本發(fā)明實施例涉及有機發(fā)光顯示技術(shù)，尤其涉及一種顯示基板、顯示基板的制作方法以及顯示面板。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光顯示裝置具有可自發(fā)光無需背光、功耗低以及輕薄等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中。

像素定義層是有機發(fā)光顯示裝置中一個重要的功能層，用于定義出多個子像素區(qū)域，避免有機發(fā)光層的混色現(xiàn)象。像素定義層遠離襯底一側(cè)的表面具備疏水性能夠使得有機發(fā)光層具有良好的成膜性以及均勻性，現(xiàn)有技術(shù)中通過在像素定義層中添加氟離子的方式來使像素定義層具有疏水表面，但是這種方式需要在像素定義層原材料的加工過程中添加氟離子，使得像素定義層材料的加工成本以及加工難度增加，對制備像素定義層的設(shè)備以及操作人員的要求提高，進而導(dǎo)致有機發(fā)光顯示裝置的價格昂貴。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種顯示基板、顯示基板的制作方法以及顯示面板，以降低像素定義層表面疏水的顯示基板的制備難度以及成本。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示基板的制作方法，所述方法包括：

在襯底上依次形成開關(guān)器件層和第一電極層；

形成圖形化像素定義層以及位于所述圖形化像素定義層上的圖形化疏水材料層，所述圖形化像素定義層定義出多個子像素區(qū)域；

依次在所述多個子像素區(qū)域內(nèi)形成有機發(fā)光層和第二電極層。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示基板，所述顯示基板包括：

襯底；

形成在所述襯底上的開關(guān)器件層；

形成在所述開關(guān)器件層上的第一電極層；

形成在所述第一電極層上的圖形化像素定義層，所述圖形化像素定義層限定出多個子像素區(qū)域；

形成在所述圖形化像素定義層上的圖形化疏水材料層；

以及，形成在所述多個子像素區(qū)域內(nèi)的有機發(fā)光層和第二電極層。

第三方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，所述顯示基板包括第二方面所述的顯示基板。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案，通過在襯底上依次形成開關(guān)器件層和第一電極層，形成圖形化像素定義層以及位于圖形化像素定義層上的圖形化疏水材料層，圖形化像素定義層定義出多個子像素區(qū)域，依次在多個子像素區(qū)域內(nèi)形成有機發(fā)光層和第二電極層，達到了降低像素定義層表面疏水的顯示基板的制備難度以及成本的有益效果。

附圖說明

為了更加清楚地說明本發(fā)明示例性實施例的技術(shù)方案，下面對描述實施例中所需要用到的附圖做一簡單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本發(fā)明所要描述的一部分實施例的附圖，而不是全部的附圖，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖得到其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例中提供的顯示基板的制作方法的流程示意圖；

圖2為在襯底上依次形成開關(guān)器件層和第一電極層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為形成圖形化像素定義層以及圖形化疏水材料層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b-圖3e為形成圖形化像素定義層以及圖形化疏水材料層的過程示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。在更加詳細地討論示例性實施例之前應(yīng)當(dāng)提到的是，一些示例性實施例被描述成作為流程圖描繪的處理或方法。雖然流程圖將各項操作(或步驟)描述成順序的處理，但是其中的許多操作可以被并行地、并發(fā)地或者同時實施。此外，各項操作的順序可以被重新安排。當(dāng)其操作完成時所述處理可以被終止，但是還可以具有未包括在附圖中的附加步驟。所述處理可以對應(yīng)于方法、函數(shù)、規(guī)程、子例程、子程序等等。

圖1為本發(fā)明實施例中提供的顯示基板的制作方法的流程示意圖，如圖1所示，該方法可以包括以下：

步驟11、在襯底上依次形成開關(guān)器件層和第一電極層。

步驟12、形成圖形化像素定義層以及位于所述圖形化像素定義層上的圖形化疏水材料層，所述圖形化像素定義層定義出多個子像素區(qū)域。

其中，形成圖形化像素定義層以及位于所述圖形化像素定義層上的圖形化疏水材料層，可以包括：在所述開關(guān)器件層和所述第一電極層上形成像素定義層，在所述像素定義層上形成疏水材料層，在所述疏水材料層遠離所述像素定義層的一側(cè)進行曝光處理，對所述像素定義層進行顯影，以去除部分所述像素定義層以及位于所述部分像素定義層上的疏水材料層，獲得所述圖形化像素定義層以及所述圖形化疏水材料層。

示例性的，可以采用旋轉(zhuǎn)式涂布或狹縫式涂布的方式將所述疏水材料層形成于所述像素定義層上。

可選的，所述圖形化疏水材料層的厚度取值范圍可以為0.1nm至20nm。

此外，所述圖形化像素定義層的厚度取值范圍可以為1μm至5μm。

可選的，所述圖形化疏水材料層的材料可以包括含氟聚合物。

步驟13、依次在所述多個子像素區(qū)域內(nèi)形成有機發(fā)光層和第二電極層。

下面對本發(fā)明提供的顯示基板的制作方法進行具體說明。

參考圖2所示，在襯底110上依次形成開關(guān)器件層120和第一電極層130。

示例性的，開關(guān)器件層120可以包括多個薄膜晶體管，每個所述薄膜晶體管包括柵極、源極以及漏極。具體的，各薄膜晶體管可以為頂柵薄膜晶體管，也可以為底柵薄膜晶體管?？梢岳斫獾氖?，開關(guān)器件層120也可以是包含其他開關(guān)器件的多膜層結(jié)構(gòu)。

此外，第一電極層130可以為陽極，進一步的，第一電極層130可以分為多個第一電極塊?？蛇x的，開關(guān)器件層120中的各開關(guān)器件分別與一第一電極塊電連接，用于分別控制各第一電極塊供電電路的通斷。

參考圖3a所示，形成圖形化像素定義層140以及位于所述圖形化像素定義層140上的圖形化疏水材料層150，所述圖形化像素定義層140定義出多個子像素區(qū)域160。

示例性的，以第一電極層130包括多個第一電極塊的情況為例，對圖形化像素定義層140以及圖形化疏水材料層150的形成過程敘述如下：

首先，如圖3b所示，在所述開關(guān)器件層120和所述第一電極層130上形成像素定義層141。然后如圖3c所示，在所述像素定義層141上形成疏水材料層151。再如圖3d所示，在所述疏水材料層151遠離所述像素定義層141的一側(cè)進行曝光處理。最后，如圖3e所示，對所述像素定義層進行顯影，以去除部分所述像素定義層以及位于所述部分像素定義層上的疏水材料層，獲得所述圖形化像素定義層140以及所述圖形化疏水材料層150。

可選的，可以采用旋轉(zhuǎn)式涂布或狹縫式涂布的方式將所述疏水材料層151形成于所述像素定義層141上。上述疏水材料層151的形成方式獲得的疏水材料層151更為均勻。在本發(fā)明其他實施方式中，疏水材料層151也可以采用其他方式形成于像素定義層141上，本發(fā)明對此不做具體限定。

需要說明的是，為與現(xiàn)有技術(shù)更為兼容，所述圖形化像素定義層140的厚度取值范圍可以為1μm至5μm。

示例性的，所述圖形化疏水材料層150的厚度取值范圍可以為0.1nm至20nm。圖形化疏水材料層150的厚度取決于疏水材料層151的厚度，由于上述曝光和顯影均發(fā)生在形成疏水材料層151之后，因此，疏水材料層151過厚會不利于后續(xù)曝光和顯影過程，且會增加顯示基板的厚度，影響顯示裝置的薄化。圖形化疏水材料層150過薄時，其疏水性能可能受到影響?？紤]到上述情況，本實施例選擇0.1nm至20nm作為圖形化疏水材料層150較佳的取值范圍。

還需要說明的是，對于第一電極層130是一個整體膜層的情況，圖形化像素定義層140和圖形化疏水材料層150的形成方式與圖3b-圖3e相似，最終形成的結(jié)構(gòu)與圖3a相同，在此不再贅述。

可以理解的是，具有疏水特性的膜層均可作為本實施例中的圖形化疏水材料層150。示例性的，所述圖形化疏水材料層150的材料可以包括含氟聚合物?？蓪⒁簯B(tài)含氟聚合物旋涂成膜，固化后氟離子較均勻的分布于膜層中，由于氟離子有疏水特征，使得圖形化疏水材料層150具有疏水特性。具體的，圖形化疏水材料層150的材料可以為AGC Cytop系列材料或Dupont AF1600等。

在本實施例中，由于圖形化疏水材料層150僅保留至圖形化像素定義層140遠離襯底110的一側(cè)，因此，一方面使得采用噴墨打印技術(shù)形成發(fā)光材料層時，發(fā)光材料不會形成于圖形化像素定義層140遠離襯底110的一側(cè)，另一方面，圖形化像素定義層140側(cè)壁以及第一電極層130遠離襯底110一側(cè)的表面上未形成疏水材料層151，具有親水特性，有利于提升發(fā)光材料層的穩(wěn)定性，使發(fā)光材料層不易脫落。具體的，實驗驗證含氟聚合物構(gòu)成的圖形化疏水材料層150能夠使得圖形化像素定義層140頂部與其側(cè)壁以及第一電極層130遠離襯底110一側(cè)表面之間的接觸角差距在50°以上(超純水測試)。

參考圖4所示，依次在所述多個子像素區(qū)域160內(nèi)形成有機發(fā)光層170和第二電極層180。

需要說明的是，第二電極層180可以為陰極。可以理解的是，第二電極層180與第一電極層130相對應(yīng)，兩者之間需要形成電場，因此，第二電極層180的類別根據(jù)第一電極層130的變化而變化。

可選的，第二電極層180還可以是一個整體膜層，覆蓋圖形化疏水材料層150以及多個子像素區(qū)域160。

本實施例提供的技術(shù)方案，通過在襯底110上依次形成開關(guān)器件層120和第一電極層130，形成圖形化像素定義層140以及位于圖形化像素定義層140上的圖形化疏水材料層150，圖形化像素定義層140定義出多個子像素區(qū)域160，依次在多個子像素區(qū)域160內(nèi)形成有機發(fā)光層170和第二電極層180，達到了降低像素定義層140表面疏水的顯示基板的制備難度以及成本的有益效果。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示基板，所述顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖參見圖4。如圖4所示，顯示基板包括襯底110，形成在所述襯底110上的開關(guān)器件層120，形成在所述開關(guān)器件層120上的第一電極層130，形成在所述第一電極層130上的圖形化像素定義層140，所述圖形化像素定義層140限定出多個子像素區(qū)域160，形成在所述圖形化像素定義層140上的圖形化疏水材料層150，以及，形成在所述多個子像素區(qū)域160內(nèi)的有機發(fā)光層170和第二電極層180。

可選的，所述圖形化疏水材料層150的厚度取值范圍可以為0.1nm至20nm。

示例性的，所述圖形化疏水材料層150的材料可以包括含氟聚合物。具體的，可以為AGC Cytop系列材料或Dupont AF1600等。

圖5為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，顯示面板100包括本發(fā)明任意實施例所述的顯示基板101。

示例性的，根據(jù)顯示基板中有機發(fā)光層發(fā)出光種類的不同，顯示面板可以包括兩種結(jié)構(gòu)：一、當(dāng)各子像素區(qū)域內(nèi)的有機發(fā)光層均發(fā)出白光時，可將顯示基板與彩膜基板相對設(shè)置，以使得顯示面板包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素三種子像素。二、當(dāng)各子像素區(qū)域內(nèi)的有機發(fā)光層第一部分發(fā)出紅光、第二部分發(fā)出綠光，剩余部分發(fā)出藍光時，則無需再使用彩膜基板來獲得紅光、綠光和藍光，僅在顯示基板101遠離襯底一側(cè)設(shè)置封裝層102即可得到顯示面板100，如圖5所示。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。