本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管器件及其制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，oled)器件，又稱有機(jī)電致發(fā)光二極管器件，因具有自發(fā)光、色彩豐富、響應(yīng)速度快、視角寬、重量輕、厚度薄、耗電少、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，因此受到廣泛關(guān)注，而且，采用有機(jī)發(fā)光二極管器件制得的顯示裝置被視為具有巨大應(yīng)用前景的顯示裝置。

有機(jī)發(fā)光二極管器件的基本結(jié)構(gòu)是一種由陽極、陰極和位于陽極和陰極之間的有機(jī)層構(gòu)成的夾層結(jié)構(gòu)，其中，陽極通常為薄而透明且具有半導(dǎo)體特性的銦錫氧化物(indiumtinoxide，ito)層，陰極通常為金屬層。當(dāng)對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管器件施加電壓時(shí)，由陽極輸出的空穴與由陰極輸出的電子在有機(jī)層的發(fā)光層結(jié)合，激發(fā)發(fā)光層發(fā)光，實(shí)現(xiàn)有機(jī)發(fā)光二極管器件的發(fā)光，發(fā)光層發(fā)出的光經(jīng)陽極射出。然而，發(fā)光層發(fā)出的光中，其中部分會(huì)入射至陰極，在陰極與有機(jī)層的界面上容易形成表面等離激元模式(surfaceplasmonspolaritonsmode，sppmode)，該部分光不能出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外，導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管器件的光取出效率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管器件，用于解決部分光不能出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管器件的光取出效率降低的技術(shù)問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種有機(jī)發(fā)光二極管器件，包括：襯底基板和依次設(shè)置于所述襯底基板上的第一電極、有機(jī)層和第二電極；所述第一電極和所述第二電極均為透明電極；所述有機(jī)發(fā)光二極管還包括金屬封裝層，所述金屬封裝層位于所述第二電極背向所述第一電極的一側(cè)，且所述金屬封裝層朝向所述第二電極的表面為粗糙面。

優(yōu)選地，所述有機(jī)發(fā)光二極管器件還包括光匹配層，所述光匹配層位于所述第二電極與所述金屬封裝層之間。

優(yōu)選地，所述光匹配層的折射率與所述第二電極的折射率之差的絕對(duì)值小于或等于0.2。

優(yōu)選地，所述光匹配層的折射率小于所述第二電極的折射率。

優(yōu)選地，所述光匹配層的折射率為1.8～2.2。

優(yōu)選地，所述光匹配層為光學(xué)膠層或壓敏膠層。

優(yōu)選地，所述金屬封裝層的光反射率大于或等于80％。

優(yōu)選地，所述第二電極的光透過率大于或等于70％。

優(yōu)選地，所述金屬封裝層的材料為因瓦合金，或，不銹鋼，或，鋁，或，鈷，或，鎳，或，鉻，或，鐵，或，鉑，或，鈀，或，錳，或，銀，或，鋁、鈷、鎳、鉻、鐵、鉑、鈀、錳、銀中的至少兩種構(gòu)成的合金。

當(dāng)本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件工作時(shí)，在第一電極和第二電極上分別施加電壓，電子和空穴在有機(jī)層的發(fā)光層結(jié)合，激發(fā)有機(jī)層的發(fā)光層發(fā)光，有機(jī)層的發(fā)光層發(fā)出的光中，部分光穿過第二電極入射至金屬封裝層，由于金屬封裝層朝向第二電極的表面為粗糙面，因而入射至金屬封裝層的光在金屬封裝層朝向第二電極的界面上不會(huì)形成表面等離激元模式，并會(huì)被金屬封裝層反射，然后穿過第二電極、有機(jī)層、第一電極、襯底基板，出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外。因此，本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件中，不存在表面等離激元模式形成的條件，有機(jī)層的發(fā)光層發(fā)出的光不會(huì)因在有機(jī)發(fā)光二極管器件內(nèi)引起表面等離激元模式的形成而不能出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外，從而改善了有機(jī)發(fā)光二極管器件的光取出效率。

本發(fā)明的目的還在于提供一種顯示裝置，用于解決部分光不能出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管器件的光取出效率降低的技術(shù)問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種顯示裝置，所述顯示裝置設(shè)置有如上述技術(shù)方案所述的有機(jī)發(fā)光二極管器件。

所述顯示裝置與上述有機(jī)發(fā)光二極管器件相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。

本發(fā)明的目的還在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法，用于解決部分光不能出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管器件的光取出效率降低的技術(shù)問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法，包括：

形成襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成第一電極、有機(jī)層和第二電極；

在所述第二電極背向所述第一電極的一側(cè)形成金屬封裝層，所述金屬封裝層朝向所述第二電極的表面為粗糙面。

進(jìn)一步地，在所述第二電極背向所述第一電極的一側(cè)形成金屬封裝層的步驟包括：

在載體基板上形成金屬薄膜；

將所述金屬薄膜與所述載體基板分離，并將所述金屬薄膜貼合在所述第二電極背向所述第一電極的一側(cè)。

進(jìn)一步地，所述在載體基板上形成金屬薄膜的步驟之后、所述將所述金屬薄膜與所述載體基板分離，并將所述金屬薄膜貼合在所述第二電極背向所述第一電極的一側(cè)的步驟之前，所述有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法還包括：

對(duì)所述金屬薄膜背向所述載體基板的表面進(jìn)行粗糙化處理。

進(jìn)一步地，所述在所述襯底基板上依次形成第一電極、有機(jī)層和第二電極的步驟之后、所述在所述第二電極背向所述第一電極的一側(cè)形成金屬封裝層的步驟之前，所述有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法還包括：

在所述第二電極背向所述第一電極的表面上形成光匹配層。

進(jìn)一步地，所述在所述第二電極背向所述第一電極的表面上形成光匹配層的步驟包括：

形成固態(tài)膜；

將所述固態(tài)膜貼合在所述第二電極背向所述第一電極的表面上；

或者，

采用涂布或打印的方式，在所述第二電極背向所述第一電極的表面上形成光匹配薄膜；

利用紫外照射或熱固化的方式，對(duì)所述光匹配薄膜進(jìn)行固化。

所述有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法與上述有機(jī)發(fā)光二極管器件相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法的流程圖一；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法的流程圖二；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法的流程圖三。

附圖標(biāo)記：

10-襯底基板，20-第一電極，

30-有機(jī)層，31-空穴注入層，

32-空穴傳輸層，33-發(fā)光層，

34-電子傳輸層，35-電子注入層，

40-第二電極，50-光匹配層，

60-金屬封裝層。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步說明本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件及其制造方法、顯示裝置，下面結(jié)合說明書附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件包括：襯底基板10，以及依次層疊設(shè)置襯底基板10上的第一電極20、有機(jī)層30和第二電極40，第一電極20和第二電極40均為透明電極；本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件還包括金屬封裝層60，金屬封裝層60位于第二電極40背向第一電極20的一側(cè)，且金屬封裝層60朝向第二電極40的表面為粗糙面。

舉例來說，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件包括：襯底基板10，以及依次形成在襯底基板10上的第一電極20、有機(jī)層30、第二電極40和金屬封裝層60，其中，第一電極20、有機(jī)層30和第二電極40依次設(shè)置于襯底基板10上，優(yōu)選地，第一電極20與第二電極40相對(duì)平行設(shè)置，以便于電子和空穴在有機(jī)層30內(nèi)移動(dòng)并在有機(jī)層30內(nèi)結(jié)合，激發(fā)有機(jī)層30的發(fā)光層33發(fā)光，第一電極20可以為陽極，此時(shí)，第二電極40為陰極，或者，第一電極20可以為陰極，此時(shí)，第二電極40為陽極，在本發(fā)明實(shí)施例中，以第一電極20為陽極、第二電極40為陰極為例進(jìn)行說明，第一電極20和第二電極40均為透明電極，且第一電極20和第二電極40均可以采用透明導(dǎo)電氧化物制得，例如，第一電極20和第二電極40均可以采用銦錫氧化物(indiumtinoxide，ito)制得；有機(jī)層30位于第一電極20和第二電極40之間，有機(jī)層30包括發(fā)光層33，有機(jī)層30還可以包括電子注入層35、電子傳輸層34、空穴傳輸層32和空穴注入層31，例如，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，第一電極20為陽極、第二電極40為陰極時(shí)，有機(jī)層30包括圖1中由下至上的空穴注入層31、空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34和電子注入層35；金屬封裝層60位于第二電極40背向第一電極20的一側(cè)，且金屬封裝層60朝向第二電極40的表面為粗糙面，即金屬封裝層60位于圖1中第二電極40的上側(cè)，圖1中金屬封裝層60的下表面為粗糙面。

當(dāng)本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件工作時(shí)，如圖1所示，第一電極20為陽極，第二電極40為陰極，在第一電極20和第二電極40上分別施加電壓，由第一電極20輸出的空穴經(jīng)空穴注入層31、空穴傳輸層32移動(dòng)至發(fā)光層33，由第二電極40輸出的電子經(jīng)電子注入層35、電子傳輸層34移動(dòng)至發(fā)光層33，空穴和電子在發(fā)光層33中結(jié)合，形成激子，激發(fā)發(fā)光層33發(fā)光；發(fā)光層33發(fā)出的光中，部分光則經(jīng)空穴傳輸層32、空穴注入層31、第一電極20和襯底基板10出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外；部分光則經(jīng)電子傳輸層34、電子注入層35和第二電極40入射至金屬封裝層60，由于金屬封裝層60在圖1中的下表面為粗糙面，該部分光則在金屬封裝層60的下表面上不能引起表面等離激元模式的形成，且該部分光被金屬封裝層60的下表面反射，經(jīng)金屬封裝層60的下表面反射后的光則經(jīng)第二電極40、電子注入層35、電子傳輸層34、發(fā)光層33、空穴傳輸層32、空穴注入層31、第一電極20和襯底基板10后，出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外，即可以認(rèn)為有機(jī)發(fā)光二極管器件為底發(fā)射有機(jī)發(fā)光二極管器件。

由上述可知，在本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件中，由于金屬封裝層60朝向第二電極40的表面為粗糙面，因而不存在表面等離激元模式形成的條件，有機(jī)層30的發(fā)光層33發(fā)出的光不會(huì)因在有機(jī)發(fā)光二極管器件內(nèi)因引起表面等離激元模式的形成而不能出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外，從而改善了有機(jī)發(fā)光二極管器件的光取出效率。

另外，在本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件中，由于有機(jī)層30的發(fā)光層33發(fā)出的光不會(huì)因在有機(jī)發(fā)光二極管器件內(nèi)因引起表面等離激元模式的形成而不能出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外，因而可以提高有機(jī)發(fā)光二極管器件的發(fā)光效率。

再者，在本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件中，由于有機(jī)層30的發(fā)光層33發(fā)出的光不會(huì)因在有機(jī)發(fā)光二極管器件內(nèi)因引起表面等離激元模式的形成而不能出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外，當(dāng)將有機(jī)發(fā)光二極管器件應(yīng)用于顯示裝置時(shí)，可以提高顯示裝置的畫面顯示質(zhì)量，例如，可以提高顯示裝置的畫面顯示亮度，并可以降低顯示裝置的能耗。

請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件還包括位于第二電極40與金屬封裝層60之間的光匹配層50，金屬封裝層60通過光匹配層50貼合在第二電極40上，光匹配層50可以選用光學(xué)膠(opticallyclearadhesive，oca)、壓敏膠(pressuresensitiveadhesive，psa)等。如此設(shè)計(jì)，相比于金屬封裝層60直接與第二電極40接觸，可以改善金屬封裝層60與第二電極40緊密貼合程度，防止金屬封裝層60與第二電極40發(fā)生分離。

上述實(shí)施例中，在選擇光匹配層50的材料時(shí)，可以根據(jù)第二電極40的折射率來確定，其中，可以要求光匹配層50的折射率與第二電極40的折射率相匹配，優(yōu)選地，光匹配層50的折射率與第二電極40的折射率之差的絕對(duì)值小于或等于0.2，進(jìn)一步地，光匹配層50的折射率小于第二電極40的折射率，例如，第二電極40的材料為透明導(dǎo)電氧化物時(shí)，光匹配層50可以選用折射率為1.8～2.2的材料，如此，可以防止經(jīng)金屬封裝層60反射后的光在光匹配層50與第二電極40的接觸面上發(fā)生全反射或部分反射，從而進(jìn)一步改善有機(jī)發(fā)光二極管器件的光取出效率。

在上述實(shí)施例中，金屬封裝層60的光反射率可以大于或等于80％，優(yōu)選地，金屬封裝層60的光反射率可以大于或等于90％，如此，可以防止因金屬封裝層60的光反射率較低而造成金屬封裝層60吸收光，從而可以減少有機(jī)發(fā)光二極管器件內(nèi)的結(jié)構(gòu)對(duì)發(fā)光層33發(fā)出的光的吸收，增加出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外的光的數(shù)量，進(jìn)而進(jìn)一步改善有機(jī)發(fā)光二極管器件的光取出效率。

上述實(shí)施例中，金屬封裝層60的材料可以為多種，例如，金屬封裝層60的材料可以為因瓦合金，或者，金屬封裝層60的材料可以為不銹鋼，或者，金屬封裝層60的材料可以為鋁、鈷、鎳、鉻、鐵、鉑、鈀、錳、銀中的一種，或者，金屬封裝層60的材料可以為鋁、鈷、鎳、鉻、鐵、鉑、鈀、錳、銀中的至少兩種構(gòu)成的合金。

金屬封裝層60的材料為鐵鎳合金時(shí)，由于鐵鎳合金的熱膨脹系數(shù)與通常用作襯底基板10的玻璃的熱膨脹系數(shù)相匹配，因而可以減少在制造有機(jī)發(fā)光二極管器件引起變形，例如翹曲、彎曲等。

金屬封裝層60的材料為鋁、銀或鋁銀合金，由于鋁(光反射率90％)、銀(光反射率95％～99％)或鋁銀合金具有較高的光反射率，可以進(jìn)一步減少有機(jī)發(fā)光二極管器件內(nèi)的結(jié)構(gòu)對(duì)發(fā)光層33發(fā)出的光的吸收，增加出射至有機(jī)發(fā)光二極管器件外的光的數(shù)量，進(jìn)而進(jìn)一步改善有機(jī)發(fā)光二極管器件的光取出效率。其中，金屬封裝層60的材料選擇鋁銀合金時(shí)，鋁銀合金中的鋁和銀的質(zhì)量比可以為90:10～95:5，如此設(shè)計(jì)，可以在使金屬封裝層60具有較高的光反射率的同時(shí)，降低成本。

上述實(shí)施例中，第二電極40的光透過率大于或等于70％，以減少第二電極40對(duì)光的吸收，進(jìn)一步改善有機(jī)發(fā)光二極管器件的光取出效率。其中，第二電極40的材料可以為導(dǎo)電氧化物，例如透明導(dǎo)電氧化物(transparentconductiveoxide，tco)，第一電極20的材料也可以為導(dǎo)電氧化物，此時(shí)，第一電極20和第二電極40均為導(dǎo)電氧化物電極。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置設(shè)置有如上述實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光二極管器件。

所述顯示裝置與上述有機(jī)發(fā)光二極管器件相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。

請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法，用于制造如上述實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光二極管器件，所述有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法包括：

步驟s100、形成襯底基板。

步驟s200、在襯底基板上依次形成第一電極、有機(jī)層和第二電極。

步驟s300、在第二電極背向第一電極的一側(cè)形成金屬封裝層，金屬封裝層朝向第二電極的表面為粗糙面。

本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于方法實(shí)施例而言，由于其基本相似于器件實(shí)施例，所以描述得比較簡單，相關(guān)之處參見器件實(shí)施例的部分說明即可。

在上述實(shí)施例中，在執(zhí)行步驟s300、在第二電極背向第一電極的一側(cè)形成金屬封裝層時(shí)，可以直接在第二電極背向第一電極的一側(cè)形成金屬封裝層，或者，請(qǐng)參閱圖4或圖5，步驟s300、在第二電極背向第一電極的一側(cè)形成金屬封裝層的步驟包括：

步驟s310、在載體基板上形成金屬薄膜。

步驟s320、將金屬薄膜與載體基板分離，并將金屬薄膜貼合在第二電極背向第一電極的一側(cè)。

具體地，可以在載體基板上形成金屬薄膜，然后將金屬薄膜與載體基板分離，并將金屬薄膜貼合在第二電極背向第一電極的一側(cè)，形成金屬封裝層，其中，完成金屬薄膜的形成后，金屬薄膜的表面均具有一定的粗糙度，因而將金屬薄膜貼合在第二電極背向第一電極的一側(cè)、形成金屬封裝層后，金屬封裝層朝向第二電極的表面即具有一定的粗糙度。

為了提高金屬封裝層朝向第二電極的表面的粗糙度，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖4或圖5，在步驟s310、在載體基板上形成金屬薄膜之后，在步驟s320、將金屬薄膜與載體基板分離，并將金屬薄膜貼合在第二電極背向第一電極的一側(cè)之前，本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法還包括：

步驟s310’、對(duì)金屬薄膜背向載體基板的表面進(jìn)行粗糙化處理。

具體地，在載體基板上形成金屬薄膜之后，對(duì)金屬薄膜背向載體基板的表面進(jìn)行粗糙化處理，使金屬薄膜背向載體基板的表面的粗糙度符合金屬封裝層的粗糙面的粗糙度要求，將金屬薄膜與載體基板分離后，將金屬薄膜貼合在第二電極背向第一電極的一側(cè)時(shí)，金屬薄膜背向載體基板的表面朝向第二電極，如此設(shè)計(jì)，可以對(duì)金屬封裝層朝向第二電極的表面的粗糙度進(jìn)行控制和調(diào)節(jié)，從而進(jìn)一步改善有機(jī)發(fā)光二極管器件的光取出效率。

值得指出的是，上述實(shí)施例中，步驟s310、步驟s310’、步驟s100和步驟s200的順序可以為多種，例如，步驟s310、步驟s310’可以與步驟s100、步驟s200同時(shí)進(jìn)行，或者，步驟s310、步驟s310’可以在步驟s100、步驟s200之前進(jìn)行，或者，步驟s310、步驟s310’可以在步驟s100、步驟s200之后進(jìn)行，步驟s310、步驟s310’、步驟s100和步驟s200的順序可以包括但不限于上述，在此不贅述。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3，在本發(fā)明實(shí)施例中，在步驟s200、在襯底基板上依次形成第一電極、有機(jī)層和第二電極之后，步驟s300、在第二電極背向第一電極的一側(cè)形成金屬封裝層之前，本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件的制造方法還包括：

步驟s200’、在第二電極背向第一電極的表面上形成光匹配層。

在步驟s200’中，在第二電極背向第一電極的表面上形成光匹配層時(shí)，可以采用多種方式，例如，請(qǐng)參閱圖4，步驟s200’、在第二電極背向第一電極的表面上形成光匹配層可以包括：

步驟s210a、形成固態(tài)膜。

步驟s220a、將固態(tài)膜貼合在第二電極背向第一電極的表面上。

或者，請(qǐng)參閱圖5，步驟s200’、在第二電極背向第一電極的表面上形成光匹配層可以包括：

步驟s210b、采用涂布或打印的方式，在第二電極背向第一電極的表面上形成光匹配薄膜。

步驟s220b、利用紫外照射或熱固化的方式，對(duì)光匹配薄膜進(jìn)行固化。

在上述實(shí)施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。