1.一種低溫多晶硅式晶體管，其特征在于，所述低溫多晶硅式晶體管包含:
一基板；
一第一絕緣層，設置于所述基板；
一低溫多晶硅層，設置于所述第一絕緣層，其中所述低溫多晶硅層具有一源極區(qū)、一漏極區(qū)、一通道區(qū)與一輕摻雜區(qū)，其中所述源極區(qū)與所述漏極區(qū)分別位于所述通道區(qū)的兩側(cè)，而所述輕摻雜區(qū)位于所述通道區(qū)與所述源極區(qū)之間以及所述通道區(qū)與所述漏極區(qū)之間；
一第二絕緣層，設置于所述低溫多晶硅層，使得所述低溫多晶硅層位于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間；
一第一金屬層，設置于所述基板，使得所述第二絕緣層位于所述第一金屬層與所述低溫多晶硅層之間；
一第三絕緣層，設置于所述第二絕緣層；
一第四絕緣層，設置于所述第三絕緣層；
一第一柵極開口，形成于所述第三絕緣層；
一第二柵極開口，形成于所述第四絕緣層；
一第二金屬層，分別與所述源極區(qū)與所述漏極區(qū)所接觸；以及
一第三金屬層，部分之所述第三金屬層容納于所述第一柵極開口與所述第二柵極開口內(nèi)，使得所述第三金屬層與所述第一金屬層接觸。
2.如權利要求1所述的低溫多晶硅式晶體管，其特征在于，所述低溫多晶硅式晶體管更包含一第五絕緣層，且所述第五絕緣層設置于所述第四絕緣層，其中部分之所述第三金屬層位于所述第四絕緣層與所述第五絕緣層之間。
3.如權利要求1所述的低溫多晶硅式晶體管，其特征在于，所述第一金屬層為鉬。
4.如權利要求1所述的低溫多晶硅式晶體管，其特征在于，所述低溫多晶硅式晶體管更包含：
一底金屬層，設于所述第一絕緣層與所述基板之間，使得所述第一絕緣層位于所述底金屬層與所述第一金屬層之間；
一第一底柵極開口，形成于所述第一絕緣層；
一第二底柵極開口，形成于所述第二絕緣層；
一第三底柵極開口，形成于所述第三絕緣層；以及
一第四底柵極開口，形成于所述第四絕緣層，其中部分之所述第三金屬層容納于所述第一底柵極開口、所述第二底柵極開口、一第三底柵極開口與所述第四底柵極開口內(nèi)，使得所述第三金屬層與所述底金屬層接觸。
5.一種低溫多晶硅式晶體管，其特征在于，所述低溫多晶硅式晶體管包含：
一基板；
一底金屬層，設置于所述基板；
一第一絕緣層，設于所述基板，且所述底金屬層位于所述基板與所述第一絕緣層之間；
一低溫多晶硅層，設置于所述第一絕緣層，其中所述低溫多晶硅層具有一源極區(qū)、一漏極區(qū)、一通道區(qū)與一輕摻雜區(qū)，其中所述源極區(qū)與所述漏極區(qū)分別位于所述通道區(qū)的兩側(cè)，而所述輕摻雜區(qū)位于所述通道區(qū)與所述源極區(qū)之間以及所述通道區(qū)與所述漏極區(qū)之間；
一第二絕緣層，設置于所述低溫多晶硅層，使得所述低溫多晶硅層位于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間；
一第一底柵極開口，形成于所述第一絕緣層；
一第二底柵極開口，形成于所述第二絕緣層；
一第二金屬層，分別與所述源極區(qū)與所述漏極區(qū)所接觸；以及
一第三金屬層，部分之所述第三金屬層容納于所述第一底柵極開口與所述第二底柵極開口內(nèi)，使得所述第三金屬層與所述底金屬層接觸。
6.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包含：
一基板，具有一像素區(qū)與一連接墊區(qū)；
一第一絕緣層，設置于所述基板，且位于所述像素區(qū)與所述連接墊區(qū)；
一低溫多晶硅層，設置于所述第一絕緣層，且位于所述像素區(qū)，其中所述低溫多晶硅層具有一源極區(qū)、一漏極區(qū)、一通道區(qū)與一輕摻雜區(qū)，其中所述源極區(qū)與所述漏極區(qū)分別位于所述通道區(qū)的兩側(cè)，而所述輕摻雜區(qū)位于所述通道區(qū)與所述源極區(qū)之間以及所述通道區(qū)與所述漏極區(qū)之間；
一第二絕緣層，設置于所述第一絕緣層，且位于所述像素區(qū)與所述連接墊區(qū)；
一第一金屬層，設置于所述第二絕緣層，且位于所述像素區(qū)與所述連接墊區(qū)；
一第三絕緣層，位于所述像素區(qū)與所述連接墊區(qū)，且覆蓋于所述第一金屬層，使得所述第一金屬層位于所述第二絕緣層與所述第三絕緣層之間；
一第二金屬層，位于所述像素區(qū)與所述連接墊區(qū)，其中位于所述像素區(qū)之所述第二金屬層分別連接所述源極區(qū)與所述漏極區(qū)，而位于所述連接墊區(qū)之所述第二金屬層連接于所述第一金屬層；
一第三金屬層，位于所述像素區(qū)與所述連接墊區(qū)，其中位于所述像素區(qū)之所述第三金屬層接觸于所述第一金屬層，而位于所述連接墊區(qū)之所述第三金屬層接觸于所述第二金屬層。
7.如權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置更包含一第四金屬層與一第五金屬層，所述第四金屬層與所述第五金屬層分別設置于所述像素區(qū)，且所述第四金屬層分別連接于所述第二金屬層與所述第五金屬層，使得所述第五金屬層電性連接于所述第二金屬層。
8.如權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置更包含一第四金屬層與一第五金屬層，所述第四金屬層與所述第五金屬層分別設置于所述連接墊區(qū)，且所述第四金屬層可分別連接于所述第二金屬層與所述第五金屬層，使得所述第五金屬層電性連接于所述第一金屬層。
9.如權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一金屬層可為鉬。
10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包含：
如權利要求1～5任意一項所述之低溫多晶硅式晶體管；
一第四金屬層，連接于所述第二金屬層；以及
一第五金屬層，連接于所述第四金屬層，其中所述第四金屬層與所述第五金屬層為透明導電材料。