晶圓承載裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種晶圓承載裝置，用于承載一晶圓，該晶圓承載裝置包括一基座以及一承載盤。該承載盤固定于該基座上并包括一底盤、一出氣盤、以及若干個(gè)限位單元。該底盤包括若干個(gè)連接部，各連接部包括若干個(gè)氣孔。該出氣盤設(shè)置于該底盤上且包括若干個(gè)多孔性薄膜。這些限位單元固定在該底盤之周圍。本實(shí)用新型能解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓在清洗或蝕刻制程中容易破裂以及晶圓不需要清洗或蝕刻的表面受到破壞的問題。
【專利說明】
晶圓承載裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及晶圓領(lǐng)域，特別是涉及一種晶圓承載裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，對(duì)于晶圓厚度的要求越來越薄，因此需要背面研磨的制程。
[0003]請(qǐng)參閱圖1及圖2，圖1及圖2顯示現(xiàn)有技術(shù)中背面研磨及背面研磨之后的制程。
[0004]于步驟SlOO中，對(duì)一晶圓進(jìn)行針測(cè)(wafer probe)。于步驟S102中，對(duì)該晶圓進(jìn)行植球。于步驟S104中，對(duì)該晶圓進(jìn)行背面研磨。于步驟S106中，以紫外光照射20?30秒，移除晶圓上之錫球面的保護(hù)膠帶。于步驟S108中，對(duì)該晶圓進(jìn)行固化。于步驟SllO中，對(duì)該晶圓進(jìn)行研磨面(即背面)上的微粒(particle)殘膠清洗或蝕刻。于步驟S112中，對(duì)該晶圓背面之薄膜進(jìn)行雷射標(biāo)識(shí)(laser marking)。于步驟S114中，再次進(jìn)行晶圓針測(cè)(wafer probe)。于步驟SI 16中，對(duì)該晶圓進(jìn)行清洗或蝕刻。于步驟S118中，貼上芯片背面保護(hù)膠帶(LCtape)并上框架(thin frame)。于步驟S120中，切割該晶圓以獲得晶粒。于步驟S122中，以紫外光照射20?30秒，移除芯片背面保護(hù)膠帶。于步驟S124中，傳送到測(cè)試分類(pick andplace)站。于步驟S126中，檢驗(yàn)各晶粒。于步驟S128中，選取并放置晶粒。于步驟S130中，將選取的晶粒傳送至吸取晶粒站(reel) ο
[0005]在上述步驟SllO及S116中，需要對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，然而由于晶圓厚度越來越薄，因此在清洗過程中容易造成晶圓破裂的情況發(fā)生。此外，現(xiàn)有技術(shù)中，采用吸盤吸住晶圓或用頂針承載晶圓，在清洗過程中也容易造成晶圓破裂的情況發(fā)生。
[0006]此外，在對(duì)晶圓進(jìn)行研磨面上的微粒及殘膠清洗或蝕刻制程中，所噴灑的液體或清水容易流至不需要清洗或蝕刻的表面，造成不需要清洗或蝕刻的表面受到侵蝕甚至破壞線路。
[0007]因此需要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中晶圓容易破裂以及不需要清洗或蝕刻的表面受到破壞的問題提出解決方法。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0008]本實(shí)用新型的目的是提供一種晶圓承載裝置，其能解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓容易破裂以及不需要清洗或蝕刻的表面受到破壞的問題。
[0009]本實(shí)用新型提供一種晶圓承載裝置，用于承載一晶圓，該晶圓承載裝置包括一基座以及一承載盤。該承載盤固定于該基座上并包括一底盤、一出氣盤、以及若干個(gè)限位單元。該底盤包括若干個(gè)連接部，各連接部包括若干個(gè)氣孔。該出氣盤設(shè)置于該底盤上且包括若干個(gè)多孔性薄膜。這些限位單元固定在該底盤之周圍。
[0010]依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，該基座具有一進(jìn)氣部，該進(jìn)氣部用于提供使該晶圓漂浮至一特定位置之氣壓。
[0011]依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，該晶圓漂浮至該特定位置時(shí)，這些限位單元夾持住該晶圓并帶動(dòng)該晶圓旋轉(zhuǎn)。
[0012]依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，該特定位置為該出氣盤上方0.5毫米至10毫米之間。
[0013]依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，這些多孔性薄膜的位置對(duì)應(yīng)至這些氣孔的位置。
[0014]依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，這些多孔性薄膜的孔徑為0.1至0.5微米，這些多孔性薄膜的厚度為1至5毫米。
[0015]依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，這些連接部被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之連接部被分離成若干個(gè)部分。
[0016]依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，這些多孔性薄膜被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之多孔性薄膜被分離成若干個(gè)部分。
[0017]依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，該出氣盤進(jìn)一步包括若干個(gè)鎖固件，這些鎖固件用于鎖固在該底盤上。
[0018]依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，各限位單元包括一固定部以及一可移動(dòng)部。該固定部呈倒L形狀并用于固定在該出氣盤上。該可移動(dòng)部嵌入于該固定部之一垂直邊中。
[0019]依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，該可移動(dòng)部包括一扣件部，該可移動(dòng)部可朝向該固定部之一水平邊的方向傾斜，并帶動(dòng)該扣件部朝向該固定部之該水平邊的方向傾斜。
[0020]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型之晶圓承載裝置采用之多孔性薄膜能提供均勻的氣壓給晶圓，使得晶圓不會(huì)有破裂的情況發(fā)生。再者，本實(shí)用新型之晶圓承載裝置采用限位單元帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)，在清洗或蝕刻時(shí)所噴灑的化學(xué)藥劑、氮?dú)?、或清水不?huì)流至該晶圓不需要清洗或蝕刻的表面，因此不會(huì)破壞不需要清洗或蝕刻的表面上的線路。
[0021]為讓本實(shí)用新型的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下:【附圖說明】
[0022]圖1及圖2顯示現(xiàn)有技術(shù)中背面研磨及背面研磨之后的制程，圖2接續(xù)于圖1。[〇〇23]圖3顯示根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例之晶圓承載裝置之立體圖。[〇〇24] 圖4顯示圖3之承載盤之分解圖。[〇〇25]圖5顯示根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例之限位單元之立體圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0026]以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本實(shí)用新型可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。[〇〇27]請(qǐng)參閱圖3至圖4,圖3顯示根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例之晶圓承載裝置2之立體圖。 圖4顯示圖3之承載盤22之分解圖。[〇〇28]該晶圓承載裝置2包括一基座20以及承載盤22。該晶圓承載裝置2用于承載一晶圓 30,更明確地說，該晶圓承載裝置2之該承載盤22承載該晶圓30。該基座20之內(nèi)部具有一進(jìn)氣部24,該進(jìn)氣部24用于提供使該晶圓30能漂浮至一特定位置之氣壓。該晶圓30具有一正面300以及一背面302。該正面300為具有線路的表面。該背面302為需要清洗或蝕刻的表面， 因此必須曝露朝向上方。[〇〇29]該承載盤22固定于該基座20上，由該基座20定位該承載盤22。于本實(shí)施例中，該基座20大致呈一圓柱體的形狀，該承載盤22之下表面固定連結(jié)于該基座20上。于其他實(shí)施例中，該基座20并不限于如圖3所示之形狀，只要能固定并定位該承載盤22即可。
[0030]該晶圓30在未清洗或蝕刻時(shí)受到該承載盤22的承載，亦即該晶圓30之下表面在未清洗與該承載盤22接觸。如圖4所示，該承載盤22包括一底盤220、一出氣盤222、以及若干個(gè)限位單元224。[〇〇31]該底盤220固定于該基座20上。該底盤220上包括若干個(gè)連接部2200。各連接部 2200包括若干個(gè)氣孔2202。該出氣盤222設(shè)置于該底盤220上且包括若干個(gè)多孔性薄膜2220 以及若干個(gè)鎖固件2222。于一較佳實(shí)施例中，這些多孔性薄膜2220的孔徑為0.1至0.5微米 (micrometer ;ym)，這些多孔性薄膜2220的厚度為1至5毫米(mi 11 imeter;mm)。這些多孔性薄膜2220的位置對(duì)應(yīng)至這些連接部2200的位置。更明確地說，這些多孔性薄膜2220的下方對(duì)應(yīng)至這些連接部2200，亦即對(duì)應(yīng)至這些氣孔2202的位置。
[0032] 于本實(shí)施例中，這些連接部2200被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之連接部2200 被分離成若干個(gè)部分。于本實(shí)施例中，相同圈之連接部2200被分離成四個(gè)部分。相對(duì)應(yīng)地， 這些多孔性薄膜2220也被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之多孔性薄膜2220被分離成若干個(gè)部分。于本實(shí)施例中，相同圈之多孔性薄膜2220被分離成四個(gè)部分。這些鎖固件2222用于鎖固在該底盤220上。[〇〇33] 這些限位單元224固定在該底盤220之周圍，用于使該晶圓30能限定在該出氣盤 222上而不會(huì)掉落。此外，要說明的是，于本實(shí)施例中，該承載盤22包括四個(gè)限位單元224,然而限位單元224的數(shù)量并非限于四個(gè)，可為其他數(shù)量。[〇〇34] 請(qǐng)參閱圖5,圖5顯示根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例之限位單元224之立體圖。[〇〇35] 該限位單元224包括一固定部2240以及一可移動(dòng)部2242。該限位單元224大致呈一鳥嘴形狀，更明確地說，該固定部2240大致呈倒L形狀，用于固定在該出氣盤222上。該可移動(dòng)部2242嵌入于該固定部2240之一垂直邊中且包括一扣件部2244,該可移動(dòng)部2242可朝向該固定部2240之一水平邊的方向傾斜，并帶動(dòng)該扣件部2244朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜，藉此使圖3之該晶圓30能限定在該出氣盤222上而不會(huì)掉落。
[0036]請(qǐng)參閱圖3至圖5,當(dāng)需要對(duì)該晶圓30進(jìn)行清洗或蝕刻時(shí)，首先該基座20內(nèi)部之進(jìn)氣部24提供足夠使將該晶圓30能漂浮至特定位置之氣壓，該氣壓經(jīng)由這些連接部2200之這些氣孔2202及該出氣盤之這些多孔性薄膜2220而使得該晶圓30漂浮至特定位置，較佳而言，本實(shí)用新型之晶圓承載裝置2能承載之晶圓30的厚度為35微米(micrometer ;iim)至900 微米，并能控制該晶圓30漂浮至該出氣盤222上方0.5毫米(millimeter; mm)至10毫米之間 (亦即該特定位置為該出氣盤222上方0.5毫米至10毫米之間)。要說明的是，此時(shí)該晶圓30 僅漂浮至該出氣盤222上方但并未旋轉(zhuǎn)。[〇〇37]這些多孔性薄膜2220能將該進(jìn)氣部24所產(chǎn)生之氣壓均勻的提供給該晶圓30,使得晶圓30漂浮至特定位置時(shí)不會(huì)有破裂的情況發(fā)生。[〇〇38]該晶圓30漂浮至特定位置時(shí)，各可移動(dòng)部2242在該進(jìn)氣部24所產(chǎn)生的氣流、各可移動(dòng)部2242的偏心力、以及各可移動(dòng)部2242的離心力三者的作用下，各可移動(dòng)部2242朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜(即朝向該出氣盤222的內(nèi)部?jī)A斜)，進(jìn)而帶動(dòng)各扣件部 2244朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜，使得各限位單元224能夾持住該晶圓30并帶動(dòng)該晶圓30旋轉(zhuǎn)，更明確地說，各限位單元224之各扣件部2244的頂端能夾持住該晶圓30并帶動(dòng)該晶圓30旋轉(zhuǎn)。
[0039]接著，設(shè)置于該晶圓30上方之一噴灑單元(未圖標(biāo))對(duì)該晶圓30噴灑清洗或蝕刻所需之化學(xué)藥齊1J、氮?dú)?、或清水。該晶圓30能承受0.2公斤(kilogram ;kg)至5公斤的壓力。由于該晶圓30在各扣件部2244的帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)，因此該晶圓30在清洗或蝕刻時(shí)所噴灑的化學(xué)藥劑、氮?dú)狻⒒蚯逅畷?huì)向外甩出，并不會(huì)流至該晶圓30之正面300(具有線路)，亦即不會(huì)破壞該晶圓30之正面300的線路。
[0040]最后，當(dāng)結(jié)束對(duì)該晶圓30的清洗或蝕刻時(shí)，噴灑單元(未圖標(biāo))停止對(duì)該晶圓30噴灑化學(xué)藥劑、氮?dú)?、或清水，該進(jìn)氣部24也停止提供氣壓，原本各可移動(dòng)部2242朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜(即朝向該出氣盤222的內(nèi)部?jī)A斜)，此時(shí)各可移動(dòng)部2242在該進(jìn)氣部24所產(chǎn)生的氣流、各可移動(dòng)部2242的偏心力、以及各可移動(dòng)部2242的離心力三者消失的情況下，各可移動(dòng)部2242會(huì)恢復(fù)至垂直的方向，進(jìn)而使得各扣件部2244的頂端也會(huì)恢復(fù)至垂直的方向而不再夾持住該晶圓30，該晶圓30將會(huì)緩慢地平放在該出氣盤222上。
[0041]綜上所述，本實(shí)用新型之晶圓承載裝置2采用之多孔性薄膜2220能提供均勻的氣壓給晶圓30，使得晶圓30在進(jìn)氣部24的作用而漂浮至特定位置時(shí)不會(huì)有破裂的情況發(fā)生。再者，本實(shí)用新型之晶圓承載裝置2采用扣件部2244帶動(dòng)晶圓30旋轉(zhuǎn)，在清洗或蝕刻時(shí)所噴灑的化學(xué)藥劑、氮?dú)狻⒒蚯逅粫?huì)流至晶圓30之正面300，因此不會(huì)破壞晶圓30之正面300的線路。
[0042]綜上所述，雖然本實(shí)用新型已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本實(shí)用新型，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓承載裝置，用于承載一晶圓，其特征在于，該晶圓承載裝置包括:一基座；以及一承載盤，固定于該基座上，該承載盤包括:一底盤，包括若干個(gè)連接部，各連接部包括若干個(gè)氣孔；一出氣盤，設(shè)置于該底盤上且包括若干個(gè)多孔性薄膜；以及若干個(gè)限位單元，固定在該底盤之周圍。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該基座具有一進(jìn)氣部，該進(jìn)氣部 用于提供使該晶圓漂浮至一特定位置之氣壓。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該晶圓漂浮至該特定位置時(shí)，這 些限位單元夾持住該晶圓并帶動(dòng)該晶圓旋轉(zhuǎn)。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該特定位置為該出氣盤上方0.5 毫米至10毫米之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，這些多孔性薄膜的位置對(duì)應(yīng)至這 些氣孔的位置。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，這些多孔性薄膜的孔徑為0.1至 0.5微米，這些多孔性薄膜的厚度為1至5毫米。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，這些多孔性薄膜被設(shè)置成同心圓 的形狀，且相同圈之多孔性薄膜被分離成若干個(gè)部分。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，這些連接部被設(shè)置成同心圓的形 狀，且相同圈之連接部被分離成若干個(gè)部分。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該出氣盤進(jìn)一步包括若干個(gè)鎖固 件，這些鎖固件用于鎖固在該底盤上。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，各限位單元包括:一固定部，呈倒L形狀，該固定部用于固定在該出氣盤上；以及一可移動(dòng)部，嵌入于該固定部之一垂直邊中。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該可移動(dòng)部包括一扣件部，該 可移動(dòng)部可朝向該固定部之一水平邊的方向傾斜，并帶動(dòng)該扣件部朝向該固定部之該水平 邊的方向傾斜。
【文檔編號(hào)】H01L21/687GK205657049SQ201620021967
【公開日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2016年1月11日 公開號(hào)201620021967.2, CN 201620021967, CN 205657049 U, CN 205657049U, CN-U-205657049, CN201620021967, CN201620021967.2, CN205657049 U, CN205657049U
【發(fā)明人】顏錫銘
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