本實用新型屬于液晶顯示領(lǐng)域，尤其是一種新型高清液晶顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

近年來，液晶顯示設(shè)備在諸多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用，并繼續(xù)呈現(xiàn)著快速的增長趨勢。目前，薄膜晶體場效應(yīng)管液晶顯示器(TFT-LCD)是目前主流的液晶顯示產(chǎn)品。該類顯示器產(chǎn)品主要采用a-si做薄膜晶體管的導(dǎo)電材料，由于a-si材料本身的特性，顯示器產(chǎn)品的亮度和功耗的方面的性能已經(jīng)不能滿足人們對更高顯示性能的要求。通常，液晶顯示設(shè)備主要是由兩片玻璃基板以及位于兩玻璃基板之間的各向異性的液晶層組成。液晶顯示板主要是在薄膜晶體管上源極施加像素電壓，在柵極信號的開關(guān)的控制作用下，實現(xiàn)圖像的掃描和顯示。針對目前主流顯示的薄膜晶體管的材料和結(jié)構(gòu)的問題，需要一種可以有效改善顯示器產(chǎn)品的亮度和功耗的薄膜晶體管。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型所解決的技術(shù)問題在于提供一種新型高清液晶顯示設(shè)備，通過采用新型的金屬氧化物作為薄膜晶體管的導(dǎo)電材料，有效的提高液晶顯示設(shè)備的亮度，同時降低液晶顯示設(shè)備的功耗，明顯改善顯示效果；采用金屬氧化物的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可以改善在平面顯示設(shè)備中薄膜晶體管掃描線對像素電極的電容耦合效應(yīng)，降低像素電極在薄膜晶體管開關(guān)時的電壓變化，進(jìn)而提升平面顯示器的影像品質(zhì)。

實現(xiàn)本實用新型目的的技術(shù)解決方案為：

一種新型高清液晶顯示設(shè)備，包括液晶面板單元、掃描驅(qū)動電路模塊、數(shù)據(jù)驅(qū)動電路模塊、時序控制電路模塊和背光模塊，液晶面板單元包括平行的掃描線、與掃描線垂直相交的數(shù)據(jù)線、位于掃描線和數(shù)據(jù)線之間的金屬氧化物薄膜晶體管像素單元。

進(jìn)一步的，本實用新型的新型高清液晶顯示設(shè)備，金屬氧化物薄膜晶體管像素單元包括基板、柵極、柵極絕緣層、金屬氧化物主動層、源極、漏極以及絕緣層，其中，柵極設(shè)置在基板上的中間部位，柵極絕緣層覆蓋在柵極和基板上，金屬氧化物主動層設(shè)置于柵極絕緣層上的中間部位，源極和漏極相對設(shè)置于金屬氧化物主動層兩端并與柵極絕緣層相連，絕緣層覆蓋在金屬氧化物主動層、源極、漏極和柵極絕緣層上。

進(jìn)一步的，本實用新型的新型高清液晶顯示設(shè)備，源極、漏極在基板上的正投影P1、P2均與柵極無重疊，且正投影P1、P2與柵極的間距分別為I1、I2。

進(jìn)一步的，本實用新型的新型高清液晶顯示設(shè)備，間距I1的長度為0～2.0微米。

進(jìn)一步的，本實用新型的新型高清液晶顯示設(shè)備，間距I2的長度為0～2.0微米。

進(jìn)一步的，本實用新型的新型高清液晶顯示設(shè)備，金屬氧化物主動層主要為銦鎵鋅氧化物(IGZO)。

進(jìn)一步的，本實用新型的新型高清液晶顯示設(shè)備，基板為SiO₂。

進(jìn)一步的，本實用新型的新型高清液晶顯示設(shè)備，柵極、源極和漏極為金屬，或?qū)щ姼叻肿樱驌诫s硅，或上述三者的部分組合物，或上述三者的全部組合物。

進(jìn)一步的，本實用新型的新型高清液晶顯示設(shè)備，柵極絕緣層和絕緣層為二氧化硅，或四氮化三硅，或上述二者的組合物。

本實用新型采用以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下技術(shù)效果：

1、本實用新型的新型高清液晶顯示設(shè)備，通過采用新型的金屬氧化物作為薄膜晶體管的導(dǎo)電材料，可以有效的提高液晶顯示設(shè)備的亮度，同時降低液晶顯示設(shè)備的功耗，明顯改善顯示效果；

2、本實用新型的新型高清液晶顯示設(shè)備，采用金屬氧化物的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可以改善在平面顯示設(shè)備中薄膜晶體管掃描線對像素電極的電容耦合效應(yīng)，降低像素電極在薄膜晶體管開關(guān)時的電壓變化，進(jìn)而提升平面顯示器的影像品質(zhì)。

附圖說明

圖1是本實用新型的液晶面板組成電路圖；

圖2是本實用新型的液晶顯示設(shè)備系統(tǒng)框圖；

圖3是本實用新型的金屬氧化物薄膜晶體基板結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面詳細(xì)描述本實用新型的實施方式，所述實施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施方式是示例性的，僅用于解釋本實用新型，而不能解釋為對本實用新型的限制。

一種新型高清液晶顯示設(shè)備，如圖2所示，包括液晶面板單元、掃描驅(qū)動電路模塊、數(shù)據(jù)驅(qū)動電路模塊、時序控制電路模塊和背光模塊。

其中，如圖1所示，液晶面板單元包括平行的掃描線、與掃描線垂直相交的數(shù)據(jù)線、位于掃描線和數(shù)據(jù)線之間的金屬氧化物薄膜晶體管像素單元(TFT)。若干個平行的掃描線與掃描驅(qū)動電路模塊的輸出端相連，若干列與掃描線垂直的數(shù)據(jù)線與數(shù)據(jù)驅(qū)動電路模塊的輸出端相連，金屬氧化物薄膜晶體管像素單元(TFT)的柵極與掃描線相連，源極與數(shù)據(jù)線相連，金屬氧化物薄膜晶體管像素單元(TFT)的漏極即像素電極與液晶電容和存儲電容的上極板相連，對應(yīng)下極板與公共電極相連。

在本實施例中，液晶面板共有3840*2160個金屬氧化物薄膜晶體管像素單元(TFT)，共有3840列數(shù)據(jù)線和2160行掃描線，掃描驅(qū)動電路模塊在一個周期內(nèi)逐行的有效掃描線，即逐行打開液晶面板單元的金屬氧化物薄膜晶體管像素單元(TFT)，當(dāng)液晶面板單元的第一行打開時，金屬氧化物薄膜晶體管像素單元(TFT)的柵極為高電平，薄膜晶體管導(dǎo)通，即源極和漏極導(dǎo)通，此時，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路模塊的數(shù)據(jù)電壓信號施加在TFT的像素電極上給液晶電容進(jìn)行充電，完成該行圖像的掃描。當(dāng)開啟第二行的掃描時，第一行TFT的柵極為低電平，薄膜晶體管關(guān)斷，此時通過存儲電容保持第一行的數(shù)據(jù)，以此類推，即可完成整塊面板所有行的圖像的掃描和顯示。時序驅(qū)動電路模塊主要是為掃描驅(qū)動電路模塊提供控制信號，使得掃描驅(qū)動電路模塊按照一定的時序進(jìn)行工作，從而實現(xiàn)對TFT的掃描周期等進(jìn)行時序控制。同時，時序驅(qū)動電路模塊為數(shù)據(jù)驅(qū)動電路模塊提供像素電壓信號，為金屬氧化物薄膜晶體管像素單元(TFT)提供數(shù)據(jù)源。電源轉(zhuǎn)換電路模塊主要是為各功能模塊提供相應(yīng)的工作電壓，保證各系統(tǒng)模塊的正常工作。背光模塊主要是為驅(qū)動液晶面板內(nèi)部的燈珠提供光源，保證圖像的正常顯示。

如圖3所示，金屬氧化物薄膜晶體管像素單元200包括基板、柵極220、柵極絕緣層230、金屬氧化物主動層240、源極250、漏極260以及絕緣層270，其中，源極250和漏極260由數(shù)據(jù)線形成，柵極220設(shè)置在基板上的中間部位，并與掃描線相連，柵極絕緣層230覆蓋在柵極220和基板上，金屬氧化物主動層240設(shè)置于柵極絕緣層230上的中間部位，源極250和漏極260相對設(shè)置于金屬氧化物主動層240兩端并與柵極絕緣層230相連，絕緣層270覆蓋在金屬氧化物主動層240、源極250、漏極260和柵極絕緣層230上。源極250、漏極260在基板上的正投影P1、P2均與柵極220無重疊，且正投影P1、P2與柵極220的間距分別為I1、I2，間距I1的長度為0～2.0微米，間距I2的長度為0～2.0微米。

金屬氧化物主要為銦鎵鋅氧化物(IGZO)。由于金屬氧化物主動層240的載子遷移率高，因此即便在結(jié)構(gòu)設(shè)計上使源極250與漏極260在基板210上的正投影P1、P2與柵極220無重疊，在金屬氧化物主動層240中仍可形成通道。由于間距I1的長度會影響柵極偏壓加在金屬氧化物主動層240的垂直電場強(qiáng)度，所以間距I1的長度可介于0到2.0微米。當(dāng)間距I1為0至0.6為微米時，金屬氧化物薄膜晶體管200除高導(dǎo)通電流、低漏電流、低次臨界擺幅及高載子遷率外，同時也具備低臨界電壓的特性。當(dāng)間距I1為0.6至1.2微米時，金屬氧化物薄膜晶體管200除具有高導(dǎo)通電流、低漏電流以及低次臨界擺幅特性之外，更提高了金屬氧化物薄膜晶體管200的載子遷移率。當(dāng)間距I1為1.2至2.0微米時，金屬氧化物薄膜晶體管200具有高導(dǎo)通電流、低漏電流以及低次臨界擺幅的特性。另一方面，間距I2同樣可為0到2.0微米，其中間距I2的長度與金屬氧化物薄膜晶體管200的特性關(guān)系與間距I1的長度與金屬氧化物薄膜晶體管200的特性關(guān)系相同或類似，在此不贅述。

間距I1的長度越長則金屬氧化物薄膜晶體管像素單元200的柵-源極寄生電容越小。同樣地，I2的長度越長則金屬氧化物薄膜晶體管像素單元200的柵-漏極寄生電容越小。在薄膜晶體管像素單元200中，基板為SiO₂；柵極、源極和漏極為金屬，或?qū)щ姼叻肿?，或摻雜硅，或上述三者的部分組合物，或上述三者的全部組合物；柵極絕緣層和絕緣層為二氧化硅，或四氮化三硅，或上述二者的組合物。

以上所述僅是本實用新型的部分實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)，這些改進(jìn)應(yīng)視為本實用新型的保護(hù)范圍。