本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種共享接觸孔短路缺陷的測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法。

背景技術(shù)：

隨著集成電路工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝尺寸越來(lái)越小，也越來(lái)越復(fù)雜。很多工藝整合的工藝窗口越來(lái)越小，如接觸孔與多晶硅的短路問(wèn)題，其受到對(duì)準(zhǔn)精度以及接觸孔和多晶硅關(guān)鍵尺寸等的影響，是28nm以下研發(fā)工藝的難點(diǎn)問(wèn)題之一。

如圖1至5所示，其中，圖1為晶圓良率測(cè)試示意圖，圖2為現(xiàn)有的柵源共享接觸孔與柵極產(chǎn)生短路的掃描電子顯微鏡圖片，圖3為現(xiàn)有的柵源共享接觸孔與柵極結(jié)構(gòu)正常的掃描電子顯微鏡圖片，圖4為正常的sram結(jié)構(gòu)的電子束掃描影像示意圖，圖5為柵源共享接觸孔與柵極產(chǎn)生短路的sram結(jié)構(gòu)的電子束掃描影像示意圖。圖2中所示的產(chǎn)品遭受晶圓邊緣的單獨(dú)位(singlebit,sb)失效嚴(yán)重的問(wèn)題，其物理失敗分析(physicalfailureanalysis，pfa)結(jié)果顯示為柵源共享接觸孔與多晶硅短路問(wèn)題，如圖2中虛線框所示。然而，針對(duì)這一電性失效問(wèn)題，光學(xué)檢查沒(méi)有足夠的精度進(jìn)行在線監(jiān)控，同時(shí)由于共享接觸孔在常規(guī)sram結(jié)構(gòu)中，其一端均會(huì)與多晶硅相連，當(dāng)其另一端與另一根多晶硅短路時(shí)，不會(huì)有電位的變化，所以無(wú)法對(duì)其進(jìn)行電性缺陷的監(jiān)控，如圖5所示。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服以上問(wèn)題，本發(fā)明旨在提供一種共享接觸孔短路缺陷的測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法，從而提升產(chǎn)品良率。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種柵源共享接觸孔短路缺陷的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其具有第一導(dǎo)電類型晶體管；第一導(dǎo)電類型晶體管包括：有源區(qū)、位于有源區(qū)上設(shè)置的第一柵極和第二柵極、第二柵極的一端的底部不設(shè)置有源區(qū)；位于第一柵極上的第一柵源共享接觸孔和位于第二柵極的所述一端上的第二柵源共享接觸孔；第一柵源共享接觸孔連接第一柵極一端和有源區(qū)；第二柵源共享接觸孔僅連接第二柵極的所述一端，第二柵源共享接觸孔的底部不連接有源區(qū)；其中，

當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔呈導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，第二柵源共享接觸孔的正常狀態(tài)為不導(dǎo)通，第二柵源共享接觸孔的異常狀態(tài)為導(dǎo)通。

優(yōu)選地，第二柵源共享接觸孔底部設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)，第二柵源共享接觸孔與隔離結(jié)構(gòu)相接觸且同時(shí)與第二柵極的所述一端相接觸。

優(yōu)選地，所述第二柵源共享接觸孔底部設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，第一柵極和第二柵極之間平行排布。

優(yōu)選地，所述有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和所述第一柵極上。

優(yōu)選地，所述有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上。

優(yōu)選地，還包括第二導(dǎo)電類型晶體管；第一導(dǎo)電類型晶體管和第二導(dǎo)電類型晶體管交替排布。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供了一種采用上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制備方法，其包括：

步驟01：提供一襯底；在襯底中制備用于第一導(dǎo)電類型晶體管的有源區(qū)；

步驟02：在第一導(dǎo)電類型晶體管的有源區(qū)上制備第一柵極和第二柵極；其中，第二柵極的一端底部不位于有源區(qū)上；

步驟03：在第一柵極和有源區(qū)上制備第一柵源共享接觸孔，在第二柵極的所述一端上制備第二柵源共享接觸孔；其中，第二柵源共享接觸孔僅連接第二柵極的所述一端，且第二柵源共享接觸孔底部不連接有源區(qū)。

優(yōu)選地，所述步驟01中，還包括：在有源區(qū)之外區(qū)域且對(duì)應(yīng)于待形成的第二柵源共享接觸孔下方形成隔離結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和所述第一柵極上。

優(yōu)選地，所述有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供了一種采用上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行柵源共享接觸孔短路缺陷的測(cè)試方法，其包括：

首先，對(duì)第一柵源共享接觸孔和第二柵源共享接觸孔進(jìn)行電子束掃描，得到第一柵源共享接觸孔和第二柵源共享接觸孔的掃描影像；

然后，根據(jù)得到的掃描影像，判斷是否出現(xiàn)共享接觸孔短路缺陷；其中，判斷亮度呈現(xiàn)異常的第二柵源共享接觸孔出現(xiàn)短路缺陷。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電類型晶體管的所述有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；

則采用正電勢(shì)電子束掃描，得到第一柵源共享接觸孔和第二柵源共享接觸孔的掃描影像；

當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔呈亮孔，第二柵源共享接觸孔呈暗孔，判斷得出第二柵源共享接觸孔沒(méi)有短路缺陷；當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔呈亮孔，第二柵源共享接觸孔呈亮孔時(shí)，判斷得出該第二柵源共享接觸孔出現(xiàn)短路缺陷。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電類型的所述有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者所述有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，所述第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，所述第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；

則采用負(fù)電勢(shì)電子束掃描，得到第一柵源共享接觸孔和第二柵源共享接觸孔的掃描影像；

當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔呈暗孔，第二柵源共享接觸孔呈亮孔，判斷得出第二柵源共享接觸孔沒(méi)有短路缺陷；當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔呈暗孔，第二柵源共享接觸孔呈暗孔時(shí)，判斷得出該第二柵源共享接觸孔出現(xiàn)短路缺陷。

本發(fā)明的柵源共享接觸孔短路缺陷的測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法，通過(guò)設(shè)置第一柵源共享接觸孔連接第一柵極和有源區(qū)，第二柵源共享接觸孔只連接第二柵極，且其底部不連接有源區(qū)，當(dāng)?shù)诙旁垂蚕斫佑|孔與鄰近的柵極發(fā)生短路時(shí)，第二柵源共享接觸孔會(huì)呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)，從而根據(jù)第一柵源共享接觸孔和第二柵源共享接觸孔的電子束掃描得到的掃描影像可以很直觀的判斷得出第二柵源共享接觸孔發(fā)生短路缺陷，有利于進(jìn)行后續(xù)工藝窗口評(píng)估與工藝和機(jī)臺(tái)狀況監(jiān)控。

附圖說(shuō)明

圖1為晶圓良率測(cè)試示意圖

圖2為現(xiàn)有的柵源共享接觸孔與柵極產(chǎn)生短路的掃描電子顯微鏡圖片

圖3為現(xiàn)有的柵源共享接觸孔與柵極結(jié)構(gòu)正常的掃描電子顯微鏡圖片

圖4為正常的sram結(jié)構(gòu)的電子束掃描影像示意圖

圖5為柵源共享接觸孔與柵極產(chǎn)生短路的sram結(jié)構(gòu)的電子束掃描影像示意圖

圖6為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的正常的sram結(jié)構(gòu)的電子束掃描影像示意圖

圖7為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的sram結(jié)構(gòu)發(fā)生柵源共享接觸孔短路缺陷的電子束掃描影像示意圖

圖8為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的正常的測(cè)試結(jié)構(gòu)的等效結(jié)構(gòu)示意圖

圖9為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的發(fā)生柵源共享接觸孔短路的測(cè)試結(jié)構(gòu)的等效結(jié)構(gòu)示意圖

圖10為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制備方法和柵源共享接觸孔短路缺陷的測(cè)試方法的流程示意圖

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖，對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說(shuō)明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

以下結(jié)合附圖6～10和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說(shuō)明本實(shí)施例的目的。

請(qǐng)參閱圖6和圖8，本實(shí)施例的一種柵源共享接觸孔短路缺陷的測(cè)試結(jié)構(gòu)，具有第一導(dǎo)電類型晶體管，這里為pmos晶體管。本實(shí)施例中，測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括第二導(dǎo)電類型晶體管，這里可以為nmos晶體管，如圖6中虛線框中所示；第一導(dǎo)電類型晶體管pmos和第二導(dǎo)電類型晶體管nmos交替排布。

請(qǐng)參閱圖6，該第一導(dǎo)電類型晶體管pmos包括：

有源區(qū)aa、位于有源區(qū)aa上設(shè)置的第一柵極g1和第二柵極g2、第二柵極g2的一端的底部不設(shè)置有源區(qū)aa；位于第一柵極g1上的第一柵源共享接觸孔k1和位于第二柵極g2的一端上的第二柵源共享接觸孔k2；第一柵源共享接觸孔k1連接第一柵極g1的一端和有源區(qū)aa；第二柵源共享接觸孔k2僅連接第二柵極g2的一端，第二柵源共享接觸孔孔k2的底部不連接有源區(qū)aa。

本實(shí)施例中，請(qǐng)參閱圖8，第二柵源共享接觸孔k2底部設(shè)置有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)sti，第二柵源共享接觸孔k2與隔離結(jié)構(gòu)sti相接觸且同時(shí)與第二柵極g2的一端相接觸，需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，第二柵源共享接觸孔k2底部設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)sti。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，第二柵源共享接觸孔k2底部設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)還可以為其它可以起到隔離作用的結(jié)構(gòu)。

請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D6，第一柵極g1和第二柵極g2之間以一定間隔平行排布。

請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D8，根據(jù)當(dāng)?shù)诙旁垂蚕斫佑|孔k2與鄰近的柵極發(fā)生短路時(shí)，第二柵源共享接觸孔k2會(huì)呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)，本實(shí)施例的測(cè)試結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電類型晶體管包括：有源區(qū)aa包括n型深阱區(qū)n-well和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)p+，第一柵極k1設(shè)置于n型深阱區(qū)n-well上，第一柵源共享接觸孔k1設(shè)置于p型摻雜區(qū)p+和第一柵極g1上；或者第一導(dǎo)電類型晶體管還可以設(shè)置有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者第一導(dǎo)電類型晶體管還可以設(shè)置有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和第一柵極上。此外，第二導(dǎo)電類型晶體管與第一導(dǎo)電類型晶體管的類型相反，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型晶體管為pmos時(shí)，第二導(dǎo)電類型晶體管為nmos，如圖8所示，第二導(dǎo)電類型晶體管nmos為p型深阱區(qū)上n型摻雜區(qū)n+構(gòu)成。

此外，本發(fā)明的其它實(shí)施例中，測(cè)試結(jié)構(gòu)根據(jù)當(dāng)?shù)诙旁垂蚕斫佑|孔與鄰近的柵極發(fā)生短路時(shí)，第二柵源共享接觸孔會(huì)呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)，第一導(dǎo)電類型的晶體管還可以設(shè)置：有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和第一柵極上；或者第一導(dǎo)電類型的晶體管還可以設(shè)置有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和第一柵極上；或者第一導(dǎo)電類型的晶體管還可以設(shè)置有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和第一柵極上。

針對(duì)上述所有可能的測(cè)試結(jié)構(gòu)，當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔呈導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，第二柵源共享接觸孔的正常狀態(tài)為不導(dǎo)通，即說(shuō)明第二柵源共享接觸孔未出現(xiàn)短路缺陷；第二柵源共享接觸孔的異常狀態(tài)為導(dǎo)通，則說(shuō)明第二柵源共享接觸孔出現(xiàn)短路缺陷。

此外，請(qǐng)參閱圖6至10，本實(shí)施例中還提供一種對(duì)本實(shí)施例上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制備方法包括：

步驟01：提供一襯底；在襯底中制備用于第一導(dǎo)電類型晶體管pmos的有源區(qū)aa；

具體的，本步驟還包括：在有源區(qū)之外區(qū)域且對(duì)應(yīng)于待形成的第二柵源共享接觸孔k2下方形成隔離結(jié)構(gòu)sti。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中還具有第二導(dǎo)電類型晶體管nmos，此時(shí)制備第一導(dǎo)電類型晶體管nmos時(shí)，第二導(dǎo)電類型晶體管pmos可以同步制備，也可以先制備第一導(dǎo)電類型晶體管nmos再制備第二導(dǎo)電類型晶體管pmos，或反之亦可。此外，還需要說(shuō)明的是，由于本實(shí)施例為測(cè)試結(jié)構(gòu)，測(cè)試結(jié)構(gòu)的制備工藝可以與正常器件結(jié)構(gòu)的制備工藝相兼容，也即是可以同步制備，只是在本步驟01中，測(cè)試結(jié)構(gòu)中在有源區(qū)aa之外區(qū)域且對(duì)應(yīng)于待形成的第二柵源共享接觸孔k2下方形成隔離結(jié)構(gòu)sti；而正常器件結(jié)構(gòu)中不需這個(gè)步驟。

步驟02：在第一導(dǎo)電類型晶體管nmos的有源區(qū)aa上制備第一柵極g2和第二柵極g2；其中，第二柵極g2的一端底部不位于有源區(qū)aa上；

步驟03：在第一柵極g1和有源區(qū)aa上制備第一柵源共享接觸孔k1，在第二柵極g2上制備第二柵源共享接觸孔k2；其中，第二柵源共享接觸孔k2僅連接第二柵極g2，且其底部不連接有源區(qū)aa；

接下了，描述采用本實(shí)施例的上述測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行柵源共享接觸孔短路缺陷的測(cè)試方法，包括：

步驟04：對(duì)第一柵源共享接觸孔k1和第二柵源共享接觸孔k2進(jìn)行電子束掃描，得到第一柵源共享接觸孔k1和第二柵源共享接觸孔k2的掃描影像；

步驟05：根據(jù)得到的掃描影像，判斷是否出現(xiàn)共享接觸孔短路缺陷；其中，判斷亮度呈現(xiàn)異常的第二柵源共享接觸孔出現(xiàn)短路缺陷。

當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔k1呈導(dǎo)通狀態(tài)，第二柵源共享接觸孔k2呈不導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，判斷得出第二柵源共享接觸孔k2沒(méi)有短路缺陷；當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔k1呈導(dǎo)通狀態(tài)，第二柵源共享接觸孔k2呈導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，判斷得出第二柵源共享接觸孔k2出現(xiàn)短路缺陷。

舉例來(lái)說(shuō)，請(qǐng)參閱圖8，本實(shí)施例的第一導(dǎo)電類型晶體管pmos的有源區(qū)aa包括n型深阱區(qū)n-well和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)p+，第一柵極k1設(shè)置于n型深阱區(qū)n-well上，第一柵源共享接觸孔k1設(shè)置于p型摻雜區(qū)p+和第一柵極g1上；或者第一導(dǎo)電類型晶體管還可以設(shè)置有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；或者第一導(dǎo)電類型晶體管還可以設(shè)置有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和第一柵極上。

對(duì)于上述可能的幾種測(cè)試結(jié)構(gòu)，當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔k1導(dǎo)通，第二柵源共享接觸孔k2不導(dǎo)通為正常，若第二柵源共享接觸孔k2也呈導(dǎo)通狀態(tài)，則為不正常。上述步驟04中，采用正電勢(shì)電子束掃描，得到第一柵源共享接觸孔k1和第二柵源共享接觸孔k2的掃描影像，如圖6和7；

上述步驟05中，若第一柵源共享接觸孔k1呈亮孔，第二柵源共享接觸孔k2呈暗孔，說(shuō)明第一柵源共享接觸孔k1導(dǎo)通，第二柵源共享接觸孔k2不導(dǎo)通，判斷得出第二柵源共享接觸孔k2沒(méi)有短路缺陷，如圖6和8所示；當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔k1呈亮孔，第二柵源共享接觸孔k2呈亮孔時(shí)，說(shuō)明第一柵源共享接觸孔k1導(dǎo)通，第二柵源共享接觸孔k2導(dǎo)通即發(fā)生異常，判斷得出第二柵源共享接觸孔k2出現(xiàn)短路缺陷，如圖7和9所示，圖7中箭頭所指的一個(gè)第二柵源共享接觸孔k2出現(xiàn)亮度變化，表示這個(gè)第二柵源共享接觸孔k2出現(xiàn)短路。

此外，針對(duì)本發(fā)明其它實(shí)施例的有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和第一柵極上；或者有源區(qū)包括p型深阱區(qū)和位于p型深阱區(qū)內(nèi)的p型摻雜區(qū)，第一柵極設(shè)置于p型深阱區(qū)上，第一柵源共享接觸孔設(shè)置于p型摻雜區(qū)和第一柵極上；或者有源區(qū)包括n型深阱區(qū)和位于n型深阱區(qū)內(nèi)的n型摻雜區(qū)，第一柵極設(shè)置于n型深阱區(qū)上，第一柵源共享接觸孔設(shè)置于n型摻雜區(qū)和所述第一柵極上；針對(duì)這樣的測(cè)試結(jié)構(gòu)，上述步驟04中，采用負(fù)電勢(shì)電子束掃描，得到第一柵源共享接觸孔和第二柵源共享接觸孔的掃描影像；上述步驟05中，當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔呈暗孔，第二柵源共享接觸孔呈亮孔，說(shuō)明第一柵源共享接觸孔導(dǎo)通，第二柵源共享接觸孔不導(dǎo)通，判斷得出第二柵源共享接觸孔沒(méi)有短路缺陷；當(dāng)?shù)谝粬旁垂蚕斫佑|孔呈暗孔，第二柵源共享接觸孔呈暗孔時(shí)，說(shuō)明第一柵源共享接觸孔導(dǎo)通，而第二柵源共享接觸孔導(dǎo)通即發(fā)生異常，判斷得出第二柵源共享接觸孔出現(xiàn)短路缺陷。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然實(shí)施例僅為了便于說(shuō)明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動(dòng)與潤(rùn)飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書(shū)為準(zhǔn)。