₄₀的70％～90％。此外，如果以其他切口來(lái)判斷，則金屬構(gòu)件30的厚度為封裝厚度的一半以上。例如金屬構(gòu)件30的厚度也可以為封裝厚度的55％～85％，金屬構(gòu)件30的厚度也可以為封裝 厚度的65％～85％。具體的金屬構(gòu)件30的厚度因封裝的具體用途等而不同，所以不能一般化，例如可以是1mm～6mm的范圍，也可以是1.5mm～5.5mm的范圍。也就是說(shuō)，金屬構(gòu)件30也可以具有mm級(jí)的厚度。

如圖示，本發(fā)明的電子器件封裝100也可以進(jìn)一步具有與電子器件20及金屬構(gòu)件30電連接的金屬圖形層54。此外，某一樣式中，金屬圖形層54還設(shè)在電子器件封裝的周邊部(例如密封樹(shù)脂層的周邊部)。

金屬圖形層54也可以至少具有由干式鍍膜層51和濕式鍍膜層52構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。干式鍍膜層51相當(dāng)于“由相對(duì)小的平均晶體粒徑構(gòu)成的層”，而濕式鍍膜層52相當(dāng)于“由相對(duì)大的平均晶體粒徑構(gòu)成的層”(參照?qǐng)D8)。在該雙層結(jié)構(gòu)中，干式鍍膜層51相對(duì)地置于內(nèi)側(cè)，而濕式鍍膜層52相對(duì)地置于外側(cè)。

更具體地講，也可以以與電子器件(特別是其電極25)直接接合的方式設(shè)置干式鍍膜層51，在該層上設(shè)置濕式鍍膜層52。同樣，也可以以與金屬構(gòu)件30直接接合的方式設(shè)置干式鍍膜層51，在該層上設(shè)置濕式鍍膜層52。由此得知，本說(shuō)明書(shū)中所說(shuō)的“相對(duì)地置于內(nèi)側(cè)”的表示，實(shí)質(zhì)上意味著相對(duì)于“金屬構(gòu)件的露出面”/“電子器件的電極露出面”位于更近的位置，而“相對(duì)地置于外側(cè)”的表示，實(shí)質(zhì)上意味著相對(duì)于“金屬構(gòu)件的露出面”或“電子器件的電極露出面”位于更遠(yuǎn)的位置。

就干式鍍膜層51及濕式鍍膜層52的具體的晶體粒徑來(lái)講，“干式鍍膜層51中的平均晶體粒徑”為大于0(除去0)且2μm以下，而“濕式鍍膜層52中的平均晶體粒徑”為5μm～20μm。另外，在本發(fā)明的電子器件封裝中，如圖7所示，也可以設(shè)置至少部分地被覆金屬圖形層54那樣的抗蝕劑層60即阻焊劑層。這樣的抗蝕劑層60可以與電子安裝領(lǐng)域通常所用的阻焊劑層相同。

在本發(fā)明的電子器件封裝100中，至少1個(gè)電子器件20埋設(shè)在密封樹(shù)脂層40中。作為這樣的電子器件，例如可列舉出IC(例如控制器IC)、感應(yīng)器、半導(dǎo)體元件(例如，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體電場(chǎng)效應(yīng)型晶體管))、電容器、功率元件、發(fā)光元件(例如LED)芯片電阻、芯片電容器、芯片變阻器、芯片熱敏電阻、其它芯片狀的層疊濾波器、連接端子等。在本發(fā)明中，電子器件的電極25也可以從密封樹(shù)脂層40的表面露出， 也可以與該露出的電極25接合地設(shè)置金屬圖形層54。

埋設(shè)在密封樹(shù)脂層40中的金屬構(gòu)件30為厚度比電子器件20厚的構(gòu)件。也就是說(shuō)，如圖7所示，金屬構(gòu)件30作為整體具有“金屬方塊”的形態(tài)。如上所述，“金屬構(gòu)件30”，意味著不是以層形態(tài)所代表的厚度比較小的構(gòu)件，而是如方塊形態(tài)那樣厚度比較厚的構(gòu)件。也就是說(shuō)，“金屬構(gòu)件”不具有圖案化的層形態(tài)，而具有在電子器件封裝中占比較大的體積的塊狀/方塊形態(tài)。

這樣的金屬構(gòu)件30有助于提高二次安裝時(shí)的瞬態(tài)熱特性及軟釬焊安裝性，其結(jié)果是，有助于二次安裝時(shí)的軟釬料更均勻地熔化。

埋設(shè)在密封樹(shù)脂層40中的金屬構(gòu)件30可以具有大致長(zhǎng)方體或大致立方體的形狀(參照?qǐng)D9A)。也就是說(shuō)，可以是作為整體具有“方塊”的形態(tài)的金屬構(gòu)件。另外，金屬構(gòu)件30的高度尺寸H相對(duì)于寬度尺寸W的比R(＝H/W)即縱橫比也可以大于1，也可以為1.2～10的范圍或?yàn)?.2～7的范圍，例如為1.5～5的范圍(參照?qǐng)D9A)。另外，這里所說(shuō)的“高度尺寸H”，指的是厚度方向(電子封裝的厚度方向即絕緣樹(shù)脂層及電子器件等的厚度方向)中的尺寸中的最大尺寸，“寬度尺寸W”指的是與這樣的厚度方向正交的方向上的尺寸中的最小尺寸。

金屬構(gòu)件30例如含有選自銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)、鈀(Pd)、白金(Pt)及鎳(Ni)中的至少1種材料。由此，金屬構(gòu)件30能有助于提高二次安裝時(shí)的瞬態(tài)熱特性。

如上所述，金屬構(gòu)件30特別是為了有助于提高二次安裝時(shí)的瞬態(tài)熱特性而有意設(shè)置的，因此只設(shè)在密封樹(shù)脂層40的周邊部。這里所謂“只設(shè)在周邊部”，意味著盡管將金屬構(gòu)件30設(shè)在電子器件封裝的邊緣附近區(qū)域，但是不設(shè)在其內(nèi)側(cè)區(qū)域。另外，本說(shuō)明書(shū)中所說(shuō)的“周邊部420”，例如如圖9B所示，為以包含電子器件封裝的邊緣410的方式位于的區(qū)域，例如相當(dāng)于具有電子器件封裝的縱尺寸M或橫尺寸N(即密封樹(shù)脂層的縱尺寸M或橫尺寸N)的10％的寬度的區(qū)域。

金屬構(gòu)件30的側(cè)面30A也可以從密封樹(shù)脂層40的端面40A露出(參照?qǐng)D9A、9B及圖10A、10B)。如圖9A、9B及圖10A、10B所示，金屬構(gòu)件30的露出的側(cè)面30A與密封樹(shù)脂層40的端面40A彼此也可以成為同 一面。

在本發(fā)明的電子器件封裝100中，也可以設(shè)置多個(gè)金屬構(gòu)件30。在此種情況下，該多個(gè)金屬構(gòu)件30也可以只置于電子器件封裝的周邊部。也就是說(shuō)，如圖9A、9B及圖10A、10B所示，多個(gè)金屬構(gòu)件30各自的側(cè)面30A也可以從密封樹(shù)脂層40的端面40A露出。即使是這樣的情況時(shí)，多個(gè)金屬構(gòu)件30各自的露出的側(cè)面30A與密封樹(shù)脂層40的端面40A彼此也可以成為同一面。

從圖9B及圖10A所示的形態(tài)得知，多個(gè)金屬構(gòu)件30可以以作為整體形成為框狀的方式進(jìn)行排列。在這種情況下，例如向某一方向排列的多個(gè)金屬構(gòu)件的節(jié)距可以是固定的。如果多個(gè)金屬構(gòu)件30以作為整體形成為框狀的方式進(jìn)行排列，則二次安裝時(shí)的瞬態(tài)熱特性為更適合的特性，軟釬料熔化可更均勻。

如圖11所示，電子器件封裝100也可以進(jìn)一步具備軟釬料部70，其用于與安裝電子器件封裝100的基板的連接。也就是說(shuō)，例如也可以進(jìn)一步具備軟釬料部70，用于與印刷基板(印制布線板)等二次基板的連接。

這樣的軟釬料部70也可以以與金屬圖形層54至少相接的方式進(jìn)行設(shè)置。在本發(fā)明的某一方式中，這樣的軟釬料部70只設(shè)在電子器件封裝的主面的周邊區(qū)域上。也就是說(shuō)，盡管在電子器件封裝的主面的周邊區(qū)域或邊緣附近區(qū)域設(shè)置軟釬料部70，但在其內(nèi)側(cè)的封裝主面區(qū)域不設(shè)置軟釬料部70。本發(fā)明中，因存在金屬構(gòu)件30而能夠使二次安裝時(shí)的瞬態(tài)熱特性成為適合的特性，因此即使只在電子器件封裝的主面的周邊區(qū)域或邊緣附近區(qū)域中設(shè)置軟釬料部70也能夠?qū)崿F(xiàn)軟釬料熔化。

例如，這樣的軟釬料部70能夠以圖10C所示那樣的形態(tài)設(shè)置。也就是說(shuō)，軟釬料部70也能夠以置于密封樹(shù)脂層40的端面?zhèn)鹊姆绞竭M(jìn)行設(shè)置。更具體地講，圖10C所示的軟釬料部70也以與從密封樹(shù)脂層40的端面40A露出的金屬構(gòu)件30的側(cè)面30A相接的形態(tài)置于密封樹(shù)脂層40的端面?zhèn)?。在這樣的軟釬料部70中，可使二次安裝時(shí)的瞬態(tài)熱特性更適合。具體地講，二次安裝時(shí)的熱即瞬態(tài)熱可通過(guò)封裝橫方向/外側(cè)方向傳播。

根據(jù)以上的構(gòu)成，能夠由金屬構(gòu)件的下部中的從抗蝕劑層露出的金屬圖形層的一部分中散發(fā)更多的熱。所以，能夠進(jìn)一步提高散熱性。

此外，根據(jù)以上的構(gòu)成，通過(guò)設(shè)置金屬構(gòu)件，金屬構(gòu)件的下部的熱的分布變得均勻。因此，在金屬構(gòu)件的下部中，更不易發(fā)生起因于電子器件封裝所含的構(gòu)成要素的熱容量特性等的“軟釬料熔化的局部的差異”。所以，在從抗蝕劑層中露出的金屬圖形層的一部分與二次基板的軟釬焊接合中，進(jìn)一步減低“軟釬料熔化的局部的差異”，可進(jìn)行所希望的軟釬焊接合。

以上，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但終歸不過(guò)是典型的例示。所以，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)可以容易理解，本發(fā)明并不局限于此，可考慮多種實(shí)施方式。

從圖7所示的方式等得知，由于將本發(fā)明中的金屬構(gòu)件30設(shè)在密封樹(shù)脂層的周邊部，并從該樹(shù)脂層端面等露出，所以可視為外部端子。在此種情況下，通過(guò)存在熱容量大的作為外部端子的金屬構(gòu)件，而能使二次安裝時(shí)的瞬態(tài)熱特性更適合。

此外，在本發(fā)明的制造方法中，例如，也可以將剝離的粘結(jié)性載體再利用。也就是說(shuō)，本發(fā)明中，在以后進(jìn)行的其他電子器件封裝制造中可使用“使用過(guò)一次的粘結(jié)性載體”。

符號(hào)說(shuō)明

10－粘結(jié)性載體，14－支承基材，16－粘結(jié)層，20－電子器件，30、310－金屬構(gòu)件，310－一體化構(gòu)件，30A－側(cè)面，31－框狀構(gòu)件，32－區(qū)域，40－密封樹(shù)脂層，40A－端面，50－金屬層，51－干式鍍膜層，52－濕式鍍膜層，54－金屬圖形層，60－抗蝕劑層，70－軟釬料部，100－電子器件封裝，10－電子器件封裝前體。