本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，尤其涉及一種提高圖像傳感器芯片懸空打線穩(wěn)定性的方法。

背景技術(shù)：

圖像傳感器芯片是將光轉(zhuǎn)換為電信號的電子器件，按照感光原理的不同分為ccd（chargecoupleddevice）和cmos(complementarymetal-oxide-semiconductortransistor)兩種，圖像傳感器芯片在封裝時需通過各種方式將焊盤電學(xué)連接封裝至外部。目前，主流的cis（cmosimagesensor）芯片封裝技術(shù)包括：cob(chipsonboard)、csp(chipscalepackaging)。

在csp的晶圓級（waferlevel）封裝的過程中，往往首先將包含有若干cis芯片的晶圓本體鍵合于玻璃材質(zhì)的封裝基板上，在封裝基板上預(yù)先制作對應(yīng)環(huán)繞于每一cis芯片的支撐側(cè)墻。然后進(jìn)行對晶圓背面線路工藝的處理例如：tsv（throughsiliconvia）或t-contact，在完成相關(guān)的工藝后針對晶圓進(jìn)行切割，形成單個cis芯片的封裝結(jié)構(gòu)。封裝基板的作用在于：可形成一密閉的空間，無論是在封裝的過程中還是封裝完畢后的模組制造中防止塵埃、水汽以及外部的直接接觸等因素污染cis芯片的感光面，并且封裝基板在封裝加工中會提供一定的支撐以加強(qiáng)加工強(qiáng)度。但是，csp封裝芯片存在如下問題：1、表面的封裝基板會帶來入光線損失并帶來反射光的眩擾（flare）；2、由于csp封裝的結(jié)構(gòu)是由上表面（玻璃）和下表面（硅片）及四周側(cè)墻所形成的的密封結(jié)構(gòu)，當(dāng)芯片尺寸較大時，在模組制作的熱過程中，封裝基板和硅片之間的氣壓變化容易造成硅片的應(yīng)力過大，帶來芯片的失效的問題。

由于csp封裝的上述問題，目前csp封裝主要被用于中低端、低像素cmos圖像傳感器產(chǎn)品。而高像素或超高像素cis芯片的封裝采用的是cob技術(shù)，以滿足性能和可靠性方面的要求。但是另一方面，cob封裝也存在量產(chǎn)規(guī)?；顿Y巨大，設(shè)計、生產(chǎn)周期長、不靈活等劣勢。

此外，中國發(fā)明專利申請：cn201510641103.0，公開一種《攝像頭模組的裝配方法》，揭露了一種新型cis（cmosimagesensor）封裝方法，該封裝方法包括：提供具有懸空金屬導(dǎo)線的圖像傳感器芯片，所述金屬導(dǎo)線的第一端鍵合于所述圖像傳感器芯片的焊盤，第二端懸空于所述圖像傳感器芯片；將所述圖像傳感器芯片與鏡頭模塊裝配形成標(biāo)準(zhǔn)件，然后通過所述金屬導(dǎo)線的第二端將所述標(biāo)準(zhǔn)件與電路板裝配形成攝像頭模組。采用此種封裝方法具有模組高度低，封裝可靠性佳，光學(xué)性能優(yōu)良，模組傾斜度誤差較小，成本較cob、csp小等諸多優(yōu)勢。這種封裝方法的核心之一在于制作一端與圖像傳感器芯片的焊盤鍵合，另一端懸空的金屬導(dǎo)線。在這種方法的金屬導(dǎo)線打線過程中，會將圖像傳感器芯片置于打線平臺上，但打線過程中由于打線裝置的作用力往往會發(fā)生圖像傳感器芯片在沿水平方向有所滑動，圖像傳感器芯片發(fā)生位移，導(dǎo)致在打線過程中發(fā)生金屬導(dǎo)線無法對準(zhǔn)于圖像傳感器芯片的位置，影響打線的質(zhì)量。

此外在芯片拾取的過程中，一般采用吸嘴吸附圖像傳感器芯片背面的方式，現(xiàn)有技術(shù)中圖像傳感器芯片的背面未采用處理，可能會出現(xiàn)吸附不牢固，圖像傳感器芯片容易脫落的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例解決的問題是如何提高圖像傳感器芯片打線過程中穩(wěn)定性的問題。

為解決該問題，本發(fā)明提供一種提高圖像傳感器芯片懸空打線穩(wěn)定性的方法，于硅片研磨工藝后，在硅片切割前或切割后于圖像傳感器芯片背面覆蓋防滑膜，所述防滑膜提高拾取芯片過程中芯片與吸嘴之間的摩擦力，增加拾取芯片的穩(wěn)定性；同時，所述防滑膜減少拾取芯片過程中吸嘴對芯片的沖擊力，降低芯片損傷的可能性；所述防滑膜還可提高芯片底面和打線平臺表面的摩擦力，防止圖像傳感器打線工藝中圖像傳感器發(fā)生滑動。

優(yōu)選的，所述防滑層為：環(huán)氧樹脂、焊接掩膜。

優(yōu)選的，提供機(jī)械壓板，所述機(jī)械壓板壓靠于芯片正面，于芯片正面提供壓力，增加芯片與打線平臺的摩擦力。

優(yōu)選的，提供吹氣裝置，所述吹氣裝置設(shè)置于芯片上部，輸出空氣給芯片正面提供壓力，增加芯片與打線平臺的摩擦力。

優(yōu)選的，所述吹氣裝置不接觸芯片表面，減少感光區(qū)域被污染的可能性。

本發(fā)明在圖像傳感器芯片的背面形成防滑膜，該防滑膜能提高拾取芯片過程中芯片與吸嘴之間的摩擦力，增加拾取芯片的穩(wěn)定性；同時，所述防滑膜減少拾取芯片過程中吸嘴對芯片的沖擊力，降低芯片損傷的可能性；所述防滑膜還可提高芯片底面和打線平臺表面的摩擦力，防止圖像傳感器打線工藝中圖像傳感器發(fā)生滑動。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中圖像傳感器打線過程中第一狀態(tài)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中圖像傳感器打線過程中第二狀態(tài)示意圖；

圖3為本發(fā)明一實施例中涉及的圖像傳感器打線過程中的第一狀態(tài)示意圖；

圖4為本發(fā)明一實施例中涉及的圖像傳感器打線過程中的第二狀態(tài)示意圖；

圖5為本發(fā)明一實施例中涉及的圖像傳感器拾取過程中的示意圖。

具體實施方式

為了提高圖像傳感器芯片打線的穩(wěn)定性，本發(fā)明提供一種提高圖像傳感器芯片懸空打線穩(wěn)定性的方法，包括：于硅片研磨工藝后，在硅片切割前或切割后于芯片背面覆蓋防滑膜，所述防滑膜提高拾取芯片過程中芯片與吸嘴之間的摩擦力，增加拾取芯片的穩(wěn)定性；同時，所述防滑膜減少拾取芯片過程中吸嘴對芯片的沖擊力，降低芯片損傷的可能性；所述防滑膜還可提高芯片底面和打線平臺表面的摩擦力，防止圖像傳感器打線工藝中圖像傳感器發(fā)生滑動。下面結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容進(jìn)行說明。

請參照圖1、圖2，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中圖像傳感器打線過程中第一狀態(tài)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中圖像傳感器打線過程中第二狀態(tài)示意圖；將圖像傳感器芯片20放置于打線平臺10的表面，圖像傳感器包括位于中央?yún)^(qū)域的感光區(qū)域和位于感光區(qū)域外側(cè)的焊盤區(qū)域，在焊盤區(qū)域上包括焊盤210，通過打線裝置在圖像傳感器芯片的焊盤210上進(jìn)行金屬鍵合打線，將金屬導(dǎo)線30懸空至圖像傳感器芯片的外側(cè)，圖2中圖像傳感器芯片實線20為現(xiàn)有技術(shù)中打線后的位置，虛線顯示的圖像傳感器芯片20’為原有位置，可以發(fā)現(xiàn)發(fā)生了移動，這種移動會導(dǎo)致同一圖像傳感器芯片的后續(xù)焊盤的打線無法對準(zhǔn)，導(dǎo)致焊盤未良好與金屬導(dǎo)線進(jìn)行電學(xué)連接，影響焊盤的信號傳輸。

圖3為本發(fā)明一實施例中涉及的圖像傳感器打線過程中的第一狀態(tài)示意圖；

圖4為本發(fā)明一實施例中涉及的圖像傳感器打線過程中的第二狀態(tài)示意圖；圖3中于硅片研磨工藝后，在硅片（晶圓）切割前或切割后于圖像傳感器芯片背面覆蓋防滑膜21，請同時參考圖5，圖5為本發(fā)明一實施例中涉及的圖像傳感器拾取過程中的示意圖，芯片拾取裝置40由圖像傳感器芯片20的背面進(jìn)行拾取，由于防滑膜21的存在，提高了拾取圖像傳感器芯片過程中芯片與吸嘴之間的摩擦力，增加拾取芯片的穩(wěn)定性；同時，防滑膜21減少拾取芯片過程中吸嘴41對芯片的沖擊力，降低芯片損傷的可能性；請繼續(xù)參考圖4，圖4中，由于防滑膜21的存在，打線裝置的金屬導(dǎo)線30鍵合于圖像傳感器芯片20的焊盤210時，提高芯片底面和打線平臺表面的摩擦力，能防止圖像傳感器芯片打線工藝中圖像傳感器發(fā)生滑動。防滑層為：環(huán)氧樹脂、焊接掩膜。在另一實施例中，提供機(jī)械壓板，所述機(jī)械壓板壓靠于芯片正面，于芯片正面提供壓力，增加芯片與打線平臺的摩擦力。在又一實施例中，提供吹氣裝置，所述吹氣裝置設(shè)置于芯片上部，輸出空氣給芯片正面提供壓力，增加芯片與打線平臺的摩擦力，并且吹氣裝置不接觸芯片表面，減少感光區(qū)域被污染的可能性。

本發(fā)明在圖像傳感器芯片的背面形成防滑膜，該防滑膜能提高拾取芯片過程中芯片與吸嘴之間的摩擦力，增加拾取芯片的穩(wěn)定性；同時，所述防滑膜減少拾取芯片過程中吸嘴對芯片的沖擊力，降低芯片損傷的可能性；所述防滑膜還可提高芯片底面和打線平臺表面的摩擦力，防止圖像傳感器打線工藝中圖像傳感器發(fā)生滑動。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。