本發(fā)明屬于平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬氧化物改性QLED器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

量子點(diǎn)(Quantum dot,QD)是一種準(zhǔn)零維(Quasi-zero-dimensional)的納米材料，由少數(shù)的原子所構(gòu)成，其具有熒光效率高、發(fā)光光譜窄、發(fā)光波長可調(diào)、光譜純度高等特殊優(yōu)點(diǎn)，有潛力取代傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光體成為下一代發(fā)光器件的核心部分?；诹孔狱c(diǎn)的發(fā)光二極管被稱為量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)，其具有可調(diào)節(jié)的波長、高色純的發(fā)光、窄的發(fā)光光譜、可溶液法制備以及可使用柔性襯底等優(yōu)點(diǎn)，因而被廣泛研究。然而，由于QLED自身的穩(wěn)定性不夠，限制了其大規(guī)模商用應(yīng)用。為了改善QLED的穩(wěn)定性，研究者嘗試使用無機(jī)物來替代其中的有機(jī)層。通常，以氧化鋅、氧化鈦、氧化錫和氧化鋯等氧化物作為無機(jī)電子注入層；以氧化鉬、氧化鎢、氧化釩、氧化銅、氧化鎳氧化物等作為空穴注入層。上述氧化物在QLED器件中的大量應(yīng)用取得了一定的成效，但是QLED器件的性能和穩(wěn)定性仍需要進(jìn)一步提高。

為了進(jìn)一步提高QLED器件的性能，科研工作者嘗試采用摻雜氧化物作為功能層材料，如Cs摻雜TiO₂、ZnO和Al摻雜ZnO、MoO₃等。這些氧化物通過摻雜以后能一定程度提高載流子的傳輸速率，但是不能滿足電子和空穴的平衡注入，對顯著提高QLED器件的效率和穩(wěn)定性仍然不夠。因此對無機(jī)材料進(jìn)行改性以便能應(yīng)用在QLED中，仍是目前需要解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種金屬氧化物改性QLED器件及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有QLED器件中載流子注入不平衡導(dǎo)致器件穩(wěn)定性不夠和效率不高的問題。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種金屬氧化物改性QLED器件，包括依次層疊設(shè)置的襯底、底電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和頂電極，所述空穴注入層、電子傳輸層為IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物，其中，所述空穴注入層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.01-0.15)：1；所述電子傳輸層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.5-0.8)：1，且沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，所述空穴注入層中所述IA族元素的摻雜比例逐漸降低。

以及，一種金屬氧化物改性QLED器件的制備方法，包括以下步驟：

提供襯底，在所述襯底上沉積底電極；

采用真空沉積的方法，沉積IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物，在所述頂電極上沉積空穴注入層，且使得所述空穴注入層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比為(0.01-0.15)：1，且沿著所述底電極往量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，所述空穴注入層中所述IA族元素的摻雜比例逐漸降低；

在所述空穴注入層上依次沉積空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層；

采用真空沉積的方法，沉積IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層沉積電子傳輸層，且使得所述電子傳輸層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比為(0.5-0.8)：1；

在所述電子傳輸層上沉積頂電極。

本發(fā)明提供的金屬氧化物改性QLED器件，采用IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物作為空穴注入層、電子傳輸層來提高載流子的注入平衡。進(jìn)一步的，采用少量摻雜IA族元素的金屬氧化物作為空穴注入層，同時(shí)采用大量摻雜IA族元素的金屬氧化物作為電子傳輸層，且沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，所述空穴注入層中IA族元素的摻雜比例逐漸降低，由此形成階梯狀能級分布的空穴注入層，顯著降低了載流子的注入勢壘，有利于載流子的注入，從而提高QLED器件的性能，特別是提高QLED器件的穩(wěn)定性和效率。

本發(fā)明提供的金屬氧化物改性QLED器件的制備方法，在現(xiàn)有QLED制備方法的基礎(chǔ)上，采用真空沉積的方法，沉積IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物制備空穴注入層、電子傳輸層，方法簡單易控，可以避免由化學(xué)反應(yīng)制備摻雜金屬氧化物過程中存在的危險(xiǎn)性(如使用金屬粉末與雙氧水反應(yīng)時(shí)會(huì)劇烈放熱)和制備QLED器件的不便。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例1提供的金屬氧化物改性QLED器件的能級結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例2提供的金屬氧化物改性QLED器件的能級結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種金屬氧化物改性QLED器件，包括依次層疊設(shè)置的襯底、底電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和頂電極，所述空穴注入層、電子傳輸層為IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物，其中，所述空穴注入層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.01-0.15)：1；所述電子傳輸層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.5-0.8)：1，且沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，所述空穴注入層中所述IA族元素的摻雜比例逐漸降低。

具體的，本發(fā)明實(shí)施例中，所述襯底可采用本領(lǐng)域常規(guī)的襯底材料和襯底厚度。所述底電極由常規(guī)的電極材料制成。

有別于常規(guī)的無機(jī)材料制成的空穴注入層，本發(fā)明實(shí)施例中，所述空穴注入層由IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物制成，且所述空穴注入層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比為(0.01-0.15)：1。合適的所述IA族元素的摻雜比例，有利于空穴傳輸性能的提高。當(dāng)所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比過低時(shí)，則不能有效提高空穴傳輸性能；當(dāng)所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比過高時(shí)，能級提高，阻礙空穴的傳輸，甚至?xí)淖兘饘傺趸锏膫鬏斝阅埽从纱说玫降目昭ㄗ⑷雽硬粌H不能傳輸空穴，反而會(huì)傳輸電子，從而導(dǎo)致空穴不能有效進(jìn)入發(fā)光層與電子復(fù)合發(fā)光。其中，所述IA族元素包括Li、Na、K、Rb、Cs；所述金屬氧化物包括但不限于氧化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化銅。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例所述空穴注入層中，所述金屬氧化物中摻雜的Cs或Li并非均一分布，而是沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，所述空穴注入層中Cs或Li的摻雜比例逐漸降低，使得所述金屬氧化物的能級梯度化，進(jìn)而降低載流子的注入勢壘，有利于空穴的注入。在此原則下，本發(fā)明實(shí)施例中，所述空穴注入層可以由若干層摻雜比例不同的摻雜膜層組成。

作為一種具體情形，所述空穴注入層由n層膜層組成，沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向依次命名為第一膜層、第二膜層、第三膜層…第N-1膜層、第N膜層，各膜層中所述IA族元素的摻雜比例固定，且從所述第一膜層到所述第N膜層，所述IA族元素的摻雜比例逐漸降低。

作為另一種具體情形，所述空穴注入層由n層膜層組成，沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向依次命名為第一膜層、第二膜層、第三膜層…第N-1膜層、第N膜層，從所述第一膜層到所述第N膜層，所述IA族元素的摻雜比例逐漸降低；沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，單獨(dú)的各膜層中所述IA族元素的摻雜比例也逐漸降低，且所述第N-1膜層中所述IA族元素的最小摻雜比例≥所述第N膜層中所述IA族元素的最大摻雜比例。

作為上述兩種情形的一個(gè)具體優(yōu)選實(shí)施例，所述空穴注入層由5層厚度相同的膜層組成，且沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向依次命名為第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層，其中，

所述第一膜層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.15-0.13)：1；

所述第二膜層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.13-0.11)：1；

所述第三膜層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.11-0.08)：1；

所述第四膜層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.08-0.03)：1；

所述第五膜層中，不摻雜IA族元素。

由此得到的空穴注入層，能形成效果優(yōu)異的階梯狀能級，從而有利于降低空穴在每一層傳輸?shù)膭輭?，進(jìn)而有利于空穴的傳輸，提高載流子復(fù)合效率。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述空穴注入層的總厚度為10-20nm。若所述空穴注入層的厚度過薄，則不能形成完全覆蓋所述底電極的致密膜層，從而產(chǎn)生缺陷，無法有效復(fù)合發(fā)光；若所述空穴注入層的厚度過厚，則空穴難以有效注入甚至無法注入。

本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述空穴注入層采用所述IA族元素的疊氮化物如疊氮化鋰或疊氮化銫與所述金屬氧化物共蒸鍍制成。該方法不僅可以精確控制所述空穴注入層各層的膜厚，而且，所述IA族元素的疊氮化物的熔點(diǎn)溫度低(如疊氮化鋰或疊氮化銫的熔點(diǎn)在310-330℃范圍內(nèi))，可以降低蒸鍍時(shí)所需要的溫度，便于操作。

本發(fā)明實(shí)施例中，所述空穴傳輸層可采用常規(guī)的空穴傳輸材料和厚度。具體的，所述空穴傳輸層材料可選自PEODT：PSS、TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、CBP中的至少一種；或者選自NiO、CuO、V₂O₅、CuS中的至少一種。所述量子點(diǎn)發(fā)光層可以將常見的紅、綠、藍(lán)和黃光量子以及紅外和紫外光量子點(diǎn)中的至少一種作為發(fā)光材料。所述量子點(diǎn)發(fā)光層可采用本領(lǐng)域常規(guī)厚度。

本發(fā)明實(shí)施例中，所述空穴注入層由所述IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物，且所述空穴注入層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比為(0.5-0.8)：1。合適的所述IA族元素的摻雜比例，有利于電子傳輸性能的提高。當(dāng)所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比過高時(shí)，則不能有效提高電子傳輸性能；當(dāng)所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比過低時(shí)，能級降低，阻礙電子的傳輸，甚至?xí)淖兘饘傺趸锏膫鬏斝阅?，即由此得到的電子傳輸層不僅不能傳輸電子，反而會(huì)傳輸空穴，從而導(dǎo)致電子不能有效進(jìn)入發(fā)光層與空穴復(fù)合發(fā)光。其中，所述IA族元素包括Li、Na、K、Rb、Cs；所述金屬氧化物包括但不限于氧化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化銅。

本發(fā)明實(shí)施例中，所述電子傳輸層中，所述金屬氧化物中摻雜的IA族元素含量可以均一分布，也可以不均一分布，而是沿著所述量子點(diǎn)發(fā)光層往所述頂電極的方向，所述電子傳輸層中IA族元素的摻雜比例逐漸增加。但是，由于QLED器件中，電子傳輸?shù)乃俾时緛肀瓤昭▊鬏數(shù)乃俾士?，如果將電子傳輸層的能級也階梯化，這樣電子和空穴的傳輸速率有效平衡的難度進(jìn)一步加大，而過多的電子會(huì)造成電子的堆積，發(fā)生非輻射復(fù)合，而造成QLED器件的效率降低。因此，優(yōu)選的，所述電子傳輸層中，所述金屬氧化物中摻雜的IA族元素的摻雜比例固定。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述電子傳輸層的總厚度為20-40nm。若所述電子傳輸層的厚度過薄，則不能形成完全覆蓋所述量子點(diǎn)發(fā)光材料的致密膜層，從而產(chǎn)生缺陷，無法有效復(fù)合發(fā)光；若所述電子傳輸層的厚度過厚，則電子難以有效注入甚至無法注入。

本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述電子傳輸層采用所述IA族元素的疊氮化物如疊氮化鋰或疊氮化銫與所述金屬氧化物共蒸鍍制成。該方法不僅可以精確控制所述電子傳輸層的膜厚，而且，所述IA族元素的疊氮化物的熔點(diǎn)溫度低(如疊氮化鋰或疊氮化銫的熔點(diǎn)在310-330℃范圍內(nèi))，可以降低蒸鍍時(shí)所需要的溫度，便于操作。

本發(fā)明實(shí)施例中，所述空穴注入層、所述電子傳輸層中的金屬氧化物可以不同，所述空穴注入層、所述電子傳輸層也可以采用相同的金屬氧化物。

本發(fā)明實(shí)施例所述頂電極可以為Ag電極、Al電極、Cu電極、Au電極以及合金電極。

進(jìn)一步的，所述QLED器件還包括封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬氧化物改性QLED器件，采用IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物作為空穴注入層、電子傳輸層來提高載流子的注入平衡。進(jìn)一步的，采用少量摻雜IA族元素的金屬氧化物作為空穴注入層，同時(shí)采用大量摻雜IA族元素的金屬氧化物作為電子傳輸層，且沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，所述空穴注入層中IA族元素的摻雜比例逐漸降低，由此形成階梯狀能級分布的空穴注入層，顯著降低了載流子的注入勢壘，有利于載流子的注入，從而提高QLED器件的性能，特別是提高QLED器件的穩(wěn)定性。

本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬氧化物改性QLED器件可以通過下述方法制備獲得。

以及，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種金屬氧化物改性QLED器件的制備方法，包括以下步驟：

S01.提供襯底，在所述襯底上沉積底電極；

S02.采用真空沉積的方法，沉積IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物，在所述頂電極上沉積空穴注入層，且使得所述空穴注入層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比為(0.01-0.15)：1，且沿著所述底電極往量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，所述空穴注入層中所述IA族元素的摻雜比例逐漸降低；

S03.在所述空穴注入層上依次沉積空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層；

S04.采用真空沉積的方法，沉積IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層沉積電子傳輸層，且使得所述電子傳輸層中，所述IA族元素的與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比為(0.5-0.8)：1；

S05.在所述電子傳輸層上沉積頂電極。

具體的，上述步驟S01中，所述底電極的沉積可以采用本領(lǐng)域常規(guī)方法實(shí)現(xiàn)。進(jìn)一步優(yōu)選的，在沉積所述底電極前，還包括對所述沉積進(jìn)行表面清潔處理，以提高所述底電極的附著力。

上述步驟S02中，采用真空沉積的方法，沉積IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物。所述真空沉積包括但不限于蒸鍍法、濺射法、原子層沉積法。優(yōu)選的，采用共蒸鍍所述IA族元素的疊氮化物如疊氮化銫或疊氮化鋰與金屬氧化物，在所述頂電極上沉積空穴注入層。該方法不僅不需要較高的蒸鍍溫度，而且有利于精確所述空穴注入層的厚度。該步驟中，將所述空穴注入層制備成“所述IA族元素所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比為(0.01-0.15)：1，且沿著所述底電極往量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，所述空穴注入層中所述IA族元素的摻雜比例逐漸降低”，即所述空穴傳輸層可能包括多層薄膜結(jié)構(gòu)，真空沉積方法利于控制微細(xì)的膜層結(jié)構(gòu)。

上述步驟S03中，在所述空穴注入層上依次沉積空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層可以采用本領(lǐng)域常規(guī)方法實(shí)現(xiàn)。

上述步驟S04中，采用真空沉積的方法，沉積IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物。所述真空沉積包括但不限于蒸鍍法、濺射法、原子層沉積法。優(yōu)選的，采用共蒸鍍所述IA族元素的疊氮化物如疊氮化銫或疊氮化鋰與金屬氧化物，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層沉積電子傳輸層。該方法不僅不需要較高的蒸鍍溫度，而且有利于精確所述空穴注入層的厚度。該步驟中，將所述電子傳輸層層制備成“所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比為(0.50-0.80)：1”。

上述步驟S05中，在所述電子傳輸層上沉積頂電極可以采用常規(guī)方法實(shí)現(xiàn)，如蒸鍍。

進(jìn)一步的，待器件蒸鍍完成后，對其進(jìn)行封裝，可以使用常用的機(jī)器封裝也可以使用簡單的手動(dòng)封裝。

本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬氧化物改性QLED器件的制備方法，在現(xiàn)有QLED制備方法的基礎(chǔ)上，采用真空沉積的方法，直接共蒸鍍IA族元素的疊氮化物與金屬氧化物制備空穴注入層、電子傳輸層，由于疊氮化物的熔點(diǎn)溫度低(如疊氮化鋰、疊氮化銫的熔點(diǎn)為310℃-330℃)，可以降低制備功能層的蒸鍍溫度，且易于精確控制功能層的厚度(相比溶液法)。此外，采用本發(fā)明實(shí)施例方法制備功能層，可以避免由化學(xué)反應(yīng)制備摻雜金屬氧化物過程中存在的危險(xiǎn)性(如使用金屬粉末與雙氧水反應(yīng)時(shí)會(huì)劇烈放熱)和制備QLED器件的不便。

下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)行說明。

實(shí)施例1

結(jié)合圖1，一種金屬氧化物改性QLED器件，包括依次層疊設(shè)置的襯底、底電極ITO、空穴注入層、空穴傳輸層(HTL)、量子點(diǎn)發(fā)光層(QDS)、電子傳輸層和頂電極Al，所述空穴注入層為Cs摻雜的氧化鉬，由5層摻雜膜層組成，且沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向依次命名為第一摻雜膜層(標(biāo)記為MoO_x1)、第二摻雜膜層(標(biāo)記為MoO_x2)、第三摻雜膜層(標(biāo)記為MoO_x3)、第四摻雜膜層(標(biāo)記為MoO_x4)、第五摻雜膜層(標(biāo)記為MoO_x5)，其中，所述第一摻雜膜層中，Cs原子與氧化鉬中鉬原子的摩爾比為0.15：1，厚度為2nm；所述第二摻雜膜層中，Cs原子與氧化鉬中鉬原子的摩爾比為0.12：1，厚度為2nm；所述第三摻雜膜層中，Cs原子與氧化鉬中鉬原子的摩爾比為0.10：1，厚度為2nm；所述第四摻雜膜層中，Cs原子與氧化鉬中鉬原子的摩爾比為0.05：1，厚度為2nm；所述第五摻雜膜層中，Cs原子的摻雜比例為0，厚度為2nm；所述電子傳輸層為Cs摻雜的氧化鉬(標(biāo)記為MoO_x6)，且電子傳輸層中Cs原子與氧化鉬中鉬原子的摩爾比為0.7：1，電子傳輸層厚度為20nm。

本發(fā)明實(shí)施例金屬氧化物改性QLED器件的能級圖如圖1所示。

上述一種金屬氧化物改性QLED器件的制備方法包括以下步驟：

S11.提供含有底電極的襯底；

S12.通過真空沉積的方法，在所述底電極上依次共蒸疊氮化銫和氧化鉬的膜層，共5層，依次標(biāo)記為MoO_x1、MoO_x2、MoO_x3、MoO_x4、MoO_x5，每層厚度2nm。其中，MoO_x1中Cs原子與氧化鉬中鉬原子的摩爾比為0.15：1；MoO_x2中Cs原子與氧化鉬中鉬原子的摩爾比為0.12：1；MoO_x3中Cs原子與氧化鉬中鉬原子的摩爾比為0.10：1；MoO_x4中Cs原子與氧化鉬中鉬原子的摩爾比為0.05：1；MoO_x5中不摻雜Cs原子；

S13.在所述空穴注入層上依次沉積空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層；

S14.采用真空沉積的方法，共蒸鍍疊疊氮化銫和氧化鉬，沉積Cs摻雜的氧化鉬，其中Cs原子與氧化鉬中鉬原子的摩爾比為0.7：1(標(biāo)記為MoO_x6)；

S15.在所述電子傳輸層上沉積頂電極，封裝處理。

實(shí)施例2

結(jié)合圖2，一種金屬氧化物改性QLED器件，包括依次層疊設(shè)置的襯底、底電極ITO、空穴注入層、空穴傳輸層(HTL)、量子點(diǎn)發(fā)光層(QDS)、電子傳輸層和頂電極Al，所述空穴注入層為Li摻雜的氧化釩，由5層摻雜膜層組成，且沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向依次命名為第一摻雜膜層(標(biāo)記為VO_x1)、第二摻雜膜層(標(biāo)記為VO_x2)、第三摻雜膜層(標(biāo)記為VO_x3)、第四摻雜膜層(標(biāo)記為VO_x4)、第五摻雜膜層(標(biāo)記為VO_x5)，其中，所述第一摻雜膜層中，Li原子與氧化釩中釩原子的摩爾比為0.15：1，厚度為3nm；所述第二摻雜膜層中，Li原子與氧化釩中釩原子的摩爾比為0.12：1，厚度為3nm；所述第三摻雜膜層中，Li原子與氧化釩中釩原子的摩爾比為0.10：1，厚度為3nm；所述第四摻雜膜層中，Li原子與氧化釩中釩原子的摩爾比為0.05：1，厚度為3nm；所述第五摻雜膜層中，Li原子的摻雜比例為0，厚度為8nm；所述電子傳輸層為Li摻雜的氧化釩(標(biāo)記為VO_x6)，且電子傳輸層中Li原子與氧化釩中釩原子的摩爾比為0.6:1，電子傳輸層厚度為20nm。

本發(fā)明實(shí)施例金屬氧化物改性QLED器件的能級圖如圖2所示。

上述一種金屬氧化物改性QLED器件的制備方法包括以下步驟：

S21.提供含有底電極的襯底；

S22.通過真空沉積的方法，在所述底電極上依次共蒸疊氮化銫和氧化釩的膜層，共5層，依次標(biāo)記為VO_x1、VO_x2、VO_x3、VO_x4、VO_x5，每層厚度3nm。其中，VO_x1中Li原子與氧化釩中釩原子的摩爾比為0.15：1；VO_x2中Li原子與氧化釩中釩原子的摩爾比為0.12：1；VO_x3中Li原子與氧化釩中釩原子的摩爾比為0.10：1；VO_x4中Li原子與氧化釩中釩原子的摩爾比為0.05：1；VO_x5中不摻雜Li原子；

S23.在所述空穴注入層上依次沉積空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層；

S24.采用真空沉積的方法，共蒸鍍疊疊氮化銫和氧化釩，沉積Li摻雜的氧化釩，其中Cs原子與氧化鉬中鉬原子的摩爾比為0.6：1(標(biāo)記為VO_x6)；

S25.在所述電子傳輸層上沉積頂電極，封裝處理。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。