本發(fā)明涉及在真空中對基板進(jìn)行吸附保持的吸附裝置，特別是涉及對在背面具有絕緣性的膜的基板以及絕緣性的基板進(jìn)行吸附保持的吸附裝置的技術(shù)。

背景技術(shù)：

歷來，在濺射裝置等中，為了精密地進(jìn)行基板的溫度控制而廣泛地使用靜電吸附裝置。在真空中在玻璃等的絕緣性基板上進(jìn)行成膜等處理的裝置中，廣泛地使用利用梯度力對絕緣性基板進(jìn)行吸附保持的吸附裝置。此外，在對在背面具有絕緣性的膜的基板進(jìn)行靜電吸附的情況下，采取使吸附電壓變高來使吸附力變強(qiáng)的方法等。

歷來，在此種類的吸附裝置中，由于在其吸附面的接觸而發(fā)生基板背面或吸附裝置的吸附面的材料的剝離，產(chǎn)生了由于灰塵的產(chǎn)生導(dǎo)致的工藝不良。

因此，成為制造工序中的成品率降低等那樣的使裝置的可靠性變低的主要原因。

此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，進(jìn)行為了降低基板與吸附面的接觸部分（界面）處的熱阻而增大吸附力的情況，但是，在該情況下，為了確保接觸部分處的緊貼性（接觸面積），對基板表面或吸附裝置的吸附面進(jìn)行研磨，其結(jié)果是，由磨耗造成的灰塵增大，因此，需要使接觸部分處的吸附力降低。

另一方面，作為吸附裝置整體，需要降低與基板的熱阻，需要一邊在接觸部分使吸附力降低一邊在非接觸部分提高吸附力并且通過利用氣體的助推器等的熱傳導(dǎo)來降低熱阻的手法。

進(jìn)而，關(guān)于在吸附結(jié)束后的殘留吸附力的降低技術(shù)，歷來，通過單純地使吸附面積變小或使施加電壓降低等那樣的面內(nèi)吸附力的相對的降低來進(jìn)行。

可是，在這樣的方法中，基板與吸附裝置之間的熱傳遞能力降低，因此，不能最大限度發(fā)揮本來的吸附能力。

此外，由于裝置的吞吐時(shí)間縮短等產(chǎn)生由于殘留吸附殘存造成的輸送錯(cuò)誤或者每個(gè)基板的成品率等問題，期望吸附裝置的均勻的吸附力控制。

進(jìn)而，由于與基板的接觸部分處的吸附力，發(fā)生基板背面或吸附裝置表面的剝離，與吸附力的均勻性一起期望降低接觸部分處的吸附力來抑制磨耗、剝離。

另一方面，當(dāng)想要使吸附力均勻時(shí)，存在在多個(gè)吸附電極之中的一部分的吸附電極間發(fā)生短路的情況，為了避免這樣的事態(tài)，也期望能夠降低一部分的吸附電極中的吸附力。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特許第4342691號。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的課題而完成的，其目的在于提供一種使與吸附對象物接觸的面處的吸附力降低來抑制吸附對象物的吸附和剝離時(shí)的灰塵的產(chǎn)生并且能夠以使吸附裝置的吸附力作為整體均勻的方式此外以部分地降低吸附力的方式控制的技術(shù)。

此外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種能夠作為吸附裝置整體來降低吸附裝置與吸附對象物之間的熱阻的技術(shù)。

用于解決課題的方案

為了解決上述課題而完成的本發(fā)明是，一種吸附裝置，其中，具有：主體部，在電介質(zhì)中具有用于對吸附對象物進(jìn)行吸附保持的多個(gè)逆極性的一對吸附電極；以及多個(gè)導(dǎo)電性膜，相對于所述多個(gè)一對吸附電極在所述主體部的吸附側(cè)的部分以跨越所述多個(gè)一對吸附電極的陽極和陰極的方式配置。

在本發(fā)明中，在所述多個(gè)導(dǎo)電性膜被配置為針對所述多個(gè)一對吸附電極的陽極和陰極對由該一對吸附電極產(chǎn)生的電場進(jìn)行遮蔽的面積分別為均等的情況下也是有效的。

在本發(fā)明中，在所述主體部具有被設(shè)置于其吸附側(cè)的表面并且與所述吸附對象物接觸來進(jìn)行支承的凸?fàn)畹慕佑|支承部、所述導(dǎo)電性膜僅配置于該接觸支承部的區(qū)域的情況下也是有效的。

在本發(fā)明中，在所述接觸支承部與所述主體部以相同的材料整體地形成的情況下也是有效的。

在本發(fā)明中，在具有帶有導(dǎo)電性膜的片材、所述帶有導(dǎo)電性膜的片材在絕緣性的片材內(nèi)部設(shè)置有所述導(dǎo)電性膜、該帶有導(dǎo)電性膜的片材在配置于所述主體部的表面的情況下以具有所述接觸支承部的方式形成、并且相對于所述主體部拆裝自由地構(gòu)成的情況下也是有效的。

另一方面，本發(fā)明是一種真空處理裝置，所述真空處理裝置具有真空槽、以及被設(shè)置在所述真空槽內(nèi)的上述任一個(gè)吸附裝置，所述真空處理裝置被構(gòu)成為對由所述吸附裝置吸附保持的吸附對象物進(jìn)行規(guī)定的處理。

發(fā)明效果

在本發(fā)明的吸附裝置中，由于具有：主體部，在電介質(zhì)中具有用于對吸附對象物進(jìn)行吸附保持的多個(gè)逆極性的一對吸附電極；以及多個(gè)導(dǎo)電性膜，相對于多個(gè)一對吸附電極在主體部的吸附側(cè)的部分以跨越多個(gè)一對吸附電極的陽極和陰極的方式配置，所以在多個(gè)導(dǎo)電性膜的區(qū)域中分別遮蔽在多個(gè)一對吸附電極的陽極與陰極間產(chǎn)生的電場，并且，成為不會使各導(dǎo)電性膜本身帶有電位的狀況發(fā)生的狀態(tài)，由此，不會在主體部的吸附側(cè)的多個(gè)導(dǎo)電性膜的部分分別產(chǎn)生吸附力。

其結(jié)果是，根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制在與吸附對象物的接觸部分起因于摩擦等的吸附對象物和吸附裝置表面的剝離的發(fā)生，其結(jié)果是，能夠防止灰塵的產(chǎn)生，并且，延長吸附裝置本身的壽命。

此外，根據(jù)本發(fā)明，能夠構(gòu)成為使吸附裝置的吸附力在各區(qū)域中均勻，此外，也能夠控制并調(diào)整在吸附面內(nèi)的吸附力的分布狀態(tài)，因此，能夠防止吸附對象物的輸送錯(cuò)誤，并且，能夠避免成品率的降低。

進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明，即使為在多個(gè)一對吸附電極之中的一部分的一對吸附電極間發(fā)生了短路的情況，也能夠通過控制為使由該一對吸附電極產(chǎn)生的吸附力降低來避免和防止在各一對吸附電極間的短路的發(fā)生。

在本發(fā)明中，在多個(gè)導(dǎo)電性膜被配置為針對多個(gè)一對吸附電極的陽極和陰極對由該一對吸附電極產(chǎn)生的電場進(jìn)行遮蔽的面積分別為均等的情況下，能夠控制為在吸附裝置的主體部中的配置有多個(gè)一對吸附電極的區(qū)域中吸附力更均勻。進(jìn)而，以在主體部表面具有分布的方式配置橫跨多個(gè)一對吸附電極的陽極和陰極的多個(gè)導(dǎo)電性膜的吸附電極上的面積，由此，也能夠控制吸附力以及作為其結(jié)果而產(chǎn)生的殘留吸附力。

在本發(fā)明中，在主體部具有被設(shè)置于其吸附側(cè)的表面并且與吸附對象物接觸來進(jìn)行支承的凸?fàn)畹慕佑|支承部并且橫跨上述的主體部的吸附電極的陽極和陰極兩者的導(dǎo)電性膜僅配置于接觸支承部的區(qū)域的情況下，能夠在接觸支承部中不產(chǎn)生吸附力，因此，能夠降低主體部與吸附對象物的接觸部分處的起因于熱等的摩擦力，進(jìn)而，在主體部與吸附對象物的非接觸部分提高吸附力，由此，能夠在不使作為吸附裝置整體的吸附力降低的情況下通過使用利用氣體的助推器等熱傳導(dǎo)單元來降低吸附裝置與吸附對象物之間的熱阻。

在該情況下，只要接觸支承部與主體部以相同的材料整體地形成，則能夠謀求制造工序的簡化，并且，由于為利用整體成型的結(jié)構(gòu)，所以與通過貼合來制造的情況相比，能夠使剛性等機(jī)械的強(qiáng)度變高。

進(jìn)而此外，具有帶有導(dǎo)電性膜的片材，所述帶有導(dǎo)電性膜的片材在絕緣性的片材內(nèi)部設(shè)置有導(dǎo)電性膜，該帶有導(dǎo)電性膜的片材被配置于主體部的表面，進(jìn)而以橫跨主體部的吸附電極的陽極和陰極兩者的方式形成接觸支承部，并且，相對于主體部拆裝自由地構(gòu)成，在此情況下，能夠容易地進(jìn)行導(dǎo)電性膜的交換，由此，維護(hù)是容易的，并且，能夠提供能夠與各種吸附對象物對應(yīng)的通用性廣泛的吸附裝置。

此外，根據(jù)具有被設(shè)置在真空槽內(nèi)的上述任一個(gè)吸附裝置并且被構(gòu)成為對由該吸附裝置吸附保持的吸附對象物進(jìn)行規(guī)定的處理的真空處理裝置，能夠提供能夠進(jìn)行高品質(zhì)的真空處理的真空處理裝置。

附圖說明

圖1是作為本發(fā)明的真空處理裝置的一個(gè)實(shí)施方式的濺射裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。

圖2（a）：示出整個(gè)表面吸附型的吸附裝置的剖面的概略結(jié)構(gòu)圖，（b）：示出基板吸附的原理的等效電路圖。

圖3（a）（b）：示意性地示出本發(fā)明的吸附裝置的結(jié)構(gòu)例，圖3（a）是剖面結(jié)構(gòu)圖，圖3（b）是平面結(jié)構(gòu)圖。

圖4是示意性地示出本發(fā)明的吸附裝置的另一結(jié)構(gòu)例的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖5（a）（b）：示意性地示出本發(fā)明的吸附裝置的另一結(jié)構(gòu)例的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖6（a）（b）：示意性地示出本發(fā)明的吸附裝置的另一結(jié)構(gòu)例的剖面結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。

圖1是作為本發(fā)明的真空處理裝置的一個(gè)實(shí)施方式的濺射裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。

在圖1中，附圖標(biāo)記2示出本實(shí)施方式的濺射裝置1的真空槽，該真空槽2被構(gòu)成為連接于未圖示的真空排氣系統(tǒng)來導(dǎo)入濺射氣體。

在真空槽2內(nèi)的上部配置有作為成膜源的靶3。

該靶3連接于濺射電源4，被施加負(fù)的偏置電壓。再有，濺射電源4的正側(cè)與真空槽2一起被接地。

在真空槽2內(nèi)設(shè)置有用于對基板（吸附對象物）10進(jìn)行吸附保持的吸附裝置5。

該吸附裝置5為雙極型的裝置，被構(gòu)成為：在由各種陶瓷等電介質(zhì)構(gòu)成的主體部50中設(shè)置有多個(gè)（在本實(shí)施方式中為二個(gè)）一對吸附電極11、12，向這些吸附電極11、12從設(shè)置在真空槽2的外側(cè)的吸附電源20經(jīng)由電流導(dǎo)入端子13、14分別供給電力。

再有，在各電流導(dǎo)入端子13、14與吸附電源20之間連接有能夠?qū)ξ⑿〉碾娏鬟M(jìn)行測定的電流計(jì)21、22。

另一方面，在真空槽2的底部設(shè)置有用于使基板10載置在吸附裝置5上或使基板10從吸附裝置5脫離的升降機(jī)構(gòu)15。

此外，在真空槽2的外部設(shè)置有用于對裝置整體進(jìn)行控制的計(jì)算機(jī)23，該計(jì)算機(jī)23連接于對上述的升降機(jī)構(gòu)15進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)部16、電流計(jì)21、22、吸附電源20以及濺射電源4。

再有，該計(jì)算機(jī)23具備A/D變換板（board）等，此外例如連接于筆式記錄器（pen recorder）等用于記錄電流的單元（未圖示）。

以下，對本發(fā)明的原理進(jìn)行說明。

圖2（a）是示出整個(gè)表面吸附型的吸附裝置的剖面的概略結(jié)構(gòu)圖。

如圖2（a）所示，從吸附電源120對設(shè)置在由電介質(zhì)構(gòu)成的吸附裝置105內(nèi)的吸附電極111在與基板110之間施加規(guī)定的電壓V，由此，在吸附裝置105的吸附面150和基板110的背面110a產(chǎn)生逆極性的電荷，其結(jié)果是，吸附裝置105的吸附面150和背面110a被庫倫力限制，基板110被保持在吸附面150上。

在此，在圖2（b）中示出示出基板吸附的原理的等效電路圖。

為了計(jì)算吸附力F，首先，對庫倫力Fc進(jìn)行考慮。在該情況下，當(dāng)假設(shè)吸附裝置105的電介質(zhì)層的介電常數(shù)ε、施加電壓V、電介質(zhì)層的距離d、基板110和吸附裝置105的帶電部分的面積S時(shí)，下式成立。

Fc=1/2?ε?S（V/d）²。

在實(shí)際的吸附裝置中，累計(jì)將電介質(zhì)作為電容的庫倫力Fc以及由于在基板與吸附電極間的微少區(qū)域中流動(dòng)微小的電流而產(chǎn)生的Johnsen-Rahbeck（約翰生 拉別克）力Fjr。其結(jié)果是，在吸附裝置與基板間工作的吸附力F由下式表示。

F=Fc＋Fjr。

通常，已知Johnsen-Rahbeck力與庫倫力相比相對更大。

此外，也已知：庫倫力和Johnsen-Rahbeck力依賴于電介質(zhì)的體積電阻率，在低電阻率（1×10¹²Ω?cm以下）的范圍內(nèi)Johnsen-Rahbeck力為支配性的，在高電阻率（1×10¹³Ω?cm以上）的范圍內(nèi)庫倫力為支配性的。

可是，作為在基板與吸附裝置的界面對吸附力進(jìn)行控制的方法，能夠在吸附面形成薄膜導(dǎo)體來遮斷在基板與吸附裝置間的電介質(zhì)極化（dielectric polarization）現(xiàn)象。

但是，在利用上述的Johnsen-Rahbeck力的吸附裝置的情況下在基板為氧化膜等時(shí)等，也產(chǎn)生如下的情況：電荷由于在電介質(zhì)中稍稍流動(dòng)的電流而轉(zhuǎn)移到薄膜導(dǎo)體本身，將基板吸附面的氧化膜作為電介質(zhì)而產(chǎn)生吸盤力（chuck force），作為結(jié)果，吸附力不會降低。

本發(fā)明是基于這樣的見解而完成的。

圖3（a）（b）是示意性地示出本發(fā)明的吸附裝置的結(jié)構(gòu)例的圖，圖3（a）是剖面結(jié)構(gòu)圖，圖3（b）是平面結(jié)構(gòu)圖。

如圖3（a）所示，本結(jié)構(gòu)例的吸附裝置5是雙極型的裝置，被構(gòu)成為在由電介質(zhì)構(gòu)成的例如矩形板狀的主體部50的內(nèi)部設(shè)置有一對吸附電極11（陽極11a, 陰極11b）和一對吸附電極12（陽極12a, 陰極12b）。

在此，一對吸附電極11、12分別連接于極性不同的吸附電源20A, 20B和20C, 20D。這些吸附電源20A, 20B和20C, 20D被構(gòu)成為能夠分別獨(dú)立地控制。

如圖3（b）所示，在本結(jié)構(gòu)例的情況下，這些一對吸附電極11（陽極11a, 陰極11b）以及一對吸附電極12（陽極12a, 陰極12b）分別被形成為同等的大小的長方形形狀，分別被配置為隔著規(guī)定的間隔排列。

在此，在吸附裝置5中，相對于一對吸附電極11、12在主體部50的吸附側(cè)的部分具有以跨越一對吸附電極11的陽極11a和陰極11b以及一對吸附電極12的陽極12a和陰極12b的方式配置的導(dǎo)電性膜51。

在本結(jié)構(gòu)例中，各導(dǎo)電性膜51被形成為矩形形狀，其周圍被絕緣性的保護(hù)部52覆蓋來構(gòu)成塊狀的導(dǎo)電性膜單元53a（參照圖3（a））。

導(dǎo)電性膜單元53a被設(shè)置有多個(gè)，在主體部50的表面50a相對于一對吸附電極11、12在其長尺寸方向上分別配置有多個(gè)，由此，在主體部50的表面50a設(shè)置有凸?fàn)畹慕佑|支承部53。

而且，在這些主體部50的接觸支承部53上配置有基板10。即，在本結(jié)構(gòu)例中，基板10與接觸支承部53的頂部接觸而被支承。

此外，在本發(fā)明的情況下，并不被特別限定，但是，從在一對吸附電極11、12的逆極性的電極間不偏向地產(chǎn)生電場的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選的是，導(dǎo)電性膜51被配置為針對一對吸附電極11的陽極11a和陰極11b以及一對吸附電極12的陽極12a和陰極12b對由該一對吸附電極11、12產(chǎn)生的電場進(jìn)行遮蔽的面積分別為均等。具體地，優(yōu)選的是，相對于一對吸附電極11的陽極11a和陰極11b以及相對于一對吸附電極12的陽極12a和陰極12b以為同等的距離且關(guān)于吸附方向重疊的面積為同等的大小的方式配置構(gòu)成導(dǎo)電性膜51。

再有，也可以不設(shè)置上述的絕緣性的保護(hù)部52，但是，從向應(yīng)該吸附的基板10的金屬?zèng)A染的防止、導(dǎo)電性膜51的保護(hù)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選的是進(jìn)行設(shè)置。

在本發(fā)明的情況下，作為導(dǎo)電性膜51的材料，能夠使用鈦（Ti）、鉭（Ta）、鈮（Nb）、氮化鈦（TiN）、氮化鉭（TaN）等高熔點(diǎn)的金屬或金屬氮化物。除此之外，只要為所謂的金屬也沒有問題，但是，并不限于金屬，只要為具有1×10³Ω?cm以下的電阻率的材料，則能夠用于本發(fā)明。

在本發(fā)明的情況下，并不被特別限定，但是，在主體部50為燒結(jié)體并且使導(dǎo)電性膜51與主體部50一起燒結(jié)的情況下，從不會在制造工序中熔化并且可靠地中和由一對吸附電極11、12產(chǎn)生的電場的觀點(diǎn)出發(fā)，將為主體部50的燒結(jié)溫度以上的熔點(diǎn)的材料并且體積電阻率為1×10¹⁰Ω?cm以下的材料用作導(dǎo)電性膜51的材料。

再有，導(dǎo)電性膜51能夠通過例如PVD、CVD、蒸鍍等成膜工藝來制作。此外，也能夠使用市售的片材狀的導(dǎo)電性膜。

如以上敘述那樣，根據(jù)本結(jié)構(gòu)例的吸附裝置5，由于具有相對于二個(gè)一對吸附電極11、12在主體部50的吸附側(cè)的部分以跨越一對吸附電極11的陽極11a和陰極11b以及一對吸附電極12的陽極12a和陰極12b的方式配置的多個(gè)導(dǎo)電性膜51，所以在導(dǎo)電性膜51的區(qū)域中分別遮蔽在一對吸附電極11的陽極11a與陰極11b之間以及一對吸附電極12的陽極12a與陰極12b之間產(chǎn)生的電場，并且，成為不會使各導(dǎo)電性膜51本身帶有電位的狀況發(fā)生的狀態(tài)，由此，不會在主體部50的吸附側(cè)的多個(gè)導(dǎo)電性膜51的部分分別產(chǎn)生吸附力。

其結(jié)果是，根據(jù)本結(jié)構(gòu)例，能夠抑制在與基板10的接觸部分起因于摩擦等的基板10和吸附裝置5的主體部50的表面50a的剝離的發(fā)生，其結(jié)果是，能夠防止灰塵的產(chǎn)生，并且，延長吸附裝置5本身的壽命。

此外，根據(jù)本結(jié)構(gòu)例，能夠構(gòu)成為使吸附裝置5的吸附力均勻，此外，也能夠控制并調(diào)整在吸附面內(nèi)的吸附力的分布狀態(tài)，因此，能夠防止基板10的輸送錯(cuò)誤，并且，能夠避免成品率的降低。

進(jìn)而，根據(jù)本結(jié)構(gòu)例，即使為在二個(gè)一對吸附電極11、12之中的一部分發(fā)生了短路的情況，也能夠通過控制為使由一對吸附電極11或12產(chǎn)生的吸附力降低來避免和防止在一對吸附電極11或12間的短路的發(fā)生。

特別地，在本結(jié)構(gòu)例中，由于導(dǎo)電性膜51被配置為針對一對吸附電極11的陽極11a和陰極11b以及一對吸附電極12的陽極12a和陰極12b對由該一對吸附電極11、12產(chǎn)生的電場進(jìn)行遮蔽的面積分別為均等，所以能夠控制為在吸附裝置5的主體部50中的配置有一對吸附電極11、12的區(qū)域中吸附力分別均勻。

進(jìn)而，在本結(jié)構(gòu)例中，由于僅在對主體部50的基板10進(jìn)行支承的接觸支承部53內(nèi)配置導(dǎo)電性膜51，所以能夠在接觸支承部53中不產(chǎn)生吸附力，由此，能夠降低主體部50與基板10的接觸部分處的起因于熱等的摩擦力，進(jìn)而，在主體部50與基板10的非接觸部分提高吸附力，由此，能夠在不使作為吸附裝置5整體的吸附力降低的情況下使用利用氣體的助推器（assist）等熱傳導(dǎo)單元來降低吸附裝置5整體與基板10之間的熱阻。

圖4是示意性地示出本發(fā)明的吸附裝置的另一結(jié)構(gòu)例的剖面結(jié)構(gòu)圖。以下，對與上述結(jié)構(gòu)例對應(yīng)的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略其詳細(xì)的說明。

如圖4所示，在本結(jié)構(gòu)例的吸附裝置5A中，在上述的吸附裝置5的主體部50的表面50a通過與主體部50以相同的材料整體地形成的凸部50b而設(shè)置有多個(gè)凸?fàn)畹慕佑|支承部53，在這些接觸支承部53內(nèi)設(shè)置有上述的導(dǎo)電性膜51。

在此，關(guān)于主體部50的接觸支承部53，其頂部被平坦地形成，并且，相對于主體部50的表面50a分別具有同等的高度。

此外，各導(dǎo)電性膜51以跨越一對吸附電極11的陽極11a和陰極11b以及一對吸附電極12的陽極12a和陰極12b的方式配置。

而且，在這些主體部50的接觸支承部53上配置有基板10。即，基板10與主體部50的凸?fàn)畹慕佑|支承部53的頂部接觸而被支承。

根據(jù)具有這樣的結(jié)構(gòu)的本結(jié)構(gòu)例，除了上述的效果之外，由于在吸附裝置5的主體部50的表面50a設(shè)置有多個(gè)與主體部50以相同的材料整體地形成的凸?fàn)畹慕佑|支承部53并且在這些接觸支承部53內(nèi)設(shè)置有上述的導(dǎo)電性膜51，所以能夠謀求制造工序的簡化。此外，本結(jié)構(gòu)例為利用整體成型的例子，因此，與通過貼合來制造的情況相比，能夠使剛性等機(jī)械的強(qiáng)度變高。

進(jìn)而，在本結(jié)構(gòu)例中，由于僅在主體部50的接觸支承部53內(nèi)配置導(dǎo)電性膜51，所以能夠在接觸支承部53中不產(chǎn)生吸附力，因此，能夠降低主體部50與基板10的接觸部分處的起因于熱等的摩擦力，進(jìn)而，在主體部50與基板10的非接觸部分提高吸附力，由此，能夠在不使作為吸附裝置5A整體的吸附力降低的情況下使用利用氣體的助推器等熱傳導(dǎo)單元來降低吸附裝置5A整體與基板10之間的熱阻。

關(guān)于其他的結(jié)構(gòu)和作用效果，與上述的結(jié)構(gòu)例相同，因此，省略其詳細(xì)的說明。

圖5（a）（b）是示意性地示出本發(fā)明的吸附裝置的另一結(jié)構(gòu)例的剖面結(jié)構(gòu)圖。以下，對與上述結(jié)構(gòu)例對應(yīng)的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略其詳細(xì)的說明。

如圖5（a）（b）所示，在本結(jié)構(gòu)例的吸附裝置5B中，在上述的吸附裝置5的主體部50的表面50a形成有具有與上述的導(dǎo)電性膜51的大小和形狀對應(yīng)的大小和形狀的多個(gè)凹部50c。

這些主體部50的凹部50c以跨越一對吸附電極11的陽極11a和陰極11b以及一對吸附電極12的陽極12a和陰極12b的方式設(shè)置。

而且，根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，在將導(dǎo)電性膜51配置在主體部50的各凹部50c內(nèi)的情況下，各導(dǎo)電性膜51跨越一對吸附電極11的陽極11a和陰極11b以及一對吸附電極12的陽極12a和陰極12b。

此外，在本結(jié)構(gòu)例中，在將導(dǎo)電性膜51配置在主體部50的各凹部50c內(nèi)之后，通過如圖5（b）所示那樣利用例如片材狀的保護(hù)膜58覆蓋導(dǎo)電性膜51的表面來在主體部50的表面50a設(shè)置接觸支承部53是優(yōu)選的。

根據(jù)具有這樣的結(jié)構(gòu)的本結(jié)構(gòu)例，除了上述的效果之外，由于將導(dǎo)電性膜51配置于在吸附裝置5B的主體部50的表面50a設(shè)置的凹部50c內(nèi)，所以能夠謀求制造工序的簡化。

進(jìn)而，在本結(jié)構(gòu)例中，由于僅在設(shè)置于主體部50上的保護(hù)膜58的下方即接觸支承部53的區(qū)域配置導(dǎo)電性膜51，所以能夠在接觸支承部53中不產(chǎn)生吸附力，由此，能夠降低主體部50與基板10的接觸部分處的起因于熱等的摩擦力，進(jìn)而，在主體部50與基板10的非接觸部分提高吸附力，由此，能夠在不使作為吸附裝置5B整體的吸附力降低的情況下使用利用氣體的助推器等熱傳導(dǎo)單元來降低吸附裝置5B整體與基板10之間的熱阻。

關(guān)于其他的結(jié)構(gòu)和作用效果，與上述的結(jié)構(gòu)例相同，因此，省略其詳細(xì)的說明。

圖6（a）（b）是示意性地示出本發(fā)明的吸附裝置的另一結(jié)構(gòu)例的剖面結(jié)構(gòu)圖。以下，對與上述結(jié)構(gòu)例對應(yīng)的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略其詳細(xì)的說明。

如圖6（a）（b）所示，本結(jié)構(gòu)例的吸附裝置5C是在上述的吸附裝置5的主體部50的表面50a設(shè)置有具有上述的導(dǎo)電性膜51的絕緣性的片材55（以下稱為“帶有導(dǎo)電性膜的片材”。）的裝置。

在該帶有導(dǎo)電性膜的片材55中，在由例如樹脂構(gòu)成的片材基材56上設(shè)置有上述的導(dǎo)電性膜51，進(jìn)而，利用由例如樹脂構(gòu)成的保護(hù)片材57覆蓋導(dǎo)電性膜51。

在此，帶有導(dǎo)電性膜的片材55通過在具有與主體部50的表面50a同等的大小的片材基材56上設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電性膜51而在配置于主體部50的表面50a的情況下被形成為成為上述的接觸支承部53。

此外，在帶有導(dǎo)電性膜的片材55配置于主體部50的表面50a的情況下，各導(dǎo)電性膜51以跨越一對吸附電極11的陽極11a和陰極11b以及一對吸附電極12的陽極12a和陰極12b的方式配置。

進(jìn)而，本結(jié)構(gòu)例的帶有導(dǎo)電性膜的片材55通過粘接劑與主體部50的表面50a粘接，并且，以能夠從主體部50的表面50a剝離的方式拆裝自由地構(gòu)成。

根據(jù)具有這樣的結(jié)構(gòu)的本結(jié)構(gòu)例，除了上述的效果之外，由于具有相對于主體部50的表面50a拆裝自由的帶有導(dǎo)電性膜的片材55，所以能夠容易地進(jìn)行導(dǎo)電性膜51的交換，由此，維護(hù)是容易的，并且，能夠提供能夠與各種吸附對象物對應(yīng)的通用性廣泛的吸附裝置。

進(jìn)而，在本結(jié)構(gòu)例中，由于僅在由設(shè)置于主體部50上的帶有導(dǎo)電性膜的片材55構(gòu)成的接觸支承部53內(nèi)配置導(dǎo)電性膜51，所以能夠在接觸支承部53中不產(chǎn)生吸附力，由此，能夠降低主體部50與基板10的接觸部分處的起因于熱等的摩擦力，進(jìn)而，在主體部50與基板10的非接觸部分提高吸附力，由此，能夠在不使作為吸附裝置5C整體的吸附力降低的情況下使用利用氣體的助推器等熱傳導(dǎo)單元來降低吸附裝置5C整體與基板10之間的熱阻。

關(guān)于其他的構(gòu)成和作用效果，與上述的結(jié)構(gòu)例相同，因此，省略其詳細(xì)的說明。

再有，本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種變更。

例如，上述實(shí)施方式所記載的吸附電極11、12、導(dǎo)電性膜51、接觸支承部53的形狀和數(shù)量是一個(gè)例子，只要不超過本發(fā)明的范圍，則能夠進(jìn)行各種變更。

進(jìn)而，本發(fā)明不僅能夠應(yīng)用于濺射裝置而且能夠應(yīng)用于例如蒸鍍裝置或蝕刻裝置等各種真空處理裝置。

附圖標(biāo)記的說明

1…濺射裝置（真空處理裝置）

2…真空槽

3…靶

4…濺射電源

5…吸附裝置

10…基板（吸附對象物）

11、12…吸附電極

11a、12a…陽極

11b、12b…陰極

20A、20B、20C、20D…吸附電源

50…主體部

50a…表面

51…導(dǎo)電性膜

52…保護(hù)部

53…接觸支承部。