技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于真空微電子和顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種場發(fā)射用石墨烯/氧化鋅/石墨烯三明治結(jié)構(gòu)的復(fù)合陰極材料的制備方法，包括以下步驟：S10，以氧化石墨烯粉末為原料，在單晶硅襯底上利用靜電噴霧沉積技術(shù)沉積一層石墨烯薄膜；S20，在石墨烯薄膜表面利用頻射磁控濺射技術(shù)濺射一層ZnO薄膜作為籽晶，以鋅鹽和六亞甲基四胺為原料，水熱生長ZnO納米針陣列，得到硅襯底上石墨烯/ZnO納米針陣列復(fù)合材料；S30，利用靜電噴霧沉積技術(shù)在ZnO表面沉積一層石墨烯，制得具有三明治結(jié)構(gòu)的石墨烯/氧化鋅/石墨烯復(fù)合陰極材料。本發(fā)明的制備工藝可操作性強，設(shè)備要求不高，成本較低，可進行大面積快速制備，有望與大規(guī)模生產(chǎn)工藝兼容，得到的場發(fā)射用石墨烯/氧化鋅/石墨烯三明治結(jié)構(gòu)的復(fù)合陰極材料場發(fā)射開啟場強較低且發(fā)射性能穩(wěn)定。

技術(shù)研發(fā)人員：楊璞;武軍;張慶澤;鄭昌壘;宋開新;徐軍明
受保護的技術(shù)使用者：杭州電子科技大學(xué)
文檔號碼：201710116167
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.01
技術(shù)公布日：2017.06.13