本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，尤其是涉及一種紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(light emitting diode，LED)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件，并且具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點(diǎn)，近年已被普遍應(yīng)用于照明。一般LED封裝不僅要求能夠保護(hù)LED芯片，而且還要透光等材料上的特殊要求、封裝方法與結(jié)構(gòu)。

一般封裝技術(shù)中，利用不透明圖案化基底，承載LED芯片(chip)與電極，通過金屬導(dǎo)線將LED芯片與電極電連接后，在不透明基底與芯片上，以透明材料覆蓋整個芯片、金屬導(dǎo)線與不透明基底，固化后形成完成封裝。由于封裝必須使用透明材料，以利光線的射出，因此材料選擇有限。目前LED封裝常見的高分子膠體在長期照射UV(波長450nm以下)后會發(fā)生變質(zhì)，造成穿透率下降，同時還會失去附著力，故在產(chǎn)品中后期的出光效益與品質(zhì)都會有疑慮，無法提供UV LED長期的良好封裝效果。

為能改善上述狀況，現(xiàn)行市面產(chǎn)品發(fā)展出使用石英玻璃作為透鏡材料，通過其在短波長下仍可維持高穿透率的特性，維持產(chǎn)品穩(wěn)定的出光效益。但玻璃與基板間仍須使用膠體做為接合劑，長期使用后接合處膠體一樣有變質(zhì)風(fēng)險，造成封裝結(jié)構(gòu)的密合性遭到破壞，造成芯片壽命大幅下降，同樣無法提供UV LED長期的良好封裝效果。

因此如何能改善上述問題，提升UV LED在長時間使用下仍具有良好的封裝效果，同時保有高透光率，成為本實(shí)用新型所探討的課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術(shù)的上述問題。

為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供一種紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包含具有電極的基材；芯片，設(shè)置于基材上，并電連接電極；透明保護(hù)罩，覆蓋基材與芯片；附著層，設(shè)置于基材與透明保護(hù)罩之間；以及光反射層，設(shè)置于透明保護(hù)罩與附著層之間，其中透明保護(hù)罩通過光反射層與附著層固定于基材上。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的光反射層直接附著于透明保護(hù)罩。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的光反射層的材料為金屬。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的附著層的材料為金屬，且光反射層與附著層共晶結(jié)合。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的附著層的材料為高分子樹脂，且光反射層與附著層粘合。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩具有第一凹槽，對應(yīng)芯片，使芯片置于第一凹槽中。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩具有靠近基材的表面，并且位于第一凹槽內(nèi)的部分表面與基材分離。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的基材還包含：凹杯結(jié)構(gòu)，以環(huán)繞芯片。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的基材還包含承載板，電極固定于承載板上，并穿通承載板以電性導(dǎo)通承載板的兩側(cè)；以及凹杯結(jié)構(gòu)接觸電極且與承載板分離。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩具有第二凹槽，并且第二凹槽對應(yīng)于凹杯結(jié)構(gòu)與芯片，使凹杯結(jié)構(gòu)與芯片置于第二凹槽中。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的附著層固定并接觸于基材的承載板與電極的任一者。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩具有靠近基材的表面，并且表面為平面。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的附著層接觸并固定于凹杯結(jié)構(gòu)的上表面。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的該透明保護(hù)罩形成有一凸出部，凹杯結(jié)構(gòu)靠近透明保護(hù)罩的一側(cè)形成有一凹陷部，其中凹陷部對應(yīng)凸出部。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的凸出部與凹陷部均為環(huán)形。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的附著層固定于凹陷部中，光反射層固定于凸出部上。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的附著層僅覆蓋凹陷部的底面，光反射層僅覆蓋凸出部的頂面。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的芯片射出的光的波長為450納米以下。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩具有遠(yuǎn)離基材的弧形表面。

本實(shí)用新型還提供一種紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包含具有電極的基材；芯片，設(shè)置于該基材上，并電連接該電極；透明保護(hù)罩，覆蓋該基材與該芯片；以及金屬層，設(shè)置于該透明保護(hù)罩靠近該基材的部分表面，其中該金屬層與該電極共晶結(jié)合。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩具有凹槽，對應(yīng)于芯片，使芯片置于凹槽中。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩具有靠近該基材的表面，并且位于凹槽內(nèi)的部分表面與基材分離。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的該基材還包含承載板，電極固定于承載板上，并穿通承載板以電性導(dǎo)通承載板的兩側(cè)；以及金屬層與承載板分離。

在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩具有遠(yuǎn)離該基材的弧形表面。

本實(shí)新型的優(yōu)點(diǎn)在于，本實(shí)用新型能提供的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，可以適用于市場上所有常見波長的LED芯片封裝，尤其對于波段450nm以下的UV LED芯片的封裝，能解決現(xiàn)有制作工藝產(chǎn)品容易產(chǎn)生劣化的問題，達(dá)到更佳且更長期的保護(hù)，進(jìn)而延長UV LED的使用壽命。

附圖說明

為讓本實(shí)用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉數(shù)個較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下：

圖1A是依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的所繪制的紫外光發(fā)光二極管的封 裝結(jié)構(gòu)10剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1B是依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的所繪制的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)10俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)11剖面示意圖；

圖3A是依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的所繪制的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)20剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3B是依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的所繪制的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)20俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4A是依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的所繪制的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)30剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4B是依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的所繪制的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)30俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5A是依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的所繪制的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)40剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5B是依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的所繪制的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)40俯視結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖6是依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的所繪制的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)50剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

符號說明

1：基材

2：芯片

3：金屬導(dǎo)線

4：附著層

5：透明保護(hù)罩

5a：凸出部

6：光反射層

10-12、20、30、40：封裝結(jié)構(gòu)

11：承載板

12：電極

13：凹杯結(jié)構(gòu)

13a：凹陷部

C1、C2：凹槽

S1、S2、S5a、S13a、S131-S133：表面

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型是在提供一種紫外光發(fā)光二極管(UV LED)的封裝結(jié)構(gòu)，用以解決現(xiàn)有的封裝方法下所導(dǎo)致的劣化狀況，以改善對波長450nm以下的UV LED長期使用后的保護(hù)性，能有效延長UV LED使用壽命的功效。為讓本實(shí)用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文以實(shí)施例配合所附附圖，做詳細(xì)說明。

圖1A與圖1B所示為依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)10，其中圖1A為封裝結(jié)構(gòu)10的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖1B為俯視結(jié)構(gòu)示意圖。此實(shí)施例提供的封裝結(jié)構(gòu)10套用于一般不具有凹杯結(jié)構(gòu)且使用正裝打線芯片的LED。如圖1A與1B所示，基材1包含不導(dǎo)電的承載板11與電極12，其中電極12固定于承載板11上并且電性導(dǎo)通承載板11上下兩側(cè)，本實(shí)施例中以電極12穿通承載板11為例說明，其中本實(shí)施例的承載板11使用陶瓷材料。之后將紫外光發(fā)光二極管的芯片2固定于基材1上，并且芯片2的一電極利用金屬導(dǎo)線3與電極12電連接，芯片2的另一電極則與電極12直接接觸以電連接，其中電極12的覆蓋范圍可以依需求做調(diào)整，此實(shí)施例中，電極12覆蓋大部分的承載板11。之后形成附著層4于基材1上，直接接觸電極12與承載板11分離，且位于芯片2和金屬導(dǎo)線3外圍，以環(huán)繞芯片2與金屬導(dǎo)線3。透明保護(hù)罩5可以用模具直接成形或是利用蝕刻等方式形成所需的形狀后，之后于透明保護(hù)罩5對應(yīng)于附著層4的位置上形成光反射層6，并且將附著有光反射層6的透明保護(hù)罩5覆蓋于基材1與芯片2上。本實(shí)施例中的透明保護(hù)罩5為石英玻璃材質(zhì)，并且透明保護(hù)罩5上形成有多個凹槽C1，分別對應(yīng)于基材1上的多個芯片2(圖1A與圖1B為簡化說明，僅繪示出一個芯片2與對應(yīng)的部分基材1)。透明保護(hù)罩5具有遠(yuǎn)離基材1的一上表面S1與靠近基材1的一下表面S2，上表面S1為平面，下表面S2為非平面，并且位于凹槽C1內(nèi)的部分下表面S2與基材分離。本實(shí)施例中的附著層4使用高分子樹脂作為粘著膠體，用以粘合基材1與透明保護(hù)罩5，使芯片2置于凹槽C1中。光反射層6上對應(yīng)并覆蓋至少部分附 著層4，并且光反射層6與附著層4的覆蓋范圍可依需求調(diào)整，本實(shí)施例中，光反射層6與附著層4覆蓋凹槽C1以外的所有范圍，并且光反射層6上對應(yīng)并覆蓋整個附著層4，如圖1B所示。

本案實(shí)用新型人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，由于有部分紫外光會于透明保護(hù)罩中進(jìn)行全反射，因此盡管嘗試過不同封裝結(jié)構(gòu)來避免粘膠直接暴露于紫外光，依然無法完全解決粘膠因紫外光照射而老化的問題產(chǎn)生。而本實(shí)用新型提供的封裝結(jié)構(gòu)，由于附著層4與透明保護(hù)罩5之間具有光反射層6，因此能有效將紫外光反射，能幾乎完整避免紫外光照射到膠體，在保有高透光率的前提下，達(dá)到更佳的封裝效果，提高對UV LED的保護(hù)與使用壽命。

因此，本實(shí)用新型提供的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，至少包含具有電極的基材，其中電極外露于基材表面，以提供電性導(dǎo)通的通道；設(shè)置于基材上的芯片，并且芯片電連接電極；透明保護(hù)罩，覆蓋基材與芯片；附著層，設(shè)置于基材與透明保護(hù)罩之間；以及光反射層，設(shè)置于透明保護(hù)罩與附著層之間，其中透明保護(hù)罩是通過光反射層與附著層固定于基材上。

本實(shí)用新型提供的封裝結(jié)構(gòu)中，透明保護(hù)層的材料可以為任何抗UV的透明材質(zhì)，例如玻璃材料、其他石英材料、氧化鋁、氧化鎂、氧化鈹、氧化釔、氧化釔-二氧化鋯等多種氧化物系列透明陶瓷，或是非氧化物透明陶瓷材料，如砷化鎵(GaAs)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、氟化鎂(MgF₂)、氟化鈣(CaF₂)等。而光反射層材料可以為金屬，如鋁、金、銅等純金屬或上述金屬的組合或合金。另外，附著層除了上述實(shí)施例使用的高分子樹脂外，還可以選用金屬，在此情況下附著層與光反射層之間可以用金屬共晶結(jié)合的方式來進(jìn)行固定，直接避免膠體的使用，以防止任何材質(zhì)劣化的情況發(fā)生。

上述實(shí)施例提供的封裝結(jié)構(gòu)10如圖1A與圖1B所示，套用不具有凹杯結(jié)構(gòu)且使用正裝打線芯片的LED，并且基材的電極固定于承載板上，利用電極穿通承載板的方式電性導(dǎo)通承載板兩側(cè)面，但于本實(shí)用新型其他實(shí)施例中，先形成電極片于承載板正反面，并于芯片切割后在承載板兩側(cè)形成導(dǎo)電層，以提供承載板兩側(cè)面電性導(dǎo)通的通道。另外，為能調(diào)整出光角度，如圖2所示的本實(shí)用新型另一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)11，此實(shí)施例使用類似圖1A-圖1B所示實(shí)施例的結(jié)構(gòu)(為方便說明，相同元件使用相同標(biāo)號)，但上表面S1為弧形，其他實(shí)施例也可依所需進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。另外，圖2所示的封裝結(jié)構(gòu)11相較于圖1A所示的封裝結(jié)構(gòu)10，電極12覆蓋較小部分的承載板11，并 且附著層4設(shè)置于基材1上同時接觸電極12與承載板11。于其他實(shí)施例中依據(jù)電極12覆蓋范圍的不同，附著層4于基材1上的接觸位置也依需求有不同做調(diào)整，例如可以是直接接觸于單獨(dú)承載板11上、單獨(dú)電極12上，或同時接觸于承載板11與電極12上。

雖然上述以不具有凹杯結(jié)構(gòu)且使用正裝打線芯片的LED做說明，但本實(shí)用新型提供的概念與結(jié)構(gòu)并不以此為限。以下提供具有凹杯結(jié)構(gòu)且使用正裝打線芯片LED結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，以更詳細(xì)說明本實(shí)用新型。

如圖3A與圖3B所示為依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)20，其中圖3A為封裝結(jié)構(gòu)20的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖3B為俯視結(jié)構(gòu)示意圖，并且為簡化說明，相同功能的元件使用相同標(biāo)號做示意。如圖3A與圖3B所示，基材1包含承載板11、電極12與凹杯結(jié)構(gòu)13，其中電極12固定于承載板11上并且穿通承載板11，以提供承載板11兩側(cè)面電性導(dǎo)通的通路，而凹杯結(jié)構(gòu)13設(shè)置于承載板11的一側(cè)，并且此實(shí)施例中封裝結(jié)構(gòu)20的凹杯結(jié)構(gòu)13固定于電極12上且與承載板11分離，并且如圖3B所示，凹杯結(jié)構(gòu)13內(nèi)側(cè)形成圓形空間，并且覆蓋其他部分的基材1，但本實(shí)用新型并不以此為限，凹杯結(jié)構(gòu)13與基材1的接觸位置與范圍、凹杯結(jié)構(gòu)13形成的空間形狀、凹杯結(jié)構(gòu)13覆蓋的部分皆可依需求做調(diào)整。之后將紫外光發(fā)光二極管的芯片2固定于基材1上，使凹杯結(jié)構(gòu)13環(huán)繞芯片2，并且芯片2的一電極利用金屬導(dǎo)線3與未被凹杯結(jié)構(gòu)13覆蓋的部分電極12電連接，芯片2的另一電極則與未被凹杯結(jié)構(gòu)13覆蓋的另一部分電極12直接接觸以電連接。之后形成附著層4于凹杯結(jié)構(gòu)13的上表面S131，以環(huán)繞芯片2與金屬導(dǎo)線3。之后將金屬材質(zhì)的光反射層6沉積于透明保護(hù)罩5對應(yīng)于附著層4的部分下表面S2上，此實(shí)施例中透明保護(hù)罩上表面S1與下表面S2皆為平面。光反射層6對應(yīng)并覆蓋至少部分附著層4，其中光反射層6與附著層4的覆蓋范圍可依需求調(diào)整，本實(shí)施例中，光反射層6與附著層4覆蓋整個凹杯結(jié)構(gòu)13上表面S131，如圖3B所示。封裝結(jié)構(gòu)20中的凹杯結(jié)構(gòu)13的材料可以為陶瓷，并且可以選擇性在凹杯結(jié)構(gòu)13靠近芯片2的內(nèi)側(cè)表面S132上形成金屬層或是光反射層，以達(dá)到提高出光的效果與強(qiáng)度。又于其他實(shí)施例中，形成金屬層覆蓋凹杯結(jié)構(gòu)13的內(nèi)側(cè)表面S132與上表面S131，內(nèi)側(cè)表面S132上的部分金屬層可以提高出光效果，而上表面S131上的部分金屬層可以做為附著層4，已與光反射層6進(jìn)行金屬共晶結(jié)合。

在本實(shí)用新型其他實(shí)施例中，為能調(diào)整出光角度，上表面S1可以設(shè)計為弧形，或依所需進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。另外，圖3A與圖3B所示的封裝結(jié)構(gòu)20的電極12覆蓋大部分的承載板11，并且基材的電極固定于承載板上，利用電極穿通承載板的方式電性導(dǎo)通承載板兩側(cè)面，但于本實(shí)用新型其他實(shí)施例中，先形成電極片于承載板正反面，并于芯片切割后在承載板兩側(cè)形成導(dǎo)電層，以提供承載板兩側(cè)面電性導(dǎo)通的通道。而本實(shí)施例中的附著層4直接設(shè)置并接觸電極12上，但于本案其他實(shí)施例中，電極12的覆蓋范圍可以做調(diào)整，例如可以是直接接觸于單獨(dú)承載板11上、單獨(dú)電極12上，或同時接觸于承載板11與電極12上。

如圖4A與圖4B所示為依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)30，其中圖4A為封裝結(jié)構(gòu)30的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖4B為俯視結(jié)構(gòu)示意圖，并且為簡化說明，相同功能的元件使用相同標(biāo)號做示意。如圖4A與圖4B所示的封裝結(jié)構(gòu)30，基材1包含承載板11、電極12與凹杯結(jié)構(gòu)13，其中電極12固定于承載板11上并且穿通承載板11，以提供承載板11兩側(cè)面電性導(dǎo)通的通路，而凹杯結(jié)構(gòu)13為環(huán)形，設(shè)置于承載板11的一側(cè)。此實(shí)施例中的凹杯結(jié)構(gòu)13固定于電極12上且與承載板11分離，并且如圖4B所示，凹杯結(jié)構(gòu)13為圓環(huán)形，但本實(shí)用新型并不以此為限。之后將紫外光發(fā)光二極管的芯片2固定于基材1上，使凹杯結(jié)構(gòu)13環(huán)繞芯片2，并且芯片2的一電極利用金屬導(dǎo)線3與未被凹杯結(jié)構(gòu)13覆蓋的部分電極12電連接，芯片2的另一電極則與未被凹杯結(jié)構(gòu)13覆蓋的另一部分電極12直接接觸以電連接。之后形成附著層4于未被凹杯結(jié)構(gòu)13覆蓋且遠(yuǎn)離芯片2的凹杯結(jié)構(gòu)13外側(cè)的部分基材1上，以環(huán)繞芯片2與金屬導(dǎo)線3。透明保護(hù)罩5可以用模型或是蝕刻或機(jī)械研磨加工等方式形成所需的形狀后，于對應(yīng)于附著層4的位置上形成光反射層6，并且將固定有光反射層6的透明保護(hù)罩5覆蓋于基材1與芯片2上。本實(shí)施例中透明保護(hù)罩5上形成有多個凹槽C2，分別對應(yīng)于基材1上的多個芯片2以及多個環(huán)繞芯片2的凹杯結(jié)構(gòu)13(圖4A與圖4B為簡化說明，僅繪示出一個芯片2、對應(yīng)的凹杯結(jié)構(gòu)13以及該凹杯結(jié)構(gòu)13以外的部分基材1)。透明保護(hù)罩5覆蓋基材1與芯片2，使芯片2與凹杯結(jié)構(gòu)13置于凹槽C2中，較佳情況是，位于凹槽C2內(nèi)的部分透明保護(hù)罩5下表面S2與凹杯結(jié)構(gòu)13接觸、卡合，以提供較穩(wěn)固的保護(hù)效果。如圖4A的封裝結(jié)構(gòu)30所示，凹杯結(jié)構(gòu)13的上表面S131與外側(cè)表面 S133皆與凹槽C2內(nèi)的部分透明保護(hù)罩5下表面S2接觸。于其他實(shí)施例中，凹杯結(jié)構(gòu)13內(nèi)側(cè)表面S132可依需要選擇性覆蓋有光反射層或金屬層，以提供較佳的出光效果。

如圖5A與圖5B所示為依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的紫外光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)40，其中圖5A為封裝結(jié)構(gòu)40的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖5B為俯視結(jié)構(gòu)示意圖，并且為簡化說明，相同功能的元件使用相同標(biāo)號做示意。如圖5A與圖5B所示的封裝結(jié)構(gòu)30，基材1包含承載板11、電極12與凹杯結(jié)構(gòu)13，其中電極12固定于承載板11上并且穿通承載板11，以提供承載板11兩側(cè)面電性導(dǎo)通的通路，而凹杯結(jié)構(gòu)13設(shè)置于承載板11的一側(cè)。此實(shí)施例中的凹杯結(jié)構(gòu)13固定于電極12上且與承載板11分離，并且如圖5B所示，凹杯結(jié)構(gòu)13內(nèi)側(cè)形成圓形空間，并且覆蓋其他部分的基材1，以提供芯片2保護(hù)，但本實(shí)用新型并不以此為限。之后將芯片2固定于基材1上，使凹杯結(jié)構(gòu)13環(huán)繞芯片2，并且芯片2的一電極利用金屬導(dǎo)線3與未被凹杯結(jié)構(gòu)13覆蓋的部分電極12電連接，芯片2的另一電極則與未被凹杯結(jié)構(gòu)13覆蓋的另一部分電極12直接接觸以電連接。凹杯結(jié)構(gòu)13遠(yuǎn)離基材1、靠近透明保護(hù)罩5的一側(cè)形成有一凹陷部13a，透明保護(hù)罩5靠近凹杯結(jié)構(gòu)13的一側(cè)、對應(yīng)于凹陷部13a的位置形成有一凸出部5a。附著層4形成于凹杯結(jié)構(gòu)13的凹陷部13a，并且光反射層6形成于透明保護(hù)罩5的凸出部5a。更具體而言，此實(shí)施例中附著層4僅位于凹陷部13a的一底面S13a上，而光反射層6僅位于凸出部5a的一頂面S5a上，當(dāng)透明保護(hù)罩5與凹杯結(jié)構(gòu)13嵌合后，結(jié)構(gòu)本身具有遮蔽效果使附著層4不會直接暴露于紫外光，而光反射層6可以覆蓋附著層4，防止于透明保護(hù)罩5進(jìn)行全反射的部分紫外光照射附著層4，達(dá)到雙重遮蔽效果，并提供芯片2長期且穩(wěn)固的保護(hù)。封裝結(jié)構(gòu)40的凸出部5a與凹陷部13a均為環(huán)形，如圖5B所示的實(shí)施例為圓環(huán)形，但本實(shí)用新型并不以此為限。于其他實(shí)施例中，凹杯結(jié)構(gòu)13內(nèi)側(cè)表面S132可依需要選擇性覆蓋有光反射層或金屬層，以提供較佳的出光效果。

封裝結(jié)構(gòu)30與40提供的結(jié)構(gòu)，由于具有至少部分凹杯結(jié)構(gòu)13位于芯片2與附著層4之間，因此已經(jīng)降低附著層4直接暴露于紫外光的機(jī)會，而光反射層6還能同時阻擋在透明保護(hù)罩5中全反射的部分紫外光照射于附著層4，達(dá)到雙重保護(hù)的功效。封裝結(jié)構(gòu)30與40的電極12覆蓋大部分的承載板11，并且附著層4直接設(shè)置并接觸電極12上，但于其他實(shí)施例中，附著 層4于基材1上的接觸位置也依需求有不同做調(diào)整，例如可以是直接接觸于單獨(dú)承載板11上、單獨(dú)電極12上，或同時接觸于承載板11與電極12上。另外，附著層4、透明保護(hù)罩5、光反射層6等的材料選擇如同前所述，在此不再贅述。另外透明保護(hù)罩5上表面S1的形狀、電極12的覆蓋范圍等，均可依需要做調(diào)整，因此不再贅述。

如同前所述的實(shí)用新型概念的目的，本實(shí)用新型同時提供另一種實(shí)施方式如下說明。前述實(shí)用新型實(shí)施例使用額外形成的附著層4，以固定透明保護(hù)罩5于基材1上，下述說明中提供的另一種實(shí)施方式，實(shí)用新型概念與目的與前述相同，不同的是下述實(shí)施方式不使用附著層4，而是直接使用基材1上的部分電極12，利用金屬共晶的方式與光反射層6進(jìn)行結(jié)合，完成封裝。

由于電極12依不同實(shí)施例有不同分布，即使透明保護(hù)罩5的固定方式選用金屬共晶來進(jìn)行，為確保封裝結(jié)構(gòu)的牢靠度，會選用額外形成金屬材質(zhì)的附著層4的方式進(jìn)行，如同前述的說明。但在電極12覆蓋大部分承載板11的實(shí)施例中，如同圖6所示，可以選擇利用金屬材質(zhì)的光反射層6與電極12來進(jìn)行金屬共晶結(jié)合，以固定透明保護(hù)罩5于基材1上，減少附著層4的形成步驟與材料成本，并且由于直接避免膠體的使用，因此可以有效防止材質(zhì)劣化的情況發(fā)生。圖6所示的實(shí)施例，封裝結(jié)構(gòu)50除了不具有附著層4外，其余結(jié)構(gòu)與圖1A與圖1B所示的封裝結(jié)構(gòu)10相同，因此不再贅述，并且附圖延用相同標(biāo)號僅做示意之用，本實(shí)用新型并不以此為限。只要電極12的覆蓋范圍能提供可靠的固定效果(如本案的較佳實(shí)施例中，光反射層6與電極12共晶結(jié)合，并且與承載板11分離)，直接使用電極12進(jìn)行金屬共晶結(jié)合的實(shí)施方式可以套用于任一種封裝結(jié)構(gòu)，如平面的上表面S1、弧形的上表面S1等。

除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)也可以套用于倒裝封裝，芯片2可包含電極，直接與基材1的電極12接觸以導(dǎo)通。其余部分的結(jié)構(gòu)類似前說明的實(shí)施例，因此不再贅述。

本實(shí)用新型提供上述實(shí)施例僅用以說明，并非限制本實(shí)用新型。本實(shí)用新型提供的封裝方法可以適用于市場上所有常見波長的LED芯片封裝，尤其對于波段450nm以下的UV LED芯片的封裝，能解決現(xiàn)有制作工藝產(chǎn)品容易產(chǎn)生劣化的問題，達(dá)到更佳的且更長期的保護(hù)，進(jìn)而延長UV LED的使用壽命。