本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種頂發(fā)射型OLED顯示器件的制作方法及結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示器件以其自發(fā)光、全固態(tài)、高對比度等優(yōu)點，成為近年來最具潛力的新型顯示器件。

目前應(yīng)用OLED的產(chǎn)品主要分在小尺寸的手機、平板電腦(Pad)屏幕和較大尺寸的電視(TV)屏幕等。

在大尺寸OLED顯示器件應(yīng)用方向，市面上的產(chǎn)品大多采用底發(fā)射型(Bottom)結(jié)構(gòu)，將OLED的陰極采用較厚的金屬層。但隨著分辨率的增長，Bottom OLED會受到開口率的限制，難以實現(xiàn)高分辨率。越來越多的從業(yè)者將精力轉(zhuǎn)向頂發(fā)射型(Top)OLED的開發(fā)，以期望實現(xiàn)更高的分辨率。

Top OLED的陰極使用較薄的透明金屬，實現(xiàn)與屏幕邊緣電路的連接。由于需兼顧透光率，透明陰極厚度較薄，導(dǎo)致導(dǎo)電能力差。在屏幕尺寸較大時，屏幕中心區(qū)域由于離電極接口較遠，長距離的電流傳輸使其驅(qū)動電壓上升較大，易造成屏幕邊緣和屏幕中心的OLED元件的驅(qū)動電壓差距大，即有電壓降(IR drop)的問題，僅依靠對驅(qū)動電路做修正，難以有效改善IR drop，屏幕會出現(xiàn)中心亮度較暗的缺陷。因此，需對Top OLED的陰極進行改善，提升導(dǎo)電率，縮小驅(qū)動電壓的差距。

對Top OLED的陰極進行改善的方法之一是在Top OLED的透明金屬陰極之上增設(shè)輔助電極或輔助導(dǎo)線，來增加陰極層的導(dǎo)電率，以減少IR drop所帶來的問題。但是，在透明金屬陰極上直接制作輔助電極受到多個局限因素的影響：首先，用做透明陰極的金屬材料極易被氧化，需隔絕水、氧及其它氧化性強的物質(zhì)的污染；其次，OLED中的有機發(fā)光材料層在較高溫度下會變質(zhì)，直接影響到OLED器件的表現(xiàn)，其耐受制程溫度一般不超過80℃。而目前業(yè)界聚焦的解決方案，其一是增設(shè)類似于氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)的透明電極，其制程溫度較高，一般超過150℃，會破壞OLED中的有機發(fā)光材料層；另一種是采用納米銀線，但同樣會受到納米銀線燒結(jié)溫度較高的困擾。雖然目前已有室溫?zé)Y(jié)的納米銀漿問世，但納米銀漿的溶質(zhì)一般采用水基(為便于蒸發(fā)去除)，會將OLED的透明陰極材料氧化。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種頂發(fā)射型OLED顯示器件的制作方法，能夠避免現(xiàn)有輔助電極制程對有機發(fā)光材料層與陰極的損傷，增強陰極的導(dǎo)電率，降低大尺寸OLED顯示器件的IR drop。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種頂發(fā)射型OLED顯示器件結(jié)構(gòu)，其陰極導(dǎo)電性能較好，IR drop較低。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種頂發(fā)射型OLED顯示器件的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供TFT陣列基板；

步驟S2、在所述TFT陣列基板上制備出呈矩陣式分布的多個頂發(fā)射型OLED；

每一頂發(fā)射型OLED包括自下至上依次層疊的陽極、有機發(fā)光材料層、及透明陰極；每一頂發(fā)射型OLED具有發(fā)光區(qū)域、及除發(fā)光區(qū)域以外的及非發(fā)光區(qū)域；

步驟S3、提供封裝蓋板，在封裝蓋板上對應(yīng)頂發(fā)射型OLED的非發(fā)光區(qū)域的部分制備輔助電極；

步驟S4、在所述輔助電極上涂布單層納米金球；

步驟S5、使制備在封裝蓋板上的輔助電極與納米金球朝向TFT陣列基板，對組封裝蓋板與TFT陣列基板并進行封裝，使得納米金球?qū)ㄝo助電極與頂發(fā)射型OLED的透明陰極。

所述TFT陣列基板包括呈矩陣式分布的多個開關(guān)TFT、與開關(guān)TFT對應(yīng)連接的多個驅(qū)動TFT、以及覆蓋開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的平坦層；頂發(fā)射型OLED的陽極制備在平坦層上并與驅(qū)動TFT接觸；所述步驟S4在輔助電極上對應(yīng)避開開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的位置涂布單層納米金球。

所述步驟S2采用蒸鍍工藝或噴墨打印工藝制備頂發(fā)射型OLED。

所述步驟S2還包括制備位于陽極與有機發(fā)光材料層之間、及平坦層與有機發(fā)光材料層之間的像素定義層；所述像素定義層具有暴露出部分陽極的過孔，所述頂發(fā)射型OLED對應(yīng)于所述過孔的區(qū)域為發(fā)光區(qū)域，其它區(qū)域為非發(fā)光區(qū)域。

所述步驟S3采用黃光制程制備金屬線，以所述金屬線作為輔助電極；或者采用絲網(wǎng)印刷納米銀漿，以納米銀漿作為輔助電極；再或者采用噴墨打印納米銀漿，以納米銀漿作為輔助電極。

所述納米金球包括塑料微粒子、鍍在塑料微粒子外表面的鎳層、及鍍在鎳層外表面的金層；所述步驟S4將納米金球均勻混合于樹脂溶劑或封裝吸水材料中進行涂布。

本發(fā)明還提供一種頂發(fā)射型OLED顯示器件結(jié)構(gòu)，包括：

TFT陣列基板；

設(shè)在所述TFT陣列基板上的呈矩陣式分布的多個頂發(fā)射型OLED；每一頂發(fā)射型OLED包括自下至上依次層疊的陽極、有機發(fā)光材料層、及透明陰極；每一頂發(fā)射型OLED具有發(fā)光區(qū)域、及除發(fā)光區(qū)域以外的及非發(fā)光區(qū)域；

與TFT陣列基板對組的封裝蓋板；

于封裝蓋板上對應(yīng)頂發(fā)射型OLED的非發(fā)光區(qū)域的部分設(shè)置的輔助電極；

以及涂布在所述輔助電極上的單層納米金球；

所述納米金球?qū)ㄝo助電極與頂發(fā)射型OLED的透明陰極。

所述TFT陣列基板包括呈矩陣式分布的多個開關(guān)TFT、與開關(guān)TFT對應(yīng)連接的多個驅(qū)動TFT、以及覆蓋開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的平坦層；頂發(fā)射型OLED的陽極制備在平坦層上并與驅(qū)動TFT接觸；所述納米金球涂布在輔助電極上對應(yīng)避開開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的位置。

所述頂發(fā)射型OLED顯示器件結(jié)構(gòu)還包括設(shè)在陽極與有機發(fā)光材料層之間、及平坦層與有機發(fā)光材料層之間的像素定義層；所述像素定義層具有暴露出部分陽極的過孔，所述頂發(fā)射型OLED對應(yīng)于所述過孔的區(qū)域為發(fā)光區(qū)域，其它區(qū)域為非發(fā)光區(qū)域。

所述輔助電極為金屬線或納米銀漿；所述納米金球包括塑料微粒子、鍍在塑料微粒子外表面的鎳層、及鍍在鎳層外表面的金層。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種頂發(fā)射型OLED顯示器件的制作方法，在封裝蓋板上對應(yīng)頂發(fā)射型OLED的非發(fā)光區(qū)域的部分制備輔助電極，在所述輔助電極上涂布納米金球，對組封裝蓋板與TFT陣列基板并進行封裝后，納米金球?qū)ㄝo助電極與頂發(fā)射型OLED的透明陰極，能夠避免輔助電極制程對有機發(fā)光材料層與陰極的損傷，增強陰極的導(dǎo)電率，降低大尺寸OLED顯示器件的IR drop。本發(fā)明提供的一種頂發(fā)射型OLED顯示器件結(jié)構(gòu)，將輔助電極設(shè)置在封裝蓋板上，并在輔助電極上涂布單層納米金球，通過納米金球?qū)ㄝo助電極與頂發(fā)射型OLED的透明陰極，能夠增強陰極的導(dǎo)電率，降低大尺寸OLED顯示器件的IR drop。

附圖說明

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的頂發(fā)射型OLED顯示器件的制作方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明的頂發(fā)射型OLED顯示器件結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖3為本發(fā)明的頂發(fā)射型OLED顯示器件結(jié)構(gòu)中TFT陣列基板的俯視示意圖；

圖4為本發(fā)明的頂發(fā)射型OLED顯示器件結(jié)構(gòu)中封裝蓋板的仰視示意圖；

圖5為本發(fā)明的頂發(fā)射型OLED顯示器件結(jié)構(gòu)中納米金球的剖面示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖1，結(jié)合圖2至圖4，本發(fā)明首先提供一種頂發(fā)射型OLED顯示器件的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供TFT陣列基板1。

具體地，如圖2所示，所述TFT陣列基板1包括呈矩陣式分布的多個開關(guān)TFT T1、與開關(guān)TFT T1對應(yīng)連接的多個驅(qū)動TFT T2、以及覆蓋開關(guān)TFT T1與驅(qū)動TFT T2的平坦層18。進一步地，按照現(xiàn)有的常規(guī)設(shè)計，所述開關(guān)TFT T1與驅(qū)動TFT T2均設(shè)置在襯底基板11上；所述開關(guān)TFT T1包括自下至上依次設(shè)置的第一柵極121、柵極絕緣層13、第一有源層141、蝕刻阻擋層15、第一源極161與第一漏極162、及保護層17；所述驅(qū)動TFT T2包括自下至上依次設(shè)置的第二柵極122、柵極絕緣層13、第二有源層142、蝕刻阻擋層15、第二源極163與第二漏極164、及保護層17；其中，第一源極161與第一漏極162分別接觸連接第一有源層141的兩側(cè)，第二源極163與第二漏極164分別接觸連接第二有源層142的兩側(cè)，開關(guān)TFT T1的第一漏極162接觸連接驅(qū)動TFT T2的第二柵極122。

步驟S2、在所述TFT陣列基板1上制備出呈矩陣式分布的多個頂發(fā)射型OLED 3。

結(jié)合圖2與圖3，每一頂發(fā)射型OLED 3包括自下至上依次層疊的陽極31、有機發(fā)光材料層32、及透明陰極33；每一頂發(fā)射型OLED 3具有發(fā)光區(qū)域A1、及除發(fā)光區(qū)域A1以外的非發(fā)光區(qū)域A2。

具體地，該步驟S2按照現(xiàn)有的頂發(fā)射型OLED制程方式采用蒸鍍工藝或噴墨打印(Ink-jet Printing，IJP)工藝制備所述頂發(fā)射型OLED 3。

所述頂發(fā)射型OLED 3的陽極31制備在平坦層18上并與驅(qū)動TFT T2的第二漏極164接觸。

進一步地，所述步驟S2還包括制備位于陽極31與有機發(fā)光材料層32之間、及平坦層18與有機發(fā)光材料層32之間的像素定義層2。所述像素定義層2具有暴露出部分陽極31的過孔21，所述頂發(fā)射型OLED 3對應(yīng)于所述過孔21的區(qū)域為發(fā)光區(qū)域A1，其它區(qū)域為非發(fā)光區(qū)域A2。

步驟S3、結(jié)合圖3與圖4，提供封裝蓋板5，在封裝蓋板5上對應(yīng)頂發(fā)射型OLED 3的非發(fā)光區(qū)域A2的部分制備輔助電極7。

該步驟3是在封裝蓋板5上對應(yīng)頂發(fā)射型OLED 3的非發(fā)光區(qū)域A2的部分制備輔助電極7，而不是像現(xiàn)有技術(shù)那樣直接在頂發(fā)射型OLED的透明陰極上制備輔助電極，不受制程溫度的限制，不存在污染或破壞頂發(fā)射型OLED的陰極與有機發(fā)光材料層的問題，因此該步驟3的制程選擇可多樣化，具體可采用黃光制程制備金屬線，如納米銀線，以所述金屬線作為輔助電極7；可采用絲網(wǎng)印刷納米銀漿，以納米銀漿作為輔助電極7；還可采用噴墨打印納米銀漿，以納米銀漿作為輔助電極7。無論采用何種制程，都能夠避免對有機發(fā)光材料層32與透明陰極33的損傷。

步驟S4、結(jié)合圖4，在所述輔助電極7上涂布單層納米金球9。

具體地，請參閱圖5，所述納米金球9包括塑料微粒子91、鍍在塑料微粒子91外表面的鎳層92、及鍍在鎳層92外表面的金層93。該步驟4將納米金球9均勻混合于樹脂溶劑或封裝吸水材料中進行涂布。

進一步地，該步驟S4在輔助電極7上對應(yīng)避開開關(guān)TFT T1與驅(qū)動TFT T2的位置涂布單層納米金球9。所述納米金球9的粒徑應(yīng)經(jīng)過縝密設(shè)計，保證后續(xù)步驟S5對組封裝蓋板5與TFT陣列基板1并進行封裝后，納米金球9既可以實現(xiàn)輔助電極7與頂發(fā)射型OLED 3的透明陰極33的導(dǎo)通，又不會因壓力太大而影響下方器件。

步驟S5、結(jié)合圖2至圖4，使制備在封裝蓋板5上的輔助電極7與納米金球9朝向TFT陣列基板1，對組封裝蓋板5與TFT陣列基板1并進行封裝，使得納米金球9導(dǎo)通輔助電極7與頂發(fā)射型OLED 3的透明陰極33。

通過納米金球9導(dǎo)通輔助電極7與頂發(fā)射型OLED 3的透明陰極33，能夠增強透明陰極33的導(dǎo)電率，提高所述透明陰極33的導(dǎo)電能力，降低大尺寸OLED顯示器件的IR drop。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種頂發(fā)射型OLED顯示器件結(jié)構(gòu)。請同時參閱圖2至圖4，所述頂發(fā)射型OLED顯示器件結(jié)構(gòu)包括：

TFT陣列基板1；具體地，所述TFT陣列基板1包括呈矩陣式分布的多個開關(guān)TFT T1、與開關(guān)TFT T1對應(yīng)連接的多個驅(qū)動TFT T2、以及覆蓋開關(guān)TFT T1與驅(qū)動TFT T2的平坦層18；進一步地，按照現(xiàn)有的常規(guī)設(shè)計，所述開關(guān)TFT T1與驅(qū)動TFT T2均設(shè)置在襯底基板11上；所述開關(guān)TFT T1包括自下至上依次設(shè)置的第一柵極121、柵極絕緣層13、第一有源層141、蝕刻阻擋層15、第一源極161與第一漏極162、及保護層17；所述驅(qū)動TFT T2包括自下至上依次設(shè)置的第二柵極122、柵極絕緣層13、第二有源層142、蝕刻阻擋層15、第二源極163與第二漏極164、及保護層17；其中，第一源極161與第一漏極162分別接觸連接第一有源層141的兩側(cè)，第二源極163與第二漏極164分別接觸連接第二有源層142的兩側(cè)，開關(guān)TFT T1的第一漏極162接觸連接驅(qū)動TFT T2的第二柵極122；

設(shè)在所述TFT陣列基板1上的呈矩陣式分布的多個頂發(fā)射型OLED 3；每一頂發(fā)射型OLED 3包括自下至上依次層疊的陽極31、有機發(fā)光材料層32、及透明陰極33；每一頂發(fā)射型OLED 3具有發(fā)光區(qū)域A1、及除發(fā)光區(qū)域A1以外的非發(fā)光區(qū)域A2；

設(shè)在陽極31與有機發(fā)光材料層32之間、及平坦層18與有機發(fā)光材料層32之間的像素定義層2；具體地，所述像素定義層2具有暴露出部分陽極31的過孔21，所述頂發(fā)射型OLED 3對應(yīng)于所述過孔21的區(qū)域為發(fā)光區(qū)域A1，其它區(qū)域為非發(fā)光區(qū)域A2；

與TFT陣列基板1對組的封裝蓋板5；具體地，所述封裝蓋板5的材質(zhì)優(yōu)選玻璃；

于封裝蓋板5上對應(yīng)頂發(fā)射型OLED 3的非發(fā)光區(qū)域A2的部分設(shè)置的輔助電極7；具體地，所述輔助電極7為金屬線或納米銀漿；

以及涂布在所述輔助電極7上的單層納米金球9；具體地，請參閱圖5，所述納米金球9包括塑料微粒子91、鍍在塑料微粒子91外表面的鎳層92、及鍍在鎳層92外表面的金層93；所述納米金球9涂布在輔助電極7上對應(yīng)避開開關(guān)TFT T1與驅(qū)動TFT T2的位置。

所述納米金球9導(dǎo)通輔助電極7與頂發(fā)射型OLED 3的透明陰極33，能夠增強透明陰極33的導(dǎo)電率，提高所述透明陰極33的導(dǎo)電能力，降低大尺寸OLED顯示器件的IR drop。值得注意的是，由于所述輔助電極7設(shè)置在封裝蓋板5上對應(yīng)頂發(fā)射型OLED 3的非發(fā)光區(qū)域A2的部分，而不是像現(xiàn)有技術(shù)那樣直接設(shè)置在頂發(fā)射型OLED的透明陰極上，輔助電極7的制程便不受制程溫度的限制，不存在污染或破壞頂發(fā)射型OLED的陰極與有機發(fā)光材料層的問題，避免損傷有機發(fā)光材料層與陰極。

綜上所述，本發(fā)明的頂發(fā)射型OLED顯示器件的制作方法，在封裝蓋板上對應(yīng)頂發(fā)射型OLED的非發(fā)光區(qū)域的部分制備輔助電極，在所述輔助電極上涂布納米金球，對組封裝蓋板與TFT陣列基板并進行封裝后，納米金球?qū)ㄝo助電極與頂發(fā)射型OLED的透明陰極，能夠避免輔助電極制程對有機發(fā)光材料層與陰極的損傷，增強陰極的導(dǎo)電率，降低大尺寸OLED顯示器件的IR drop。本發(fā)明的頂發(fā)射型OLED顯示器件結(jié)構(gòu)，將輔助電極設(shè)置在封裝蓋板上，并在輔助電極上涂布單層納米金球，通過納米金球?qū)ㄝo助電極與頂發(fā)射型OLED的透明陰極，能夠增強陰極的導(dǎo)電率，降低大尺寸OLED顯示器件的IR drop。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護范圍。