技術總結
本發(fā)明提供一種晶圓及其制備方法，包括多個結構相同的晶粒，每個晶粒中間的超結元胞結構包括P型摻雜區(qū)與N型摻雜區(qū)，兩種摻雜區(qū)中至少一種劃分為多個子區(qū)域，同種摻雜類型的相鄰子區(qū)域被另一種類型的摻雜區(qū)分隔開；制備方法包括以下步驟：(1)采用N型硅片作材料A，采用P型硅片作材料B；(2)材料B正面注入氫離子；(3)材料A按圖形刻槽，材料B按相反的圖形刻槽；(4)形成槽的材料B與形成槽的材料A對接，合成一塊半導體C；(5)材料B底部剝離，重復利用；(6)晶圓表面處理；本發(fā)明晶圓無需多次注入、多層外延，簡化了工藝流程，從而降低制作成本，晶圓可形成超高深寬比的P?N條，應用范圍廣。

技術研發(fā)人員：喬明;方冬;章文通;張波
受保護的技術使用者：電子科技大學
文檔號碼：201611026608
技術研發(fā)日：2016.11.11
技術公布日：2017.02.15