技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體晶圓電鍍用導(dǎo)電片及接電點(diǎn)密封結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電片包括導(dǎo)電層、內(nèi)側(cè)覆蓋膜及外側(cè)覆蓋膜，所述導(dǎo)電層為導(dǎo)電材料，所述內(nèi)側(cè)覆蓋膜、外側(cè)覆蓋膜為絕緣材料并且分別設(shè)置在導(dǎo)電層的內(nèi)、外側(cè)，所述導(dǎo)電層上設(shè)有接電點(diǎn)并且接電點(diǎn)穿過外側(cè)覆蓋膜伸至外側(cè)覆蓋膜的外側(cè)，接電點(diǎn)的高度大于外側(cè)覆蓋膜的厚度，所述半導(dǎo)體晶圓電鍍用導(dǎo)電片上還設(shè)置有外部導(dǎo)電連接點(diǎn)。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體晶圓電鍍用導(dǎo)電片，其結(jié)構(gòu)合理，有效提高了晶圓電鍍的均勻性；且設(shè)計(jì)了巧妙的接電點(diǎn)密封結(jié)構(gòu)，解決了接電點(diǎn)被腐蝕的問題，提高了晶圓的利用率。

技術(shù)研發(fā)人員：劉永進(jìn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京半導(dǎo)體專用設(shè)備研究所（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所）
文檔號(hào)碼：201610991073
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.11
技術(shù)公布日：2017.05.24