本發(fā)明涉及光電顯示技術領域，尤其涉及一種OLED顯示器件及其制作方法。

背景技術：

有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)顯示器件具有自發(fā)光、驅動電壓低、發(fā)光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬、及可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

OLED顯示器件屬于自發(fā)光型顯示設備，通常包括分別用作陽極、與陰極的像素電極、和公共電極、以及設在像素電極與公共電極之間的有機功能層，使得在適當?shù)碾妷罕皇┘佑陉枠O與陰極時，從有機功能層發(fā)光。其中，有機發(fā)光層包括了設于陽極上的空穴注入層(Hole injection layer，HIL)、設于空穴注入層上的空穴傳輸層(Hole transport layer，HTL)、設于空穴傳輸層上的有機發(fā)光層(Emitting layer，EL)、設于有機發(fā)光層上的電子傳輸層(Electron transport layer，ETL)、及設于電子傳輸層上的電子注入層(Electron injection layer，EIL)，其發(fā)光機理為在一定電壓驅動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子注入層和空穴注入層，電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

在顯示面板行業(yè)中，OLED顯示裝置相較于傳統(tǒng)的薄膜晶體管型液晶顯示裝置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)，具有十分優(yōu)異的顯示性能，其最大的優(yōu)勢就是可制備大尺寸、超薄、柔性和透明顯示器件。

然而，制備透明顯示器需要解決透明電極的問題，透明電極材料既要求有較高的導電性，還要有較高的透過率。目前使用的透明電極材料主要是氧化銦錫(ITO)，由于蒸鍍的有機薄膜較薄，而ITO通常采用濺射法制備，濺射的功率過高會對有機層造成破壞，濺射的功率太低則成膜時間太長，量產產能很低。高柔性的PEDOT:PSS(聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))膜作為常用的有機透明導電膜涂料已經備受材料界關注，因為其溶液特性，可以使用常見的濕法成膜工藝來制備PEDOT:PSS薄膜，相對于ITO膜，設備投入大幅降低。但由于在形成PEDOT:PSS膜時，PEDOT:PSS溶液的溶劑中含有水，容易對有機發(fā)光層造成破壞，故要用PEDOT:PSS膜作為OLED顯示器件的透明電極時，首先必須解決這個問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示器件，可用于構成透明OLED顯示器件，制作工藝簡單，生產成本低。

本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED顯示器件的制作方法，可用于制作透明OLED顯示器件，制作工藝簡單，生產成本低。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種OLED顯示器件，包括基板、設于所述基板上的陰極、設于所述陰極上的電子注入/傳輸層、設于所述電子注入/傳輸層上的有機發(fā)光層、設于所述有機發(fā)光層上的空穴傳輸層、設于所述空穴傳輸層上的空穴注入層、及設于所述空穴注入層上的陽極；

所述基板為TFT陣列基板，所述陰極為TFT陣列基板上的透明像素電極；

所述陽極為PEDOT:PSS透明導電膜，所述PEDOT:PSS透明導電膜包含PEDOT:PSS；

所述空穴注入層的材料為疏水性有機材料；

所述空穴傳輸層的材料為無機材料。

所述陽極通過濕法成膜工藝形成，所述PEDOT:PSS透明導電膜還包含摻雜于PEDOT:PSS中的石墨烯、碳納米管、或金屬納米粒子。

所述空穴注入層的材料為Poly-TPD、或TFB。

所述空穴傳輸層的材料為MoO₃、NiO、或WO₃。

所述電子注入/傳輸層的材料為ZnO、或PFN；所述陰極的材料為ITO。

本發(fā)明還提供一種OLED顯示器件的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供基板，所述基板上設有陰極，在所述陰極上涂布形成電子注入/傳輸層；

所述基板為TFT陣列基板，所述陰極為TFT陣列基板上的透明像素電極；

步驟2、在所述電子注入/傳輸層上涂布、或蒸鍍形成有機發(fā)光層；

步驟3、在所述有機發(fā)光層上蒸鍍形成空穴傳輸層，所述空穴傳輸層的材料為無機材料；

步驟4、在所述空穴傳輸層上涂布形成空穴注入層，所述空穴注入層的材料為疏水性有機材料；

步驟5、采用濕法成膜工藝在所述空穴注入層上形成陽極，所述陽極為PEDOT:PSS透明導電膜，所述PEDOT:PSS透明導電膜包含PEDOT:PSS。

所述PEDOT:PSS透明導電膜還包含摻雜于PEDOT:PSS中的石墨烯、碳納米管、或金屬納米粒子。

所述空穴注入層的材料為Poly-TPD、或TFB。

所述空穴傳輸層的材料為MoO₃、NiO、或WO₃。

所述電子注入/傳輸層的材料為ZnO、或PFN；所述陰極的材料為ITO。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的OLED顯示器件，采用倒置型器件結構，包括由下至上依次層疊設置的基板、陰極、電子注入/傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層、及陽極，其中，所述基板為TFT陣列基板，所述陰極為TFT陣列基板上的透明像素電極，所述陽極為高導電性的PEDOT:PSS透明導電膜，可用于構成透明OLED顯示器件，所述空穴注入層為疏水性有機材料，所述空穴傳輸層為水氧阻隔性好的無機材料，從而在制作PEDOT:PSS透明導電膜作為陽極時，具有疏水性的空穴注入層可以有效阻止水分子向有機發(fā)光層滲透，且水氧阻隔性能好的空穴傳輸層可以起到對氧分子、及水分子的二次阻隔，從而達到對有機發(fā)光層雙重保護的目的，制備工藝簡單，而且生產成本低，非常具有量產優(yōu)勢。本發(fā)明的OLED顯示器件的制作方法，可用于制作透明OLED顯示器件，制作工藝簡單，生產成本低。

附圖說明

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的OLED顯示器件的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明的OLED顯示器件一優(yōu)選實施例的能級結構示意圖；

圖3為本發(fā)明的OLED顯示器件的制作方法的流程示意圖；

圖4為本發(fā)明的OLED顯示器件的制作方法的步驟1的示意圖；

圖5為本發(fā)明的OLED顯示器件的制作方法的步驟2的示意圖；

圖6為本發(fā)明的OLED顯示器件的制作方法的步驟3的示意圖；

圖7為本發(fā)明的OLED顯示器件的制作方法的步驟4的示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖1，為本發(fā)明的OLED顯示器件，包括基板10、設于所述基板10上的陰極(Cathode)21、設于所述陰極21上的電子注入/傳輸層(EIL/ETL)22、設于所述電子注入/傳輸層22上的有機發(fā)光層(EL)23、設于所述有機發(fā)光層23上的空穴傳輸層(HTL)24、設于所述空穴傳輸層24上的空穴注入層(HIL)25、及設于所述空穴注入層25上的陽極(Anode)26。

具體地，所述基板10為TFT陣列(Array)基板，所述陰極21為TFT陣列基板上的透明像素電極，優(yōu)選地，所述陰極21的材料為ITO。

具體地，所述陽極26為PEDOT:PSS透明導電膜，所述PEDOT:PSS透明導電膜包含PEDOT:PSS，其可以為改性、或摻雜的PEDOT:PSS材料，以提高PEDOT:PSS透明導電膜的導電性；所述PEDOT:PSS透明導電膜優(yōu)選為摻雜的PEDOT:PSS材料，所述PEDOT:PSS透明導電膜還包含摻雜于PEDOT:PSS中的石墨烯、碳納米管、或金屬納米粒子，從而改善所述陽極26的導電性。由于陽極26采用的PEDOT:PSS透明導電膜為透明材料，結合采用透明像素電極的陰極21，本發(fā)明的OLED顯示器件可以用作透明OLED顯示器件，且由于PEDOT:PSS透明導電膜可由PEDOT:PSS溶液通過濕法成膜工藝形成，相較于ITO膜的制備，工藝簡單，制造成本低，非常具有量產優(yōu)勢。

具體地，所述空穴注入層25的材料為疏水性有機材料，例如：聚(N,N'雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)(Poly-TPD)、或1,2,4,5-四(三氟甲基)苯(TFB)等疏水性有機材料；從而在采用濕法成膜工藝制作PEDOT:PSS透明導電膜作為陽極26時，具有疏水性的空穴注入層25可以有效地阻止PEDOT:PSS溶液中的水分子向有機發(fā)光層23滲透。

具體地，所述空穴傳輸層24的材料為無機材料，例如：氧化鉬(MoO₃)、氧化鎳(NiO)、或氧化鎢(WO₃)等無機材料；由于所述空穴傳輸層24為水氧阻隔性能好的無機材料，從而可以起到對氧分子、及水分子的二次阻隔，與所述空穴注入層25共同達到對有機發(fā)光層23雙重保護的目的。

具體地，所述電子注入/傳輸層22的材料為氧化鋅(ZnO)、或聚[9，9-二辛基芴-9，9-雙(N，N-二甲基胺丙基)芴](PFN)。

具體地，所述有機發(fā)光層23的材料可以為有機小分子熒光材料、有機聚合物熒光材料、小分子磷光材料、或者聚合物磷光材料。

具體地，如圖2所示的本發(fā)明一優(yōu)選實施例的能級結構示意圖，本發(fā)明的OLED顯示器件中各層材料的選擇，需滿足能級匹配，各層間的電勢差盡可能較小，以確保電子和空穴能有效地被傳輸?shù)接袡C發(fā)光層23，形成激子并激發(fā)有機發(fā)光層23發(fā)光，在該優(yōu)選實施例中，所述陰極21的材料為ITO，所述電子注入/傳輸層22的材料為ZnO，所述空穴傳輸層24的材料為MoO₃，所述空穴注入層25的材料為Poly-TPD。

本發(fā)明的OLED顯示器件，采用倒置型器件結構，陰極21采用TFT基板上的透明像素電極，所述陽極26采用高導電性的PEDOT:PSS透明導電膜，因此可用于構成透明OLED顯示器件，所述空穴注入層25為疏水性有機材料，所述空穴傳輸層24為水氧阻隔性好的無機材料，從而在制作PEDOT:PSS透明導電膜作為陽極26時，具有疏水性的空穴注入層25可以有效阻止水分子向有機發(fā)光層23滲透，且水氧阻隔性能好的空穴傳輸層24可以起到對氧分子、及水分子的二次阻隔，從而達到對有機發(fā)光層23雙重保護的目的，制備工藝簡單，而且生產成本低，非常具有量產優(yōu)勢。

請參閱圖3，本發(fā)明還提供一種OLED顯示器件的制作方法，包括以下步驟：

步驟1、如圖4所示，提供基板10，所述基板10上設有陰極21，通過旋涂、或噴涂等涂布方式在所述陰極21上形成電子注入/傳輸層22。

具體地，所述基板10為TFT陣列基板，所述陰極21為TFT陣列基板上的透明像素電極，優(yōu)選地，所述陰極21的材料為ITO。

具體地，所述電子注入/傳輸層22的材料為ZnO、或PFN。

步驟2、如圖5所示，通過旋涂、或蒸鍍等方式在所述電子注入/傳輸層22上形成有機發(fā)光層23。

具體地，所述有機發(fā)光層23的材料可以為有機小分子熒光材料、有機聚合物熒光材料、小分子磷光材料、或者聚合物磷光材料。

步驟3、如圖6所示，通過蒸鍍等方法在所述有機發(fā)光層23上形成空穴傳輸層24，所述空穴傳輸層24的材料為無機材料。

具體地，所述空穴傳輸層24為MoO₃、NiO、或WO₃等無機材料；由于所述空穴傳輸層24為水氧阻隔性能好的無機材料，從而在后續(xù)采用濕法成膜工藝形成陽極時，可以起到對氧分子、及水分子的阻隔作用，而對有機發(fā)光層23起到良好的保護作用。

步驟4、如圖7所示，通過噴涂、或旋涂等涂布方式在所述空穴傳輸層24上形成空穴注入層25，所述空穴注入層25的材料為疏水性有機材料。

具體地，所述空穴注入層25為Poly-TPD、或TFB等疏水性有機材料；從而在后續(xù)采用濕法成膜工藝制作PEDOT:PSS透明導電膜作為陽極時，具有疏水性的空穴注入層25可以有效的阻止PEDOT:PSS溶液中的水分子向有機發(fā)光層23滲透，與所述空穴傳輸層24共同達到對有機發(fā)光層23雙重保護的目的。

步驟5、采用濕法成膜工藝在所述空穴注入層25上形成陽極26，所述陽極26為PEDOT:PSS透明導電膜，所述PEDOT:PSS透明導電膜包含PEDOT:PSS，從而得到如圖1所示的OLED顯示器件。

具體地，所述步驟5中采用濕法成膜工藝在所述空穴注入層25上形成陽極26的具體過程為：提供PEDOT:PSS溶液，通過旋涂、或刮涂等方法將PEDOT:PSS溶液涂布在所述空穴注入層25上，去除PEDOT:PSS溶液中溶劑，形成PEDOT:PSS透明導電膜，得到陽極26。

優(yōu)選地，所述PEDOT:PSS溶液中摻雜有石墨烯、碳納米管、或金屬納米粒子，從而所得到的PEDOT:PSS透明導電膜相應的還包含摻雜于PEDOT:PSS中的石墨烯、碳納米管、或金屬納米粒子，從而以提高所述陽極26的導電性。

綜上所述，本發(fā)明提供的OLED顯示器件，采用倒置型器件結構，包括由下至上依次層疊設置的基板、陰極、電子注入/傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層、及陽極，其中，所述基板為TFT陣列基板，所述陰極為TFT陣列基板上的透明像素電極，所述陽極為高導電性的PEDOT:PSS透明導電膜，可用于構成透明OLED顯示器件，所述空穴注入層為疏水性有機材料，所述空穴傳輸層為水氧阻隔性好的無機材料，從而在制作PEDOT:PSS透明導電膜作為陽極時，具有疏水性的空穴注入層可以有效阻止水分子向有機發(fā)光層滲透，且水氧阻隔性能好的空穴傳輸層可以起到對氧分子、及水分子的二次阻隔，從而達到對有機發(fā)光層雙重保護的目的，制備工藝簡單，而且生產成本低，非常具有量產優(yōu)勢。本發(fā)明的OLED顯示器件的制作方法，可用于制作透明OLED顯示器件，制作工藝簡單，生產成本低。

以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明后附的權利要求的保護范圍。