技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種通過減小高電容多層陶瓷電子組件的組件中的臺(tái)階部(stepportion)而改善耐受電壓特性的多層陶瓷電子組件及其制造方法。
背景技術(shù)：
：多層陶瓷電子組件包括多個(gè)堆疊的介電層、設(shè)置為與介于其間的各個(gè)介電層彼此面對(duì)的內(nèi)電極和電連接到內(nèi)電極的外電極。這種多層陶瓷電子組件由于其諸如小尺寸、高電容、易于安裝等的優(yōu)點(diǎn)已被廣泛地用作計(jì)算機(jī)、諸如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、移動(dòng)電話等的移動(dòng)通信裝置中的組件。隨著電子產(chǎn)品的尺寸已經(jīng)減小并且已實(shí)現(xiàn)了多功能性，電子組件也已變得緊湊且高功能化，因此已經(jīng)需求小但具有高電容的多層陶瓷電子組件。通常，在制造多層陶瓷電子組件的方法中，制造陶瓷生片，并通過在陶瓷生片上印刷導(dǎo)電膏而形成內(nèi)電極層?？蓪?duì)幾十至幾百個(gè)其上形成內(nèi)電極層的陶瓷生片進(jìn)行堆疊，從而形成生陶瓷主體(greenceramicbody)。在高溫高壓下通過壓制生陶瓷主體形成硬的生陶瓷主體并將其切割后，通過對(duì)切割的生陶瓷主體進(jìn)行焙燒、燒結(jié)以及拋光并在其上形成外電極來完成多層陶瓷電容器。在堆疊和壓制陶瓷生片時(shí)，隨著堆疊的陶瓷生片的數(shù)量增加，會(huì)出現(xiàn)影響產(chǎn)品可靠性的問題。陶瓷生片由內(nèi)電極形成部、邊緣部(非內(nèi)電極形成部)組成。當(dāng)在堆疊陶瓷生片后對(duì)其壓制時(shí)，內(nèi)電極形成部和邊緣部之間的臺(tái)階部會(huì)增大，這會(huì)使耐受電壓特性劣化。由于內(nèi)電極和介電層的密度在內(nèi)電極形成部與邊緣部之間的差異，可產(chǎn)生臺(tái)階部。為了解決如上所述的臺(tái)階部的問題，已使用采用負(fù)片印刷法(negativeprintingmethod)將單獨(dú)的陶瓷材料添加到陶瓷主體的邊緣部的方法。然而，該方法會(huì)明顯難以單獨(dú)地將陶瓷漿料印刷在陶瓷生片中的邊緣部(非內(nèi)電極形成部)上。此外，采用負(fù)片印刷法將單獨(dú)的陶瓷材料添加到邊緣部的方法不具有高的精度，因此在對(duì)陶瓷生片進(jìn)行堆疊后而存在其對(duì)齊缺陷時(shí)，會(huì)無法充分地減小臺(tái)階部。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本公開的一方面可提供一種通過減小高電容多層陶瓷電子組件的組件中的臺(tái)階部而改善耐受電壓特性的多層陶瓷電子組件及其制造方法。根據(jù)本公開的一方面，一種多層陶瓷電子組件可包括：陶瓷主體，包括有源區(qū)和保護(hù)層，所述有源區(qū)用于形成電容并通過交替地堆疊介電層和第一內(nèi)電極及第二內(nèi)電極而形成，所述保護(hù)層設(shè)置在所述有源區(qū)的上表面和下表面中的至少一個(gè)表面上；第一外電極和第二外電極，分別電連接到所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，并形成在所述陶瓷主體的各個(gè)端上，其中，在以下項(xiàng)的至少一項(xiàng)中設(shè)置臺(tái)階部吸收層：陶瓷主體的在長(zhǎng)度方向上的兩個(gè)端部和陶瓷主體的在寬度方向上的兩個(gè)端部，且設(shè)置在其中設(shè)置有所述臺(tái)階部吸收層的區(qū)域的側(cè)部中的介電層的總厚度大于設(shè)置在另一區(qū)域中的介電層的厚度。根據(jù)本公開的另一方面，一種多層陶瓷電子組件可包括：陶瓷主體，包括有源區(qū)和保護(hù)層，所述有源區(qū)用于形成電容并通過交替地堆疊的介電層和第一內(nèi)電極及第二內(nèi)電極而形成，所述保護(hù)層設(shè)置在所述有源區(qū)的上表面和下表面中的至少一個(gè)上；第一外電極和第二外電極，分別電連接到所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，并形成在所述陶瓷主體的各個(gè)端上，其中，至少一個(gè)間隙部設(shè)置在兩個(gè)端部中，且與所述間隙部相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極之間的距離大于兩個(gè)其他內(nèi)電極之間的距離。根據(jù)本公開的另一方面，一種多層陶瓷電子組件可包括：陶瓷主體，包括有源區(qū)和保護(hù)層，所述有源區(qū)用于形成電容并通過交替地堆疊的介電層和第一內(nèi)電極及第二內(nèi)電極而形成，所述保護(hù)層設(shè)置在所述有源區(qū)的上表面和下表面中的至少一個(gè)表面上；第一外電極和第二外電極，分別電連接到所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，并形成在所述陶瓷主體的各個(gè)端上，其中，至少一個(gè)間隙部設(shè)置在有源區(qū)的兩個(gè)端部中，且與所述間隙部相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極在內(nèi)電極的堆疊方向上沿著遠(yuǎn)離間隙部的方向彎曲。根據(jù)本公開的另一方面，一種制造多層陶瓷電子組件的方法可包括：制備第一陶瓷生片和第二陶瓷生片；使用導(dǎo)電金屬膏在所述第一陶瓷生片上形成內(nèi)電極圖案；在以下項(xiàng)中的至少一項(xiàng)上形成陶瓷構(gòu)件以形成臺(tái)階部吸收層：所述第二陶瓷生片在長(zhǎng)度方向上的兩個(gè)端部和所述第二陶瓷生片在寬度方向上的兩個(gè)端部；堆疊兩個(gè)或更多個(gè)所述第一陶瓷生片并在其上堆疊所述第二陶瓷生片以形成包括介電層和第一內(nèi)電極及第二內(nèi)電極的陶瓷主體；形成分別電連接到所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極的第一外電極和第二外電極，其中，所述陶瓷主體包括用于形成電容的有源區(qū)和設(shè)置在所述有源區(qū)的上表面和下表面中的至少一個(gè)表面上的保護(hù)層，且所述有源區(qū)通過使堆疊兩個(gè)或更多個(gè)第一陶瓷生片并在其上堆疊第二陶瓷生片的步驟重復(fù)而形成。根據(jù)本公開的另一方面，一種多層陶瓷電子組件可包括：陶瓷主體，包括：多個(gè)第一內(nèi)電極和多個(gè)第二內(nèi)電極交替地設(shè)置在介電層之間；臺(tái)階部吸收層，設(shè)置在邊緣區(qū)域中，所述邊緣區(qū)域沿著陶瓷主體的側(cè)表面延伸并面對(duì)陶瓷主體的側(cè)表面；第一外電極和第二外電極，分別電連接到所述多個(gè)第一內(nèi)電極和所述多個(gè)第二內(nèi)電極，并位于所述陶瓷主體上，其中，臺(tái)階部吸收層設(shè)置在所述多個(gè)第一內(nèi)電極中的一個(gè)之上并設(shè)置在所述多個(gè)第二內(nèi)電極中的一個(gè)之下，所述第一內(nèi)電極位于所述陶瓷主體的一端上，所述多個(gè)第二內(nèi)電極位于所述陶瓷主體的相對(duì)的端上。根據(jù)本公開的另一方面，一種制造多層陶瓷電子組件的方法可包括：在第一陶瓷生片上形成內(nèi)電極圖案，所述第一陶瓷生片通過邊緣區(qū)域與第一陶瓷生片的一個(gè)或更多個(gè)側(cè)邊分開；在與第一陶瓷生片的邊緣區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中，于第二陶瓷生片上形成陶瓷構(gòu)件；將所述第二陶瓷生片中的一個(gè)堆疊在多個(gè)所述第一陶瓷生片上。附圖說明通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，將更加清楚地理解本公開的以上和其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中：圖1是示意性地示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器的透視圖；圖2是為了示出本公開的示例性實(shí)施例而沿著圖1的A-A′線截取的剖視圖；圖3是圖2的P部分的放大圖；圖4是為了示出本公開的示例性實(shí)施例而沿著圖1的B-B′線截取的剖視圖；圖5是為了示出本公開的另一示例性實(shí)施例而沿著圖1的A-A′線截取的剖視圖；圖6是示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器的堆疊結(jié)構(gòu)的截面圖；圖7A至圖7E是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電容器的方法的工藝圖；圖8A至圖8E是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電容器的方法的工藝圖；圖9A至圖9E是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電容器的方法的工藝圖。具體實(shí)施方式在下文中，將參照附圖如下描述本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可按照多種不同的形式來舉例說明，并且不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述的特定實(shí)施例。更確切地說，提供這些實(shí)施例，以使本公開將是徹底的和完整的，并將本公開的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在整個(gè)說明書中，將理解的是，當(dāng)諸如層、區(qū)域或晶圓(基板)的元件被稱為“位于”另一元件“上”、“連接到”或者“結(jié)合到”另一元件時(shí)，所述元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“連接到”或者直接“結(jié)合到”另一元件，或者可存在介于它們之間的其它元件。相比之下，當(dāng)元件被稱為“直接位于”另一元件“上”、“直接連接到”或者“直接結(jié)合到”另一元件時(shí)，不存在介于它們之間的元件或?qū)?。相同的?biāo)號(hào)始終指示相同的元件。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括所列出的相關(guān)項(xiàng)的一項(xiàng)或更多項(xiàng)的任何和全部組合。將明顯的是，雖然可在此使用術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分與另一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離示例性實(shí)施例的教導(dǎo)的情況下，下面描述的第一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分可稱作第二構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分。為了方便描述，可在此使用諸如“在…之上”、“上方”、“在…之下”和“下方”等的空間相對(duì)術(shù)語，以描述如圖中示出的一個(gè)元件與另一元件的關(guān)系。將理解的是，空間相對(duì)術(shù)語意圖包含除了在附圖中所描繪的方位之外裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其它元件或特征“之上”或“上方”的元件隨后將定位為“在”所述其它元件或特征“之下”或“下方”。因此，術(shù)語“在…之上”可根據(jù)附圖的特定方向而包含“在…之上”和“在…之下”的兩種方位。裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，并可對(duì)在此使用的空間相對(duì)描述符做出相應(yīng)的解釋。在下文中，將參照示出特定實(shí)施例的示意圖描述本發(fā)明構(gòu)思。在附圖中，由于生產(chǎn)技術(shù)和/或公差，例如，可估計(jì)所示出的形狀的修改。因此，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不應(yīng)被理解為局限于在此示出的區(qū)域的特定的形狀，例如，不限于包括制造導(dǎo)致的形狀上的改變。以下的實(shí)施例也可由一個(gè)或其組合而構(gòu)成。下面描述的本發(fā)明構(gòu)思的內(nèi)容可具有多種構(gòu)造，且僅在此提出所需的構(gòu)造，但不限于此。在下文中，將參照附圖描述根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件。具體地，將對(duì)多層陶瓷電容器進(jìn)行描述，但多層陶瓷電子組件不限于此。圖1是示意性地示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器的透視圖，圖2是沿著圖1的A-A′線截取的剖視圖。圖3是圖2的P部分的放大圖。參照?qǐng)D1至圖3，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器100可包括陶瓷主體110以及第一外電極131和第二外電極132，介電層111以及第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122交替地堆疊在陶瓷主體110中，第一外電極131和第二外電極132分別電連接到第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122且暴露于陶瓷主體110的各個(gè)端部。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，多層陶瓷電容器的“長(zhǎng)度方向”是指圖1的“L”方向，“寬度方向”是指圖1的“W”方向，“厚度方向”是指圖1的“T”方向?！昂穸确较颉迸c堆疊介電層所沿的方向相同，即，“堆疊方向”。陶瓷主體110的形狀不受具體限制，但通常可為六面體形狀。此外，陶瓷主體110在尺寸方面不受具體限制，但可具有例如0.6mm×0.3mm的尺寸，并可為高度地堆疊且電容量為1.0μF或更高的高電容多層陶瓷電容器。根據(jù)示例性實(shí)施例，形成介電層111的原料可為鈦酸鋇(BaTiO3)粉末，但不限于此。此外，可將陶瓷添加劑、有機(jī)溶劑、塑化劑、粘合劑、分散劑等添加到其中。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可由銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)和銀-鈀(Ag-Pd)中的一種或更多種形成的導(dǎo)電膏形成。第一外電極131和第二外電極132可分別覆蓋陶瓷主體110的兩個(gè)端表面，并可分別電連接到暴露于陶瓷主體110的各個(gè)端表面的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122。第一外電極131和第二外電極132可通過將導(dǎo)電膏涂敷到陶瓷主體110的兩端部而形成，且導(dǎo)電膏的主要成分可包括諸如銅(Cu)的金屬、玻璃、有機(jī)材料等。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，陶瓷主體110可包括有源區(qū)“La”和保護(hù)層“Lc”，有源區(qū)“La”包括多個(gè)第一介電層111a和交替地設(shè)置在多個(gè)第一介電層111a的表面上的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122以用于形成電容，保護(hù)層“Lc”設(shè)置在有源區(qū)La的上表面和下表面中的至少一個(gè)上，其中，臺(tái)階部吸收層112設(shè)置在其兩個(gè)端部上的至少一個(gè)第二介電層111b插入到有源區(qū)La中。陶瓷主體110可通過沿著厚度方向堆疊多個(gè)介電層111而形成。更具體地說，陶瓷主體110可具有多個(gè)介電層111沿著厚度方向堆疊且第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122在面對(duì)介電層的同時(shí)交替地堆疊以利于電容器的電容形成的有源區(qū)La，并可具有設(shè)置在有源區(qū)La的上表面和下表面中的至少一個(gè)上的保護(hù)層Lc，如圖2所示。設(shè)置在有源區(qū)La中的單個(gè)第一介電層111a的厚度可根據(jù)多層陶瓷電容器的電容設(shè)計(jì)選擇性地改變，但根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，在燒結(jié)后，單個(gè)介電層的厚度可為1.0μm或更小?？稍谔沾芍黧w110的有源區(qū)La中設(shè)置多個(gè)第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可分別形成在形成第一介電層111a的陶瓷生片上，與設(shè)置在其間的各個(gè)介電層進(jìn)行堆疊并燒結(jié)，從而形成在陶瓷主體110中。設(shè)置在有源區(qū)La中的內(nèi)電極可由彼此具有不同極性的成對(duì)的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122組成，并被設(shè)置為沿著堆疊的方向與設(shè)置在其間的各個(gè)第一介電層111a彼此面對(duì)。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的端子可分別暴露于陶瓷主體110的在長(zhǎng)度方向上的兩個(gè)端表面。在本說明書中，介電層的沒有形成內(nèi)電極的區(qū)域被稱為邊緣部。如圖2所示，沿著陶瓷電容器的寬度(W)方向形成的邊緣部可被稱為橫向邊緣部(widthwisemarginportion)MW，且如下所述，圖4中示出的沿著陶瓷電容器的長(zhǎng)度(L)方向形成的邊緣部可被稱為縱向邊緣部ML(lengthwisemarginportion)。單個(gè)介電層111可具有沿著長(zhǎng)度(L)方向未在其上形成有第一內(nèi)電極121或第二內(nèi)電極122的縱向邊緣部ML和沿著寬度(W)方向未在其上形成有第一內(nèi)電極121或第二內(nèi)電極122的橫向邊緣部MW。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的厚度可根據(jù)用途等適當(dāng)?shù)卮_定。例如，第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的厚度可為1.0μm或更小。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，構(gòu)成陶瓷主體110的介電層可包含本領(lǐng)域中通常使用的陶瓷粉末。雖然不限于此，但介電層可包含例如BaTiO3基陶瓷粉末。這種BaTiO3基陶瓷粉末的示例可包括將Ca、Zr等部分地固溶到BaTiO3中的(Ba1-xCax)TiO3、Ba(Ti1-yCay)O3、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3或Ba(Ti1-yZry)O3，但不限于此。陶瓷粉末的平均粒徑可為例如0.8μm或更小，優(yōu)選0.05至0.5μm，但不限于此。此外，除了陶瓷粉末之外，介電層還可包含例如過渡金屬氧化物或碳化物、稀土元素、Mg、Al等。根據(jù)示例性實(shí)施例，臺(tái)階部吸收層112設(shè)置在其兩個(gè)端部上的至少一個(gè)第二介電層111b可位于有源區(qū)La中。也就是說，有源區(qū)La可具有臺(tái)階部吸收層112設(shè)置在其兩個(gè)端部上的第二介電層111b位于與第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122交替地堆疊的多個(gè)第一介電層111a之間的結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)可通過如下所述的堆疊多個(gè)第一陶瓷生片并在其上堆疊第二陶瓷生片來實(shí)現(xiàn)，其中，第一陶瓷生片具有涂敷到其的導(dǎo)電金屬膏以在燒結(jié)后成為第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122，且第二陶瓷生片的兩個(gè)端部上通過形成陶瓷構(gòu)件而形成臺(tái)階部吸收層。在堆疊和壓制陶瓷生片時(shí)，隨著堆疊陶瓷生片的數(shù)量的增加，會(huì)出現(xiàn)影響產(chǎn)品可靠性的問題。陶瓷生片由內(nèi)電極形成部和邊緣部(非內(nèi)電極形成部)組成。當(dāng)對(duì)堆疊后的陶瓷生片進(jìn)行壓制時(shí)，內(nèi)電極形成部和邊緣部之間的臺(tái)階部會(huì)增大，這會(huì)使耐受電壓特性劣化。為了解決如上所述的臺(tái)階部的問題，已使用采用負(fù)片印刷法將單獨(dú)的陶瓷材料添加到陶瓷主體的邊緣部的方法。然而，該方法明顯會(huì)難以在陶瓷生片中的邊緣部上印刷單獨(dú)的陶瓷漿料。而且，負(fù)片印刷法不具有高的精度，因此在對(duì)陶瓷生片進(jìn)行堆疊后而存在對(duì)齊缺陷時(shí)，可能無法充分地減小臺(tái)階部。由于負(fù)片印刷法的方法本身難度高且難以實(shí)現(xiàn)精確的產(chǎn)品，因此會(huì)導(dǎo)致制造成本增加，缺陷率增加。相反，根據(jù)示例性實(shí)施例，臺(tái)階部的問題可通過使有源區(qū)La具有位于與第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122交替地堆疊的多個(gè)第一介電層111a之間的第二介電層111b(臺(tái)階部吸收層112設(shè)置在第二介電層111b的兩個(gè)端部)而解決，從而獲得具有改善的耐受電壓特性的高電容多層陶瓷電子組件。兩個(gè)端部可為對(duì)應(yīng)于有源區(qū)La的邊緣部MW和/或邊緣部ML的區(qū)域。也就是說，用于電容形成的有源區(qū)La可具有這樣的結(jié)構(gòu)：臺(tái)階部吸收層112設(shè)置在至少一個(gè)第二介電層111b的與非內(nèi)電極形成部對(duì)應(yīng)的邊緣部MW和邊緣部ML中，且至少一個(gè)第二介電層111b獨(dú)立于與第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122交替地堆疊的多個(gè)第一介電層111a。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，由于位于邊緣部MW和邊緣部ML中的臺(tái)階部吸收層112設(shè)置在其上的至少一個(gè)第二介電層111b與跟交替地堆疊有第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的多個(gè)第一介電層111a分開并交替地堆疊，因此與使用單獨(dú)的陶瓷材料的負(fù)片印刷法相比，所述工藝可相對(duì)容易，且可避免陶瓷生片的對(duì)齊缺陷，從而減小臺(tái)階部的效果會(huì)是優(yōu)異的。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，設(shè)置在其中設(shè)置有臺(tái)階部吸收層112的區(qū)域中的相鄰的介電層的總厚度“t1”可大于設(shè)置在另一區(qū)域中的介電層的厚度“t2”?？稍谔沾芍黧w110的有源區(qū)La中的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122彼此面對(duì)的點(diǎn)處測(cè)量介電層的厚度。參照?qǐng)D2，可在第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122彼此面對(duì)的點(diǎn)處測(cè)量設(shè)置在其中設(shè)置有臺(tái)階部吸收層112的區(qū)域上的介電層(即，設(shè)置在與臺(tái)階部吸收層112的平面相同的平面上的介電層)的總厚度t1?？稍诘谝粌?nèi)電極121和第二內(nèi)電極122彼此面對(duì)的點(diǎn)處測(cè)量設(shè)置在另一區(qū)域中的介電層(即，與臺(tái)階部吸收層112的平面不在同一平面上)的厚度t2。由于邊緣部MW和ML中的臺(tái)階部吸收層112設(shè)置在其上的至少一個(gè)第二介電層111b與跟第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122交替地堆疊的多個(gè)第一介電層111a分開并交替地堆疊，因此可實(shí)現(xiàn)設(shè)置在設(shè)置有臺(tái)階部吸收層112的區(qū)域上的介電層的總厚度t1大于設(shè)置在另一區(qū)域中的介電層的厚度t2的結(jié)構(gòu)。也就是說，由于至少兩個(gè)介電層設(shè)置在與臺(tái)階部吸收層112的平面相同的平面上，因此與設(shè)置在另一位置中的介電層不同，設(shè)置在其中設(shè)置有臺(tái)階部吸收層112的區(qū)域的介電層的總厚度t1可大于另一介電層的厚度t2。參照?qǐng)D2，臺(tái)階部吸收層112可沿著陶瓷主體110的寬度方向設(shè)置在與有源區(qū)La的邊緣部MW對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。參照?qǐng)D4，臺(tái)階部吸收層112可沿著陶瓷主體110的長(zhǎng)度方向設(shè)置在與有源區(qū)La的邊緣部ML對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。臺(tái)階部可沿著陶瓷主體的寬度方向和長(zhǎng)度方向設(shè)置在與有源區(qū)La的邊緣部MW和邊緣部ML對(duì)應(yīng)的兩個(gè)區(qū)域中。此外，臺(tái)階部吸收層112可僅設(shè)置在邊緣部MW和邊緣部ML中的一個(gè)中。參照?qǐng)D2和圖3，第二介電層111b的一個(gè)表面可與第一內(nèi)電極121或第二內(nèi)電極122接觸，且其另一表面可與第一介電層111a接觸。由于有源區(qū)La通過重復(fù)如下方法而形成，因此第二介電層111b的一個(gè)表面可與第一內(nèi)電極121或第二內(nèi)電極122接觸，且其另一表面可與第一介電層111a接觸：堆疊多個(gè)第一陶瓷生片，在其上堆疊第二陶瓷生片，并在第二陶瓷生片上堆疊多個(gè)第一陶瓷生片，第一陶瓷生片涂敷有導(dǎo)電金屬膏以在燒結(jié)后成為第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122，第二陶瓷生片的兩個(gè)端部上通過形成陶瓷構(gòu)件而形成有臺(tái)階部吸收層。此外，兩個(gè)或更多個(gè)第一介電層111a可堆疊在第二介電層111b的上表面和下表面中的至少一個(gè)上。也就是說，有源區(qū)La可通過使堆疊兩個(gè)或更多個(gè)第一介電層111a并在其上堆疊第二介電層111b的結(jié)構(gòu)重復(fù)而形成。設(shè)置在第二介電層111b的上表面和下表面中的至少一個(gè)上的第一介電層111a的數(shù)量可為三個(gè)或更多個(gè)。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，當(dāng)設(shè)置有第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的兩個(gè)或更多個(gè)第一介電層111a被視為一個(gè)單元時(shí)，第二介電層111b可設(shè)置在由兩個(gè)或更多個(gè)第一介電層111a組成的一個(gè)單元和與其相鄰的另一單元之間。陶瓷主體110的縱向邊緣部MW和/或橫向邊緣部ML中的臺(tái)階部吸收層112設(shè)置在其上的第二介電層111b的數(shù)量沒有具體限制，只要因堆疊的內(nèi)電極而產(chǎn)生的臺(tái)階部可被抵消即可。臺(tái)階部吸收層112的厚度沒有具體地限制。例如，臺(tái)階部吸收層112可具有可使因堆疊的內(nèi)電極而產(chǎn)生的臺(tái)階部抵消的厚度。設(shè)置在其中設(shè)置有臺(tái)階部吸收層112的區(qū)域的側(cè)部的介電層中的電介質(zhì)晶粒的數(shù)量可多于設(shè)置在另一區(qū)域中的介電層中的電介質(zhì)晶粒的數(shù)量。由于至少兩個(gè)介電層設(shè)置在其中設(shè)置有臺(tái)階部吸收層112的區(qū)域，因此與其他介電層不同，電介質(zhì)晶粒的數(shù)量可多于其他介電層中的電介質(zhì)晶粒的數(shù)量。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，臺(tái)階部吸收層112的厚度“tb”可為第一介電層111a中的每個(gè)的厚度“td”的10倍至20倍。臺(tái)階部吸收層112的厚度tb可形成為第一介電層111a中的每個(gè)的厚度td的10倍至20倍，以使通過堆疊的內(nèi)電極產(chǎn)生的臺(tái)階部可被抵消，并可改善耐受電壓特性。例如，在第一介電層111a中的每個(gè)的厚度td為0.4μm的情況下，臺(tái)階部吸收層112的厚度tb可為4μm至8μm。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，沿著第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的堆疊方向，第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122中的與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極的端部可沿著遠(yuǎn)離相鄰的臺(tái)階部吸收層112的方向彎曲。與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極的端部遠(yuǎn)離相鄰的臺(tái)階部吸收層112的方向可指如圖2和圖3中示出的沿著內(nèi)電極或介電層的堆疊方向(即，陶瓷主體110的厚度方向)遠(yuǎn)離臺(tái)階部吸收層112的方向。也就是說，其厚度為第一介電層111a的厚度的10倍至20倍的臺(tái)階部吸收層112可設(shè)置在陶瓷主體110的縱向邊緣部ML和/或橫向邊緣部MW中，以使與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極的端部可由于臺(tái)階部吸收層112的存在而在壓制期間彎曲。由于臺(tái)階部吸收層112的存在，內(nèi)電極的彎曲的端部可沿著遠(yuǎn)離相鄰的臺(tái)階部吸收層112的方向彎曲。基于介電層111的堆疊表面，與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122的端部的彎曲角度“θ”可大于3度且小于15度?；诮殡妼?11的堆疊表面，端部以3度至15度之間的角度彎曲的內(nèi)電極可以是與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122兩者，但不限于此。也就是說，與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122的端部中僅一些可如上所述進(jìn)行彎曲。基于介電層111的堆疊表面，與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122的端部可被彎曲3度至15度之間的角度，以實(shí)現(xiàn)同時(shí)具有優(yōu)異的耐受電壓特性和高電容的多層陶瓷電容器?；诮殡妼?11的堆疊表面，與臺(tái)階部吸收層112相鄰的的兩個(gè)內(nèi)電極121和122的端部可被控制為彎曲3度至15度之間的角度，以使設(shè)計(jì)的電容度(degreeofcapacitance)可被實(shí)現(xiàn)。此外，兩個(gè)內(nèi)電極的端部可被調(diào)整為其間具有恒定的間隔，以防止諸如短路等的缺陷，并改善耐受電壓特性。基于介電層111的堆疊表面，在與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122的端部的彎曲角度小于等于3度的情況下，電容會(huì)減小，從而會(huì)無法實(shí)現(xiàn)高電容多層陶瓷電容器。同時(shí)，基于介電層111的堆疊表面，在與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122的端部的彎曲角度大于等于15度的情況下，耐受電壓特性會(huì)劣化。根據(jù)示例性實(shí)施例，與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122之間的距離可大于兩個(gè)其他內(nèi)電極之間的距離。根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，由于其上設(shè)置有臺(tái)階部吸收層112的第二介電層111b設(shè)置在由兩個(gè)或更多個(gè)第一介電層111a組成的一個(gè)單元和與其相鄰的另一單元之間，因此第一介電層111a和第二介電層111b可設(shè)置在與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122之間，且只有第一介電層111a可設(shè)置在兩個(gè)其他內(nèi)電極之間。因此，與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122之間的距離可大于兩個(gè)其他內(nèi)電極之間的距離。圖4是為了示出本公開的示例性實(shí)施例而沿著圖1的線B-B′截取的剖視圖。參照?qǐng)D4，臺(tái)階部吸收層112可沿著陶瓷主體110的長(zhǎng)度方向設(shè)置在與有源區(qū)La的邊緣部ML對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。如上所述，臺(tái)階部吸收層112可設(shè)置在有源區(qū)La的在陶瓷主體110的長(zhǎng)度方向上與邊緣部ML對(duì)應(yīng)的區(qū)域中、其在陶瓷主體110的寬度方向上與邊緣部Mw對(duì)應(yīng)的區(qū)域中或者其在陶瓷主體110的長(zhǎng)度方向和寬度方向上與邊緣部ML和MW兩者對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。在臺(tái)階部吸收層112設(shè)置在陶瓷主體110的縱向邊緣部ML和橫向邊緣部MW兩者中的情況下，設(shè)置在陶瓷主體110的縱向邊緣部ML中的臺(tái)階部吸收層112可比設(shè)置在陶瓷主體110的橫向邊緣部MW中的臺(tái)階部吸收層112薄。例如，設(shè)置在陶瓷主體110的縱向邊緣部ML中的臺(tái)階部吸收層112的厚度可為設(shè)置在陶瓷主體110的橫向邊緣部MW中的臺(tái)階部吸收層112的厚度的一半。由于第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122交替地設(shè)置在陶瓷體110的縱向邊緣部ML中，以分別暴露于陶瓷主體的端部，因此縱向邊緣部ML中的電極密度高于未形成有內(nèi)電極的橫向邊緣部MW中的電極密度，使得臺(tái)階部在橫向邊緣部MW中會(huì)顯著地增大。因此，為了顯著減小臺(tái)階部的影響并改善整個(gè)陶瓷主體110的耐受電壓特性，設(shè)置在陶瓷主體110的電極密度更高的縱向邊緣部ML中的臺(tái)階部吸收層112的厚度可以小于或等于設(shè)置在陶瓷主體110的橫向邊緣部MW中的臺(tái)階部吸收層112的厚度的一半。根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例，提供一種多層陶瓷電子組件，該多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體110，介電層111以及內(nèi)電極121和內(nèi)電極122交替地堆疊在陶瓷主體110中；外電極131和132，分別電連接到內(nèi)電極121和122，并形成在陶瓷主體110的各個(gè)端上。陶瓷主體110包括用于形成電容的有源區(qū)La和設(shè)置在有源區(qū)La的上表面和下表面中的至少一個(gè)上的保護(hù)層Lc。存在設(shè)置在有源區(qū)La的兩個(gè)端部中的至少一個(gè)間隙部123，且與間隙部123相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和內(nèi)電極122之間的距離大于兩個(gè)其他內(nèi)電極之間的距離。在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例將陶瓷構(gòu)件形成在第二陶瓷生片的兩個(gè)端部上以形成臺(tái)階部吸收層、將第二陶瓷生片插入其上使用導(dǎo)電金屬膏形成有內(nèi)電極圖案的多個(gè)第一陶瓷生片之間、然后對(duì)陶瓷生片進(jìn)行堆疊、壓制和燒結(jié)的情況下，間隙部123可被定義為由于臺(tái)階部吸收層而形成在陶瓷主體的邊緣部中的部分。由于臺(tái)階部吸收層設(shè)置在其兩個(gè)端部的第二陶瓷生片設(shè)置在由兩個(gè)或更多個(gè)第一陶瓷生片組成的一個(gè)單元和與其相鄰的另一單元之間，因此與臺(tái)階部吸收層相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極圖案的端部可被彎曲。間隙部123可設(shè)置在陶瓷主體110的邊緣部MW和邊緣部ML中，即在燒結(jié)后彎曲的兩個(gè)內(nèi)電極的端部附近。由于臺(tái)階部吸收層設(shè)置在其兩個(gè)端部上的第二陶瓷生片設(shè)置在由兩個(gè)或更多個(gè)第一陶瓷生片組成的一個(gè)單元和與其相鄰的另一單元之間，因此可在與臺(tái)階部吸收層相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極圖案之間設(shè)置第一陶瓷生片和第二陶瓷生片，且只有第一陶瓷生片可設(shè)置在其他兩個(gè)內(nèi)電極圖案之間。在燒結(jié)后，與間隙部123相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122之間的距離可大于兩個(gè)其他內(nèi)電極之間的距離。由于間隙部123設(shè)置在兩個(gè)內(nèi)電極的彎曲的端部附近，因此與間隙部123相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122的端部之間的距離可大于兩個(gè)其他內(nèi)電極的端部之間的距離。和間隙部123相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122之間的距離與兩個(gè)其他內(nèi)電極之間的距離之間的差在陶瓷主體110的中部可比在陶瓷主體110的端部小。原因在于，在燒結(jié)后的陶瓷主體110的邊緣部MW和邊緣部ML中，間隙部123設(shè)置在兩個(gè)內(nèi)電極的彎曲的端部附近。由于其他特征與上述根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的特征相同，因此將省略其詳細(xì)描述。根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例，提供一種多層陶瓷電子組件，該多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體110，介電層111以及內(nèi)電極121和內(nèi)電極122交替地堆疊在陶瓷主體110中；外電極131和132，分別電連接到內(nèi)電極121和122，并形成在陶瓷主體110的各個(gè)端上。陶瓷主體110包括用于形成電容的有源區(qū)La和設(shè)置在有源區(qū)La的上表面和下表面中的至少一個(gè)上的保護(hù)層Lc，至少一個(gè)間隙部123設(shè)置在源區(qū)La的兩端部上。與間隙部123相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122在內(nèi)電極的堆疊方向(即，陶瓷主體110的厚度方向)上沿著遠(yuǎn)離間隙部123的方向彎曲。由于其他特征與上述根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的特征相同，因此將省略其詳細(xì)描述。圖5是為了示出本公開的另一示例性實(shí)施例而沿著圖1的線A-A′截取的剖視圖。參照?qǐng)D5，在根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器中，可在制造工藝期間對(duì)第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122進(jìn)行壓制，從而具有平滑彎曲的形狀。此外，與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122可在內(nèi)電極的堆疊方向(即，陶瓷主體110的厚度方向)上沿著遠(yuǎn)離臺(tái)階部吸收層112的方向彎曲。圖6是示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器的堆疊結(jié)構(gòu)的截面圖。參照?qǐng)D6，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器可包括用于形成電容的有源區(qū)La，有源區(qū)La通過堆疊多個(gè)第一陶瓷生片11、在其上堆疊第二陶瓷生片21并在第二陶瓷生片21上堆疊多個(gè)第一陶瓷生片11而形成，其中，燒結(jié)后成為第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的內(nèi)電極圖案30使用導(dǎo)電金屬膏形成在第一陶瓷生片11上，且第二陶瓷生片21的兩個(gè)端部上通過形成陶瓷構(gòu)件22而形成臺(tái)階部吸收層。由于有源區(qū)La按照以上所述形成，因此第二陶瓷生片21的一個(gè)表面可與在燒結(jié)后成為第一內(nèi)電極121或第二內(nèi)電極122的內(nèi)電極圖案30接觸，且其另一表面可與第一陶瓷生片11接觸。第一陶瓷生片11可在燒結(jié)后成為第一介電層111a，且第二陶瓷生片21可在燒結(jié)后成為第二介電層111b。由于具有位于其兩個(gè)端部上的陶瓷構(gòu)件22的第二陶瓷生片21設(shè)置在由兩個(gè)或更多個(gè)第一陶瓷生片11組成的一個(gè)單元和與其相鄰的另一單元之間，因此可在與臺(tái)階部吸收層相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極圖案30之間設(shè)置第一陶瓷生片11和第二陶瓷生片21，且只有第一陶瓷生片11可設(shè)置在其他兩個(gè)內(nèi)電極圖案之間。在燒結(jié)后，與臺(tái)階部吸收層112相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極121和122之間的距離可大于兩個(gè)其他內(nèi)電極之間的距離。在第二陶瓷生片21的兩個(gè)端部上形成陶瓷構(gòu)件22的方法沒有具體限制。例如，陶瓷構(gòu)件22可通過印刷方法或沖壓法形成。圖7A只圖7E是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電容器的方法的過程圖。參照?qǐng)D7A至圖7E，根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電容器方法可包括：制備第一陶瓷生片11和第二陶瓷生片21；使用導(dǎo)電金屬膏在第一陶瓷生片11上形成內(nèi)電極圖案30；在第二陶瓷生片21的兩端上形成陶瓷構(gòu)件22以形成臺(tái)階部吸收層；堆疊第一陶瓷生片11和第二陶瓷生片21以形成包括介電層以及第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的陶瓷主體；形成分別電連接到第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的第一外電極和第二外電極。陶瓷主體可包括有利于電容形成的有源區(qū)和設(shè)置在有源區(qū)的上表面和下表面中的至少一個(gè)上的保護(hù)層，其中有源區(qū)通過使堆疊至少兩個(gè)第一陶瓷生片11并在其上堆疊第二陶瓷生片21的步驟重復(fù)而形成。在根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電容器方法中，首先，可制備第一陶瓷生片11和第二陶瓷生片21。第一陶瓷生片11可與在通常的多層陶瓷電容器中使用的陶瓷生片相同，并且通過將陶瓷粉末、粘合劑和溶劑進(jìn)行混合來制備漿料并使用刮刀方法涂敷該漿料而被制造成具有幾μm的厚度的片狀。漿料可以為形成陶瓷主體的有源區(qū)的介電層和構(gòu)成保護(hù)層的介電層中的一些的陶瓷生片漿料。第二陶瓷生片21除了在其兩個(gè)端部上通過形成陶瓷構(gòu)件22而形成有臺(tái)階部吸收層從而被稱為不同的陶瓷生片之外，可與第一陶瓷生片11相同。雖然陶瓷構(gòu)件22與第一陶瓷生片11相似，可呈其中陶瓷粉末、粘合劑和溶劑彼此混合的漿料的形式，但粘合劑和溶劑的含量可與形成第一陶瓷生片11的漿料中的粘合劑和溶劑中的含量不同。接著，可通過將導(dǎo)電金屬膏涂敷到第一陶瓷生片11而形成內(nèi)電極圖案30。內(nèi)電極圖案30可通過絲網(wǎng)印刷法或凹版印刷法形成。參照?qǐng)D7A，通過將導(dǎo)電金屬膏涂敷到其而形成有內(nèi)電極圖案30的三個(gè)第一陶瓷生片11被示出并被表示為一個(gè)單元，且可制造多個(gè)該單元。此外，形成一個(gè)單元的第一陶瓷生片11的數(shù)量沒有限制，但可為例如兩個(gè)或更多個(gè)。其后，可通過在第二陶瓷生片21的兩個(gè)端部上形成陶瓷構(gòu)件22而形成臺(tái)階部吸收層。參照?qǐng)D7B，雖然示出了通過在其兩個(gè)端部上形成陶瓷構(gòu)件22而形成有臺(tái)階部吸收層的三個(gè)第二陶瓷生片21，但第二陶瓷生片21的數(shù)量不限于此。也就是說，可制造多個(gè)第二陶瓷生片21。在第二陶瓷生片21的兩個(gè)端部上形成陶瓷構(gòu)件22的方法沒有具體限制。例如，陶瓷構(gòu)件22可通過印刷法或沖壓法形成。參照?qǐng)D7C，可堆疊通過涂敷導(dǎo)電金屬膏而在其上形成內(nèi)電極圖案30的多個(gè)第一陶瓷生片11。雖然圖7C中示出了三個(gè)堆疊的第一陶瓷生片11，但堆疊的第一陶瓷生片11的數(shù)量不限于此。參照?qǐng)D7D，可在與一個(gè)單元對(duì)應(yīng)的所述堆疊的第一陶瓷生片11上堆疊其上形成有臺(tái)階部吸收層的第二陶瓷生片21。臺(tái)階部吸收層可形成在第二陶瓷生片21的與第一陶瓷生片11的未施加導(dǎo)電金屬膏的部分(即，燒結(jié)后成為陶瓷主體的邊緣部的部分)對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。雖然臺(tái)階部吸收層在圖7D中被示出為形成在與在燒結(jié)后的陶瓷主體的縱向邊緣部和橫向邊緣部對(duì)應(yīng)的所有區(qū)域中，但臺(tái)階部吸收層不限于此。也就是說，臺(tái)階部吸收層可僅形成在縱向邊緣部或橫向邊緣區(qū)中。接下來，可在第二陶瓷生片21上堆疊通過將導(dǎo)電金屬膏涂敷到其而在其上形成內(nèi)電極圖案30的多個(gè)第一陶瓷生片11。雖然圖7E示出了通過涂敷導(dǎo)電金屬膏而在其上形成有內(nèi)電極圖案30的三個(gè)第一陶瓷生片11可堆疊在第二陶瓷生片21上，但堆疊第一陶瓷生片11的數(shù)量不限于此。堆疊在第二陶瓷生片21上的第一陶瓷生片11可一個(gè)一個(gè)地進(jìn)行堆疊，或者可堆疊一個(gè)單元的堆疊的第一陶瓷生片11。在這種情況下，可堆疊其上形成有臺(tái)階部吸收層的第二陶瓷生片21，以使其介于由多個(gè)第一陶瓷生片11組成的一個(gè)單元和與一個(gè)單元相鄰的另一單元之間，且通過重復(fù)這種方法可增加堆疊的陶瓷生片的數(shù)量。通過堆疊多個(gè)陶瓷生片并沿著堆疊方向?qū)Χ鄠€(gè)陶瓷生片施壓，可將堆疊的陶瓷生片和內(nèi)電極膏壓制到彼此。結(jié)果，可制造其中交替地堆疊有陶瓷生片和內(nèi)電極膏的陶瓷多層主體。陶瓷構(gòu)件22形成在其兩個(gè)端部上的第二陶瓷生片21可在陶瓷多層主體的邊緣部中形成臺(tái)階部吸收層?？赏ㄟ^臺(tái)階部吸收層減小臺(tái)階部的發(fā)生率，從而改善耐受電壓特性。可對(duì)陶瓷多層主體進(jìn)行切割，切割的每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)于以片形式形成的一個(gè)電容器。陶瓷多層主體可被切割為使得第一內(nèi)電極圖案和第二內(nèi)電極圖案的各個(gè)端交替地暴露于切割的陶瓷多層主體的端表面?？稍诶绱蠹s1200℃下對(duì)呈片的形式的多層主體進(jìn)行燒結(jié)，從而制造包括介電層以及第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的陶瓷主體。第一外電極和第二外電極可形成為覆蓋陶瓷主體的各個(gè)端部，并分別電連接到暴露于陶瓷主體的端表面的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極。可在外電極的表面上執(zhí)行使用鎳、錫等的鍍覆處理。圖8A至圖8E是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電容器的方法的工藝圖。參照?qǐng)D8A至圖8E，除了在第二陶瓷生片21上形成陶瓷構(gòu)件22時(shí)，陶瓷構(gòu)件22僅在陶瓷主體的寬度方向上形成在有源區(qū)的邊緣部的區(qū)域中之外，制造多層陶瓷電容器的方法可與圖7A至圖7E中示出的制造多層陶瓷電容器的方法相同。圖9A至圖9E是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的制造多層陶瓷電容器的方法的工藝圖。參照?qǐng)D9A至圖9E，除了在第二陶瓷生片21上形成陶瓷構(gòu)件22時(shí)，陶瓷構(gòu)件22僅在陶瓷主體的長(zhǎng)度方向上形成在有源區(qū)的邊緣部的區(qū)域中之外，制造多層陶瓷電容器的方法可與圖7A至圖7E中示出的制造多層陶瓷電容器的方法相同。下面的表1示出了通過根據(jù)第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的端部沿著第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的堆疊方向的彎曲角度而對(duì)多層陶瓷電容器的電容和耐受電壓特性進(jìn)行比較取得的數(shù)據(jù)。表1樣品編號(hào)彎曲角度(度)電容耐受電壓特性1*1×◎2*2×◎3*3×◎44○◎56○◎67○○78○○89◎○910◎○1011◎○1113◎○1214◎○13*15◎×14*18◎×*：比較示例在表1中，比目標(biāo)電容高出10％或更高的電容測(cè)定為優(yōu)異(◎)，與高出目標(biāo)電容10％的電容相等或比其小但高于或等于目標(biāo)電容的電容測(cè)定為良好(○)，低于目標(biāo)電容的電容測(cè)定為次品(×)。在表1中，比目標(biāo)耐受電壓高出10％或更高的耐受電壓測(cè)定為優(yōu)異(◎)，與高出目標(biāo)耐受電壓10％的耐受電壓相等或比其小但高于或等于目標(biāo)耐受電壓的耐受電壓測(cè)定為良好(○)，低于目標(biāo)耐受電壓的耐受電壓測(cè)定為次品(×)。參照表1，可領(lǐng)會(huì)的是，在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的端部的彎曲角度θ在大于3度且小于15度的范圍內(nèi)的情況下，電容高，耐受電壓特性優(yōu)異，并且可靠性得到改善。相反，在與第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的端部的彎曲角度θ為小于或等于3度的情況對(duì)應(yīng)的樣品1至樣品3中，電容減小，且在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的端部的彎曲角度θ為大于或等于15度的樣品13至樣品14中，耐受電壓特性劣化。如上所述，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，可通過設(shè)置其中設(shè)置的臺(tái)階部吸收層位于有源區(qū)(用于形成電容)的邊緣部中的至少一個(gè)單獨(dú)的介電層來解決臺(tái)階部的問題，從而可實(shí)現(xiàn)耐受電壓特性得到改善的高電容多層陶瓷電子組件。雖然以上已經(jīng)示出并描述了示例性實(shí)施例，但對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以做出各種修改和變型。當(dāng)前第1頁1 2 3