本發(fā)明涉及一種屏蔽連接器的制造方法，尤其是指一種可保證屏蔽連接器良好屏蔽效果的制造方法。
背景技術(shù)：
：專利號(hào)為cn201310691784.2的中國專利揭示了一種屏蔽連接器，包括至少一本體，每一所述本體具有一上表面和一下表面，自所述上表面向所述下表面貫設(shè)多個(gè)信號(hào)收容槽和多個(gè)接地收容槽，制造時(shí)，先將所述本體整體鍍設(shè)一導(dǎo)電層，使所述上表面、所述下表面、所述信號(hào)收容槽內(nèi)和所述接地收容槽內(nèi)均具有所述導(dǎo)電層，然后利用蝕刻治具將所述上表面和所述下表面在臨近每個(gè)所述信號(hào)收容槽外圍的所述導(dǎo)電層蝕刻掉，使所述上表面在臨近每個(gè)所述信號(hào)收容槽外圍形成一隔離區(qū)，所述下表面在臨近每個(gè)所述信號(hào)收容槽外圍形成一絕緣部，所述信號(hào)收容槽內(nèi)的所述導(dǎo)電層也被蝕刻掉，形成一絕緣表面，而接地收容槽內(nèi)的所述導(dǎo)電層被保留，故僅所述接地端子與所述導(dǎo)電層接觸，從而保證了所述屏蔽連接器良好的的屏蔽效果。然而，上述蝕刻工藝的實(shí)現(xiàn)必須保證所述上表面和下表面必須為平整的平面，當(dāng)所述上表面和下表面不是一個(gè)平整的面時(shí)，在進(jìn)行蝕刻工藝時(shí)，由于所述上表面和下表面不平整，使得蝕刻治具與所述上表面和下表面之間仍存在一間隙，在蝕刻加工過程中，蝕刻溶液容易通過所述間隙進(jìn)入我們原本需要保留的所述金屬層內(nèi)，進(jìn)而將我們原本需要保留的所述金屬層也蝕刻掉，影響了所述本體的加工制造，從而影響了所述屏蔽連接器良好的屏蔽效果。因此，有必要設(shè)計(jì)一種新的屏蔽連接器的制造方法，以克服上述問題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的創(chuàng)作目的在于提供一種屏蔽連接器的制造方法，尤其是指一種可保證屏蔽連接器良好屏蔽效果的制造方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一種屏蔽連接器的制造方法，其特征在于，包括：s1：提供一本體，具有相對設(shè)置的一上表面和一下表面，以及至少一信號(hào)收容孔和至少一接地收容孔分別貫穿所述上表面和所述下表面；s2：提供一金屬層，鍍設(shè)于所述本體的上表面以及所述信號(hào)收容孔和接地收容孔的內(nèi)壁；s3：通過激光將所述上表面圍繞所述信號(hào)收容孔一圈的金屬層去除，使所述上表面形成一隔離區(qū)圍繞所述信號(hào)收容孔，所述隔離區(qū)不設(shè)有金屬層，及將所述金屬層分隔成位于所述隔離區(qū)之外的一第一金屬層和位于所述隔離區(qū)之內(nèi)的一第二金屬層；s4：將所述上表面的第一金屬層通電進(jìn)行電鍍處理，以增加所述上表面的第一金屬層的厚度，所述第二金屬層由于與第一金屬層電性隔斷而不能通電使得所述第二金屬層未加厚；s5：將所述金屬層去除所述第二金屬層的厚度，從而所述第二金屬層完全去除，所述第一金屬層的厚度減小；s6：提供至少一信號(hào)端子和至少一接地端子，分別對應(yīng)裝入所述信號(hào)收容孔和接地收容孔中，用于導(dǎo)接一芯片模塊。進(jìn)一步，所述本體還設(shè)有多個(gè)通孔圍繞在每一個(gè)信號(hào)收容孔和每一個(gè)接地收容孔的周圍，所述通孔貫穿所述上表面和所述下表面，所述隔離區(qū)與所述信號(hào)收容孔連通，所述通孔位于所述隔離區(qū)之外。進(jìn)一步，在步驟s6之后，將一支撐蓋設(shè)于所述本體上，用以支撐所述芯片模塊，所述支撐蓋設(shè)有多個(gè)通槽分別供信號(hào)端子和接地端子穿過，自所述支撐蓋底面向下凸伸多個(gè)支撐塊，當(dāng)所述芯片模塊與所述信號(hào)端子和接地端子抵接時(shí)，所述支撐塊支撐于所述上表面且位于相鄰兩通孔之間。進(jìn)一步，多個(gè)凸塊位于所述上表面上，用以支撐所述芯片模塊；在步驟s2中，所述金屬層還鍍設(shè)于所述凸塊的表面。進(jìn)一步，在步驟s3中，通過所述激光去除圍繞所述凸塊一圈的金屬層。進(jìn)一步，在步驟s3中，通過所述激光去除位于所述凸塊與所述上表面的連接處的金屬層。進(jìn)一步，在步驟s3中，通過所述激光去除位于所述凸塊側(cè)面上一圈的金屬層。進(jìn)一步，在步驟s3中，通過所述激光去除位于所述凸塊頂面上的金屬層。進(jìn)一步，所述凸塊包括自所述上表面向上延伸形成的第一凸塊及位于第一凸塊上的第二凸塊，第二凸塊的頂面小于第一凸塊的頂面，第二凸塊的頂面用于支撐所述芯片模塊，在步驟s3中，所述激光去除位于所述第二凸塊頂面上的金屬層。進(jìn)一步，自所述上表面四側(cè)緣分別向上凸伸一側(cè)墻，用以擋止所述芯片模塊水平移動(dòng)。一種屏蔽連接器的制造方法，其特征在于，包括：s1：提供一本體，具有相對設(shè)置的一上表面和一下表面，以及至少一信號(hào)收容孔和至少一接地收容孔分別貫穿所述上表面和所述下表面；s2：提供一金屬層，鍍設(shè)于所述本體的上表面以及所述信號(hào)收容孔和接地收容孔的內(nèi)壁；s3：通過激光將所述上表面圍繞所述信號(hào)收容孔一圈的金屬層去除，使所述上表面形成一隔離區(qū)圍繞所述信號(hào)收容孔，所述隔離區(qū)不設(shè)有金屬層；s4：提供至少一信號(hào)端子和至少一接地端子，分別對應(yīng)裝入所述信號(hào)收容孔和接地收容孔中。進(jìn)一步，所述本體還設(shè)有多個(gè)通孔圍繞在每一個(gè)信號(hào)收容孔和每一個(gè)接地收容孔的周圍，所述通孔貫穿所述上表面和所述下表面，所述隔離區(qū)與所述信號(hào)收容孔連通，所述通孔位于所述隔離區(qū)之外。進(jìn)一步，將一支撐蓋設(shè)于所述本體上，用以支撐所述芯片模塊，所述支撐蓋設(shè)有多個(gè)通槽分別供信號(hào)端子和接地端子穿過，自所述支撐蓋底面向下凸伸多個(gè)支撐塊，當(dāng)所述芯片模塊與所述信號(hào)端子和接地端子抵接時(shí)，所述支撐塊支撐于所述上表面且位于相鄰兩通孔之間。進(jìn)一步，多個(gè)凸塊位于所述上表面上，用以支撐所述芯片模塊；在步驟s2中，所述金屬層還鍍設(shè)于所述凸塊的表面。進(jìn)一步，在步驟s3中，所述激光去除位于所述凸塊頂面上的金屬層。進(jìn)一步，所述凸塊包括自所述上表面向上延伸形成的第一凸塊及位于第一凸塊上的第二凸塊，第二凸塊的頂面小于第一凸塊的頂面，第二凸塊的頂面用于支撐所述芯片模塊，在步驟s3中，所述激光去除位于所述第二凸塊頂面上的金屬層。進(jìn)一步，所述第二凸塊頂面為弧形面。進(jìn)一步，所述接地端子與所述信號(hào)端子結(jié)構(gòu)相同，在步驟s4之后，所述信號(hào)收容孔和接地收容孔的內(nèi)壁均有所述金屬層。進(jìn)一步，自所述上表面四側(cè)邊分別向上凸伸一側(cè)墻，用以擋止所述芯片模塊水平移動(dòng)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明屏蔽連接器的制造方法具有以下有益效果：通過激光將所述上表面靠近所述信號(hào)收容孔周邊的金屬層去除，使所述上表面形成一隔離區(qū)圍繞所述信號(hào)收容孔，無需保證所述上表面為一個(gè)平整的面便可實(shí)現(xiàn)，方便了所述本體的加工制造。將所述第一金屬層通電進(jìn)行電鍍加厚，再將所述金屬層去除所述第二金屬層的厚度，在保證將所述第二金屬層完全去除的同時(shí)，又能保證所述本體仍然具有所述第二金屬層，從而保證了所述屏蔽連接器良好的的屏蔽效果?！靖綀D說明】圖1為本發(fā)明屏蔽連接器的制造方法的流程圖；圖2為圖1的屏蔽連接器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖1的屏蔽連接器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明屏蔽連接器的第一實(shí)施例的立體示意圖；圖5為圖4的局部示意圖；圖6為圖5的局部剖視圖；圖7為圖6的另一角度的示意圖；圖8為圖6中信號(hào)端子和接地端子組裝于本體前的示意圖；圖9為圖8的另一角度的示意圖；圖10為圖9的在芯片模塊下壓后的示意圖；圖11為激光照射在第一凸塊側(cè)面的實(shí)施例示意圖；圖12為激光照射在第二凸塊頂面的實(shí)施例示意圖；圖13為本發(fā)明屏蔽連接器的另一種制造方法的流程圖；圖14為圖13的屏蔽連接器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖15為圖13的屏蔽連接器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖16為本發(fā)明屏蔽連接器的第二實(shí)施例的立體示意圖；圖17為圖16中支撐蓋支撐于本體上的示意圖。具體實(shí)施方式的附圖標(biāo)號(hào)說明：屏蔽連接器100本體1上表面11下表面12信號(hào)收容孔131接地收容孔132通孔14凸塊15第一凸塊151第二凸塊152側(cè)墻16信號(hào)端子21接地端子22金屬層3第一金屬層31第二金屬層32芯片模塊4電路板5錫球6支撐蓋7通槽71支撐塊72間隙73激光l隔離區(qū)g絕緣區(qū)h【具體實(shí)施方式】為便于更好的理解本發(fā)明的目的、結(jié)構(gòu)、特征以及功效等，現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。如圖1至圖10所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例的屏蔽連接器100，用以電性連接一芯片模塊4至一電路板5，屏蔽連接器100的制造方法為：如圖1至圖10所示，s1：提供一本體1，所述本體1具有相對設(shè)置的一上表面11和一下表面12及多個(gè)信號(hào)收容孔131和接地收容孔132。所述本體1還設(shè)有多個(gè)通孔14圍繞在每一個(gè)信號(hào)收容孔131和每一個(gè)接地收容孔132的周圍，所述信號(hào)收容孔131、所述接地收容孔132和所述通孔14分別貫穿所述上表面11和所述下表面12。多個(gè)凸塊15位于所述上表面11上，每一所述凸塊15包括自所述上表面11向上凸伸的一第一凸塊151，及位于第一凸塊151上的一第二凸塊152（當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，所述凸塊15也可為一件式而不是兩件式），第二凸塊152的頂面小于第一凸塊151的頂面，所述第二凸塊152頂面用于支撐所述芯片模塊4且為弧形面（當(dāng)然在其它實(shí)施例中，所述第二凸塊152頂面也可為平面）。自所述上表面11的四側(cè)緣分別向上凸伸一側(cè)墻16，用以擋止所述芯片模塊4水平移動(dòng)。s2：將所述本體1置于金屬液中，使金屬液在所述本體1中自由擴(kuò)散，直至覆蓋整個(gè)所述本體1，從而使得所述本體1的上表面11和下表面12、所述信號(hào)收容孔131的內(nèi)壁、所述接地收容孔132的內(nèi)壁、所述通孔14的內(nèi)壁、以及所述凸塊15的表面均被鍍上金屬層3。s3：通過激光l將所述上表面11和下表面12圍繞所述信號(hào)收容孔131一圈和圍繞所述凸塊15一圈的金屬層3去除，形成一隔離區(qū)g圍繞所述信號(hào)收容孔131和一絕緣區(qū)h圍繞所述凸塊15，所述隔離區(qū)g和所述絕緣區(qū)h不設(shè)有所述金屬層3，于是將所述金屬層3分隔成位于所述隔離區(qū)g之外的一第一金屬層31和位于所述隔離區(qū)g之內(nèi)的一第二金屬層32；本實(shí)施例中所述隔離區(qū)g與所述信號(hào)收容孔131連通，以節(jié)省所述上表面11的空間（在其它實(shí)施例中，所述隔離區(qū)g與所述信號(hào)收容孔131間也可有間隔），所述通孔14位于所述隔離區(qū)g之外，即所述上表面11、所述下表面12、所述接地收容孔132內(nèi)壁、以及所述通孔14內(nèi)壁具有所述第一金屬層31，所述信號(hào)收容孔131的內(nèi)壁具有所述第二金屬層32。在步驟s3中，所述激光l去除圍繞所述凸塊15一圈的金屬層3的位置有很多，如圖5，第一種為，所述激光l去除位于所述第一凸塊151與所述上表面11的連接處的金屬層3；如圖11，第二種為，所述激光l去除位于所述第一凸塊151側(cè)面一圈的金屬層3。當(dāng)然，也可如圖12，所述激光l去除位于所述第二凸塊152頂面上的金屬層3。s4：將所述上表面11的第一金屬層31通電進(jìn)行電鍍處理，以增加所述上表面11的第一金屬層31厚度，所述第二金屬層32由于與第一金屬層31電性隔斷而不能通電使得所述第二金屬層31未加厚，所述接地收容孔132內(nèi)壁的第一金屬層31由于也通電故其厚度也增加。電鍍時(shí)，將所述第一金屬層31的一端于電鍍液中做陽極，所述第一金屬層31的另一端做陰極，接通電源后，電鍍液中的陽離子在所述第一金屬層31的表面被還原而增加所述第一金屬層31的厚度，所述第二金屬層32由于與第一金屬層31電性隔斷而不能通電，所述第二金屬層32的厚度未發(fā)生改變。s5：將所述金屬層3去除所述第二金屬層32的厚度，從而所述第二金屬層32完全去除，即位于所述信號(hào)收容孔131內(nèi)壁的第二金屬層32沒有了，而位于所述上表面11上的第一金屬層31和位于所述接地收容孔132內(nèi)壁的第一金屬層31的厚度減??；具體方法為，將所述本體1置于化學(xué)液中，所述化學(xué)液為酸性溶液，使所述金屬層3浸沒于化學(xué)液中，通過控制化學(xué)液的濃度和所述本體1浸泡的時(shí)間，以去除所述第二金屬層32的厚度，從而所述第二金屬層32完全去除，所述第一金屬層31的厚度減小。s6：提供多個(gè)信號(hào)端子21和多個(gè)接地端子22，分別對應(yīng)裝入所述信號(hào)收容孔131和接地信號(hào)孔132中，用于向上彈性抵接所述芯片模塊4，且通過錫球6焊接至所述電路板5上。如圖1和圖8所示，所述信號(hào)端子21和所述接地端子22的結(jié)構(gòu)相同，所述接地端子22抵接于所述接地信號(hào)孔132內(nèi)壁上的第一金屬層31，從而可屏蔽所述信號(hào)端子21之間的信號(hào)干擾，滿足所述信號(hào)端子21高頻信號(hào)的傳輸。如圖13至圖15所示，本發(fā)明屏蔽連接器100還有另外一種制造方法，其與上述制造方法的不同在于，省去了步驟s4和步驟s5，從而當(dāng)所述信號(hào)端子21和接地端子22分別對應(yīng)裝入所述信號(hào)收容孔131和接地信號(hào)孔132中時(shí)，所述信號(hào)收容孔131內(nèi)仍具有所述第二金屬層32。為了防止所述芯片模塊4因接觸到位于所述凸塊15頂面的金屬層3而發(fā)生短路，可通過激光l直接去除位于所述凸塊15頂面的金屬層3。當(dāng)然也可以同時(shí)去除位于所述凸塊15側(cè)面的金屬層3，以避免所述信號(hào)端子21因接觸位于所述凸塊151側(cè)面上的金屬層3而發(fā)生短路。如圖4和圖10所示，所述第二凸塊152的頂面不設(shè)有所述金屬層3，避免了所述金屬層3接觸所述芯片模塊4，防止所述芯片模塊4短路。如圖16至圖17所示，為本發(fā)明第二實(shí)施例的屏蔽連接器100，其與第一實(shí)施例的不同在于，所述本體1不設(shè)有所述凸塊15，而是將一支撐蓋7設(shè)于所述本體1上，用以支撐所述芯片模塊4，所述支撐蓋7設(shè)有多個(gè)通槽71分別供信號(hào)端子21和接地端子22穿過，自所述支撐蓋7底面向下凸伸多個(gè)支撐塊72，當(dāng)所述芯片模塊4與所述信號(hào)端子21和接地端子22抵接時(shí)，所述支撐塊72于支撐所述上表面11且位于相鄰兩所述通孔14之間，所述支撐蓋7底面與所述上表面11之間具有一間隙73，所述間隙73為所述信號(hào)端子21和接地端子22提供了變形空間，從而不僅避免了在組裝所述芯片模塊4過程中，所述信號(hào)端子21和接地端子22被壓傷，同時(shí)使所述支撐蓋7與所述本體1之間具有一較大的散熱空間，能夠迅速排散由所述芯片模塊4工作所產(chǎn)生的大量熱量，從而提高了所述芯片模塊4運(yùn)行的穩(wěn)定性。其制造方法可參考第一實(shí)施例的相關(guān)說明，此處不作重復(fù)描述。綜上所述，本發(fā)明屏蔽連接器的制造方法有下列有益效果：（1）通過激光l將所述上表面11圍繞所述信號(hào)收容孔131一圈的金屬層3去除，使所述上表面11形成一隔離區(qū)g圍繞所述信號(hào)收容孔131，無需保證所述上表面11為一個(gè)平整的面便可實(shí)現(xiàn)，方便了所述本體1的加工制造。將所述第一金屬層31通電進(jìn)行電鍍加厚，再將所述金屬層3去除所述第二金屬層32的厚度，在保證將所述第二金屬層32完全去除的同時(shí)，又能保證所述本體1仍然具有所述第二金屬層32，從而保證了所述屏蔽連接器100良好的的屏蔽效果。（2）所述本體1設(shè)有多個(gè)通孔14自所述上表面11向所述下表面12貫設(shè)，所述通孔14圍繞在每一個(gè)信號(hào)收容孔131和每一個(gè)接地收容孔132的周圍，所述金屬層3鍍設(shè)于所述通孔14的內(nèi)壁，從而圍設(shè)形成立體的屏蔽空間，將所述信號(hào)端子21隔離開，避免所述信號(hào)端子21之間相互干擾。（3）s3中，所述激光l去除位于所述第一凸塊151與所述上表面11的連接處的金屬層3，經(jīng)過s4和s5后，位于所述第一凸塊151側(cè)面和頂面上的金屬層3可完全去除，故既可以避免所述芯片模塊4因接觸位于所述第一凸塊151頂面上的金屬層3而發(fā)生短路，也可以避免所述信號(hào)端子21因接觸位于所述第一凸塊151側(cè)面上的金屬層3而發(fā)生短路。（4）s3中，所述激光l去除位于所述第一凸塊151側(cè)面的金屬層3，從而形成一絕緣區(qū)h圍繞所述第一凸塊151，形成經(jīng)過s4和s5后，位于絕緣區(qū)h上方的金屬層3不存在了，故既可以避免所述芯片模塊4因接觸位于所述第二凸塊152頂面上的金屬層3而發(fā)生短路，也可以節(jié)省所述上表面11的空間。（5）所述支撐蓋7設(shè)于所述本體1上，用以支撐所述芯片模塊4，所述支撐蓋7凸設(shè)有支撐塊72支撐于所述上表面11并且位于相鄰兩通孔14之間，從而避免因相鄰兩通孔14之間的間隙不夠而不能形成所述凸塊15。以上詳細(xì)說明僅為本發(fā)明之較佳實(shí)施例的說明，非因此局限本發(fā)明之專利范圍，所以，凡運(yùn)用本創(chuàng)作說明書及圖示內(nèi)容所為之等效技術(shù)變化，均包含于本創(chuàng)作之專利范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁12