本發(fā)明涉及一種集成電路裝置，尤指涉及一種具有防止電磁干擾的天線裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

無線電通信系統(tǒng)的發(fā)展導致接收機和/或發(fā)射機鏈以集成電路的形式實施。已知的例子是用于便攜式的移動射頻(RF)收發(fā)機電路，衛(wèi)星通信微波接收機，無線局域網(wǎng)射頻(WLAN RF)電路等等。

典型的雙極化接收機鏈具有射頻發(fā)射機和接收機電路。因為兩個接收機鏈需要同時操作，所以兩個接收機鏈之間的干擾和電磁耦合應該最小化以免不需要的互調(diào)信號并實現(xiàn)最佳運行。

當以集成電路形式提供時，電路包含具有集成電感的振蕩器。因為電感和線圈是電磁輻射元件，所以在它們之間可能有電磁耦合和干擾。為了減少集成電路的兩個接收機鏈之間的耦合，已知使用：

在硅片上的大的距離以減少與振蕩器的耦合；兩個獨立的電路；和倒裝結(jié)構(gòu)用于高頻應用，因為這可以通過避免引線鍵合減少電磁耦合；然而，已知的方法通常導致集成電路的電路面積增加并因此需要更大的封裝。

此外，由于工作頻率增加，隔離被減弱。結(jié)果，對于一些高頻應用的隔離要求，例如衛(wèi)星通信，不能通過已知的方法容易地滿足。例如，對于衛(wèi)星通信，用于雙極化的兩個接收機鏈之間隔離應該至少是在 12GH60dB。然而，在傳統(tǒng)的封裝電路中的典型的隔離性能是在12GHz 大約45dB。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

基于解決上述封裝中的問題，本發(fā)明提供了一種天線裝置的制造方法，包括以下步驟：

（1）提供一硅芯片，所述硅芯片至少具有兩個射頻元件；

（2）設(shè)置一隔離溝槽，所述隔離溝槽隔離開所述兩個射頻元件；

（3）提供一中介載板，具有相對的上表面和下表面；

（4）在所述上表面挖槽形成凹槽，并在所述凹槽內(nèi)形成內(nèi)部導電圖案；

（5）在所述下表面形成導電圖案和接地層；

（6）將所述硅芯片倒裝至所述凹槽內(nèi)，并電連接至所述內(nèi)部導電圖案上。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，還包括在所述中介載板中形成導電通孔，電連接所述凹槽內(nèi)導電圖案和所述下表面的導電圖案。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述隔離溝槽大于所述兩個射頻元件的最大尺寸。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，還包括在所述隔離溝槽填充隔離物質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述兩個射頻元件通過所述內(nèi)部導電圖案電連接至所述下表面的接地層和導電圖案。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述導電通孔通過激光鉆孔形成。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述凹槽的底壁的導電圖案與所述導電通孔電連接，所述導電通孔與所述下表面的導電圖案電連接。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，還包括在所述中介載板的側(cè)面形成導電層，電連接至所述接地層。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述接地層被所述下表面的導電圖案分離成互相電隔離的兩部分。

本發(fā)明的技術(shù)方案，利用隔開的接地層可最大程度的減小兩射頻元件間的電磁干擾，并且利用載板的側(cè)面的導電層進行二次電磁屏蔽，進一步弱化外界的電磁干擾；在硅芯片設(shè)置隔離溝槽，防止兩射頻元件內(nèi)部的電磁耦合。

附圖說明

圖1為本發(fā)明天線裝置的剖面圖；

圖2為本發(fā)明天線裝置的俯視圖；

圖3-6為本發(fā)明的天線裝置的制造方法的過程示意圖。

具體實施方式

參見圖1，本發(fā)明提供了一種天線裝置，包括：中介載板1，具有相對的上表面和下表面；位于所述上表面的凹槽2；位于所述凹槽2中的倒裝硅芯片3，所述硅芯片3具有兩個射頻元件4、5；位于所述下表面的接地層，所述接地層由在所述下表面的下導電圖案10隔為兩部分，所述兩個射頻元件4、5分別電連接到所述接地層的兩部分。

參見圖2，所述硅芯片1具有隔離所述兩個射頻元件4、5的隔離溝槽8，所述隔離溝槽8大于所述兩個射頻元件的最大尺寸，所述隔離溝槽8填充有隔離物質(zhì)。

所述凹槽2底壁和側(cè)壁具有導電圖案6，所述兩個射頻元件4、5通過導電球7和所述導電圖案6電連接至所述下表面的接地層和導電圖案10。

所述中介載板1具有導電通孔11。所述凹槽2的底壁的導電圖案6與所述導電通孔11電連接，所述導電通孔11與所述下表面的導電圖案10電連接。所述上表面具有上導電層12所述中介載板1的側(cè)面具有導電層9，電連接至所述接地層。

其制造方法參見圖3-6，具體包括：

（1）參見圖3，提供一硅芯片，所述硅芯片至少具有兩個射頻元件；該硅芯片還可以具有其他元件，例如電感、電容等；

（2）設(shè)置一隔離溝槽，并在隔離槽內(nèi)設(shè)置隔離材料，所述隔離溝槽隔離開所述兩個射頻元件；

（3）參見圖4，提供一中介載板，具有相對的上表面和下表面；

（4）在所述上表面挖槽形成凹槽，然后利用激光開口工藝形成貫穿凹槽和下表面的導電通孔，并在所述凹槽內(nèi)形成內(nèi)部導電圖案；

（5）參見圖5，在所述下表面接地層，在所述中介載板的上表面和下表面以及側(cè)面均形成導電圖案，并且導電通孔電連接內(nèi)部導電圖案和下表面的導電圖案；

（6）參見圖6，將所述硅芯片倒裝至所述凹槽內(nèi)，并電連接至所述內(nèi)部導電圖案上。

最后應說明的是：顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護范圍之中。