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      一種大功率IGBT器件的制造方法與流程

      文檔序號(hào):12274774閱讀:301來(lái)源:國(guó)知局
      一種大功率IGBT器件的制造方法與流程

      本發(fā)明涉及大功率器件領(lǐng)域,具體涉及一種具有散熱系統(tǒng)的大功率IGBT器件的制造方法。



      背景技術(shù):

      已知的是,公里因數(shù)校正功率模塊結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)存在較為嚴(yán)重的問(wèn)題,其主要是在于將由分立元器件組裝成的電路直接裝于散熱底板上,如此的結(jié)構(gòu),散熱效果一般,且元器件極易受外界條件的影響,例如電磁波干擾,水汽、灰塵的腐蝕等,同時(shí)存在拆卸不方便,通用性差等缺點(diǎn)。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      基于解決上述封裝中的問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種大功率IGBT器件的制造方法,包括以下步驟:

      (1)提供臨時(shí)載板,在臨時(shí)載板上實(shí)施注塑樹(shù)脂的注塑工序,用注塑樹(shù)脂將一金屬載片完全包圍;

      (2)將所述注塑樹(shù)脂固化成型,經(jīng)過(guò)磨削工序得到長(zhǎng)方體形狀的注塑樹(shù)脂固化體;

      (3)在所述注塑樹(shù)脂固化體中形成一芯片容置腔體和多個(gè)散熱通道以形成注塑殼體,所述芯片容置腔體由一個(gè)底壁和四個(gè)側(cè)壁圍成的長(zhǎng)方體腔,所述載片固定設(shè)置于所述芯片容置腔體的底面上,并部分嵌入所述四個(gè)側(cè)壁中,所述散熱通道用于流通有散熱工質(zhì),使得每個(gè)所述多個(gè)散熱通道的所述散熱工質(zhì)與所述金屬載片的下表面接觸;

      (4)將多個(gè)大功率芯片通過(guò)絕緣導(dǎo)熱膠固定于所述金屬載片上,所述多個(gè)大功率芯片的多個(gè)引腳折彎90度后從所述注塑殼體的頂面伸出;

      (5)用散熱硅脂填滿(mǎn)所述芯片容置腔體,并與注塑殼體的頂面共面。

      根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,還包括將一控制電路板與所述多個(gè)引腳電連接。

      根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述控制電路板具有多個(gè)與所述多個(gè)引腳相對(duì)應(yīng)的焊孔。

      根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述散熱硅膠中具有均勻分布的金屬顆粒。

      根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述金屬載片的形狀為由一個(gè)底壁和四個(gè)側(cè)壁圍成的長(zhǎng)方體腔,所述載片的四個(gè)側(cè)壁的高度大于或等于所述多個(gè)大功率芯片的最大高度。

      根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述注塑殼體的四個(gè)側(cè)壁的高度大于所述載片的四個(gè)側(cè)壁的高度。

      本發(fā)明的技術(shù)方案,具有如下優(yōu)點(diǎn):

      (1)采用散熱通道進(jìn)行流體工質(zhì)的整體性散熱,提高散熱效率;

      (2)通過(guò)使用整體性的注塑殼體保證密封性,防止腐蝕;

      (3)金屬載片的使用可以一定程度的屏蔽外界電磁干擾;

      (4)散熱硅膠中分布有金屬顆粒,可以保證芯片上部的快速散熱。

      附圖說(shuō)明

      圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的大功率IGBT器件的剖面圖;

      圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的大功率IGBT器件的左視圖;

      圖3為本發(fā)明的大功率芯片的示意圖;

      圖4為本發(fā)明的控制電路板的俯視圖;

      圖5-8為本發(fā)明的大功率IGBT器件的制造過(guò)程示意圖。

      具體實(shí)施方式

      參見(jiàn)圖1及2,一種大功率IGBT器件,具有注塑殼體1、金屬載片5、多個(gè)大功率芯片4和散熱硅膠2,其中,所述注塑殼體1中具有一芯片容置腔體,所述芯片容置腔體由一個(gè)底壁和四個(gè)側(cè)壁圍成的長(zhǎng)方體腔;所述金屬載片5固定設(shè)置于所述芯片容置腔體的底面上,并部分嵌入所述四個(gè)側(cè)壁中,這樣可以防止散熱工質(zhì)金屬所述芯片容置腔體內(nèi),造成腐蝕等危害;所述多個(gè)大功率芯片4通過(guò)導(dǎo)熱硅脂固定于所述金屬載片5上;所述散熱硅脂2填滿(mǎn)所述芯片容置腔體,并與注塑殼體的頂面共面,所述散熱硅膠2中具有均勻分布的金屬顆粒;所述多個(gè)大功率芯片4的多個(gè)引腳3折彎90度后從所述注塑殼體1的頂面伸出;所述注塑殼體1的所述底壁上具有多個(gè)散熱通道6,所述散熱通道6中流通有散熱工質(zhì),每個(gè)所述多個(gè)散熱通道6的所述散熱工質(zhì)與所述金屬載片5的下表面接觸。

      參見(jiàn)圖3,所述多個(gè)大功率芯片4可以包括大小不同的多個(gè)芯片,其包括IGBT,其多個(gè)引腳3都經(jīng)過(guò)折彎90度后進(jìn)行封裝。

      參見(jiàn)圖4,還包括與所述多個(gè)引腳3電連接的控制電路板7,所述控制電路板7具有多個(gè)與所述多個(gè)引腳3相對(duì)應(yīng)的焊孔8,所述引腳3伸出部分插入所述焊孔8并進(jìn)行焊接,以實(shí)現(xiàn)多個(gè)大功率芯片與控制電路板7的電連接,所述控制電路板7上還設(shè)有多個(gè)其他功能模塊,例如控制芯片9和電源模塊10。

      參見(jiàn)圖1,所述金屬載片5其形狀為由一個(gè)底壁和四個(gè)側(cè)壁圍成的長(zhǎng)方體腔,所述載片的四個(gè)側(cè)壁的高度H2大于或等于所述多個(gè)大功率芯片的最大高度H1,這樣可以使得所述金屬載片起到電磁屏蔽的作用。 所述注塑殼體的四個(gè)側(cè)壁的高度H3大于所述載片的四個(gè)側(cè)壁的高度H2,這樣防止散熱工質(zhì)的外流和滲出。

      其制造方法包括以下步驟:

      (1)參見(jiàn)圖5,提供臨時(shí)載板(未示出),在臨時(shí)載板上實(shí)施注塑樹(shù)脂的注塑工序,用注塑樹(shù)脂將一金屬載片完全包圍;

      (2)將所述注塑樹(shù)脂固化成型,經(jīng)過(guò)磨削工序得到長(zhǎng)方體形狀的注塑樹(shù)脂固化體;

      (3)參見(jiàn)圖6,在所述注塑樹(shù)脂固化體中形成一芯片容置腔體和多個(gè)散熱通道以形成注塑殼體,所述芯片容置腔體由一個(gè)底壁和四個(gè)側(cè)壁圍成的長(zhǎng)方體腔,所述載片固定設(shè)置于所述芯片容置腔體的底面上,并部分嵌入所述四個(gè)側(cè)壁中,所述散熱通道用于流通有散熱工質(zhì),使得每個(gè)所述多個(gè)散熱通道的所述散熱工質(zhì)與所述金屬載片的下表面接觸;

      (4)參見(jiàn)圖7,將多個(gè)大功率芯片通過(guò)絕緣導(dǎo)熱膠固定于所述金屬載片上,所述多個(gè)大功率芯片的多個(gè)引腳折彎90度后從所述注塑殼體的頂面伸出;

      (5)用散熱硅脂填滿(mǎn)所述芯片容置腔體,并與注塑殼體的頂面共面;

      (6)參見(jiàn)圖8,將一控制電路板與所述多個(gè)引腳電連接,所述控制電路板具有多個(gè)與所述多個(gè)引腳相對(duì)應(yīng)的焊孔。

      最后應(yīng)說(shuō)明的是:顯然,上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明本發(fā)明所作的舉例,而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。

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