技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種復(fù)合封裝薄膜及其制備方法，制備方法包括以下步驟：S1、將待密封器件放置在反應(yīng)腔體內(nèi)；S2、采用原子層沉積技術(shù)在所述待密封器件的表面形成非晶態(tài)的第一氧化薄膜層；S3、采用原子層沉積技術(shù)在所述第一氧化薄膜層上形成非晶態(tài)的第二氧化薄膜層；S4、依次重復(fù)上述步驟S2和S3多次，在所述待密封器件表面形成多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層；多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層交替疊合，形成復(fù)合封裝薄膜。本發(fā)明的復(fù)合封裝薄膜，由兩種無(wú)機(jī)薄膜交替層疊構(gòu)成，克服單層薄膜由于厚度增加產(chǎn)生細(xì)小裂紋的問題，具有更好的密封性，可作為OLED器件的密封結(jié)構(gòu)，延長(zhǎng)OLED器件的使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：茆勝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：茆勝
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.22
技術(shù)公布日：2017.10.10