技術特征：

1.一種MOS管的制備方法，其特征在于，包括：

在LTPS玻璃基板上形成金屬柵極圖形；

以所述金屬柵極為掩模進行重摻雜離子注入，形成源區(qū)和漏區(qū)；

對所述金屬柵極進行第一刻蝕，使得在所述源區(qū)和所述漏區(qū)中各形成輕摻雜區(qū)域。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在以所述金屬柵極為掩模進行重摻雜離子注入之前，所述制備方法還包括：

對所述金屬柵極進行第二刻蝕，以使所述金屬柵極形成遮蔽結構。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述對所述金屬柵極進行第二刻蝕，以使所述金屬柵極形成遮蔽結構，包括：

采用第一酸刻蝕液對所述金屬柵極進行各向同性的第二刻蝕，使所述金屬柵極的邊緣形成坡度遮蔽結構。

4.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述對所述金屬柵極進行第二刻蝕，以使所述金屬柵極形成遮蔽結構，包括：

采用第二酸刻蝕液對所述金屬柵極進行各向同性的第二刻蝕，以使所述金屬柵極的邊緣形成毛刷狀遮蔽結構。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述對所述金屬柵極進行第一刻蝕，包括：

采用第三酸刻蝕液對所述金屬柵極進行各向同性的第一刻蝕，以消除所述遮蔽結構的毛刷。

6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述對所述金屬柵極進行的第一刻蝕，包括：

通過干法刻蝕工藝對所述金屬柵極進行第一刻蝕，以消除所述遮蔽結構的毛刷。

7.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述遮蔽結構的厚度小于0.2μm。

8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述重摻雜離子注入的摻雜濃度為1E15Ions/cm²。

9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成金屬柵極圖形之前，所述制備方法還包括：

在LTPS玻璃基板上形成SiNx圖案、SiO₂圖案及P-Si圖案；

進行溝道摻雜，形成SiO₂連續(xù)薄膜及SiNx連續(xù)薄膜。

10.一種MOS管，其特征在于，采用如權利要求1至9中任一項所述的制備方法制作得到。