1.一種金屬氧化物改性QLED器件，包括依次層疊設(shè)置的襯底、底電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和頂電極，其特征在于，所述空穴注入層、電子傳輸層為IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物，其中，所述空穴注入層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.01-0.15)：1；所述電子傳輸層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.5-0.8)：1，且沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，所述空穴注入層中所述IA族元素的摻雜比例逐漸降低。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入層由n層膜層組成，沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向依次命名為第一膜層、第二膜層、第三膜層…第N-1膜層、第N膜層，各膜層中所述IA族元素的摻雜比例固定，且從所述第一膜層到所述第N膜層，所述IA族元素的摻雜比例逐漸降低。
3.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入層由n層膜層組成，沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向依次命名為第一膜層、第二膜層、第三膜層…第N-1膜層、第N膜層，從所述第一膜層到所述第N膜層，所述IA族元素的摻雜比例逐漸降低；
沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，單獨(dú)的各膜層中所述IA族元素的摻雜比例也逐漸降低，且所述第N-1膜層中所述IA族元素的最小摻雜比例≥所述第N膜層中所述IA族元素的最大摻雜比例。
4.如權(quán)利要求2或3所述的金屬氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入層由5層厚度相同的膜層組成，且沿著所述底電極往所述量子點(diǎn)發(fā)光層的方向依次命名為第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層，其中，
所述第一膜層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.15-0.13)：1；
所述第二膜層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.13-0.11)：1；
所述第三膜層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.11-0.08)：1；
所述第四膜層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬元素的原子摩爾比為(0.08-0.03)：1；
所述第五膜層中，不摻雜IA族元素。
5.如權(quán)利要求1-3任一所述的金屬氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述電子傳輸層中所述IA族元素的摻雜比例固定。
6.如權(quán)利要求1-3任一所述的金屬氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入層、所述電子傳輸層采用所述IA族元素的疊氮化物與所述金屬氧化物共蒸鍍制成。
7.如權(quán)利要求1-3任一所述的金屬氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入層、所述電子傳輸層采用相同的金屬氧化物。
8.如權(quán)利要求1-3任一所述的金屬氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入層的厚度為10-20nm；和/或
所述電子傳輸層的厚度為20-40nm。
9.如權(quán)利要求1-3任一所述的金屬氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述金屬氧化物包括氧化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化銅。
10.一種金屬氧化物改性QLED器件的制備方法，包括以下步驟：
提供襯底，在所述襯底上沉積底電極；
采用真空沉積的方法，沉積IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物，在所述頂電極上沉積空穴注入層，且使得所述空穴注入層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比為(0.01-0.15)：1，且沿著所述底電極往量子點(diǎn)發(fā)光層的方向，所述空穴注入層中所述IA族元素的摻雜比例逐漸降低；
在所述空穴注入層上依次沉積空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層；
采用真空沉積的方法，沉積IA族元素?fù)诫s的金屬氧化物，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層沉積電子傳輸層，且使得所述電子傳輸層中，所述IA族元素與所述金屬氧化物中金屬原子的摩爾比為(0.5-0.8)：1；
在所述電子傳輸層上沉積頂電極。