本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種浮柵生成方法、閃存浮柵生成方法及閃存制造方法。
背景技術(shù):
現(xiàn)有閃存制造工藝在存儲區(qū)形成浮柵的具體制程為:在存儲區(qū)已生成淺槽隔離的襯底上沉積生成多晶硅層,再由化學(xué)機械研磨的方式去除多晶硅層,直至多晶硅層在存儲區(qū)被淺槽隔離分離形成柵格,然后對多晶硅層進行離子注入,最后去除外圍電路區(qū)的多晶硅層,從而在存儲區(qū)形成浮柵。
但是由于外圍電路區(qū)淺槽隔離少于存儲區(qū)淺槽隔離,導(dǎo)致化學(xué)機械研磨時,研磨速率存儲區(qū)低于外圍電路區(qū),存儲區(qū)和外圍電路區(qū)剩余的多晶硅層的厚度存在臺階差;當(dāng)存儲區(qū)多晶硅層厚度滿足浮柵要求時,外圍電路區(qū)多晶硅層過?。贿^薄的外圍電路區(qū)多晶硅層在去除時,容易導(dǎo)致襯底有源區(qū)硅的損傷,從而導(dǎo)致閃存器件無法正常開啟,甚至失效。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明目的是提供一種浮柵生成方法、閃存浮柵生成方法及閃存制造方法,解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:
一種浮柵生成方法,包括如下步驟:
步驟1,在襯底待生成浮柵區(qū)生成隔離;
步驟2,在襯底上沉積生成多晶硅層;所述多晶硅層包括待生成浮柵區(qū)多晶硅層和非生成浮柵區(qū)多晶硅層;
步驟3,對所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層進行離子注入,以改變所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層的結(jié)晶狀態(tài);
步驟4,對多晶硅層進行化學(xué)機械研磨,直至所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層被所述隔離分離,以形成柵格;
步驟5,去除所述非生成浮柵區(qū)多晶硅層,以形成浮柵。
本發(fā)明的有益效果是:將現(xiàn)有浮柵生成方式中的離子注入進程提到化學(xué)機械研磨進程之前,并且僅對待生成浮柵區(qū)多晶硅層進行離子注入;由于待生成浮柵區(qū)多晶硅層的結(jié)晶狀態(tài)被破壞,從而提高化學(xué)機械研磨中待生成浮柵區(qū)多晶硅層的研磨速率,進而彌補由于待生成浮柵區(qū)多晶硅層中存在隔離所降低的研磨速率,保證待生成浮柵區(qū)多晶硅層的研磨速率不低于非生成浮柵區(qū)多晶硅層的研磨速率;進一步保證待生成浮柵區(qū)多晶硅層的厚度滿足浮柵要求時,非生成浮柵區(qū)多晶硅層具有一定厚度;避免去除此非生成浮柵區(qū)多晶硅層的過程中損傷襯底,導(dǎo)致生成的器件無法正常開啟或失效;且有效避免了現(xiàn)有生成方式中化學(xué)機械研磨后再完成待生成浮柵區(qū)多晶硅層離子注入,在離子注入進程中,由于非生成浮柵區(qū)多晶硅層過薄,如未對此部分采取保護措施,離子注入會影響襯底的可能。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,本發(fā)明還可以做如下改進。
進一步,所述步驟3包括,在所述多晶硅層上涂覆光刻膠,光刻去除所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層上的光刻膠,保留所述非生成浮柵區(qū)多晶硅層上的光刻膠,以保留的光刻膠為掩膜對所述多晶硅層進行離子注入,以改變所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層的結(jié)晶狀態(tài)。
采用上述進一步方案的有益效果是,將光刻膠與光刻相結(jié)合,在非生成浮柵區(qū)多晶硅層上生成離子注入過程中所需的掩膜,保證非生成浮柵區(qū)多晶硅層不受離子注入的影響,工藝簡單可行。
進一步,所述離子注入為垂直于所述多晶硅層上表面的離子注入。
采用上述進一步方案的有益效果是,保證離子注入在待生成浮柵區(qū)多晶硅層的均勻性,且不會影響到非生成浮柵區(qū)多晶硅層。
進一步,所述步驟3還包括,進行離子注入后,去除所述保留的光刻膠。
采用上述進一步方案的有益效果是,避免光刻膠對化學(xué)機械研磨的影響。
進一步,所述化學(xué)機械研磨使用SiO2基研磨液或CeO2基研磨液。
本發(fā)明的另一技術(shù)方案如下:
一種閃存浮柵生成方法,采用上述一種浮柵生成方法,所述隔離為淺槽隔離。
本發(fā)明的有益效果是:避免閃存浮柵生成過程中損傷襯底,導(dǎo)致生成的閃存無法正常開啟或失效。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,本發(fā)明還可以做如下改進。
進一步,所述離子注入中注入的離子為磷離子。
本發(fā)明的另一技術(shù)方案如下:
一種閃存制造方法,采用上述一種閃存浮柵生成方法,在待制造閃存的存儲區(qū)生成浮柵。
本發(fā)明的有益效果是:避免在閃存的存儲區(qū)生成浮柵過程中損傷襯底,導(dǎo)致生成的閃存無法正常開啟或失效。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,本發(fā)明還可以做如下改進。
進一步,外圍電路區(qū)所需的淺槽隔離與所述存儲區(qū)的淺槽隔離同時生成。
采用上述進一步方案的有益效果是,離子注入進程在化學(xué)機械研磨進程之前,未經(jīng)化學(xué)機械研磨的外圍電路區(qū)多晶硅層,能夠防止離子注入對外圍電路區(qū)襯底和淺槽隔離的影響;故外圍電路區(qū)所需的淺槽隔離與所述存儲區(qū)的淺槽隔離可同時生成,簡化閃存制造流程。
附圖說明
圖1為本發(fā)明方法流程圖;
圖2為本發(fā)明隔離生成結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明多晶硅層生成結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本發(fā)明光刻膠生成結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為本發(fā)明離子注入結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6為本發(fā)明化學(xué)機械研磨結(jié)構(gòu)示意圖;
圖7為本發(fā)明浮柵生成結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中,各標(biāo)號所代表的部件列表如下:
1、襯底,11、待生成浮柵區(qū),12、非生成浮柵區(qū),2、隔離,3、多晶硅層,31、待生成浮柵區(qū)多晶硅層,32、非生成浮柵區(qū)多晶硅層,4、光刻膠,5、淺槽隔離。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述,所舉實例只用于解釋本發(fā)明,并非用于限定本發(fā)明的范圍。
如圖1所示,一種浮柵生成方法,包括如下步驟:
步驟1,如圖2所示,在襯底1待生成浮柵區(qū)11生成隔離2;
步驟2,如圖3所示,在襯底1上沉積生成多晶硅層3;所述多晶硅層3包括待生成浮柵區(qū)多晶硅層31和非生成浮柵區(qū)多晶硅層32;
步驟3,對所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層進行離子注入,以改變所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層31的結(jié)晶狀態(tài);
所述步驟3包括,如圖4所示,在所述多晶硅層3上涂覆光刻膠4;如圖5所示,光刻去除所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層31上的光刻膠4,保留所述非生成浮柵區(qū)多晶硅層32上的光刻膠4,以保留的光刻膠4為掩膜對所述多晶硅層3進行離子注入,以改變所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層31的結(jié)晶狀態(tài),其中,如圖5中箭頭所示,所述離子注入為垂直于所述多晶硅層3上表面的離子注入。
所述步驟3還包括,進行離子注入后,去除所述保留的光刻膠4。
步驟4,如圖6所示,對多晶硅層3進行化學(xué)機械研磨,直至所述待生成浮柵區(qū)多晶硅層31被所述隔離2分離,以形成柵格;其中,所述化學(xué)機械研磨使用S iO2基研磨液或CeO2基研磨液。
步驟5,如圖7所示,去除所述非生成浮柵區(qū)多晶硅層32;剩余的被隔離2分離成柵格的待生成浮柵區(qū)多晶硅層31,即為所需生成的浮柵。
一種閃存浮柵生成方法,采用上述一種浮柵生成方法,所述隔離2為淺槽隔離;所述離子注入中注入的離子為磷離子。
如圖2所示,一種閃存制造方法,采用上述一種閃存浮柵生成方法,在待制造閃存的存儲區(qū)即待生成浮柵區(qū)11生成浮柵。外圍電路區(qū)即非生成浮柵區(qū)12所需的淺槽隔離5和存儲區(qū)的淺槽隔離即隔離2同時生成,簡化閃存制造流程。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。