本申請(qǐng)要求于2015年5月11日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)no.10-2015-0065268的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本文中。本申請(qǐng)涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
：作為重量和體積(這些是陰極射線管(crt)的缺點(diǎn))減小的平板顯示裝置，控制有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光量來(lái)顯示圖像等的有機(jī)發(fā)光顯示裝置受到關(guān)注。有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有在基板上形成子像素驅(qū)動(dòng)單元陣列和有機(jī)發(fā)光陣列的結(jié)構(gòu)，并且通過(guò)從有機(jī)發(fā)光陣列的有機(jī)發(fā)光器件發(fā)射的光來(lái)顯示圖像。有機(jī)發(fā)光顯示裝置是一種利用電極之間的薄發(fā)光層的自發(fā)光裝置，其優(yōu)點(diǎn)在于，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以變得像紙一樣薄。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下，各個(gè)像素的薄膜晶體管的電極和接線由金屬形成，存在的問(wèn)題是，由金屬電極和接線引起的較高的光反射率會(huì)干擾顯示器的屏幕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：技術(shù)問(wèn)題本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置通過(guò)控制由有機(jī)發(fā)光顯示裝置的線電極(wiringelectrode)引起的眩光現(xiàn)象，能夠?qū)崿F(xiàn)具有較高的圖像質(zhì)量的顯示器。技術(shù)方案本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：基板；設(shè)置在所述基板上并且互相交叉的多個(gè)柵極線和多個(gè)數(shù)據(jù)線；被柵極線和數(shù)據(jù)線分開的多個(gè)像素區(qū)域；設(shè)置在各個(gè)像素區(qū)域的一側(cè)的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括與柵極線連接的柵電極、設(shè)置在柵電極上并且與柵電極絕緣的半導(dǎo)體層、與數(shù)據(jù)線電連接的源電極，以及與像素電極或公用電極電連接的漏電極；設(shè)置在各個(gè)像素區(qū)域上并且發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光或白光的有機(jī)發(fā)光器件；以及設(shè)置在柵電極、源電極、漏電極、柵極線和數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)的一個(gè)表面上的減光反射層，其中，所述減光反射層滿足下面的等式1的值為0.004以上且為0.22以下。[等式1]在等式1中，k表示減光反射層的消光系數(shù)，t表示減光反射層的厚度，λ表示光的波長(zhǎng)。有益效果根據(jù)本申請(qǐng)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置通過(guò)控制由線電極引起的光反射率，可以實(shí)現(xiàn)具有較高的圖像質(zhì)量的顯示器。附圖說(shuō)明圖1示出了本申請(qǐng)的一個(gè)像素區(qū)域的實(shí)例；圖2示出了根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的橫截面；圖3是示出實(shí)施例1中的減光反射層的n和k的值隨著波長(zhǎng)而變化的圖；圖4是示出比較例1中的moti層的n和k的值隨著波長(zhǎng)而變化的圖；圖5表示實(shí)施例1和比較例1的反射率之間的比較；圖6表示實(shí)施例13的反射率；圖7表示實(shí)施例14的反射率；圖8和圖9表示由實(shí)施例15中制造的結(jié)構(gòu)所實(shí)現(xiàn)的反射率和光學(xué)常數(shù)的值。具體實(shí)施方式在本申請(qǐng)中，當(dāng)特定部件設(shè)置在另一部件“之上”時(shí)，這包括在這兩個(gè)部件之間存在另一部件的情況，以及特定部件與另一部件接觸的情況。在申請(qǐng)中，當(dāng)特定部分“包括”特定組成元件時(shí)，除非另外明確說(shuō)明，否則這表示還可以包括另外的組成元件，而不排除另外的組成元件。下文中，將更詳細(xì)地描述本申請(qǐng)。在本申請(qǐng)中，顯示裝置是統(tǒng)稱tv、電腦顯示器等的術(shù)語(yǔ)，并且包括形成圖像的顯示元件和支撐該顯示元件的殼體。為了防止光反射、漏光現(xiàn)象等，在相關(guān)技術(shù)中將黑色矩陣應(yīng)用于顯示裝置。近來(lái)，引入了濾色器與薄膜晶體管一起形成在陣列基板上的被稱為tft陣列上的濾色器(cot或coa)的結(jié)構(gòu)，從而開發(fā)出不使用上述黑色矩陣的結(jié)構(gòu)。通過(guò)引入不使用黑色矩陣的結(jié)構(gòu)，可以得到諸如顯示裝置的透射率改善、亮度改善和背光效率改善的效果。然而，在不使用黑色矩陣的結(jié)構(gòu)的情況下，顯示裝置中包括的金屬電極的暴露區(qū)域增加，使得由于金屬電極的顏色和反射特性而產(chǎn)生問(wèn)題。特別地，近來(lái)，顯示裝置變大并且顯示裝置的分辨率增加，因此，需要一種降低由顯示裝置中包括的金屬電極所引起的反射和顏色特性的技術(shù)。在這方面，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在包括導(dǎo)電層(如金屬)的顯示裝置中，由導(dǎo)電層引起的光反射和衍射特性是影響導(dǎo)電層的可視性(visibility)的主要因素，并且旨在改善導(dǎo)電層的可視性。根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置在線電極，如柵電極、源電極、漏電極、柵極線和數(shù)據(jù)線上采用減光反射層，從而大大改善由于線電極的高反射率引起的可視性的劣化。另外，當(dāng)使用減光反射層時(shí)，具有不需要在對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管的區(qū)域上形成黑色矩陣的優(yōu)點(diǎn)。特別地，由于減光反射層具有吸光性能，因此，入射到線電極的光的量和從像素電極以及公用電極反射的光的量減少，從而降低線電極的光反射。本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：基板；設(shè)置在所述基板上并且互相交叉的多個(gè)柵極線和多個(gè)數(shù)據(jù)線；被柵極線和數(shù)據(jù)線分開的多個(gè)像素區(qū)域；設(shè)置在各個(gè)像素區(qū)域的一側(cè)的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括與柵極線連接的柵電極、設(shè)置在柵電極上并且與柵電極絕緣的半導(dǎo)體層、與數(shù)據(jù)線電連接的源電極，以及與像素電極或公用電極電連接的漏電極；設(shè)置在各個(gè)像素區(qū)域上并且發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光或白光的有機(jī)發(fā)光器件；以及設(shè)置在柵電極、源電極、漏電極、柵極線和數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)的一個(gè)表面上的減光反射層，其中，所述減光反射層滿足下面的等式1的值為0.004以上且為0.22以下。[等式1]在等式1中，k表示減光反射層的消光系數(shù)，t表示減光反射層的厚度，λ表示光的波長(zhǎng)。當(dāng)外部光入射到設(shè)置有減光反射層的電極時(shí)，存在從減光反射層的表面反射的初級(jí)反射光，并且存在穿過(guò)減光反射層而從下部電極的表面反射的二級(jí)反射光。減光反射層可以通過(guò)初級(jí)反射光和二級(jí)反射光之間的相消干涉來(lái)降低光反射率。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)將滿足等式1的值為0.004以上且為0.22以下的減光反射層設(shè)置為與線電極接觸時(shí)，通過(guò)相消干涉來(lái)顯著降低線電極的光反射率，可以實(shí)現(xiàn)高分辨率。特別地，初級(jí)反射光和二級(jí)反射光具有180o的相位差從而相消干涉的條件由下面的等式2表示。[等式2]在等式2中，t表示減光反射層的厚度，λ表示光的波長(zhǎng)，n表示減光反射層的折射率，n表示預(yù)定的奇數(shù)，如1、3和5。在相消干涉條件下的初級(jí)反射率可以由下面的等式3得到。[等式3]在等式3中，n表示減光反射層的折射率，k表示減光反射層的消光系數(shù)。此外，在相消干涉條件下的二級(jí)反射率可以由下面的等式4得到。[等式4]在等式4中，rmetal表示線電極的表面的反射率，r1表示減光反射層中的初級(jí)反射率，i0表示入射光的強(qiáng)度，n表示減光反射層的折射率，k表示減光反射層的消光系數(shù)，n表示預(yù)定的奇數(shù)，如1、3和5。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，初級(jí)反射率和二級(jí)反射率之間的差的絕對(duì)值可以為0.13以上且為0.42以下。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，λ可以是550nm。換言之，光的波長(zhǎng)可以為550nm。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，柵電極、源電極、漏電極、柵極線和數(shù)據(jù)線可以統(tǒng)稱為線電極。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層可以設(shè)置在與柵電極、源電極、漏電極、柵極線和數(shù)據(jù)線的鄰近基板的表面相對(duì)的表面上。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層的厚度可以為5nm以上且為100nm以下，更優(yōu)選地，10nm以上且為100nm以下。特別地，根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層的厚度可以為20nm以上且為60nm以下。當(dāng)減光反射層的厚度小于10nm時(shí)，會(huì)發(fā)生不能充分地控制線電極的光反射率的問(wèn)題。此外，當(dāng)減光反射層的厚度大于100nm時(shí)，會(huì)發(fā)生難以使減光反射層圖案化的問(wèn)題。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層在波長(zhǎng)為550nm的光中的消光系數(shù)k可以為0.1以上且為2以下。特別地，根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層在波長(zhǎng)為550nm的光中的消光系數(shù)k可以為0.4以上且為2以下。當(dāng)消光系數(shù)在所述范圍內(nèi)時(shí)，可以有效地控制線電極的光反射率，從而進(jìn)一步改善有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可視性。消光系數(shù)可以使用本領(lǐng)域中公知的橢圓計(jì)測(cè)量設(shè)備來(lái)測(cè)量。消光系數(shù)k也可以被稱為吸收系數(shù)，并且可以是定義目標(biāo)物質(zhì)吸收預(yù)定波長(zhǎng)的光的程度的指標(biāo)。因此，入射光穿過(guò)厚度為t的減光反射層并且根據(jù)消光系數(shù)k的程度而被初級(jí)吸收，由下部電極層反射的光再次穿過(guò)厚度為t的減光反射層并被二級(jí)吸收，然后向外部反射。因此，減光反射層的厚度和吸收系數(shù)的值充當(dāng)影響整個(gè)反射率的重要因素。因此，根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，在減光反射層的吸收系數(shù)k和厚度t的預(yù)定范圍內(nèi)，光反射率會(huì)降低的區(qū)域由等式1表示。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層在波長(zhǎng)為550nm的光中的折射率n可以為2以上且為3以下。初級(jí)反射發(fā)生在同時(shí)具有折射率n和消光系數(shù)k的減光反射層的材料中，在這種情況下，決定初級(jí)反射率的主要因素是折射率n和吸收系數(shù)k。因此，折射率n和吸收系數(shù)k彼此密切相關(guān)，并且當(dāng)折射率n和吸收系數(shù)k在上述范圍內(nèi)時(shí)，效果可以最大化。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，設(shè)置有減光反射層的線電極的光反射率可以為50％以下，更優(yōu)選地，40％以下。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層可以包含選自金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物中的一種或多種。特別地，根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層可以包含選自金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物中的一種或多種作為主要材料。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，所述金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物可以衍生自選自cu、al、mo、ti、ag、ni、mn、au、cr和co中的一種或兩種以上金屬。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層可以包含選自氧化銅、氮化銅和氮氧化銅的物質(zhì)。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層可以包含選自氧化鋁、氮化鋁和氮氧化鋁的物質(zhì)。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層可以包括銅-錳氧化物。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層可以包含銅-錳氮氧化物。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層可以包含銅-鎳氧化物。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層可以包含銅-鎳氮氧化物。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層可以包含鉬-鈦氧化物。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層可以包含鉬-鈦氮氧化物。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，減光反射層還可以形成為單層，也可以形成為兩層以上的多層。減光反射層可以具有非彩色系列(achromaticseries)中的顏色，但是不特別限于此。在這種情況下，非彩色系列中的顏色指不選擇性地吸收入射到物體表面的光，并且當(dāng)光在各組分的波長(zhǎng)處被均勻地反射和吸收時(shí)所呈現(xiàn)的顏色。圖1示出了本申請(qǐng)的一個(gè)像素區(qū)域的實(shí)例。特別地，圖1示出被設(shè)置在基板上的多個(gè)柵極線101a和101b以及多個(gè)數(shù)據(jù)線201a和201b分開的像素區(qū)域，和設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管301。此外，像素區(qū)域內(nèi)的柵極線101b與柵電極310連接，數(shù)據(jù)線201a與源電極330連接，漏電極340與像素區(qū)域內(nèi)的公用電極(未示出)或像素電極(未示出)連接。圖2示出了根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的橫截面。特別地，由柵電極310、半導(dǎo)體層320、源電極330和漏電極340形成的薄膜晶體管301設(shè)置在基板上，像素區(qū)域被連接至柵電極的柵極線(未示出)和數(shù)據(jù)線201分開，分別包括第一電極701、有機(jī)材料層510和520以及第二電極601的有機(jī)發(fā)光器件設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)，并且各個(gè)有機(jī)發(fā)光器件通過(guò)分隔墻(partitionwall)901而互相間隔。此外，柵電極310和半導(dǎo)體層320可以通過(guò)絕緣層1010而彼此絕緣。絕緣層1010可以是柵極絕緣層。此外，在圖2中，設(shè)置在柵電極301、源電極330、漏電極340、柵極線(未示出)和數(shù)據(jù)線201的下表面上的各個(gè)黑色層表示減光反射層801。然而，除了圖2中所示的結(jié)構(gòu)，根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以應(yīng)用于多種結(jié)構(gòu)中。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，薄膜晶體管包括從柵極線分出的柵電極和設(shè)置在柵電極上的半導(dǎo)體層，它們之間插入有絕緣層。此外，半導(dǎo)體層與其間插入有歐姆接觸層的源電極和漏電極連接，源電極與數(shù)據(jù)線連接。柵極線提供來(lái)自柵極驅(qū)動(dòng)器的掃描信號(hào)，數(shù)據(jù)線提供來(lái)自數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的視頻信號(hào)。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，柵電極和柵極線可以設(shè)置在基板上，柵極絕緣層可以設(shè)置在柵電極和柵極線上。此外，半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線可以設(shè)置在柵極絕緣層上。另外，根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線可以設(shè)置在基板上，柵極絕緣層可以設(shè)置在半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線上。此外，柵電極和柵極線可以設(shè)置在柵極絕緣層上。特別地，柵極絕緣層可以用于使柵電極與半導(dǎo)體層絕緣。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，柵極絕緣層可以包括選自氮化硅(sinx)、二氧化硅(sio2)、氧化鋁(al2o3)、鉍-鋅-鈮氧化物(bzm氧化物)、二氧化鈦、二氧化鉿、氧化鋯、氧化鉭和氧化鑭中的一種或多種。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，半導(dǎo)體層可以包括硅和/或二氧化硅。特別地，半導(dǎo)體層可以包括非晶硅(si)和/或低溫多晶硅(ltps)。此外，根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，半導(dǎo)體層可以包括選自氧化鋅(zno)、氧化錫(sno)、氧化銦(ino)，氧化銦錫(ito)、氧化鋅錫(zto)、銦-鎵-鋅氧化物(igzo)、氧化鋅鋁(zao)、二硫化鉬(mos2)和銦-硅-鋅氧化物(iszo)中的一種或多種。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，柵電極和柵極線可以包括選自cu、w、mo、al、al-nd、ag、au、ti、tin、cr、ta和mo-ti中的一種或多種。此外，柵電極和柵極線可以具有包括兩個(gè)以上層的層壓結(jié)構(gòu)。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，源電極和數(shù)據(jù)線可以包括選自cu、w、mo、al、al-nd、ag、au、ti、tin、cr、ta和mo-ti中的一種或多種。此外，源電極和數(shù)據(jù)線可以具有包括兩個(gè)以上層的層壓結(jié)構(gòu)。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，漏電極可以包括選自cu、w、mo、al、al-nd、ag、au、ti、tin、cr、ta和mo-ti中的一種或多種。此外，漏電極可以具有包括兩個(gè)以上層的層壓結(jié)構(gòu)。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，第一電極可以是透明電極。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，第一電極可以是像素電極。此外，根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，第二電極可以是對(duì)應(yīng)于像素電極的公用電極。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，有機(jī)材料層可以包括至少一個(gè)發(fā)光層，并且還可以包括選自空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電荷產(chǎn)生層、電子阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的一種或兩種以上。電荷產(chǎn)生層指當(dāng)施加電壓時(shí)產(chǎn)生空穴和電子的層。根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方案，第一電極可以是陽(yáng)極，第二電極可以是陰極。此外，第一電極可以是陰極，第二電極可以是陽(yáng)極。通常優(yōu)選具有較高的逸出功以便于將空穴注入有機(jī)材料層的物質(zhì)作為陽(yáng)極。本發(fā)明中可以使用的陽(yáng)極材料的具體實(shí)例包括：金屬，如釩、鉻、銅、鋅和金或它們的合金；金屬氧化物，如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ito)和氧化銦鋅(izo)；金屬和氧化物的組合，如zno:al或sno2:sb；以及導(dǎo)電聚合物，如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亞乙基-1,2-二氧基)噻吩](pedt)、聚吡咯和聚苯胺，但是陽(yáng)極材料不限于此。陽(yáng)極的材料不僅限于陽(yáng)極，而且可以用作陰極的材料。優(yōu)選具有較低的逸出功以便于將電子注入有機(jī)材料層的物質(zhì)作為陰極的材料。陰極材料的具體實(shí)例包括：金屬，如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫和鉛或它們的合金；多層結(jié)構(gòu)材料，如lif/al或lio2/al，但是陰極材料不限于此。陰極的材料不僅限于陰極，而且可以用作陽(yáng)極的材料。能夠從陽(yáng)極或空穴注入層接收空穴并將接收的空穴傳輸至發(fā)光層，并且具有對(duì)空穴的高遷移率的物質(zhì)適合作為根據(jù)本申請(qǐng)的空穴傳輸層的材料?？昭▊鬏攲拥牟牧系木唧w實(shí)例包括芳胺類有機(jī)物質(zhì)、導(dǎo)電聚合物、具有共軛部分和非共軛部分兩者的嵌段共聚物等，但是空穴傳輸層的材料不限于此?？梢允褂萌缦挛镔|(zhì)作為根據(jù)本申請(qǐng)的發(fā)光層的材料，該物質(zhì)能夠通過(guò)接收分別來(lái)自空穴傳輸層和電子傳輸層的空穴和電子并且與所接收的空穴和電子結(jié)合來(lái)在可見(jiàn)光區(qū)域中發(fā)光，而且具有對(duì)熒光和磷光的較高的量子效率。發(fā)光層的材料的具體實(shí)例包括：8-羥基-喹啉-鋁絡(luò)合物(alq3)、咔唑類化合物、二苯乙烯化合物、balq；10-羥基苯并喹啉-金屬化合物；苯并惡唑類、苯并噻唑類和苯并咪唑類化合物；聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)(ppv)類聚合物、螺環(huán)化合物、聚芴、紅熒烯等，但是發(fā)光層的材料不限于此。能夠很好地接收從陰極注入的電子并將注入的電子輸送至發(fā)光層，并且具有對(duì)電子的高遷移率的物質(zhì)適合作為根據(jù)本發(fā)明的電子傳輸層的材料。電子傳輸層的材料的具體實(shí)例包括：8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物；包含alq3的絡(luò)合物；有機(jī)基化合物；羥基黃酮金屬絡(luò)合物等，但是不限于此。下文中，將參照實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明。然而，提出下面的實(shí)施例是為了說(shuō)明本發(fā)明，而不意在限制本發(fā)明的范圍。實(shí)施例1使用moti(50:50原子％)合金靶通過(guò)濺射方法在玻璃基板上形成厚度為30nm的moti層，使用moti(50:50原子％)靶通過(guò)反應(yīng)濺射方法在所述moti層上形成厚度為40nm的moti氮氧化物層。沉積層的反射率為9.4％。為了得到光吸收系數(shù)k的值，通過(guò)與上述方法相同的方法在玻璃基板上形成單一moti氮氧化物層。然后，使用橢圓計(jì)測(cè)定折射率和光吸收系數(shù)。在380至1,000nm的波長(zhǎng)處的n和k的值表示在圖3中，在550nm的波長(zhǎng)處的光吸收系數(shù)值為0.43。當(dāng)將該光吸收系數(shù)值代入等式1中時(shí)，得到的值為0.031。實(shí)施例2至12在實(shí)施例2至12的情況下，通過(guò)macleod程序進(jìn)行光學(xué)仿真。通過(guò)將實(shí)施例1的光學(xué)常數(shù)值代入程序，得到在各厚度的moti氮氧化物層的情況下的反射率值，這些值表示在下面的表1中。[表1]moti氮氧化物層的厚度(nm)等式1的值反射率(％)實(shí)施例25.50.004352實(shí)施例3100.007846實(shí)施例4150.011739實(shí)施例5200.015631實(shí)施例6250.019523實(shí)施例7300.023518實(shí)施例8350.027414實(shí)施例9600.046917實(shí)施例10700.054723實(shí)施例11800.062527實(shí)施例121000.07831比較例1使用moti(50:50原子％)合金靶通過(guò)濺射方法在玻璃基板上形成厚度為30nm的moti層。沉積層的反射率為52％。為了得到光吸收系數(shù)k的值，通過(guò)與上述方法相同的方法在玻璃基板上形成單一moti層。然后，使用橢圓計(jì)測(cè)定折射率和光吸收系數(shù)。在380至1,000nm的波長(zhǎng)處的n和k的值表示在圖4中，在波長(zhǎng)為550nm處的光吸收系數(shù)值為3.18。當(dāng)將該光吸收系數(shù)值代入等式1中時(shí)，得到的值為0.23。圖5中示出了表示實(shí)施例1和比較例1的反射率的比較。比較例2除了moti氮氧化物層的厚度為4nm之外，以與實(shí)施例1相同的方式進(jìn)行方法。等式1的值計(jì)算為0.003。反射率為53％。實(shí)施例13使用單一cu靶，通過(guò)直流濺射(dc濺射)方法在玻璃基板上形成厚度為60nm的cu層作為導(dǎo)電層，并且使用moti(50:50％)合金靶，通過(guò)反應(yīng)性dc濺射方法形成厚度為35nm并且包含motianxoy(0<a≤2,0<x≤3,0<y≤2)的減光反射層。使用solidspec3700(uv-vis分光光度計(jì)，shimadzuinc.)測(cè)量隨著波長(zhǎng)而變化的總反射率，測(cè)量結(jié)果表示在圖6中。減光反射層的等式1的值為0.059。實(shí)施例14使用單一cu靶通過(guò)dc濺射方法在玻璃基板上形成厚度為60nm的cu層作為第一導(dǎo)電層，使用moti(50:50％)合金靶通過(guò)dc濺射方法形成厚度為20nm的moti層作為第二導(dǎo)電層，并且使用相同的靶，通過(guò)反應(yīng)性dc濺射方法形成厚度為35nm并且包含motianxoy(0<a≤2,0<x≤3,0<y≤2)的減光反射層。使用solidspec3700(uv-vis分光光度計(jì)，shimadzuinc.)測(cè)量隨著波長(zhǎng)而變化的總反射率，測(cè)量結(jié)果表示在圖7中。減光反射層的等式1的值為0.059。實(shí)施例15除了使用沉積al的al層代替moti層并且使用鋁氮氧化物(k＝1.24)代替moti氮氧化物，來(lái)形成厚度為87nm的減光反射層之外，以與實(shí)施例1相同的方式進(jìn)行方法。在這種情況下，等式1的值為0.2，反射率為28％。圖8和圖9表示由本申請(qǐng)的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的反射率和光學(xué)常數(shù)值。通過(guò)實(shí)施例和比較例的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，可以看出，本申請(qǐng)的權(quán)利要求書中所描述的結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出優(yōu)異的減光反射層的效果。<附圖標(biāo)記>101a、101b：柵極線201、201a、201b：數(shù)據(jù)線301：薄膜晶體管310：柵電極320：半導(dǎo)體層330：源電極340：漏電極401：基板510、520：有機(jī)材料層601：第二電極701：第一電極801：減光反射層901：分隔墻1010、1020：絕緣層當(dāng)前第1頁(yè)12