專(zhuān)利名稱(chēng)：一種異型多晶石墨加熱板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及石墨加熱板技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種適用于方型多晶鑄錠爐用石墨加熱板。
背景技術(shù)：
目前太陽(yáng)能電池用硅的生產(chǎn)工藝主要有直拉單晶硅和多晶鑄錠硅，多晶鑄錠相對(duì)而言工藝較為簡(jiǎn)單，易于規(guī)?；a(chǎn)，成本較低。多晶鑄錠硅是采用定向凝固的方法，其原理是將硅料堆放在石英坩堝中，石英坩堝放置在由四塊石墨坩堝側(cè)板及一塊石墨坩堝底板拼接成的石墨坩堝中，整體置于熱場(chǎng)加熱融化硅料，然后控制縱向的溫差逐漸冷卻，形成自下而上的柱狀硅晶體結(jié)構(gòu)。石墨材料由于具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、加工性、強(qiáng)度、價(jià)格等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于多晶鑄錠爐熱場(chǎng)。現(xiàn)有的多晶硅鑄錠爐大多為五面加熱型，如圖I和2所示。頂部由兩塊頂前大加熱板I、兩塊頂后小加熱板2和一塊U型加熱板3裝配而成；側(cè)方向的四面是四塊蛇形側(cè)加熱板，用角部連接板相連。頂部和側(cè)面各引出三個(gè)電極4與外部銅電極相接，三相供電。這個(gè)設(shè)計(jì)的加熱系統(tǒng)由于后兩側(cè)位置(即圖I中下部左右兩側(cè))頂部加熱板及兩塊側(cè)面加熱板發(fā)熱疊加較多，在化料階段熔化最快，長(zhǎng)晶階段凝固最慢，故易在此處出現(xiàn)雜質(zhì)集聚現(xiàn)象，依功率分布情況嚴(yán)重程度不等，影響鑄錠質(zhì)量。由于雜質(zhì)的偏聚，加熱板局部腐蝕情況較其他位置嚴(yán)重，壽命減短。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于改善加熱系統(tǒng)局部發(fā)熱功率偏高的問(wèn)題，減輕鑄錠表面雜質(zhì)的偏聚及加熱板的局部腐蝕情況，增加加熱板壽命和最終的多晶鑄錠質(zhì)量。本實(shí)用新型提出一種異型多晶石墨加熱板，包括兩塊頂前大加熱板、兩塊頂后小加熱板和一塊U形加熱板裝配而成，其特征在于所述頂前大加熱板與所述頂后小加熱板相接位置的加熱板加厚、加寬。其中，所述的加熱板在原有尺寸的基礎(chǔ)上厚度增加0-20mm，寬度增加0_60mm，尺寸增加范圍不包括O。本實(shí)用新型通過(guò)加大頂部加熱板局部的寬度或厚度，減小此局部位置的發(fā)熱功率，減弱與側(cè)加熱板的發(fā)熱疊加效果，從而使整個(gè)加熱體系的發(fā)熱功率趨于均勻化，使硅料受熱更均勻，改善硅料熔化及長(zhǎng)晶階段水平方向的各個(gè)位置狀態(tài)一致性。

圖I為現(xiàn)有石墨加熱板套的組裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有頂前大加熱板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例石墨加熱板套的組裝結(jié)構(gòu)示意圖；[0012]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例頂前大加熱板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖3和4所示，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，多晶硅鑄錠爐為五面加熱型，力口熱板頂部由兩塊頂前大加熱板I、兩塊頂后小加熱板2和一塊U型加熱板3裝配而成。側(cè)方向的四面是四塊蛇形側(cè)加熱板，用角部連接板相連。頂部和側(cè)面各引出三個(gè)電極4與外部銅電極相接，三相供電。頂前大加熱板I與頂后小加熱板2相接位置的加熱板5加厚、力口寬。厚度方向從連接位置開(kāi)始厚度向中間厚度逐漸靠攏過(guò)渡，連接部分最大厚度處增加了6mm,最大厚度為15-40mm ;寬度方向連接位置最寬處增加了 50mm,連接位置最寬50-150mm,然后逐漸與中間寬度靠攏。本實(shí)施例較好的解決了本次實(shí)際中遇到的多晶鑄錠雜質(zhì)偏聚問(wèn)題，提高了多晶鑄錠質(zhì)量。而且加熱板設(shè)計(jì)良好，根據(jù)反饋情況加熱板的使用壽命良好。本說(shuō)明書(shū)中所述的只是本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明 的技術(shù)方案而非對(duì)本發(fā)明的限制。凡本領(lǐng)域技術(shù)人員依本發(fā)明的構(gòu)思通過(guò)邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種異型多晶石墨加熱板，包括兩塊頂前大加熱板、兩塊頂后小加熱板和一塊U形加熱板裝配而成，其特征在于所述頂前大加熱板與所述頂后小加熱板相接位置的加熱板加厚、加寬。
2.如權(quán)利要求I所述的多晶頂前大加熱板，其特征在于所述的加熱板在原有尺寸的基礎(chǔ)上厚度增加0-20mm，寬度增加0-60mm，尺寸增加范圍不包括O。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提出一種異型多晶石墨加熱板，包括兩塊頂前大加熱板、兩塊頂后小加熱板和一塊U形加熱板裝配而成，其特征在于所述頂前大加熱板與所述頂后小加熱板相接位置的加熱板加厚、加寬。本實(shí)用新型通過(guò)加大頂部加熱板局部的寬度或厚度，減小此局部位置的發(fā)熱功率，使整個(gè)加熱體系的發(fā)熱功率趨于均勻化，改善硅料融化及長(zhǎng)晶階段水平方向的各個(gè)位置狀態(tài)一致性。
文檔編號(hào)C30B28/06GK202465951SQ20122000191
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月5日
發(fā)明者周心怡, 詹國(guó)彬 申請(qǐng)人:上海東洋炭素有限公司