本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種激光芯片的貼片裝置以及一種激光芯片的貼片方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體激光芯片焊接到熱沉的過程對(duì)溫度特性曲線要求較高，同時(shí)對(duì)溫控精度、超調(diào)量也有嚴(yán)格要求。在相關(guān)技術(shù)中，半導(dǎo)體激光芯片封裝設(shè)備的加熱方式大多采用電阻爐溫度控制方式，即利用電流通過電熱體元件將電能轉(zhuǎn)換為熱能。但是，相關(guān)技術(shù)存在的問題是，采用可控硅作為執(zhí)行元件，導(dǎo)致設(shè)備體積大、溫控精度不高、超調(diào)量大、使用不方便、需要復(fù)雜的散熱設(shè)計(jì)以及系統(tǒng)成本高，降低激光芯片的封裝良品率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、低成本、溫控精度高且超調(diào)量低的激光芯片的貼片裝置。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提出一種激光芯片的貼片方法。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明一方面實(shí)施例提出的激光芯片的貼片裝置，包括：固定基座；設(shè)置在所述固定基座頂部的導(dǎo)熱基板，其中，所述激光芯片放置在所述導(dǎo)熱基板上；設(shè)置在所述導(dǎo)熱基板下方的至少一個(gè)鹵素?zé)?，所述至少一個(gè)鹵素?zé)粲糜趯?duì)所述導(dǎo)熱基板進(jìn)行加熱；至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件，所述至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件分別與所述至少一個(gè)鹵素?zé)魧?duì)應(yīng)相連，每個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件用于控制對(duì)應(yīng)的鹵素?zé)糸_啟和關(guān)閉；溫度檢測(cè)單元，所述溫度檢測(cè)單元用于檢測(cè)所述導(dǎo)熱基板的當(dāng)前溫度以生成當(dāng)前溫度檢測(cè)值；控制單元，所述控制單元與所述至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件和所述溫度檢測(cè)單元分別相連，所述控制單元用于獲取設(shè)定溫度曲線，并根據(jù)所述設(shè)定溫度曲線對(duì)應(yīng)的當(dāng)前設(shè)定溫度值和所述當(dāng)前溫度檢測(cè)值控制所述至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件，以使所述導(dǎo)熱基板的溫度變化符合所述設(shè)定溫度曲線。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的激光芯片的貼片裝置，將激光芯片放置在導(dǎo)熱基板上，并通過至少一個(gè)鹵素?zé)魧?duì)導(dǎo)熱基板進(jìn)行加熱，然后通過溫度檢測(cè)單元檢測(cè)導(dǎo)熱基板的當(dāng)前溫度以生成當(dāng)前溫度檢測(cè)值，控制單元獲取設(shè)定溫度曲線，并根據(jù)設(shè)定溫度曲線對(duì)應(yīng)的當(dāng)前設(shè)定溫度值和當(dāng)前溫度檢測(cè)值控制至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件，以使導(dǎo)熱基板的溫度變化符合設(shè)定溫度曲線。由此，該裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、低成本、溫控精度高、超調(diào)量低、一致性好以及使用方便。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)鹵素?zé)艄潭ㄔ谒龉潭ɑ膬?nèi)部，且所述至少一個(gè)鹵素?zé)艟o貼所述導(dǎo)熱基板設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述固定基座上開有氮?dú)膺M(jìn)氣孔、氧氣進(jìn)氣孔和出氣孔，所述裝置還包括：氮?dú)夤苈罚龅獨(dú)夤苈放c所述氮?dú)膺M(jìn)氣孔相連，所述氮?dú)夤苈酚糜谙蛩龉潭ɑ膬?nèi)部充入氮?dú)猓龅獨(dú)夤苈飞显O(shè)置有第一進(jìn)氣閥；氧氣管路，所述氧氣管路與所述氧氣進(jìn)氣孔相連，所述氧氣管路用于向所述固定基座的內(nèi)部充入氧氣，所述氧氣管路上設(shè)置有第二進(jìn)氣閥；其中，所述固定基座內(nèi)部的氮?dú)饣蜓鯕馔ㄟ^所述出氣孔排出，所述第一進(jìn)氣閥和所述第二進(jìn)氣閥分別與所述控制單元相連，所述控制單元用于在所述至少一個(gè)鹵素?zé)魧?duì)所述導(dǎo)熱基板進(jìn)行加熱之前控制所述第一進(jìn)氣閥開啟，并在降溫時(shí)控制所述第二進(jìn)氣閥開啟。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述氮?dú)膺M(jìn)氣孔和所述氧氣進(jìn)氣孔設(shè)置所述固定基座的第一側(cè)面，所述出氣孔設(shè)置在所述固定基座的第二側(cè)面，其中，所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面相對(duì)設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述控制單元進(jìn)一步用于獲取pid控制模型，并根據(jù)所述當(dāng)前設(shè)定溫度值與所述當(dāng)前溫度檢測(cè)值之間的差值以及所述pid控制模型獲取當(dāng)前控制量，以及根據(jù)所述當(dāng)前控制量計(jì)算當(dāng)前占空比，并按照計(jì)算出的當(dāng)前占空比輸出pwm控制信號(hào)至所述至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件，以對(duì)所述至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件進(jìn)行控制。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述控制單元還用于在所述當(dāng)前控制量大于或等于第一預(yù)設(shè)閾值h時(shí)輸出占空比為100％的pwm控制信號(hào)；所述控制單元還用于在所述當(dāng)前控制量大于第二預(yù)設(shè)閾值l且小于所述第一預(yù)設(shè)閾值h時(shí)輸出占空比為的pwm控制信號(hào)，其中，u(k)為所述當(dāng)前控制量；所述控制單元還用于在所述當(dāng)前控制量小于或等于所述第二預(yù)設(shè)閾值l時(shí)輸出占空比為0％的pwm控制信號(hào)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述控制單元通過與上位機(jī)進(jìn)行通信，以獲取所述設(shè)定溫度曲線。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述每個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件包括：并聯(lián)連接的第一開關(guān)管和第二開關(guān)管；第一驅(qū)動(dòng)電路，所述第一驅(qū)動(dòng)電路的輸入端與所述控制單元相連，所述第一驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與所述第一開關(guān)管的控制端相連，所述第一驅(qū)動(dòng)電路包括第一高速光耦，所述第一驅(qū)動(dòng)電路通過所述第一高速光耦驅(qū)動(dòng)所述第一開關(guān)管導(dǎo)通或關(guān)斷；第二驅(qū)動(dòng)電路，所述第二驅(qū)動(dòng)電路的輸入端與所述控制單元相連，所述第二驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與所述第二開關(guān)管的控制端相連，所述第二驅(qū)動(dòng)電路包括第二高速光耦，所述第二驅(qū)動(dòng)電路通過所述第二高速光耦驅(qū)動(dòng)所述第二開關(guān)管導(dǎo)通或關(guān)斷；其中，所述控制單元通過控制所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管導(dǎo)通以控制對(duì)應(yīng)的鹵素?zé)糸_啟，且所述控制單元通過控制所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管關(guān)斷以控制對(duì)應(yīng)的鹵素?zé)絷P(guān)閉。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述溫度檢測(cè)單元包括：固定在所述導(dǎo)熱基板上的熱電偶傳感器，所述熱電偶傳感器用于根據(jù)所述導(dǎo)熱基板的當(dāng)前溫度生成溫度檢測(cè)信號(hào)；信號(hào)調(diào)理電路，所述信號(hào)調(diào)理電路分別與所述熱電偶傳感器和所述控制單元相連，所述信號(hào)調(diào)理電路用于對(duì)所述溫度檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行調(diào)理以生成所述當(dāng)前溫度檢測(cè)值，并所述當(dāng)前溫度檢測(cè)值輸出給所述控制單元。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的另一方面實(shí)施例提出了一種激光芯片的貼片方法，包括以下步驟：通過至少一個(gè)鹵素?zé)魧?duì)放置有激光芯片的導(dǎo)熱基板進(jìn)行加熱，檢測(cè)導(dǎo)熱基板的當(dāng)前溫度以生成當(dāng)前溫度檢測(cè)值；獲取設(shè)定溫度曲線；根據(jù)所述設(shè)定溫度曲線對(duì)應(yīng)的當(dāng)前設(shè)定溫度值和所述當(dāng)前溫度檢測(cè)值控制至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件以通過所述至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M控制至少一個(gè)鹵素?zé)舻拈_啟和關(guān)閉，以使所述導(dǎo)熱基板的溫度變化符合所述設(shè)定溫度曲線。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的激光芯片的貼片方法，通過至少一個(gè)鹵素?zé)魧?duì)放置有激光芯片的導(dǎo)熱基板進(jìn)行加熱，檢測(cè)導(dǎo)熱基板的當(dāng)前溫度以生成當(dāng)前溫度檢測(cè)值，獲取設(shè)定溫度曲線，并根據(jù)所述設(shè)定溫度曲線對(duì)應(yīng)的當(dāng)前設(shè)定溫度值和所述當(dāng)前溫度檢測(cè)值控制至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件以通過所述至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M控制至少一個(gè)鹵素?zé)舻拈_啟和關(guān)閉，以使所述導(dǎo)熱基板的溫度變化符合所述設(shè)定溫度曲線。由此，該方法能夠使激光芯片的貼片裝置的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、低成本、溫控精度高、超調(diào)量低、一致性好以及使用方便。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光芯片的貼片裝置的方框示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的激光芯片的貼片裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的激光芯片的貼片裝置中設(shè)定溫度曲線的示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的激光芯片的貼片裝置的方框示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的激光芯片的貼片裝置的控制原理的示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的溫度階躍信號(hào)模型的曲線示意圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的激光芯片的貼片裝置的方框示意圖；以及

圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光芯片的貼片方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

下面參考附圖描述本發(fā)明實(shí)施例的激光芯片的貼片裝置以及激光芯片的貼片方法。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光芯片的貼片裝置的方框示意圖。如圖1-2所示，該激光芯片的貼片裝置包括：固定基座10、導(dǎo)熱基板20、鹵素?zé)?0、鹵素?zé)艨刂平M件40、溫度檢測(cè)單元50和控制單元60。

其中，導(dǎo)熱基板20設(shè)置在固定基座10的頂部，激光芯片放置在導(dǎo)熱基板10上。具體地，激光芯片和熱沉可放置于導(dǎo)熱基板20的固定焊接區(qū)a，并通過夾具和頂蓋固定，使激光芯片和熱沉緊密貼合導(dǎo)熱基板20，其中，夾具可為金屬夾具。更具體地，可通過外置機(jī)械臂將激光芯片放置于導(dǎo)熱基板20上的固定焊接區(qū)a。

鹵素?zé)?0為至少一個(gè)，至少一個(gè)鹵素?zé)?0設(shè)置在導(dǎo)熱基板20的下方，至少一個(gè)鹵素?zé)?0用于對(duì)導(dǎo)熱基板20進(jìn)行加熱。具體地，至少一個(gè)鹵素?zé)?0例如四個(gè)鹵素?zé)?0可構(gòu)成鹵素?zé)絷嚵?，通過鹵素?zé)絷嚵锌蓪?duì)導(dǎo)熱基板20進(jìn)行加熱，以將激光芯片和熱沉焊接。在本發(fā)明的一個(gè)具體示例中，鹵素?zé)?0可為大功率鹵素?zé)?，例如可?50w/25v的鹵素?zé)簟?/p>

鹵素?zé)艨刂平M件40為至少一個(gè)，至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40分別與至少一個(gè)鹵素?zé)?0對(duì)應(yīng)相連，每個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40用于控制對(duì)應(yīng)的鹵素?zé)?0開啟和關(guān)閉；溫度檢測(cè)單元50用于檢測(cè)導(dǎo)熱基板20的當(dāng)前溫度以生成當(dāng)前溫度檢測(cè)值；控制單元60與至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40和溫度檢測(cè)單元50分別相連，控制單元60用于獲取設(shè)定溫度曲線，并根據(jù)設(shè)定溫度曲線對(duì)應(yīng)的當(dāng)前設(shè)定溫度值和當(dāng)前溫度檢測(cè)值控制至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40，以使導(dǎo)熱基板20的溫度變化符合設(shè)定溫度曲線。也就是說，控制單元60通過控制鹵素?zé)?0的開啟和關(guān)閉來控制導(dǎo)熱基板20的溫度。

需要說明的是，設(shè)定溫度曲線可為溫度-時(shí)間曲線，設(shè)定溫度曲線可包括多個(gè)溫度段，每個(gè)溫度段均具有對(duì)應(yīng)的斜率。舉例來說，如圖3所示，坐標(biāo)系的橫坐標(biāo)為時(shí)間(s)，坐標(biāo)系的縱坐標(biāo)為溫度(℃)，該坐標(biāo)系中設(shè)定溫度曲線可包括5個(gè)溫度段，分別為第一升溫段d1、第一溫度保持段d2、第二升溫段d3、第二溫度保持段d4和降溫段d5，其中，第一升溫段d1的斜率可為k1(k1大于0)，第一溫度保持段d2的斜率可為0，第二升溫段d3的斜率可為k2(k2大于0)，第二溫度保持段d4的斜率可為0，降溫段d5的斜率可為k3(k3小于0)。

具體而言，控制單元60在獲取到設(shè)定溫度曲線之后，可每隔預(yù)設(shè)時(shí)間例如1s獲取每個(gè)采樣時(shí)間點(diǎn)對(duì)應(yīng)的設(shè)定溫度值并存儲(chǔ)存儲(chǔ)器，更具體地，控制單元60可根據(jù)每個(gè)溫度段的斜率每隔預(yù)設(shè)時(shí)間計(jì)算出每個(gè)采樣時(shí)間點(diǎn)對(duì)應(yīng)的設(shè)定溫度值。并且，控制單元60還可通過spi接口(serialperipheralinterface，串行外設(shè)接口)獲取的設(shè)定溫度值存儲(chǔ)到外部存儲(chǔ)器例如flash閃存中。

進(jìn)而在對(duì)激光芯片進(jìn)行焊接時(shí)，控制單元60接收到溫度檢測(cè)單元50在當(dāng)前時(shí)刻k檢測(cè)到的當(dāng)前溫度檢測(cè)值之后，可確定當(dāng)前時(shí)刻k對(duì)應(yīng)的當(dāng)前設(shè)定溫度值，并將當(dāng)前設(shè)定溫度值與當(dāng)前溫度檢測(cè)值進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果通過至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40控制鹵素?zé)?0的開啟和關(guān)閉，從而導(dǎo)熱基板20的溫度按照設(shè)定溫度曲線變化，激光芯片和熱沉通過導(dǎo)熱基板20按照設(shè)定溫度曲線加熱而完成焊接。

由此，本發(fā)明實(shí)施例的激光芯片的貼片裝置的系統(tǒng)架構(gòu)簡(jiǎn)單、具有較高的成本經(jīng)濟(jì)性，通過將控制復(fù)雜度轉(zhuǎn)移到軟件而不是硬件，因而降低了系統(tǒng)硬件成本，加熱部件通過采用大功率鹵素?zé)?，因而成本低廉、采購和更換方便。

在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，控制單元60與至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40可設(shè)置在同一電路板上，至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40可通過絕緣線纜分別與至少一個(gè)鹵素?zé)?0對(duì)應(yīng)相連。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖2所示，激光芯片的貼片裝置處于操作臺(tái)200內(nèi)，導(dǎo)熱基板20處于操作臺(tái)200頂部，操作臺(tái)200的殼體側(cè)面設(shè)置有風(fēng)扇201，風(fēng)扇201對(duì)操作臺(tái)200內(nèi)進(jìn)行散熱，以將操作臺(tái)200內(nèi)包括激光芯片的貼片裝置散發(fā)的熱量導(dǎo)出到操作臺(tái)200外。

下面結(jié)合圖2、圖4和圖7進(jìn)一步介紹本發(fā)明實(shí)施例的激光芯片的貼片裝置進(jìn)行。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖2所示，至少一個(gè)鹵素?zé)?0固定在固定基座10的內(nèi)部，且至少一個(gè)鹵素?zé)?0緊貼導(dǎo)熱基板20設(shè)置。換言之，導(dǎo)熱基板20可緊貼至少一個(gè)鹵素?zé)?0的上方插入固定基座10。

具體地，固定基座可設(shè)置有至少一個(gè)插口，至少一個(gè)鹵素?zé)?0可分別通過對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)插口固定在固定基座10上。

進(jìn)一步地，至少一個(gè)鹵素?zé)?0可固定在固定基座10的側(cè)面。其中，當(dāng)鹵素?zé)?0為多個(gè)時(shí)，多個(gè)鹵素?zé)?0可并行固定在固定基座10的側(cè)面。

更具體地，如圖2所示，至少一個(gè)鹵素?zé)?0可為4個(gè)，其中的兩個(gè)鹵素?zé)?0可并行固定在固定基座10的第一側(cè)面，其中的另外兩個(gè)鹵素?zé)?0可并行固定在固定基座10的第二側(cè)面，第一側(cè)面與第二側(cè)面相對(duì)，例如第一側(cè)面與第二側(cè)面可分別為左側(cè)面和右側(cè)面。換言之，4個(gè)大功率鹵素?zé)?0可并行插入固定基座10。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖2所示，固定基座10上可開有氮?dú)膺M(jìn)氣孔、氧氣進(jìn)氣孔和出氣孔。氮?dú)膺M(jìn)氣孔和氧氣進(jìn)氣孔可設(shè)置固定基座10的第一側(cè)面，出氣孔設(shè)置在固定基座10的第二側(cè)面，其中，第一側(cè)面和第二側(cè)面相對(duì)設(shè)置，例如第一側(cè)面與第二側(cè)面可分別為左側(cè)面和右側(cè)面。

如圖2、圖4和圖7所示，裝置還包括：氮?dú)夤苈泛脱鯕夤苈?。其中，氮?dú)夤苈放c氮?dú)膺M(jìn)氣孔相連，氮?dú)夤苈酚糜谙蚬潭ɑ?0的內(nèi)部充入氮?dú)?，氮?dú)夤苈飞显O(shè)置有第一進(jìn)氣閥71；氧氣管路與氧氣進(jìn)氣孔相連，氧氣管路用于向固定基座10的內(nèi)部充入氧氣，氧氣管路上設(shè)置有第二進(jìn)氣閥72。

固定基座10內(nèi)部的氮?dú)饣蜓鯕馔ㄟ^出氣孔排出，第一進(jìn)氣閥71和第二進(jìn)氣閥72分別與控制單元60相連，控制單元60用于在至少一個(gè)鹵素?zé)?0對(duì)導(dǎo)熱基板20進(jìn)行加熱之前時(shí)控制第一進(jìn)氣閥71開啟，并在降溫時(shí)控制第二進(jìn)氣閥72開啟。

應(yīng)當(dāng)理解的是，由于氮?dú)鈽O度的穩(wěn)定性，因而，可防止固定基座10的加熱腔在加熱過程中被氧化，同時(shí)因?yàn)榈獨(dú)獾膶?dǎo)熱系數(shù)很小，所以有利于保溫，即保持溫度穩(wěn)定，避免因外界環(huán)境溫度影響導(dǎo)熱基板20的溫度。

也就是說，固定基座10的第一側(cè)面安裝有第一進(jìn)氣閥71和第二進(jìn)氣閥72，在加熱之前可通過第一進(jìn)氣閥71充入氮?dú)猓瑥亩ㄟ^氮?dú)饪梢栽诩訜岫魏捅囟?如圖3所示的d1-d4)時(shí)實(shí)現(xiàn)保溫，在降溫時(shí)，可通過第二進(jìn)氣閥72充入氧氣，從而沖走之前充入的用于保溫的高溫氮?dú)?，?shí)現(xiàn)降溫。

換言之，氣體控制用于實(shí)現(xiàn)保溫和降溫，在焊接之前，控制單元60用于控制第一進(jìn)氣閥71打開以充入氮?dú)猓瑥亩鴮?shí)現(xiàn)保溫，在焊接完畢后，進(jìn)行降溫，即進(jìn)入圖3所示的降溫段d5，此時(shí)控制第二進(jìn)氣閥72打開以充入氧氣，從而實(shí)現(xiàn)降溫。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，如圖4和圖7所示，控制單元60可通過第一控制組件81控制第一進(jìn)氣閥71，通過第二控制組件82控制第二進(jìn)氣閥72。具體地，控制單元60通過控制第一控制組件81導(dǎo)通以控制第一進(jìn)氣閥71開啟，并通過控制第一控制組件81關(guān)斷以控制第一進(jìn)氣閥71關(guān)閉，以及通過控制第二控制組件82導(dǎo)通以控制第二進(jìn)氣閥72開啟，并通過控制第二控制組件82關(guān)斷以控制第二進(jìn)氣閥72關(guān)閉。其中，第一進(jìn)氣閥71和第二進(jìn)氣閥72可為電磁閥，第一控制組件81和第二控制組件82可包括mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半場(chǎng)效晶體管)。

進(jìn)一步地，如圖2所示，裝置還包括：出氣管路。其中，出氣管路與出氣進(jìn)氣孔相連，出氣管路用于將固定基座10內(nèi)部充入的氮?dú)饣蜓鯕馀懦觯鰵夤苈飞显O(shè)置有出氣閥73。也就是說，控制單元60可控制出氣閥73打開以將固定基座10內(nèi)部的氣體排出。例如在充入氧氣時(shí)，控制單元60可控制第二進(jìn)氣閥72和出氣閥73開啟以及第一進(jìn)氣閥71關(guān)閉，以向固定基座10的內(nèi)部充入氧氣，并將固定基座10內(nèi)部充入的氮?dú)馀懦觯囱?，控制單?0在開啟制第二進(jìn)氣閥72以充入氧氣的同時(shí)，還開啟出氣閥73以排出原來充入的氮?dú)?。其中，出氣閥73可為電磁閥。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，控制單元60可通過絕緣線纜101與第一進(jìn)氣閥71相連，控制單元60還可通過絕緣線纜101與第二進(jìn)氣閥72相連，控制單元60還可通過絕緣線纜101與出氣閥73相連。

下面結(jié)合圖5對(duì)控制單元60的控制流程進(jìn)行詳細(xì)描述。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖5所示，控制單元60進(jìn)一步用于獲取pid控制模型，并根據(jù)當(dāng)前設(shè)定溫度值與當(dāng)前溫度檢測(cè)值之間的差值e以及pid控制模型獲取當(dāng)前控制量u(k)，以及根據(jù)當(dāng)前控制量u(k)計(jì)算當(dāng)前占空比，并按照計(jì)算出的當(dāng)前占空比輸出pwm控制信號(hào)至至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40，以對(duì)至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40進(jìn)行控制。

需要說明的是，占空比可至每個(gè)周期開啟控制信號(hào)的持續(xù)時(shí)間與周期的總時(shí)間之比，例如，pwm控制信號(hào)在每個(gè)周期輸出1s的開啟控制信號(hào)和1s的關(guān)閉控制信號(hào)，那么占空比為1/2。

具體來說，每個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40可根據(jù)接收到的pwm控制信號(hào)控制對(duì)應(yīng)的鹵素?zé)?0開啟時(shí)間和關(guān)閉時(shí)間，例如，每個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40接收到占空比為1/2的pwm控制信號(hào)時(shí)，每個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40可在每個(gè)周期控制對(duì)應(yīng)的鹵素?zé)?0開啟時(shí)間1s，并關(guān)閉時(shí)間1s。

具體地，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，控制單元60還用于在當(dāng)前控制量大于或等于第一預(yù)設(shè)閾值h時(shí)輸出占空比為100％的pwm控制信號(hào)；控制單元60還用于在當(dāng)前控制量大于第二預(yù)設(shè)閾值l且小于第一預(yù)設(shè)閾值h時(shí)輸出占空比為的pwm控制信號(hào)，其中，u(k)為當(dāng)前控制量；控制單元60還用于在當(dāng)前控制量小于或等于第二預(yù)設(shè)閾值l時(shí)輸出占空比為0％的pwm控制信號(hào)。其中，第一預(yù)設(shè)閾值h大于第二預(yù)設(shè)閾值l。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，pid控制模型可采用pid位置算法公式，可如下式：

其中，kp為比例系數(shù)，ki為積分系數(shù)，kd為微分系數(shù)，ti為積分時(shí)間，td為微分時(shí)間，t為采樣時(shí)間，例如取10ms，e(k)為k時(shí)刻當(dāng)前設(shè)定溫度值與當(dāng)前溫度檢測(cè)值之間的差值，e(k-1)為k-1時(shí)刻當(dāng)前設(shè)定溫度值與當(dāng)前溫度檢測(cè)值之間的差值，e(j)為j時(shí)刻當(dāng)前設(shè)定溫度值與當(dāng)前溫度檢測(cè)值之間的差值，j取0到k的整數(shù)。

需要說明的是，當(dāng)前設(shè)定溫度值與當(dāng)前溫度檢測(cè)值之間的差值e可看作是pid控制模型的輸入，當(dāng)前控制量u(k)可看作是pid控制模型的輸出，pid控制模型可根據(jù)當(dāng)前設(shè)定溫度值與當(dāng)前溫度檢測(cè)值之間的差值e計(jì)算出pid控制模型的輸出。換言之，當(dāng)前控制量u(k)可為k時(shí)刻通過上述pid位置算法公式進(jìn)行采樣量化獲取的溫度電壓值。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體示例，第一預(yù)設(shè)閾值h可為第一溫度差例如20℃對(duì)應(yīng)的控制量，第二預(yù)設(shè)閾值l可為第二溫度差例如0.4℃對(duì)應(yīng)的控制量。舉例來說，h可以設(shè)置為：設(shè)定溫度值與溫度檢測(cè)值之間的溫度誤差為20℃且只考慮比例環(huán)節(jié)時(shí)pid控制模塊的輸出值，即kp*20℃時(shí)對(duì)應(yīng)的控制量)，l可以設(shè)置為：設(shè)定溫度值與溫度檢測(cè)值之間的溫度誤差為0.4℃且只考慮比例環(huán)節(jié)時(shí)pid控制模塊的輸出值，即kp*0.4℃時(shí)對(duì)應(yīng)的控制量。

具體而言，控制單元60可按照下式設(shè)定占空比：

當(dāng)l<u(k)<h時(shí)，其中，占空比為50％時(shí)控制鹵素?zé)?0的開關(guān)時(shí)間各占一半；

當(dāng)u(k)≥h時(shí)，占空比＝100％，即控制鹵素?zé)?0持續(xù)開啟；

當(dāng)u(k)≤l時(shí)，占空比＝0％，即控制鹵素?zé)?0持續(xù)關(guān)閉。

也就是說，控制單元60可采用上述公式確定pid控制模型輸出的當(dāng)前控制量和pwm控制信號(hào)的占空比之間的關(guān)系。其中，當(dāng)設(shè)定溫度值與溫度檢測(cè)值之間的溫度誤差高于第一溫度差例如20℃時(shí)控制鹵素?zé)?0連續(xù)通電，以使鹵素?zé)?0持續(xù)開啟(占空比為100％)，當(dāng)設(shè)定溫度值與溫度檢測(cè)值之間的溫度誤差為第一溫度差低于第二溫度差例如0.4℃時(shí)控制鹵素?zé)?0連續(xù)斷電，即以使鹵素?zé)?0持續(xù)關(guān)閉(占空比為0％)。

當(dāng)開始正常對(duì)激光芯片進(jìn)行焊接之后，控制單元60可按照pid控制模型輸出的當(dāng)前控制量和pwm控制信號(hào)的占空比之間的關(guān)系以及導(dǎo)熱基板20的當(dāng)前溫度檢測(cè)值與對(duì)應(yīng)的設(shè)定溫度值之間的差值動(dòng)態(tài)調(diào)整pwm控制信號(hào)的占空比，從而控制至少一個(gè)鹵素?zé)?0的亮滅時(shí)間百分比，進(jìn)而導(dǎo)熱基板20的溫度按照設(shè)定溫度曲線變化，激光芯片和熱沉通過導(dǎo)熱基板20的加熱完成焊接。

由此，可實(shí)現(xiàn)實(shí)際溫度曲線(溫度檢測(cè)單元50連續(xù)采集的溫度檢測(cè)值構(gòu)成的曲線)與設(shè)定溫度曲線的紋波低于0.4攝氏度、實(shí)際溫度曲線的超調(diào)量低于1％、實(shí)際溫度曲線的回歸時(shí)間低于0.5秒的加熱溫度曲線，完成對(duì)激光芯片10焊接的理想溫度特性曲線的精確復(fù)現(xiàn)。其中，紋波可以指實(shí)際溫度曲線與設(shè)定溫度曲線擬合時(shí)的溫度差；超調(diào)量可以指在恒溫加熱階段，實(shí)際溫度曲線的最大值減去穩(wěn)態(tài)溫度值后再與穩(wěn)態(tài)溫度值之比的百分?jǐn)?shù)；回歸時(shí)間可以指實(shí)際溫度曲線偏離設(shè)定溫度曲線后，回歸到設(shè)定溫度曲線所用的時(shí)間。

進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，控制單元60可通過自校準(zhǔn)確定pid控制模型中的比例系數(shù)、積分時(shí)間和微分時(shí)間。

具體而言，在貼片裝置上電開始使用時(shí)，控制單元60可先控制貼片裝置工作于校準(zhǔn)模式，即先進(jìn)行自校準(zhǔn)，然后，在校準(zhǔn)完畢后，控制單元60可按照設(shè)定溫度曲線開始對(duì)導(dǎo)熱基板20進(jìn)行加熱。

在校準(zhǔn)模式下，貼片裝置進(jìn)行開環(huán)預(yù)加熱(此時(shí)導(dǎo)熱基板10上無激光芯片)，控制單元60可自動(dòng)調(diào)整pid控制模型中的比例系數(shù)、積分時(shí)間和微分時(shí)間，并在每次調(diào)整后通過溫度檢測(cè)單元50檢測(cè)導(dǎo)熱基板20的溫度以計(jì)算導(dǎo)熱基板20的實(shí)際溫度曲線，并將實(shí)際溫度曲線與目標(biāo)溫度曲線(進(jìn)行比較，如果滿足預(yù)設(shè)條件例如實(shí)際溫度曲線與目標(biāo)溫度曲線的紋波低于0.4℃、回歸時(shí)間低于0.5秒，則停止校準(zhǔn)；否則，將重復(fù)進(jìn)行預(yù)加熱校準(zhǔn)，直至滿足前述預(yù)設(shè)條件。其中，目標(biāo)溫度曲線可理解為校準(zhǔn)時(shí)采用的設(shè)定溫度曲線，與前面實(shí)施例中焊接時(shí)所用的設(shè)定溫度曲線可以不一樣，例如可采用圖6所示的溫度階躍信號(hào)模型。

更具體地，校準(zhǔn)其實(shí)是確定圖5中pid控制模型中比例系數(shù)、積分時(shí)間和微分時(shí)間三個(gè)參數(shù)。參數(shù)調(diào)整可按照先比例、后積分、再微分的整定步驟。如圖6所示，采用溫度階躍信號(hào)模型對(duì)三個(gè)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，首先整定比例部分，獲取目標(biāo)溫度曲線即溫度階躍信號(hào)模型，將比例系數(shù)kp由小變大，在每個(gè)比例系數(shù)kp，檢測(cè)導(dǎo)熱基板20的溫度以記錄相應(yīng)的溫度響應(yīng)曲線，直至得到反應(yīng)快、超調(diào)小的響應(yīng)曲線，暫存該比例參數(shù)；然后整定積分時(shí)間ti，獲取目標(biāo)溫度曲線即溫度階躍信號(hào)模型(單調(diào)上升段)，將積分時(shí)間ti按照由大到小的方式變化，在每個(gè)積分時(shí)間ti，檢測(cè)導(dǎo)熱基板20的溫度以記錄相應(yīng)的溫度響應(yīng)曲線，直至得到在系統(tǒng)保持良好動(dòng)態(tài)性能的情況下靜態(tài)誤差低于0.4℃的響應(yīng)曲線，暫存該比例系數(shù)和積分時(shí)間；最后整定微分時(shí)間td，在整定比例系數(shù)和積分時(shí)間的情況下，逐步增大微分時(shí)間，檢測(cè)導(dǎo)熱基板20的溫度以記錄相應(yīng)的溫度響應(yīng)曲線，直至得到溫度響應(yīng)曲線與溫度階躍曲線擬合的回歸時(shí)間在0.5秒以內(nèi)的響應(yīng)曲線。由此，整定完畢，可將三個(gè)參數(shù)存儲(chǔ)在flash閃存中。

應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)自校準(zhǔn)無法得到滿足要求的比例系數(shù)、積分時(shí)間和微分時(shí)間時(shí)，也可以手動(dòng)輸入三個(gè)參數(shù)。

由此，本發(fā)明實(shí)施例的裝置采用pwm+pid的控制方式控制大功率鹵素?zé)暨M(jìn)行加熱，相比相關(guān)技術(shù)中的電阻爐加熱方式，溫控精度高(誤差不高于正負(fù)0.4℃)、超調(diào)量小(不高于1％)。并且自校準(zhǔn)方式使得裝置工作不受溫漂和器件老化等因素的影響。

下面結(jié)合圖7對(duì)控制單元60獲取設(shè)定溫度曲線的方式進(jìn)行說明。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖7所示，控制單元60通過與上位機(jī)100進(jìn)行通信，以獲取設(shè)定溫度曲線。具體地，控制單元60可通過串口例如uart與上位機(jī)100進(jìn)行通信。

具體地，上位機(jī)100可提供圖形用戶界面，并接收用戶通過圖形用戶界面輸入的設(shè)定溫度曲線，以及將設(shè)定溫度曲線發(fā)送給控制單元60。其中，上位機(jī)100可使用vc++設(shè)計(jì)圖形用戶界面。另外，上位機(jī)100還可通過圖形用戶界面接收用戶輸入的控制指令例如校準(zhǔn)和焊接指令等。也就是說，用戶可通過圖形用戶界面實(shí)現(xiàn)對(duì)貼片裝置的工作狀態(tài)控制、曲線設(shè)置等功能。

具體而言，可通過獲取設(shè)定溫度曲線中每個(gè)溫度段的起始溫度、結(jié)束溫度和溫度段時(shí)間以獲取設(shè)定溫度曲線。也就是說，用戶可在上位機(jī)10打開圖形用戶界面，在圖形用戶界面的溫控參數(shù)部分設(shè)置激光芯片焊接所需的設(shè)定溫度曲線(其中，激光芯片焊接使用設(shè)定溫度曲線通常為固定斜率)，設(shè)置每個(gè)溫度段的起始溫度、結(jié)束溫度和溫度段時(shí)間，在設(shè)置結(jié)束后，圖形用戶界面將用戶設(shè)置的設(shè)定溫度曲線完整地呈現(xiàn)出來。之后，上位機(jī)100在接收到用戶的確認(rèn)指令后，將設(shè)定溫度曲線發(fā)送給控制單元60。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，控制單元60還用于將獲取的溫度檢測(cè)值和時(shí)間參數(shù)通過串口實(shí)時(shí)發(fā)送給上位機(jī)100，以使上位機(jī)100根據(jù)溫度檢測(cè)值和時(shí)間參數(shù)生成并顯示實(shí)際溫度曲線。這樣，用戶在上位機(jī)可對(duì)比設(shè)定溫度曲線與實(shí)際溫度曲線之間的差異，檢查裝置溫控精度。

由此，通過上位機(jī)可任意設(shè)置溫控曲線即設(shè)定溫度曲線，適應(yīng)性更好，能適應(yīng)各種不同功率的半導(dǎo)體激光芯片，從溫控曲線到溫度范圍變化(0～450℃)，本發(fā)明實(shí)施例的貼片裝置都能很好地根據(jù)特定芯片產(chǎn)品規(guī)格設(shè)置和實(shí)現(xiàn)。

下面結(jié)合圖7對(duì)溫度檢測(cè)單元獲取溫度檢測(cè)單元50和鹵素?zé)艨刂平M件40的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖2和7所示，溫度檢測(cè)單元50包括：熱電偶傳感器51和信號(hào)調(diào)理電路52。

其中，熱電偶傳感器51固定在導(dǎo)熱基板20上，熱電偶傳感器51用于根據(jù)導(dǎo)熱基板的當(dāng)前溫度生成溫度檢測(cè)信號(hào)；信號(hào)調(diào)理電路52分別與熱電偶傳感器51和控制單元60相連，信號(hào)調(diào)理電路52用于對(duì)溫度檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行調(diào)理以生成當(dāng)前溫度檢測(cè)值，并當(dāng)前溫度檢測(cè)值輸出給控制單元60。

具體而言，溫度檢測(cè)單元50完成溫度到電壓的轉(zhuǎn)換，其中，熱電偶傳感器51完成溫度到電流的精確轉(zhuǎn)換，由于電流很小，因此，將電流經(jīng)過信號(hào)調(diào)理電路52(包括電壓跟隨、放大和濾波)處理，信號(hào)調(diào)理電路52將電流轉(zhuǎn)化為電壓后再輸入到控制單元60中的adc轉(zhuǎn)換器，以通過adc轉(zhuǎn)換器進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體示例，熱電偶傳感器51可為三線制pt100熱電偶傳感器，該傳感器精度高。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖7所示，每個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40包括：第一開關(guān)管q1和第二開關(guān)管q2以及第一驅(qū)動(dòng)電路41和第二驅(qū)動(dòng)電路42。

其中，第一開關(guān)管q1和第二開關(guān)管q2并聯(lián)連接；第一驅(qū)動(dòng)電路41的輸入端與控制單元60相連，第一驅(qū)動(dòng)電路41的輸出端與第一開關(guān)管q1的控制端相連，第一驅(qū)動(dòng)電路41包括第一高速光耦u1，第一驅(qū)動(dòng)電路41通過第一高速光耦u1驅(qū)動(dòng)第一開關(guān)管q1導(dǎo)通或關(guān)斷；第二驅(qū)動(dòng)電路42的輸入端與控制單元60相連，第二驅(qū)動(dòng)電路42的輸出端與第二開關(guān)管q2的控制端相連，第二驅(qū)動(dòng)電路42包括第二高速光耦u2，第二驅(qū)動(dòng)電路42通過第二高速光耦u2驅(qū)動(dòng)第二開關(guān)管q2導(dǎo)通或關(guān)斷；其中，控制單元60通過控制第一開關(guān)管q1和第二開關(guān)管q2導(dǎo)通以控制對(duì)應(yīng)的鹵素?zé)?0開啟，且控制單元60通過控制第一開關(guān)管q1和第二開關(guān)管q2關(guān)斷以控制對(duì)應(yīng)的鹵素?zé)?0關(guān)閉。其中，第一開關(guān)管q1和第二開關(guān)管q2可為mosfet。

也就是說，鹵素?zé)艨刂平M件40完成加熱溫度的精確控制，即控制單元通過定時(shí)器輸出可調(diào)占空比的pwm控制信號(hào)給每個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件40，以控制每個(gè)鹵素?zé)?0的通電或斷電，從而控制每個(gè)鹵素?zé)?0輸出的熱量和導(dǎo)熱基板20的溫度。

應(yīng)當(dāng)理解的是，通過高速光耦可以避免大功率電路對(duì)數(shù)字基帶電路產(chǎn)生影響；采用大功率、低阻抗、雙并聯(lián)的mosfet可以盡量降低熱損耗，避免設(shè)計(jì)復(fù)雜的散熱系統(tǒng)如風(fēng)冷或水冷等，提高輸出功率。

由此，相比相關(guān)技術(shù)中的電阻爐加熱方式，本發(fā)發(fā)明實(shí)施例的裝置采用大功率、低阻抗、雙并聯(lián)的mosfet以及pwm數(shù)控控制方式，加熱控制部分產(chǎn)生熱量少，無需復(fù)雜的散熱設(shè)計(jì)，如風(fēng)冷或水冷，進(jìn)一步降低了裝置總成本，延長(zhǎng)了器件使用壽命。

還需說明的是，控制單元60作為裝置的控制核心，完成溫度檢測(cè)的模數(shù)轉(zhuǎn)換、加熱控制、參數(shù)校準(zhǔn)、與上位機(jī)交互等功能，考慮到溫度檢測(cè)的模數(shù)轉(zhuǎn)換和溫控電路數(shù)據(jù)涉及到浮點(diǎn)乘除、迭代等運(yùn)算，而且溫控精度和實(shí)時(shí)性能要求較高，控制單元60可采用帶dsp和fpu的stm32f401。

與上述幾種實(shí)施例提供的激光芯片的貼片裝置相對(duì)應(yīng)，本發(fā)明的一種實(shí)施例還提供一種激光芯片的貼片方法，由于本發(fā)明實(shí)施例提供的激光芯片的貼片方法與上述幾種實(shí)施例提供的激光芯片的貼片裝置相對(duì)應(yīng)，因此前述激光芯片的貼片裝置的實(shí)施方式也適用于本實(shí)施例提供的激光芯片的貼片方法，在本實(shí)施例中不再詳細(xì)描述。

圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光芯片的貼片方法的流程圖。如圖8所示，激光芯片的貼片方法，包括以下步驟：

s1：通過至少一個(gè)鹵素?zé)魧?duì)放置有激光芯片的導(dǎo)熱基板進(jìn)行加熱；

s2：檢測(cè)導(dǎo)熱基板的當(dāng)前溫度以生成當(dāng)前溫度檢測(cè)值；

s3：獲取設(shè)定溫度曲線；

s4：根據(jù)設(shè)定溫度曲線對(duì)應(yīng)的當(dāng)前設(shè)定溫度值和當(dāng)前溫度檢測(cè)值控制至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件以通過至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M控制至少一個(gè)鹵素?zé)舻拈_啟和關(guān)閉，以使導(dǎo)熱基板的溫度變化符合設(shè)定溫度曲線。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的激光芯片的貼片方法，通過至少一個(gè)鹵素?zé)魧?duì)放置有激光芯片的導(dǎo)熱基板進(jìn)行加熱，檢測(cè)導(dǎo)熱基板的當(dāng)前溫度以生成當(dāng)前溫度檢測(cè)值，獲取設(shè)定溫度曲線，并根據(jù)所述設(shè)定溫度曲線對(duì)應(yīng)的當(dāng)前設(shè)定溫度值和所述當(dāng)前溫度檢測(cè)值控制至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M件以通過所述至少一個(gè)鹵素?zé)艨刂平M控制至少一個(gè)鹵素?zé)舻拈_啟和關(guān)閉，以使所述導(dǎo)熱基板的溫度變化符合所述設(shè)定溫度曲線。由此，該方法能夠使激光芯片的貼片裝置的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、低成本、溫控精度高、超調(diào)量低、一致性好以及使用方便。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

流程圖中或在此以其他方式描述的任何過程或方法描述可以被理解為，表示包括一個(gè)或更多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)定制邏輯功能或過程的步驟的可執(zhí)行指令的代碼的模塊、片段或部分，并且本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的范圍包括另外的實(shí)現(xiàn)，其中可以不按所示出或討論的順序，包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時(shí)的方式或按相反的順序，來執(zhí)行功能，這應(yīng)被本發(fā)明的實(shí)施例所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。

在流程圖中表示或在此以其他方式描述的邏輯和/或步驟，例如，可以被認(rèn)為是用于實(shí)現(xiàn)邏輯功能的可執(zhí)行指令的定序列表，可以具體實(shí)現(xiàn)在任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備(如基于計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)、包括處理器的系統(tǒng)或其他可以從指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備取指令并執(zhí)行指令的系統(tǒng))使用，或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用。就本說明書而言，"計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)"可以是任何可以包含、存儲(chǔ)、通信、傳播或傳輸程序以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用的裝置。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的更具體的示例(非窮盡性列表)包括以下：具有一個(gè)或多個(gè)布線的電連接部(電子裝置)，便攜式計(jì)算機(jī)盤盒(磁裝置)，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)，只讀存儲(chǔ)器(rom)，可擦除可編輯只讀存儲(chǔ)器(eprom或閃速存儲(chǔ)器)，光纖裝置，以及便攜式光盤只讀存儲(chǔ)器(cdrom)。另外，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)甚至可以是可在其上打印所述程序的紙或其他合適的介質(zhì)，因?yàn)榭梢岳缤ㄟ^對(duì)紙或其他介質(zhì)進(jìn)行光學(xué)掃描，接著進(jìn)行編輯、解譯或必要時(shí)以其他合適方式進(jìn)行處理來以電子方式獲得所述程序，然后將其存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中。

應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的各部分可以用硬件、軟件、固件或它們的組合來實(shí)現(xiàn)。在上述實(shí)施方式中，多個(gè)步驟或方法可以用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中且由合適的指令執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行的軟件或固件來實(shí)現(xiàn)。如，如果用硬件來實(shí)現(xiàn)和在另一實(shí)施方式中一樣，可用本領(lǐng)域公知的下列技術(shù)中的任一項(xiàng)或他們的組合來實(shí)現(xiàn)：具有用于對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)實(shí)現(xiàn)邏輯功能的邏輯門電路的離散邏輯電路，具有合適的組合邏輯門電路的專用集成電路，可編程門陣列(pga)，現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(fpga)等。

本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法攜帶的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，包括方法實(shí)施例的步驟之一或其組合。

此外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理模塊中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，也可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。

上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤或光盤等。盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。