技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一鈍化層，位于半導(dǎo)體襯底中的溝槽的底面上方并且沿著所述半導(dǎo)體襯底中的溝槽的側(cè)壁延伸，其中，所述第一鈍化層包括第一介電材料；

鈍化氧化物層，在所述溝槽中并且位于所述第一鈍化層上，其中，所述鈍化氧化物層包括所述第一介電材料的氧化物并且具有比所述第一鈍化層高的氧原子百分比；以及

第二鈍化層，在所述溝槽中并且位于所述鈍化氧化物層上，其中，所述第二鈍化層包括所述第一介電材料并且具有比所述鈍化氧化物層低的氧原子百分比。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一鈍化層具有為5.5電子伏特(eV)或更大的帶隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述鈍化氧化物層的氧原子百分比大于66％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一介電材料為氧化鉿(HfO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋯(ZrO₂)、氧化釔(Y₂O₃)、氧化硅鋯(ZrSiO₄)、氧化硅鉿(HfSiO₄)或它們的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述溝槽至少部分地設(shè)置在第一光電二極管器件與第二光電二極管器件之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第三鈍化層，位于所述第二鈍化層上方并且部分地延伸進(jìn)所述溝槽內(nèi)，其中，所述第三鈍化層包括與所述第一介電材料不同的第二介電材料；

氧化物層，在所述溝槽中并且在所述第三鈍化層上方延伸，其中，所述第三鈍化層設(shè)置在所述溝槽中的所述氧化物層的第一部分與所述第二鈍化層的第一部分之間；

擴(kuò)散阻擋層，在所述溝槽中并且位于所述氧化物層上方；以及

導(dǎo)電層，在所述溝槽中并且位于所述擴(kuò)散阻擋層上方。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三鈍化層為非共形層并且不在所述溝槽中的所述氧化物層的第二部分與所述第二鈍化層的第二部分之間延伸。

8.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一光電二極管器件和第二光電二極管器件，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的正面處；

溝槽，至少部分地設(shè)置在所述第一光電二極管器件與所述第二光電二極管器件之間，其中，所述溝槽從所述半導(dǎo)體襯底的背面延伸，所述半導(dǎo)體襯底的背面與所述半導(dǎo)體襯底的正面相對；

多層鈍化結(jié)構(gòu)，在所述溝槽的底面上方并且沿著所述溝槽的側(cè)壁延伸，其中，所述多層鈍化結(jié)構(gòu)包括：

多個(gè)鈍化層，每一個(gè)都包括具有大于5.5電子伏特(eV)的帶隙的介電材料；以及

一個(gè)或多個(gè)氧化物鈍化層，設(shè)置在多個(gè)鈍化層的每一個(gè)之間，其中，所述一個(gè)或多個(gè)氧化物鈍化層包括所述介電材料的氧化物并且包括比所述多個(gè)鈍化層更高的氧原子百分比。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，所述介電材料為氧化鉿(HfO₂)氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋯(ZrO₂)、氧化釔(Y₂O₃)、氧化硅鋯(ZrSiO₄)、氧化硅鉿(HfSiO₄)或它們的組合。

10.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

提供包括第一光電二極管器件和第二光電二極管器件的襯底；

在半導(dǎo)體襯底中圖案化溝槽，其中，所述溝槽至少部分地設(shè)置在所述第一光電二極管器件與所述第二光電二極管器件之間；

在底面上方形成第一鈍化層，并且所述第一鈍化層沿著所述溝槽的側(cè)壁延伸；

氧化所述第一鈍化層的上部以形成鈍化氧化物層；以及

在所述溝槽中在所述鈍化氧化物層上方形成第二鈍化層，其中，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層均都包括相同的介電材料。