本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的ADS(高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))顯示產(chǎn)品中，在陣列基板上形成有兩層ITO層，包括第一ITO層和第二ITO層，其中，第一ITO層用作像素電極，為面狀電極；第二ITO層用作公共電極，為狹縫狀電極。在第二ITO層的成膜過程中，會產(chǎn)生多晶態(tài)的ITO，多晶態(tài)的ITO很難通過刻蝕去除，因此，對第二ITO層進(jìn)行構(gòu)圖之后，在狹縫狀電極之間的間隙會存在多晶態(tài)的ITO顆粒殘留，不但會造成顯示產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電場紊亂產(chǎn)生mura(亮度不均勻)等不良，還會影響顯示產(chǎn)品的透過率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠去除狹縫狀電極間隙存在的多晶態(tài)ITO顆粒殘留，改善顯示裝置的顯示效果，并提高顯示裝置的透過率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種顯示基板的制作方法，包括形成絕緣層的步驟和在所述絕緣層上形成第二透明導(dǎo)電層的圖形的步驟，所述第二透明導(dǎo)電層的圖形包括位于顯示區(qū)域的多個(gè)間隔設(shè)置的子電極；所述制作方法還包括：

去除顯示區(qū)域中所述絕緣層未被所述子電極覆蓋的部分。

進(jìn)一步地，形成所述第二透明導(dǎo)電層的圖形和形成所述絕緣層的圖形的步驟包括：

在所述絕緣層上形成透明導(dǎo)電層過渡圖形，所述透明導(dǎo)電層過渡圖形包括位于薄膜晶體管區(qū)域的第一部分和位于顯示區(qū)域的第二部分，所述第二部分包括多個(gè)間隔設(shè)置的子電極；

去除顯示區(qū)域中所述子電極之間的間隙對應(yīng)的絕緣層的部分；

去除所述透明導(dǎo)電層過渡圖形的第一部分，形成所述第二透明導(dǎo)電層的圖形。

進(jìn)一步地，形成所述第二透明導(dǎo)電層的圖形和形成所述絕緣層的圖形的步驟具體包括：

在所述絕緣層上沉積第二透明導(dǎo)電層；

在所述第二透明導(dǎo)電層上涂覆光刻膠，對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)所述子電極之間的間隙；

通過濕法刻蝕去除光刻膠未保留區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層，形成所述透明導(dǎo)電層過渡圖形；

通過干法刻蝕去除光刻膠未保留區(qū)域的絕緣層；

去除薄膜晶體管區(qū)域的光刻膠；

通過濕法刻蝕去除所述透明導(dǎo)電層過渡圖形中未被光刻膠覆蓋的部分，形成第二透明導(dǎo)電層的圖形；

去除剩余的光刻膠。

進(jìn)一步地，干法刻蝕所采用的刻蝕氣體為SF₆：O₂：He等于1:1:1的混合氣體。

進(jìn)一步地，濕法刻蝕所采用的刻蝕液由質(zhì)量百分比為8％-9％的硫酸、質(zhì)量百分比為13％-15％的醋酸、質(zhì)量百分比為1％的添加劑和水組成。

進(jìn)一步地，形成絕緣層的步驟和在所述絕緣層上形成第二透明導(dǎo)電層的圖形的步驟之前，所述制作方法還包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管的漏電極連接的第一透明導(dǎo)電層的圖形；

其中，所述絕緣層覆蓋所述薄膜晶體管和所述第一透明導(dǎo)電層的圖形。

進(jìn)一步地，所述第二透明導(dǎo)電層為采用ITO。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板，為采用上述的制作方法制作得到，所述顯示基板包括位于襯底基板上的絕緣層和位于所述絕緣層上的第二透明導(dǎo)電層的圖形，所述第二透明導(dǎo)電層的圖形包括位于顯示區(qū)域的多個(gè)間隔設(shè)置的子電極；所述絕緣層位于顯示區(qū)域的部分在所述襯底基板上的正投影與所述子電極在所述襯底基板上的正投影重合。

進(jìn)一步地，所述顯示基板還包括：

位于所述襯底基板上的薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管的漏電極連接的第一透明導(dǎo)電層的圖形；

其中，所述絕緣層覆蓋所述薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管的漏電極連接的第一透明導(dǎo)電層的圖形。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。

本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果：

上述方案中，去除顯示區(qū)域的絕緣層未被第二透明導(dǎo)電層的圖形覆蓋的部分，這樣即使在對第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖之后，絕緣層上殘留有多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒，隨著絕緣層該部分的去除，多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒也會從顯示基板上脫落，從而避免在第二透明導(dǎo)電層的圖形的間隙殘留多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒，能夠避免顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電場紊亂，改善顯示裝置的顯示效果，并且絕緣層該部分的去除還能夠增強(qiáng)背光光線的通過，提高顯示裝置的透過率。

附圖說明

圖1-圖12為本發(fā)明實(shí)施例顯示基板的制作流程示意圖；

圖13-圖15為本發(fā)明實(shí)施例對鈍化層進(jìn)行刻蝕的示意圖。

附圖標(biāo)記

1襯底基板 2柵電極 3柵絕緣層

4有源層 5源電極 6漏電極

7像素區(qū)域的鈍化層圖形 8薄膜晶體管區(qū)域的鈍化層圖形

9第一透明導(dǎo)電層的圖形 10第二透明導(dǎo)電層的圖形 11光刻膠

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明的實(shí)施例針對現(xiàn)有技術(shù)中在狹縫狀電極之間的間隙會存在多晶態(tài)的ITO顆粒殘留，不但會造成顯示產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電場紊亂產(chǎn)生mura等不良，還會影響顯示產(chǎn)品的透過率的問題，提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠去除狹縫狀電極間隙存在的多晶態(tài)ITO顆粒殘留，改善顯示裝置的顯示效果，并提高顯示裝置的透過率。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供一種顯示基板的制作方法，包括形成絕緣層的步驟和在所述絕緣層上形成第二透明導(dǎo)電層的圖形的步驟，所述第二透明導(dǎo)電層的圖形包括位于顯示區(qū)域的多個(gè)間隔設(shè)置的子電極；所述制作方法還包括：

去除顯示區(qū)域中所述絕緣層未被所述子電極覆蓋的部分。

本實(shí)施例中在形成絕緣層后，還去除顯示區(qū)域的絕緣層未被第二透明導(dǎo)電層的圖形覆蓋的部分，這樣即使在對第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖之后，絕緣層上殘留有多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒，隨著絕緣層該部分的去除，多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒也會從顯示基板上脫落，從而避免在第二透明導(dǎo)電層的圖形的間隙殘留多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒，能夠避免顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電場紊亂，改善顯示裝置的顯示效果，并且絕緣層該部分的去除還能夠增強(qiáng)背光光線的通過，提高顯示裝置的透過率。

進(jìn)一步地，形成所述第二透明導(dǎo)電層的圖形和形成所述絕緣層的圖形的步驟包括：

在所述絕緣層上形成透明導(dǎo)電層過渡圖形，所述透明導(dǎo)電層過渡圖形包括位于薄膜晶體管區(qū)域的第一部分和位于顯示區(qū)域的第二部分，所述第二部分包括多個(gè)間隔設(shè)置的子電極；

去除顯示區(qū)域中所述子電極之間的間隙對應(yīng)的絕緣層的部分；

去除所述透明導(dǎo)電層過渡圖形的第一部分，形成所述第二透明導(dǎo)電層的圖形。

具體實(shí)施例中，先形成透明導(dǎo)電層過渡圖形，透明導(dǎo)電層過渡圖形包括位于薄膜晶體管區(qū)域的第一部分和位于顯示區(qū)域的第二部分，在對絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖之前，需要保留透明導(dǎo)電層過渡圖形位于薄膜晶體管區(qū)域的第一部分，因?yàn)?，薄膜晶體管區(qū)域的絕緣層還要保留，在對絕緣層進(jìn)行刻蝕時(shí)，保留的透明導(dǎo)電層過渡圖形的第一部分可以保護(hù)薄膜晶體管區(qū)域的絕緣層。

進(jìn)一步地，形成所述第二透明導(dǎo)電層的圖形和形成所述絕緣層的圖形的步驟具體包括：

在所述絕緣層上沉積第二透明導(dǎo)電層；

在所述第二透明導(dǎo)電層上涂覆光刻膠，對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)所述子電極之間的間隙；

通過濕法刻蝕去除光刻膠未保留區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層，形成所述透明導(dǎo)電層過渡圖形；

通過干法刻蝕去除光刻膠未保留區(qū)域的絕緣層；

去除薄膜晶體管區(qū)域的光刻膠；

通過濕法刻蝕去除所述透明導(dǎo)電層過渡圖形中未被光刻膠覆蓋的部分，形成第二透明導(dǎo)電層的圖形；

去除剩余的光刻膠。

本實(shí)施例中，通過濕法刻蝕形成透明導(dǎo)電層過渡圖形，濕法刻蝕不會對絕緣層造成影響，在形成透明導(dǎo)電層過渡圖形之后，再通過干法刻蝕去除絕緣層，在去除絕緣層時(shí)，由于干法刻蝕不會對第二透明導(dǎo)電層造成影響，因此位于薄膜晶體管區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層會保護(hù)薄膜晶體管區(qū)域的絕緣層，使得薄膜晶體管區(qū)域的絕緣層不會被去除，最后再通過濕法刻蝕去除薄膜晶體管區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層，形成第二透明導(dǎo)電層的圖形。

本實(shí)施例中，顯示基板可以為ADS模式的陣列基板，第二透明導(dǎo)電層可以為公共電極或像素電極。在第二透明導(dǎo)電層的圖形為狹縫狀電極時(shí)，通過去除第二透明導(dǎo)電層的圖形的間隙對應(yīng)的絕緣層，能夠有效去除第二透明導(dǎo)電層的圖形的間隙殘留多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒，避免顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電場紊亂，改善顯示裝置的顯示效果，并且絕緣層該部分的去除還能夠增強(qiáng)背光光線的通過，提高顯示裝置的透過率。

下面以第二透明導(dǎo)電層的圖形為公共電極、絕緣層為鈍化層為例，結(jié)合附圖對本實(shí)施例的顯示基板的制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1-圖12所示，本實(shí)施例的顯示基板的制作方法具體包括以下步驟：

步驟1、如圖1所示，提供一襯底基板1，在襯底基板1上形成柵電極2的圖形；

其中，襯底基板1可為玻璃基板或石英基板。

具體地，可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在襯底基板1上沉積厚度約為的柵金屬層，柵金屬層可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金，柵金屬層可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在柵金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵線和柵電極2的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成柵線(未圖示)和柵電極2的圖形。

步驟2、如圖2所示，在經(jīng)過步驟1的襯底基板1上形成柵絕緣層3和有源層4；

具體地，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法在完成步驟1的襯底基板1上沉積厚度為的柵絕緣層3，柵絕緣層3可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對應(yīng)的反應(yīng)氣體是SiH₄、NH₃、N₂或SiH₂Cl₂、NH₃、N₂。

在柵絕緣層3上沉積一層半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體材料上涂覆一層光刻膠，對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域，其中，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于有源層4的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于有源層4的圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變，通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的半導(dǎo)體材料，形成有源層4的圖形。

步驟3、如圖3所示，在經(jīng)過步驟2的襯底基板1上形成源電極5和漏電極6；

具體地，可以在完成步驟2的襯底基板1上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層厚度約為的源漏金屬層，源漏金屬層可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金。源漏金屬層可以是單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于源電極5、漏電極6和數(shù)據(jù)線的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層，剝離剩余的光刻膠，形成漏電極6、源電極5以及數(shù)據(jù)線(未圖示)。

步驟4、如圖4所示，在經(jīng)過步驟3的襯底基板1上形成第一透明導(dǎo)電層的圖形9；

具體地，在經(jīng)過步驟3的襯底基板1上通過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積厚度約為的第一透明導(dǎo)電層，第一透明導(dǎo)電層可以是ITO、IZO或者其他的透明金屬氧化物，在第一透明導(dǎo)電層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于第一透明導(dǎo)電層的圖形9(即像素電極)所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的透明導(dǎo)電層薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成第一透明導(dǎo)電層的圖形9，第一透明導(dǎo)電層的圖形9直接與漏電極6連接。

步驟5、如圖5所示，在經(jīng)過步驟4的襯底基板1上沉積一層鈍化層材料；

具體地，可以在完成步驟4的襯底基板1上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)、PECVD或其它成膜方法沉積厚度為的鈍化層材料，鈍化層材料可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，具體地，鈍化層材料可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x，鈍化層還可以使用Al₂O₃。鈍化層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是采用氮化硅和氧化硅構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。其中，硅的氧化物對應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH₄，N₂O；氮化物或者氧氮化合物對應(yīng)氣體可以是SiH₄，NH₃，N₂或SiH₂Cl₂，NH₃，N₂。

步驟6、如圖6所示，在鈍化層材料上形成第二透明導(dǎo)電層10；

具體地，在鈍化層材料上通過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積厚度約為的第二透明導(dǎo)電層10，第二透明導(dǎo)電層10可以是ITO、IZO或者其他的透明金屬氧化物。

步驟7、如圖7所示，在第二透明導(dǎo)電層10上涂覆光刻膠11，對光刻膠11進(jìn)行曝光，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)待形成的像素區(qū)域的子電極之間的間隙；

步驟8、如圖8所示，通過濕法刻蝕去除光刻膠未保留區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層10，形成透明導(dǎo)電層過渡圖形；

其中，濕法刻蝕所采用的刻蝕液可以由質(zhì)量百分比為8％-9％的硫酸、質(zhì)量百分比為13％-15％的醋酸、質(zhì)量百分比為1％的添加劑和水組成。透明導(dǎo)電層過渡圖形包括位于薄膜晶體管區(qū)域的第二透明導(dǎo)電層和位于像素區(qū)域的子電極的圖形。

步驟9、如圖9所示，通過干法刻蝕去除光刻膠未保留區(qū)域的鈍化層材料，形成像素區(qū)域的鈍化層圖形7；

其中，干法刻蝕所采用的刻蝕氣體可以為SF₆：O₂：He等于1:1:1的混合氣體。在采用干法刻蝕去除光刻膠未保留區(qū)域的鈍化層材料之后，鈍化層材料上殘留的透明導(dǎo)電顆粒也得以去除。值得注意的是，薄膜晶體管區(qū)域的鈍化層圖形8始終需要保留。

步驟10、如圖10所示，去除薄膜晶體管區(qū)域的光刻膠11；

步驟11、如圖11所示，通過濕法刻蝕去除透明導(dǎo)電層過渡圖形中未被光刻膠覆蓋的部分，形成第二透明導(dǎo)電層10的圖形，即狹縫狀的公共電極；

步驟12、如圖12所示，去除剩余的光刻膠。

可以看出，鈍化層包括位于薄膜晶體管區(qū)域的鈍化層圖形8和位于像素區(qū)域的鈍化層圖形7，其中薄膜晶體管區(qū)域的鈍化層圖形8是完整的面狀結(jié)構(gòu)，像素區(qū)域的鈍化層圖形7與第二透明導(dǎo)電層10的圖形相對應(yīng)。

經(jīng)過上述步驟1-12即可形成本實(shí)施例的ADS模式的陣列基板，如圖13所示，在形成狹縫狀公共電極時(shí)，在狹縫狀公共電極的間隙間可能殘留多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒，如圖14和圖15所示，通過去除狹縫狀公共電極的間隙對應(yīng)的鈍化層，能夠有效去除狹縫狀公共電極的間隙殘留多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒，避免顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電場紊亂，改善顯示裝置的顯示效果，并且鈍化層該部分的去除還能夠增強(qiáng)背光光線的通過，提高顯示裝置的透過率。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供了一種顯示基板，為采用上述的制作方法制作得到，所述顯示基板包括位于襯底基板上的絕緣層和位于所述絕緣層上的第二透明導(dǎo)電層的圖形，所述第二透明導(dǎo)電層的圖形包括位于顯示區(qū)域的多個(gè)間隔設(shè)置的子電極；所述絕緣層位于顯示區(qū)域的部分在所述襯底基板上的正投影與所述子電極在所述襯底基板上的正投影重合。

本實(shí)施例顯示基板顯示區(qū)域的絕緣層未被第二透明導(dǎo)電層的圖形覆蓋的部分被去除，這樣即使在對第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖之后，絕緣層上殘留有多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒，隨著絕緣層該部分的去除，多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒也會從顯示基板上脫落，從而避免在第二透明導(dǎo)電層的圖形的間隙殘留多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒，能夠避免顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電場紊亂，改善顯示裝置的顯示效果，并且絕緣層該部分的去除還能夠增強(qiáng)背光光線的通過，提高顯示裝置的透過率。

具體的，顯示基板可以為ADS模式的陣列基板，第二透明導(dǎo)電層的圖形可以為公共電極，絕緣層可以為鈍化層，所述顯示基板還包括：

位于所述襯底基板上的薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管的漏電極連接的第一透明導(dǎo)電層的圖形；

其中，所述絕緣層覆蓋所述薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管的漏電極連接的第一透明導(dǎo)電層的圖形。

第一透明導(dǎo)電層的圖形可以為像素電極。在第二透明導(dǎo)電層的圖形為狹縫狀電極時(shí)，通過去除第二透明導(dǎo)電層的圖形的間隙對應(yīng)的絕緣層，能夠有效去除第二透明導(dǎo)電層的圖形的間隙殘留多晶態(tài)的透明導(dǎo)電顆粒，避免顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電場紊亂，改善顯示裝置的顯示效果，并且絕緣層該部分的去除還能夠增強(qiáng)背光光線的通過，提高顯示裝置的透過率。

實(shí)施例三

本實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。所述顯示裝置可以為：液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，其中，所述顯示裝置還包括柔性電路板、印刷電路板和背板。

本實(shí)施例的顯示裝置的狹縫狀電極的間隙不存在透明導(dǎo)電顆粒，能夠避免顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電場紊亂，改善顯示裝置的顯示效果，并且絕緣層的部分區(qū)域被去除，能夠增強(qiáng)背光光線的通過，提高顯示裝置的透過率。

在本發(fā)明各方法實(shí)施例中，所述各步驟的序號并不能用于限定各步驟的先后順序，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，對各步驟的先后變化也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

可以理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。