本申請要求于2015年11月26日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2015-0166408號的優(yōu)先權(quán)和益處，其全部內(nèi)容通過參考并入本文。

背景技術(shù)：

1、技術(shù)領域

本公開的實施方式的一個或更多個方面涉及有機發(fā)光裝置。

2、相關技術(shù)的描述

有機發(fā)光裝置為自發(fā)射光裝置，其相較于本領域中的相關顯示裝置具有寬視角、高對比度、短響應時間和優(yōu)異的亮度、驅(qū)動電壓和響應速度特征。例如，有機發(fā)光裝置可包括布置(例如，放置)在基板上的第一電極，和順序布置在第一電極上的空穴傳輸區(qū)、發(fā)光層、電子傳輸區(qū)和第二電極。從第一電極提供的空穴可通過空穴傳輸區(qū)向發(fā)光層移動，且由第二電極提供的電子可通過電子傳輸區(qū)向發(fā)光層移動。諸如空穴和電子的載流子然后可以在發(fā)光層中復合而產(chǎn)生激子。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的實施方式的一個或更多個方面涉及具有高效率和長壽命的有機發(fā)光裝置。

另外的方面將部分在下面的描述中闡釋和部分將從描述中顯而易見，或可通過實施本發(fā)明實施方式而了解。

根據(jù)一個或多個實施方式，有機發(fā)光裝置包括：

第一電極；

面對第一電極的第二電極；

在第一電極和第二電極之間的發(fā)光層；

在第一電極和發(fā)光層之間的空穴傳輸區(qū)；以及

在發(fā)光層和第二電極之間的電子傳輸區(qū)，

其中空穴傳輸區(qū)包括第一化合物，發(fā)光層包括第二化合物和第三化合物，且電子傳輸區(qū)包括第四化合物和第五化合物，

其中發(fā)光層中包括的第二化合物為熒光主體且發(fā)光層中包括的第三化合物為熒光摻雜劑，

第一化合物和第四化合物各自獨立地包括選自由式A至D表示的基團中的至少一個基團，

選自第二化合物和第三化合物中的至少一種包括選自由式A至D表示的基團中的至少一個基團，以及

第五化合物包括包含*＝N-*'的含氮雜環(huán)基團作為成環(huán)部分：

其中，在式A至D中，

環(huán)A₁、環(huán)A₂、環(huán)A₁₁、環(huán)A₁₂、環(huán)A₂₁、環(huán)A₂₂、環(huán)A₃₁和環(huán)A₃₂可以各自獨立地選自C₅-C₃₀碳環(huán)基團和C₁-C₃₀雜環(huán)基團，

R₁至R₄、R₁₁至R₁₃、R₂₁至R₂₄和R₃₁至R₃₄可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代的或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代的或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團、取代的或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)和-N(Q₄)(Q₅)，其中Q₁至Q₅如本文所定義。

c1、c2、c11、c12、c21、c22、c31和c32可以各自獨立地為選自0至10的整數(shù)，

R₁和R₃可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₂和R₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₃和R₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₁₂和R₁₃可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₂₁和R₂₃可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₂₃和R₂₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₂₂和R₂₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₃₁和R₃₃可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，且R₃₃和R₃₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，且

*和*'各自指示與相鄰原子的結(jié)合位點。

附圖說明

結(jié)合附圖，這些和/或其他方面將由實施方式的下列描述變得顯而易見且更易理解，其中：

圖1是根據(jù)實施方式的有機發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖；以及

圖2是根據(jù)另一實施方式的有機發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細地參考實施方式，其實例于附圖中闡述，其中相同的參考數(shù)字通篇指相同的元件。在這方面，本發(fā)明實施方式可以具有不同的形式并且不應解釋為限于本文列出的描述。因此，通過參考附圖下面僅描述實施方式，以解釋本說明書的各個方面。諸如“……中的至少一個”、“……中的一個”和“選自……”的表述，在一列元件之前時，修飾整列元件，而不是修飾該列中的單個元件。此外，在描述本發(fā)明的實施方式時使用“可以”是指“本發(fā)明的一個或多個實施方式”。

根據(jù)本公開的實施方式的有機發(fā)光裝置可以包括：第一電極、面對第一電極的第二電極、在第一電極和第二電極之間的發(fā)光層、在第一電極和發(fā)光層之間的空穴傳輸區(qū)；和在發(fā)光層和第二電極之間的電子傳輸區(qū)，其中空穴傳輸區(qū)可包括第一化合物，發(fā)光層可包括第二化合物和第三化合物，并且電子傳輸區(qū)可包括第四化合物和第五化合物，其中發(fā)光層中包括的第二化合物可以為熒光主體且發(fā)光層中包括的第三化合物可以為熒光摻雜劑。

第一電極可以為陽極且第二電極可以為陰極。第一電極和第二電極的描述可以通過參考下面提供的描述來理解。

第一化合物和第四化合物可以各自獨立地包括選自由下面式A至D表示的基團中的至少一個基團，

選自第二化合物和第三化合物中至少一種可以包括選自由下面式A至D表示的基團中的至少一個基團，以及

第五化合物可以包括包含*＝N-*'的含氮雜環(huán)基團作為成環(huán)部分：

在式A至D中，環(huán)A₁、環(huán)A₂、環(huán)A₁₁、環(huán)A₁₂、環(huán)A₂₁、環(huán)A₂₂、環(huán)A₃₁和環(huán)A₃₂可以各自獨立地選自C₅-C₃₀碳環(huán)基團和C₁-C₃₀雜環(huán)基團。

例如，在式A至D中，環(huán)A₁、環(huán)A₂、環(huán)A₁₁、環(huán)A₁₂、環(huán)A₂₁、環(huán)A₂₂、環(huán)A₃₁和環(huán)A₃₂可以各自獨立地選自苯、萘、菲、蒽、芴、苯并芴、屈、苯并菲、吡啶、嘧啶、喹啉、異喹啉、苯并喹啉、喹喔啉、喹唑啉、菲咯啉、吲哚、咔唑、苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩和苯并萘并噻吩。

在各個實施方式中，在式A至D中，環(huán)A₁、環(huán)A₂、環(huán)A₁₁、環(huán)A₁₂、環(huán)A₂₁、環(huán)A₂₂、環(huán)A₃₁和環(huán)A₃₂可以各自獨立地選自苯、萘、芴、蒽、菲、屈、苯并菲、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩和苯并萘并噻吩。

在式A至D中，R₁至R₄、R₁₁至R₁₃、R₂₁至R₂₄和R₃₁至R₃₄可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代的或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代的或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團、取代的或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)和-N(Q₄)(Q₅)，其中Q₁至Q₅如本文所定義。

例如，在式A至D中，R₁至R₄、R₁₁至R₁₃、R₂₁至R₂₄和R₃₁至R₃₄可以各自獨立地選自由以下組成的組：

氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基；

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基；

各自被選自以下的至少一個取代的C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、C₆-C₁₆芳基、C₃-C₁₆雜芳基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)和-N(Q₃₄)(Q₃₅)；以及

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)和-N(Q₄)(Q₅)，

其中Q₁至Q₅和Q₃₁至Q₃₅可以各自獨立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在各個實施方式中，在式A至D中，R₁至R₄、R₁₁至R₁₃、R₂₁至R₂₄和R₃₁至R₃₄可以各自獨立地選自由以下組成的組：

氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基；

各自被選自以下的至少一個取代的C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基和氨基；

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、萘基、菲基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔啉基和咔唑基；

各自被選自以下的至少一個取代的C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、萘基、菲基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔啉基和咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基和C₆-C₁₆芳基；以及

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)和-N(Q₄)(Q₅)，

其中Q₁至Q₅可以各自獨立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、菲基、蒽基和萘基。

在式A至D中，c1、c2、c11、c12、c21、c22、c31和c32可以各自獨立地為選自0至10的整數(shù)。例如，c1指示式A中R₁的數(shù)目，其中當c1為2或更大時，兩個或更多個R₁可以彼此相同或不同。c2、c11、c12、c21、c22、c31和c32的描述可以通過參考本文結(jié)合式A至D的結(jié)構(gòu)以及c1提供的描述來理解。

在各個實施方式中，c1、c2、c11、c12、c21、c22、c31和c32可以各自獨立地為0或1。

在式A至D中，R₁和R₃可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₂和R₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₃和R₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₁₂和R₁₃可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₂₁和R₂₃可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₂₃和R₂₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₂₂和R₂₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，R₃₁和R₃₃可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，以及R₃₃和R₃₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)。

在式A至D中，*和*'各自指示與相鄰原子的結(jié)合位點。

在各個實施方式中，第一化合物和第四化合物可以各自獨立地包括選自由下面式A-1、A-2、B-1、C-1、C-2和D-1表示的基團中的至少一個基團，以及

第二化合物和第三化合物中的至少一個各自獨立地包括選自由下面式A-1、A-2、B-1、C-1、C-2和D-1表示的基團中的至少一個基團：

在式A-1、A-2、B-1、C-1、C-2和D-1中，

A₁、A₂、A₁₁、A₂₂、A₃₂、R₁至R₄、R₁₁至R₁₃、R₂₁至R₂₄和R₃₁至R₃₄的描述可以通過參考本文提供的其描述來理解，

c1、c2、c11、c12、c21、c22、c31和c32的描述可以通過參考本文提供的其描述來理解，且

*和*'各自指示與相鄰原子的結(jié)合位點。

在各個實施方式中，第一化合物和第四化合物可以各自獨立地包括選自由下面式A(1)至A(27)、B(1)、B(2)、C(1)至C(9)，和D(1)至D(4)表示的基團中的至少一個基團，以及

選自第二化合物和第三化合物中的至少一個可以包括選自由下面式A(1)至A(27)、B(1)、B(2)、C(1)至C(9)和D(1)至D(4)表示的基團中的至少一個基團：

在式A(1)至A(27)、B(1)至B(6)、C(1)至C(9)和D(1)至D(4)中，

R₁至R₄、R₁₁至R₁₃、R₂₁至R₂₄、R₃₁至R₃₄中的描述可以通過參考本文提供的其描述來理解，

c1、c2、c11、c12、c21、c22、c31和c32的描述可以通過參考本文提供的其描述來理解，

R_2a、R_2b和R_2c的描述可以各自獨立地與本文提供的R₂的描述相同，

ca2、cb2和cc2的描述可以各自獨立地與本文提供的c2的描述相同，

R_3a的描述可以與本文提供的R₃的描述相同，

R_4a的描述可以與本文提供的R₄的描述相同，

ca3的描述可以與本文提供的c3的描述相同，

ca4的描述可以與本文提供的c3的描述相同，

R_11a和R_11b的描述可以各自獨立地與本文提供的R₁₁的描述相同，

ca11和cb11的描述可以各自獨立地與本文提供的c11的描述相同，

R_22a和R_22b的描述可以各自獨立地與本文提供的R₂₂的描述相同，

ca22和cb22的描述可以各自獨立地與本文提供的c22的描述相同，

R_32a和R_32b的描述可以各自獨立地與本文提供的R₃₂的描述相同，

ca32和cb32的描述可以各自獨立地與本文提供的c32的描述相同，

R_1a、R_1b和R_1c的描述可以各自獨立地與本文提供的R₁的描述相同，

ca1、cb1和cc1的描述可以各自獨立地與本文提供的c1的描述相同，且

*和*'各自指示與相鄰原子的結(jié)合位點。

在各個實施方式中，第一化合物可以選自由下面式1-1和1-2表示的化合物，

第二化合物可以選自由下面式2-1和2-2表示的化合物，

第三化合物可以選自由下面式3-1和3-2表示的化合物，

第四化合物可以包括包含*＝N-*'的含氮雜環(huán)基團作為成環(huán)部分，且可以選自由下面式4-1至4-3中的一個表示的化合物，以及

第五化合物可以包括包含*＝N-*'的含氮雜環(huán)基團作為成環(huán)部分，且可以選自由下面式5-1和5-2表示的化合物：

式1-1

式1-2

式2-1

式2-2

(R₄₁)_c41-(L₁₁)_a11-Ar₁₁

式3-1

式3-2

式4-1

式4-2

式4-3

式5-1

式5-2

在式4-1中，X₁可以為C-(L₃₃)_a33-Ar₃₃或N，X₁₁可以為C-(L₃₄)_a34-(R₅₁)或N，X₁₂可以為C-(L₃₅)_a35-(R₅₂)或N，且X₁₃可以為C-(L₃₆)_a36-(R₅₃)或N，其中選自X₁和X₁₁至X₁₃中的至少一個可以為N。

在各個實施方式中，在式4-1中，

i)X₁可以為C-(L₃₃)_a33-Ar₃₃，且X₁₁至X₁₃可以為N，

ii)X₁可以為C-(L₃₃)_a33-Ar₃₃，X₁₁和X₁₃可以為N，且X₁₂可以為C-(L₃₅)_a35-(R₅₂)，或

iii)X₁可以為N，X₁₁可以為C-(L₃₄)_a34-(R₅₁)，X₁₂可以為C-(L₃₅)_a35-(R₅₂)，且X₁₃可以為N。

在式5-1中，X₂₁可以為C-(L₄₄)_a44-(R₆₁)或N，X₂₂可以為C-(L₄₅)_a45-(R₆₂)或N，且X₂₃可以為C-(L₄₆)_a46-(R₆₃)或N，其中選自X₂₁至X₂₃中的至少一個可以為N。

在各個實施方式中，在式5-1中，

i)X₂₁至X₂₃可以各自為N，

ii)X₂₁和X₂₂可以為N，且X₂₃可以為C-(L₄₆)_a46-(R₆₃)，或

iii)X₂₁可以為N，X₂₂可以為C-(L₄₅)_a45-(R₆₂)，且X₂₃可以為C-(L₄₆)_a46-(R₆₃)。

在式2-1、4-2和5-2中，A₄₁、A₅₁和A₆₁可以各自獨立地選自C₅-C₃₀碳環(huán)基團和C₁-C₃₀雜環(huán)基團。

例如，在式2-1、4-2和5-2中，A₄₁、A₅₁和A₆₁可以各自獨立地選自萘、庚搭烯、芴、螺-芴、苯并芴、二苯并芴、非那烯、菲、蒽、熒蒽、苯并菲、芘、屈、并四苯、苉、苝、戊芬和茚并蒽。

在各個實施方式中，在式2-1、4-2和5-2中，A₄₁、A₅₁和A₆₁可以各自獨立地選自苯、萘、蒽和苯并菲，但并不限于此。

在上面的式中，L₁至L₅、L₁₁、L₁₂、L₂₁至L₂₅、L₃₁至L₃₆和L₄₁至L₄₆可以各自獨立地選自：

由上面式C表示的基團、由上面式D表示的基團、取代的或未取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀亞芳基、取代的或未取代的C₁-C₆₀亞雜芳基、取代的或未取代的二價非芳族稠合多環(huán)基團和取代的或未取代的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團。

例如，在上面式中，L₁至L₅、L₁₁、L₁₂、L₂₁至L₂₅、L₃₁至L₃₆和L₄₁至L₄₆可以各自獨立地選自由以下組成的組：

由上面式C表示的基團、由上面式D表示的基團、亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達省基、亞苊基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞吡咯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞吡啶基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞異吲哚基、亞吲哚基、亞吲唑基、亞嘌呤基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞咔唑基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞異苯并噻吩基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞噁二唑基、亞三嗪基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞噻二唑基、亞咪唑并吡啶基和亞咪唑并嘧啶基；以及

各自被選自以下的至少一個取代的亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達省基、亞苊基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞吡咯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞吡啶基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞異吲哚基、亞吲哚基、亞吲唑基、亞嘌呤基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞咔唑基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞異苯并噻吩基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞噁二唑基、亞三嗪基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞噻二唑基、亞咪唑并吡啶基和亞咪唑并嘧啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基。

在各個實施方式中，在上面式中，L₁至L₅、L₁₁、L₁₂、L₂₁至L₂₅、L₃₁至L₃₆和L₄₁至L₄₆可以各自獨立地選自由上面式C表示的基團、由上面式D表示的基團和由下面式6-1至6-44中的任一個表示的基團：

在式6-1至6-44中，

Y₁可以選自O、S、N(Z₃)和Si(Z₄)(Z₅)，

Z₁至Z₅可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基和-Si(Q₃₃)(Q₃₄)(Q₃₅)，

其中Q₃₃至Q₃₅可以各自獨立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基，

d2可以為1或2，

d3可以為選自1至3的整數(shù)，

d4可以為選自1至4的整數(shù)，

d5可以為選自1至5的整數(shù)，

d6可以為選自1至6的整數(shù)，

d8可以為選自1至8的整數(shù)，且

*和*'各自指示與相鄰原子的結(jié)合位點。

在各個實施方式中，L₁至L₅、L₁₁、L₂₁至L₂₅、L₃₁至L₃₆和L₄₁至L₄₃可以各自獨立地選自由上面式C表示的基團、由上面式D表示的基團和由下面式7-1至7-39中的任一個表示的基團：

在式7-1至7-39中，*和*'各自指示與相鄰原子的結(jié)合位點，且“D”可以是指氘。

在上面的式中，a1至a5、a11、a12、a21至a25、a31至a36和a41至a46可以各自獨立地為選自0至3的整數(shù)。在上面的式中，a1指示式1-1和1-2中的L₁的數(shù)目，其中當a1為0時，*-(L₁)_a1-*'指示單鍵。當a1為2或更大時，兩個或更多個L₁可以彼此相同或不同。a2至a5、a11、a12、a21至a25、a31至a36和a41至a46的描述可以通過參考本文結(jié)合式1-1、1-2、2-1、2-2、3-1、3-2、4-1至4-3、5-1和5-2的結(jié)構(gòu)以及a1提供的描述來理解。

在各個實施方式中，a1至a4、a11、a12、a21至a24、a31至a36和a41至a46可以各自獨立地為0或1，且a5和a25可以各自獨立地為1或2。

在上面的式中，Ar₁至Ar₄、Ar₁₁、Ar₂₁至Ar₂₄、Ar₃₁至Ar₃₃、Ar₄₁至Ar₄₃、E₄₁和E₅₁可以各自獨立地選自由上面式A表示的基團、由上面式B表示的基團、取代的或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團和取代的或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團。

例如，Ar₁至Ar₄、Ar₁₁、Ar₂₁至Ar₂₄、Ar₃₁至Ar₃₃、Ar₄₁至Ar₄₃、E₄₁和E₅₁可以各自獨立地選自由以下組成的組：

由上面式A表示的基團、由上面式B表示的基團、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基；以及

各自被選自以下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、氮雜咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、氮雜咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)，

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基。

在各個實施方式中，Ar₁至Ar₄、Ar₁₁、Ar₂₁至Ar₂₄、Ar₃₁至Ar₃₃、Ar₄₁至Ar₄₃、E₄₁和E₅₁可以各自獨立地選自由上述式A表示的基團、由上面式B表示的基團和由下面式8-1至8-82中任一個表示的基團：

在式8-1至8-82中，

Y₁₁可以選自O、S、N(Z₁₄)和Si(Z₁₅)(Z₁₆)，

Z₁₁至Z₁₆可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基和-Si(Q₃₃)(Q₃₄)(Q₃₅)，

其中Q₃₃至Q₃₅可以各自獨立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基，

e2可以為1或2，

e3可以為選自1至3的整數(shù)，

e4可以為選自1至4的整數(shù)，

e5可以為選自1至5的整數(shù)，

e6可以為選自1至6的整數(shù)，

e7可以為選自1至7的整數(shù)，

e9可以為選自1至9的整數(shù)，且

*指示各自指示與相鄰原子的結(jié)合位點。

在各個實施方式中，在上面的式中，Ar₁至Ar₄、Ar₁₁、Ar₂₁至Ar₂₄、Ar₃₁至Ar₃₃、Ar₄₁至Ar₄₃、E₄₁和E₅₁可以各自獨立地選自由上面式A表示的基團、由上面式B表示的基團和由下面式9-1至9-161中任一個表示的基團：

在式9-1至9-161中，*指示與相鄰原子的結(jié)合位點，且“D”可以是指氘。

在式1-2中，Ar₁和Ar₂可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，且Ar₃和Ar₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)。

在各個實施方式中，i)選自式1-1中的Ar₁至Ar₃中的至少一個可以選自由式A和B表示的基團，或ii)選自式1-1中的L₁至L₃中的至少一個可以選自由式C和D表示的基團。

在各個實施方式中，i)選自式1-2中的Ar₁至Ar₄中的至少一個可以選自由式A和B表示的基團，或ii)式1-2中的L₅可以選自由式C和D表示的基團。

在各個實施方式中，i)式1-2中的Ar₁₁可以選自由式A和B表示的基團，ii)選自式2-1中的L₁₁和L₁₂中的至少一個選自由式C和D表示的基團，iii)式2-2中的L₁₁選自由式C和D表示的基團，iv)選自式3-1中的L₂₁至L₂₃中的至少一個選自由式C和D表示的基團，v)選自式3-1中的Ar₂₁至Ar₂₃中的至少一個選自由式A和B表示的基團，vi)式3-2中的L₂₅選自由式C和D表示的基團，vii)選自式3-2中的Ar₂₁至Ar₂₄中的至少一個選自由式A和B表示的基團，或viii)式2-1中的Ar₁₁選自由式A和B表示的基團，選自式2-1中的L₁₁和L₁₂中的至少一個選自由式C和D表示的基團，式2-2中的L₁₁選自由式C和D表示的基團，選自式3-1中的L₂₁至L₂₃中的至少一個選自由式C和D表示的基團，選自式3-1中的Ar₂₁至Ar₂₃中的至少一個選自由式A和B表示的基團，式3-2中的L₂₅選自由式C和D表示的基團，且選自式3-2中的Ar₂₁至Ar₂₄中的至少一個選自由式A和B表示的基團。

例如，當式2-1中的Ar₁₁選自由式A和B表示的基團時，當選自式2-1中的L₁₁和L₁₂中的至少一個選自由式C和D表示的基團時、或當式2-2中的L₁₁選自由式C和D表示的基團時，i)選自式3-1中的L₂₁至L₂₃中的至少一個可以選自由式C和D表示的基團，ii)選自式3-1中的Ar₂₁至Ar₂₃中的至少一個可以選自由式A和B表示的基團，iii)式3-2中的L₂₅可以選自由式C和D表示的基團，iv)選自式3-2中的Ar₂₁至Ar₂₄中的至少一個可以選自由式A和B表示的基團，或v)選自式3-1中的L₂₁至L₂₃中的至少一個可以不選自由式C和D表示的基團，選自式3-1中的Ar₂₁至Ar₂₃中的至少一個可以不選自由式A和B表示的基團，式3-2中的L₂₅可以不選自由式C和D表示的基團，且選自式3-2中的Ar₂₁至Ar₂₄中的至少一個可以不選自由式A和B表示的基團。

在一些實施方式中，當式2-1中的Ar₁₁不選自由式A和B表示的基團時，當選自式2-1中的L₁₁和L₁₂中的至少一個不選自由式C和D表示的基團時，或當式2-2中的L₁₁不選自由式C和D表示的基團時，i)選自式3-1中的L₂₁至L₂₃中的至少一個可以選自由式C和D表示的基團，ii)選自式3-1中的Ar₂₁至Ar₂₃中的至少一個可以選自由式A和B表示的基團，iii)式3-2中的L₂₅可以選自由式C和D表示的基團，或iv)選自式3-2中的Ar₂₁至Ar₂₄中的至少一個可以選自由式A和B表示的基團。

即，不包括如下實施方式：其中式2-1中的Ar₁₁不選自由式A和B表示的基團，選自式2-1中的L₁₁和L₁₂中的至少一個不選自由式C和D表示的基團，式2-2中的L₁₁不選自由式C和D表示的基團，選自式3-1中的L₂₁至L₂₃中的至少一個不選自由式C和D表示的基團，選自式3-1中的Ar₂₁至Ar₂₃中的至少一個不選自由式A和B表示的基團，式3-2中的L₂₅不選自由式C和D表示的基團，且選自式3-2中的Ar₂₁至Ar₂₄中的至少一個不選自由式A和B表示的基團。

選自式4-1中的Ar₃₁至Ar₃₃中的至少一個可以選自由式A和B表示的基團。

在式4-2中，Ar₃₁可以選自由式A和B表示的基團，且E₄₁可以包括包含*＝N-*'的含氮雜環(huán)基團作為成環(huán)部分。

在式4-3中，Ar₃₁可以選自由式A和B表示的基團，且E₄₁可以包括包含*＝N-*'的含氮雜環(huán)基團作為成環(huán)部分。

在式5-2中，E₅₁可以包括包含*＝N-*'的含氮雜環(huán)基團作為成環(huán)部分。

由式1-1或1-2表示的第一化合物和由式4-1至4-3表示的第四化合物可以包括選自由式A至D表示的基團的基團，且選自由式2-1或2-2表示的第二化合物和由式3-1或3-2表示的第三化合物中的的至少一種可以包括選自由式A至D表示的基團的基團。

在式4-2、4-3和5-2中，E₄₁和E₅₁可以各自獨立地包括包含*＝N-*'的含氮雜環(huán)基團作為成環(huán)部分。

例如，E₄₁和E₅₁可以各自獨立地選自由以下組成的組：

吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基；以及

各自被選自以下的至少一個取代的吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、菲基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基和苯并噁唑基。

在各個實施方式中，E₄₁和E₅₁可以各自獨立地選自由上面式8-1至8-60表示的基團。

在各個實施方式中，E₄₁和E₅₁可以各自獨立地選自由上面式9-1至9-117表示的基團。

在上面的式中，R₄₁、R₅₁至R₅₃、R₆₁至R₆₃和R₇₁可以各自獨立地選自：

氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代的或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代的或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團、取代的或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團和-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)，其中Q₁至Q₃可以各自獨立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

例如，R₄₁、R₅₁至R₅₃、R₆₁至R₆₃和R₇₁可以各自獨立地選自由以下組成的組：

氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基；

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基；

各自被選自以下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)，以及

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)，

其中Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自獨立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在各個實施方式中，R₄₁、R₅₁至R₅₃、R₆₁至R₆₃和R₇₁可以各自獨立地選自由以下組成的組：

氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、C₁-C₁₀烷基和C₁-C₁₀烷氧基，

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和咔唑基，

各自被選自以下的至少一個取代的C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)；以及

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)，

其中Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自獨立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在式2-2中，c41可以為選自0至10的整數(shù)。在式2-2中，c41指示式2-2中R₄₁的數(shù)目，其中當c41為2或更大時，兩個或更多個R₄₁可以彼此相同或不同。

在各個實施方式中，c41可以為0、1或2。

在式2-1、4-2、4-3和5-2中，n11、n12、n21、n22、n31和n32可以各自獨立地為0至10的整數(shù)。在式2-1中，n11和n12不同時為0，在式4-2中，n21和n22不同時為0，在式5-2中，n31和n32不同時為0。在式2-1、4-2、4-3和5-2中，n11指示*-(L₁₁)_a11-Ar₁₁的數(shù)目，其中當n11為2或更大時，兩個或更多個*-(L₁₁)_a11-Ar₁₁可以彼此相同或不同。n12、n21、n22、n31和n32的描述可以通過參考本文結(jié)合n11和式2-1、4-2、4-3和5-2的相應結(jié)構(gòu)提供的描述來理解。

在各個實施方式中，n11、n21、n22和n31可以為1或2，且n32可以為0或1。

在各個實施方式中，第一化合物可以選自由下面式1-1(1)至1-1(5)和1-2(1)至1-2(3)表示的化合物，

第二化合物可以選自表示由下面式2-1(1)和2-2(1)至2-2(4)表示的化合物，

第三化合物可以選自由下面式3-1(1)和3-2(1)至3-2(8)表示的化合物，

第四化合物可以選自由式4-1(1)至4-1(3)、4-2(1)和4-3(1)表示的化合物，以及

第五化合物可以選自由下面式5-1(1)、5-1(2)和5-2(1)表示的化合物：

式1-1(1)

式1-1(2)

式1-1(3)

式1-1(4)

式1-1(5)

式1-2(1)

式1-2(2)

式1-2(3)

式2-1(1)

式2-2(1)

式2-2(2)

式2-2(3)

式2-2(4)

式3-1(1)

式3-2(1)

式3-2(2)

式3-2(3)

式3-2(4)

式3-2(5)

式3-2(6)

式3-2(7)

式3-2(8)

式4-1(1)

式4-1(2)

式4-1(3)

式4-2(1)

式4-3(1)

E₄₁-Ar₃₁

式5-1(1)

式5-1(2)

式5-2(1)

在上面的式中，L₁至L₄、L₁₁、L₁₂、L₂₁至L₂₄、L₃₁至L₃₅、L₄₁至L₄₃、L₄₆、a1至a4、a11、a12、a21至a24、a31至a35、a41至a43、a46、Ar₁至Ar₄、Ar₁₁、Ar₂₁至Ar₂₄、Ar₃₁至Ar₃₅、Ar₄₁至Ar₄₃、E₄₁、E₅₁、R₁、R_2a、R_2b、R₃、R₄、R₂₁至R₂₄、R_22a、R_22b、R₃₁至R₃₄、R₄₁、R₅₂、R₆₃、R₇₁、c1、c21、c22、ca22、cb22、c31、c32、c41、n21、n22、n31、n32、Y₁、Z₁至Z₅、Z₁₁至Z₁₃、d3、d4、d5、d8、e3和e4的描述可以通過參考本文提供的其描述來理解。

L_11a和L_11b的描述可以通過參考本文結(jié)合L₁₁提供的描述來理解。

aa11和ab11的描述可以通過參考本文結(jié)合a11提供的描述來理解。

在各個實施方式中，第一化合物可以為下面化合物1-1至1-20中的一個，

第二化合物可以為下面化合物2-1至2-19中的一個，

第三化合物可以為下面化合物3-1至3-18中的一個，

第四化合物可以為下面化合物4-1至4-19中的一個，以及

第五化合物可以為下面化合物5-1至5-9中的一個：

選自第一化合物至第四化合物中的至少兩種化合物可以具有2.4eV或更大，例如，2.5eV或更大的最低三重態(tài)能量。當最低三重態(tài)能量在上述范圍內(nèi)時，例如，在熒光有機發(fā)光裝置的情況下，其發(fā)光效率可以由于三重態(tài)-三重態(tài)融合(TTF)得以改善，并且在磷光性有機發(fā)光裝置的情況下，在發(fā)光層中形成的三重態(tài)激子的躍遷可以被阻擋或減少，從而防止或減少效率降低。

第一化合物至第四化合物可以各自獨立地具有不對稱結(jié)構(gòu)。當?shù)谝换衔镏恋谒幕衔锞哂胁粚ΨQ結(jié)構(gòu)時，可以降低或減少有機層中的分子堆疊和聚集。因此，例如，當?shù)谝换衔镏恋谒幕衔镏械娜我环N用作包括各自化合物的各層中的基質(zhì)材料時，有機發(fā)光裝置可以顯示減少的劣化和改善的壽命。

在各個實施方式中，空穴傳輸區(qū)可以包括第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層(在第一空穴傳輸層和發(fā)光層之間)，其中選自第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層中的至少一個可以包括第一化合物。

在各個實施方式中，第二空穴傳輸層可以直接接觸發(fā)光層。

在各個實施方式中，電子傳輸區(qū)可以包括第一電子傳輸層和第二電子傳輸層(在第二電極和第一電子傳輸層之間)，其中選自第一電子傳輸層和第二電子傳輸層中的至少一個可以包括第四化合物。

在各個實施方式中，第一電子傳輸層可以包括第四化合物且第二電子傳輸層可以包括第五化合物，或第一電子傳輸層可以包括第五化合物，且第二電子傳輸層可以包括第四化合物。

在各個實施方式中，第一電子傳輸層可以直接接觸發(fā)光層。

在有機發(fā)光裝置中，包括選自由上面式A至D表示的基團的基團的化合物(例如，部分包括芴部分的化合物)可以包括于空穴傳輸區(qū)、發(fā)光層和電子傳輸區(qū)中的每一個中。在這方面，由于空穴傳輸區(qū)、發(fā)光層和電子傳輸區(qū)中的每一個中包括的化合物的分子結(jié)構(gòu)具有相似性，可以促進電荷的移動，且因此，可以改善空穴傳輸區(qū)、發(fā)光層和電子傳輸區(qū)中的每一個中的界面性質(zhì)，從而達到改善的有機發(fā)光裝置的穩(wěn)定性和壽命。

在下文，將結(jié)合圖1描述根據(jù)實施方式的有機發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)和制造根據(jù)實施方式的有機發(fā)光裝置的方法。

圖1是根據(jù)實施方式的有機發(fā)光裝置10的示意性橫截面視圖。

有機發(fā)光裝置10的結(jié)構(gòu)包括以敘述的次序順序堆疊的第一電極110、空穴傳輸區(qū)130、發(fā)光層150、電子傳輸區(qū)170和第二電極190。

在圖1中，基板可以另外布置(例如，放置)在第一電極110之下或第二電極190之上?；蹇梢詾椴ＡЩ寤蛲该魉芰匣澹髯跃哂袃?yōu)異的機械強度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面光滑度、易操作性和/或耐水性。

第一電極110可通過在基板上沉積或濺射用于形成第一電極110的材料而形成。當?shù)谝浑姌O110為陽極時，用于形成第一電極110的材料可以選自具有高功函以促進空穴注入的材料。第一電極110可以為反射電極、半透射電極或透射電極。用于形成第一電極110的材料可以為透明且高導電材料，且此類材料的非限制性例子包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO₂)和氧化鋅(ZnO)。當?shù)谝浑姌O110為半透射電極或反射電極時，選自鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)和鎂-銀(Mg-Ag)中的至少一個可以用作用于形成第一電極110的材料。

第一電極110可以具有單層結(jié)構(gòu)或包括兩個或更多個層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極110可以具有ITO/Ag/ITO的三層結(jié)構(gòu)，但是第一電極110的結(jié)構(gòu)并不限于此。

在第一電極110上，可以以敘述的次序順序堆疊空穴傳輸區(qū)130、發(fā)光層150和電子傳輸區(qū)170。

空穴傳輸區(qū)130可以包括第一化合物，發(fā)光層150可以包括第二化合物和第三化合物，且電子傳輸區(qū)170可以包括第四化合物和第五化合物。第一化合物、第二化合物、第三化合物、第四化合物和第五化合物的描述可以通過參考本文提供的其描述來理解。

空穴傳輸區(qū)130可以包括選自空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、緩沖層和電子阻擋層(EBL)中的至少一個；且電子傳輸區(qū)170可以包括選自空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的至少一個，但它們并不限于此。

空穴傳輸區(qū)130可以具有由單一材料形成的單層結(jié)構(gòu)、由多種不同材料形成的單層結(jié)構(gòu)，或具有由多種不同材料形成的多個層的多層結(jié)構(gòu)。

例如，空穴傳輸區(qū)130可以具有由多種不同材料形成的單層結(jié)構(gòu)，或空穴注入層/空穴傳輸層的結(jié)構(gòu)、空穴注入層/空穴傳輸層/緩沖層的結(jié)構(gòu)、空穴注入層/緩沖層的結(jié)構(gòu)、空穴傳輸層/緩沖層的結(jié)構(gòu)、或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層的結(jié)構(gòu)，其中每種結(jié)構(gòu)的層以這種敘述的次序從第一電極110順序堆疊，但并不限于此。

當空穴傳輸區(qū)130包括空穴注入層時，通過使用一種或多種合適的方法諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、澆鑄、朗繆爾-布羅基特(LB)法、噴墨打印、激光打印和/或激光誘導的熱成像可在第一電極110上形成空穴注入層。

當空穴注入層通過真空沉積形成時，例如，考慮待沉積的空穴注入層的化合物和待形成的空穴注入層的結(jié)構(gòu)，真空沉積可在約100℃至約500℃的沉積溫度下、在約10^-8托至約10^-3托的真空度下和以約至約的沉積速率進行。

當空穴注入層通過旋轉(zhuǎn)涂布形成時，例如，考慮待沉積的空穴注入層的化合物和待形成的空穴注入層的結(jié)構(gòu)，旋轉(zhuǎn)涂布可在約2000rpm至約5000rpm的涂布速率下和約80℃至200℃的溫度下進行。

空穴注入層的厚度可以在約至約例如約至約的范圍內(nèi)。

當空穴傳輸區(qū)130包括空穴傳輸層時，通過使用一種或多種合適的方法諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、澆鑄、LB法、噴墨打印、激光打印和/或LITI可在第一電極110或空穴注入層上形成空穴傳輸層。當空穴傳輸層通過真空沉積或旋轉(zhuǎn)涂布形成時，用于空穴傳輸層的沉積和涂布條件可以與用于空穴注入層的沉積和涂布條件相同(或類似)。

空穴傳輸區(qū)130可以包括第一化合物。例如，空穴傳輸區(qū)130可以包括空穴傳輸層，其中空穴傳輸層包括第一化合物。

在各個實施方式中，空穴傳輸區(qū)130可以包括第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層(在第一空穴傳輸層和發(fā)光層150之間)，其中選自第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層中的至少一個可以包括第一化合物。

除了第一化合物之外，空穴傳輸區(qū)130還可以包括選自由下面式201表示的化合物和由下面式202表示的化合物中的至少一個：

式201

式202

在式201和202中，

L₂₀₁至L₂₀₅的描述可以各自獨立地通過參考本文結(jié)合L₁提供的描述來理解，

xa1至xa4可以各自獨立地選自0、1、2和3，

xa5可以選自1、2、3、4和5，

R₂₀₁至R₂₀₄可以各自獨立地選自取代的或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團和取代的或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團，

R₂₀₁和R₂₀₂可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，以及R₂₀₃和R₂₀₄可以任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)。

由式201表示的化合物可以由下面式201A表示：

式201A

例如，由式201表示的化合物可以由式201A-1表示，但并不限于此：

式201A-1

由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可以各自獨立地包括下面化合物HT1至HT12，但并不限于此：

空穴傳輸區(qū)130的厚度可以在約至約例如，約至約的范圍內(nèi)。當空穴傳輸區(qū)130包括空穴注入層和空穴傳輸層兩者時，空穴注入層的厚度可在約至約例如，約至約的范圍內(nèi)，并且空穴傳輸層的厚度可在約至約例如，約至約的范圍內(nèi)。當空穴傳輸區(qū)130、空穴注入層和空穴傳輸層的厚度在任意這些范圍內(nèi)時，可在不用明顯增加驅(qū)動電壓的情況下獲得令人滿意的(或合適的)空穴傳輸特征。

除了上文所述的材料之外，空穴傳輸區(qū)130還可以包括用于改善導電性質(zhì)的電荷產(chǎn)生材料。電荷產(chǎn)生材料可以均勻地或非均勻地分散中空穴傳輸區(qū)中。

電荷產(chǎn)生材料可以為例如p型摻雜劑。p型摻雜劑可以選自醌衍生物、金屬氧化物和含氰基化合物中的一種，但實施方式并不限于此。p型摻雜劑的非限制性例子包括醌衍生物(諸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和/或2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ))、金屬氧化物(諸如氧化鎢和/或氧化鉬)，和下面化合物HT-D1：

除了空穴注入層和/或空穴傳輸層之外，空穴傳輸區(qū)130還可以包括選自緩沖層和電子阻擋層中的至少一個。由于緩沖層可以通過根據(jù)由發(fā)光層150發(fā)射的光的波長補償光學共振距離，所以可以改善所形成的有機發(fā)光裝置的發(fā)光效率。同樣，作為緩沖層中包括的材料，可以使用將包括于空穴傳輸區(qū)130中的材料中的任一種。電子阻擋層可以用來防止或減少來自電子傳輸區(qū)170的電子的注入。

當有機發(fā)光裝置10為全色有機發(fā)光裝置時，根據(jù)子像素可將發(fā)光層150圖案化為紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和/或藍色發(fā)光層。在一些實施方式中，發(fā)光層150可具有選自紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和藍色發(fā)光層的兩個或更多個層的堆疊結(jié)構(gòu)，其中兩個或更多個層彼此接觸或彼此分離。在一些實施方式中，發(fā)光層150可以包括選自紅光發(fā)光材料、綠光發(fā)光材料和藍光發(fā)光材料的兩種或更多種材料，其中所述兩種或更多種材料彼此混合于單層中以發(fā)射白光。

在一些實施方式中，發(fā)光層150包括第二化合物和第三化合物。在發(fā)光層150中，第二化合物可以用作主體且第三化合物可以用作摻雜劑。在各個實施方式中，第二化合物可以為熒光主體，且第三化合物可以為熒光摻雜劑。

基于100重量份的第二化合物，發(fā)光層150中第三化合物的量可以在約0.01至約15重量份的范圍內(nèi)，但并不限于此。

發(fā)光層150的厚度可以在約至約例如約至約的范圍內(nèi)。當發(fā)光層150的厚度在任意這些范圍內(nèi)，可在不明顯增加驅(qū)動電壓的情況下獲得優(yōu)異的(或合適的)發(fā)光特征。

電子傳輸區(qū)170可以布置(例如，放置)在發(fā)光層150上。電子傳輸區(qū)170可以包括第四化合物和第五化合物。

電子傳輸區(qū)170可以包括選自空穴阻擋層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層和電子注入層中的至少一種，但并不限于此。

例如，電子傳輸區(qū)170可以具有以這種敘述的次序從發(fā)光層150順序堆疊的第一電子傳輸層/第二電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，但其結(jié)構(gòu)并不限于此。在各個實施方式中，第一電子傳輸層和發(fā)光層150可以彼此直接接觸。

在各個實施方式中，第二電子傳輸層可以包括第四化合物，且第一電子傳輸層可以包括第五化合物。

通過使用一種或多種合適的方法諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、澆鑄、LB法、噴墨打印、激光打印和/或LITI可在發(fā)光層150或空穴阻擋層上形成第一電子傳輸層和第二電子傳輸層。當?shù)谝浑娮觽鬏攲雍?或第二電子傳輸層通過真空沉積或旋轉(zhuǎn)涂布形成時，用于第一電子傳輸層和/或第二電子傳輸層的沉積和涂布條件可以與用于空穴注入層的沉積和涂布條件相同(或類似)。

第一電子傳輸層的厚度可以在約至約的范圍內(nèi)。當?shù)谝浑娮觽鬏攲拥暮穸仍谠摲秶鷥?nèi)時，可以調(diào)節(jié)第一電子傳輸層的厚度與第二電子傳輸層的厚度的比率，因此可以調(diào)節(jié)電子向發(fā)光層150的注入和傳輸，從而實現(xiàn)具有改善的壽命和效率的裝置性能。

第二電子傳輸層的厚度可以在約至約例如約至約的范圍內(nèi)。當?shù)诙娮觽鬏攲拥暮穸仍谌我膺@些范圍內(nèi)時，可在不明顯增加驅(qū)動電壓的情況下獲得人滿意的(或合適的)電子傳輸特征。

除了上文所述的材料，電子傳輸層還可以包括含金屬的材料。

含金屬的材料可以包括鋰(Li)絡合物。Li絡合物可以包括，例如，化合物ET-D1(喹啉酸鋰，LiQ)和/或化合物ET-D2：

電子傳輸區(qū)170可以包括促進來自第二電極190的電子注入的電子注入層。

通過使用一種或多種合適的方法諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、澆鑄、LB法、噴墨打印、激光打印和/或LITI可在電子傳輸層上形成電子注入層。當電子注入層通過真空沉積和/或旋轉(zhuǎn)涂布形成時，用于空穴傳輸層的沉積和涂布條件可以與用于空穴注入層的沉積和涂布條件相同(或類似)。

電子注入層可以包括選自LiF、NaCl、CsF、Li₂O、BaO和LiQ中的至少一個。

電子注入層的厚度可以在約至約例如約至約的范圍內(nèi)。當電子注入層的厚度在任何上文所述的范圍內(nèi)時，在不明顯增加驅(qū)動電壓的情況下電子注入層可以具有令人滿意的(或合適的)電子注入特征。

第二電極190可以布置(例如，放置)在具有根據(jù)本公開的實施方式的此類結(jié)構(gòu)的電子傳輸層上。第二電極190可以為陰極(其為電子注入電極)且在這方面，用于形成第二電極190的材料可以選自具有相對低功函的金屬、合金、導電性化合物及其混合物。用于形成第二電極190的材料的非限制性例子包括Li、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In和Mg-Ag。在一些實施方式中，用于形成第二電極190的材料可以為ITO和/或IZO。第二電極190可以為半透射電極或透射電極。

圖2是根據(jù)另一實施方式的有機發(fā)光裝置20的結(jié)構(gòu)的示意圖。

在圖2中，有機發(fā)光裝置20具有包括第一電極210、第一空穴傳輸區(qū)220、第一發(fā)光層230、第一電子傳輸區(qū)240、電荷產(chǎn)生區(qū)250、第二空穴傳輸區(qū)260、第二發(fā)光層270、第二電子傳輸區(qū)280和第二電極290的堆疊結(jié)構(gòu)。

第一電極210和第二電極290的描述可以通過參考本文分別結(jié)合第一電極110和第二電極190提供的描述來理解，第一空穴傳輸區(qū)220和第二空穴傳輸區(qū)260的描述可以通過參考本文結(jié)合空穴傳輸區(qū)130提供的描述來理解，第一發(fā)光層230和第二發(fā)光層270的描述可以通過參考本文結(jié)合發(fā)光層150提供的描述來理解，并且第一電子傳輸區(qū)240和第二電子傳輸區(qū)280的描述可以通過參考本文結(jié)合電子傳輸區(qū)170提供的描述來理解。

電荷產(chǎn)生區(qū)250是可以用來當向有機發(fā)光裝置20施加電場時產(chǎn)生電荷的層，并且在這方面，電子可以注入第一電子傳輸區(qū)240并且空穴可以注入第二空穴傳輸區(qū)260。電荷產(chǎn)生區(qū)250可以形成為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

有機發(fā)光裝置20是串聯(lián)型裝置(例如，串聯(lián)有機發(fā)光裝置)，因此有機發(fā)光裝置20可以基于改善的驅(qū)動電流和效率，以穩(wěn)定的(或大致上穩(wěn)定的)方式實現(xiàn)發(fā)白光。

本文所使用的術(shù)語“C₁-C₆₀烷基”可以是指具有1至60個碳原子的直鏈或支鏈單價脂族烴基，且其非限制性例子可以包括甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基和己基。術(shù)語“C₁-C₆₀亞烷基”可以是指與C₁-C₆₀烷基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

本文所使用的術(shù)語“C₁-C₆₀烷氧基”可以是指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁為C₁-C₆₀烷基)表示的單價基團，且其非限制性例子可以包括甲氧基、乙氧基和異丙氧基。

本文所使用的術(shù)語“C₂-C₆₀烯基”可以是指在沿著C₂-C₆₀烷基的烴鏈的一個或多個位置處(例如，在C₂-C₆₀烷基的中間或任一末端)具有至少一個碳雙鍵的烴基，且其非限制性例子可以包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。本文所使用的術(shù)語“C₂-C₆₀亞烯基”可以是指與C₂-C₆₀烯基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

本文所使用的術(shù)語“C₂-C₆₀炔基”可以是指沿著C₂-C₆₀烷基的烴鏈的一個或多個位置處(例如，在C₂-C₆₀烷基的中間或任一末端)具有至少一個碳三鍵的烴基，且其非限制性例子可以包括乙炔基和丙炔基。本文所使用的術(shù)語“C₂-C₆₀亞炔基”可以是指與C₂-C₆₀炔基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

本文所使用的術(shù)語“C₃-C₁₀環(huán)烷基”可以是指具有3至10個碳原子的單價烴單環(huán)基，且其非限制性例子可以包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基。本文所使用的術(shù)語“C₃-C₁₀亞環(huán)烷基”可以是指與C₃-C₁₀環(huán)烷基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

本文所使用的術(shù)語“C₁-C₁₀雜環(huán)烷基”可以是指具有至少一個選自N、O、Si、P和S的雜原子作為成環(huán)原子和1至10個碳原子的單價單環(huán)基團，且其非限制性例子可以包括四氫呋喃基和四氫噻吩基。本文所使用的術(shù)語“C₁-C₁₀亞雜環(huán)烷基”可以是指與C₁-C₁₀雜環(huán)烷基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

本文所使用的術(shù)語“C₃-C₁₀環(huán)烯基”可以是指在環(huán)中具有3至10個碳原子和至少一個雙鍵但不具有芳香性的單價單環(huán)基團。C₃-C₁₀環(huán)烯基的非限制性例子可以包括環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基和環(huán)庚烯基。本文所使用的術(shù)語“C₃-C₁₀亞環(huán)烯基”可以是指與C₃-C₁₀環(huán)烯基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

本文所使用的術(shù)語“C₁-C₁₀雜環(huán)烯基”可以是指在環(huán)中具有至少一個選自N、O、Si、P和S的作為成環(huán)原子的雜原子、1至10個碳原子和至少一個雙鍵的單價單環(huán)基團。C₁-C₁₀雜環(huán)烯基的非限制性例子可以包括2,3-二氫呋喃基和2,3-二氫噻吩基。本文所使用的術(shù)語“C₁-C₁₀亞雜環(huán)烯基”可以是指與C₁-C₁₀雜環(huán)烯基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

本文所使用的術(shù)語“C₆-C₆₀芳基”可以是指具有6至60個碳原子的碳環(huán)芳族體系的單價基團，且本文所使用的術(shù)語“C₆-C₆₀亞芳基”可以是指具有具有6至60個碳原子的碳環(huán)芳族體系的二價基團。C₆-C₆₀芳基的非限制性例子可以包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和屈基。當C₆-C₆₀芳基和/或C₆-C₆₀亞芳基各自獨立地包括兩個或更多個環(huán)時，各個環(huán)可以彼此稠合。

本文所使用的術(shù)語“C₁-C₆₀雜芳基”可以是指具有至少一個選自N、O、Si、P和S的作為成環(huán)原子的雜原子和1至60個碳原子的芳族碳環(huán)體系的單價基團。本文所使用的術(shù)語“C₁-C₆₀亞雜芳基”可以是指具有具有至少一個選自N、O、Si、P和S的作為成環(huán)原子的雜原子和1至60個碳原子的芳族碳環(huán)體系的二價基團。C₁-C₆₀雜芳基的非限制性例子可以包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基和異喹啉基。當C₁-C₆₀雜芳基和/或C₁-C₆₀亞雜芳基各自獨立地包括兩個或更多個環(huán)時，各個環(huán)可以彼此稠合。

本文所使用的術(shù)語“C₆-C₆₀芳氧基”可以是指由-OA₁₀₂(其中A₁₀₂為C₆-C₆₀芳基)表示的單價基團，并且本文所使用的C₆-C₆₀芳硫基可以是指由-SA₁₀₃(其中A₁₀₃為C₆-C₆₀芳基)表示的單價基團。

本文所使用的術(shù)語“單價非芳族稠合多環(huán)基團”可以是指具有至少兩個彼此稠合(例如，融合)的環(huán)、僅僅具有碳原子(例如，8至60個碳原子)作為成環(huán)原子，且在整個分子結(jié)構(gòu)中為非芳香性(例如，不具有整體芳香性)的單價基團。單價非芳族稠合多環(huán)基團的非限制性例子可以為芴基。術(shù)語“二價非芳族稠合多環(huán)基團”可以是指與單價非芳族稠合多環(huán)基團具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

本文所使用的術(shù)語“單價非芳族稠合雜多環(huán)基團”可以是指具有至少兩個彼此稠合(例如，融合)的環(huán)，除碳原子(例如，2至60個碳原子)之外還具有至少一個選自N、O、Si、P和S的作為成環(huán)原子的雜原子且在整個分子結(jié)構(gòu)中具有非芳香性(例如，不具有整體芳香性)的單價基團。單價非芳族稠合雜多環(huán)基團的例子包括咔唑基。本文所使用的術(shù)語“二價非芳族稠合雜多環(huán)基團”可以是與單價非芳族稠合雜多環(huán)基團具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烷基、取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烷基、取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烯基、取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烯基、取代的C₆-C₆₀亞芳基、取代的C₁-C₆₀亞雜芳基、取代的二價非芳族稠合多環(huán)基團、取代的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團、取代的C₁-C₆₀烷基、取代的C₂-C₆₀烯基、取代的C₂-C₆₀炔基、取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代的C₆-C₆₀芳基、取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團和取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團中的至少一個取代基可以選自由以下組成的組：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基和C₁-C₆₀烷氧基，

各自被選自以下的至少一個取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基和C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₃-C₁₀環(huán)烷基、C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、C₃-C₁₀環(huán)烯基、C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-Si(Q₁₃)(Q₁₄)(Q₁₅)和-B(Q₁₆)(Q₁₇)，

C₃-C₁₀環(huán)烷基、C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、C₃-C₁₀環(huán)烯基、C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團，

各自被選自以下的至少一個取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、C₃-C₁₀環(huán)烯基、C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀環(huán)烷基、C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、C₃-C₁₀環(huán)烯基、C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-Si(Q₂₃)(Q₂₄)(Q₂₅)和-B(Q₂₆)(Q₂₇)，以及

-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-Si(Q₃₃)(Q₃₄)(Q₃₅)和-B(Q₃₆)(Q₃₇)，

其中Q₁₁至Q₁₇、Q₂₁至Q₂₇和Q₃₁至Q₃₇可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀環(huán)烷基、C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、C₃-C₁₀環(huán)烯基、C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團。

本文所使用的表述“Ph”可以是指苯基，本文所使用的表述“Me”可以是指甲基，本文所使用的表述“Et”可以是指乙基，本文所使用的表述“ter-Bu”或“Bu^t”可以是指叔丁基，且“D”可以是指氘。

本文所使用的術(shù)語“聯(lián)苯基”可以是指具有經(jīng)由單鍵彼此連接的兩個苯環(huán)的單價基團，并且本文所使用的術(shù)語“三聯(lián)苯基”可以是指具有其中相鄰苯經(jīng)由單鍵彼此連接的三個苯環(huán)的單價基團。

在下文，將參考合成實施例和實施例更詳細地描述根據(jù)本公開概念的一個或多個實施方式的有機發(fā)光裝置。

實施例

實施例1

將其上具有厚度為15Ω/cm²的ITO層的ITO玻璃基板(Corning Co.，Ltd的產(chǎn)品)切成50mm x 50mm x 0.5mm的大小，然后，通過使用異丙醇和純水進行超聲處理，各5分鐘，并且通過暴露于紫外射線30分鐘，然后暴露于臭氧來清潔，然后將所得ITO玻璃基板固定于真空沉積裝置上。

將化合物1-2真空沉積于ITO玻璃基板上以形成具有厚度的第一空穴注入層，然后，將化合物HTM1真空沉積于第一空穴注入層上以形成具有厚度的第二空穴傳輸層。將化合物2-1(作為主體)和化合物BD(作為摻雜劑)(下面示出)以95:5的重量比共沉積于第二空穴傳輸層上，從而形成具有厚度的發(fā)光層。

然后，將化合物5-1真空沉積于發(fā)光層上以形成具有厚度的第一電子傳輸層。將化合物4-1和Liq以1:1的重量比共沉積于第一電子傳輸層上以形成具有厚度的第二電子傳輸層。將LiF沉積于第二電子傳輸層上以形成具有厚度的電子注入層，且將Al沉積于電子注入層上以形成具有厚度的陰極，從而完成有機發(fā)光裝置的制造。

實施例2至9和比較實施例1至4

按與實施例1相同(或大致上相同)的方式各自制造有機發(fā)光裝置，不同的是使用下面表1中列出的化合物形成第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層和第二電子傳輸層。

評價實施例1

通過使用PR650亮度測量計來測量實施例1至9和比較實施例1至4的各個有機發(fā)光裝置的效率和T₉₀壽命。其結(jié)果示于下面表1中。這里，通過測量有機發(fā)光裝置在10mA/cm²電流密度的條件下的亮度達到初始亮度(作為100％測量)的90％的時間來獲得T₉₀壽命結(jié)果。

表1

參考表1中所示的結(jié)果，可以看出，實施例1至9的有機發(fā)光裝置相較于比較實施例1至4的有機發(fā)光裝置具有改善的效率和壽命。

根據(jù)一個或多個實施方式的有機發(fā)光裝置可以具有高效率和長壽命。

應理解，如果本公開中出現(xiàn)的取代基未在上文明確定義，那么取代基的定義與其通用定義一致，除非另有敘述。

也應理解，當諸如層、膜、區(qū)或基板等的元件被稱為“在另一元件之上”時，其可直接在另一個元件之上或也可存在中間元件。相比之下，當元件被稱為“直接在另一元件之上”或“直接接觸另一元件”時，不存在中間元件。

本文所使用的術(shù)語“使用(use)”、“正在使用(using)”和“所使用的(used)”可被認為分別與術(shù)語“利用(utilize)”、“正在利用(utilizing)”和“所利用的(utilized)”同義。

另外，如本文所使用，術(shù)語“基本上”、“約”和類似的術(shù)語用于近似，而不是用于程度，并且期望考慮本領域普通技術(shù)人員可認識到的測量值和計算值的固有偏差。

同樣，本文列舉的任何數(shù)值范圍意圖包括納入所列舉范圍的相同數(shù)值精度的所有子范圍。例如，“1.0至10.0”的范圍意圖包括在所列舉的最小值1.0與所列舉的最大值10.0之間(且包括端值)的，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范圍，諸如，例如，2.4至7.6。本文列舉的任何最大數(shù)值限制意圖包括被納入其中的所有較低的數(shù)值限制并且在本說明書中列舉的任何最小數(shù)值限制意圖包括被納入其中的所有較高的數(shù)值限制。因此，申請人保留修改本說明書(包括權(quán)利要求)的權(quán)利，以明確列舉被納入本文明確列舉的范圍內(nèi)的任何子范圍。

應理解，本文所述的實施方式應被認為是描述性含義而非限制的目的。在每個實施方式內(nèi)的特征或方面的描述通常應被認為可用于其他實施方式中的其他類似的特征或方面。

盡管已經(jīng)參考附圖描述本發(fā)明的一個或多個實施方式，但是本領域普通技術(shù)人員會理解，可在不偏離如通過下列權(quán)利要求及其等效形式限定的本發(fā)明的精神和范圍下對本文在形式和細節(jié)上作出各種變化。