本發(fā)明涉及一種平面功率轉(zhuǎn)換器件中使柵極自對準(zhǔn)源極和漏極的方法。

背景技術(shù)：

在平面功率轉(zhuǎn)換器件中，柵極用于肖特基接觸或金屬絕緣體半導(dǎo)體mis接觸，源極和漏極則用于歐姆接觸，在器件中柵極、源極和漏極都形成在固定的位置，即柵極和源極、漏極之間需要形成對準(zhǔn)，現(xiàn)有方法在形成柵極、源極和漏極時使用需要與源極/漏極掩模版進(jìn)行對準(zhǔn)單獨的柵極掩模版，然而，根據(jù)照相工具的能力，這種常規(guī)方法將總是導(dǎo)致柵極和源極/漏極之間的不對準(zhǔn)，或達(dá)不到對準(zhǔn)的要求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種平面功率轉(zhuǎn)換器件中使柵極自對準(zhǔn)源極和漏極的方法。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種平面功率轉(zhuǎn)換器件中使柵極自對準(zhǔn)源極和漏極的方法，包括步驟：

（1）、在襯底上涂覆負(fù)性光刻膠，通過柵極、源極以及漏極掩膜版對所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行光刻顯影，在所述負(fù)性光刻膠上形成柵極區(qū)、源極區(qū)以及漏極區(qū)；

（2）、在所述負(fù)性光刻膠上、柵極區(qū)、源極區(qū)以及漏極區(qū)內(nèi)形成第一金屬層；

（3）、在所述第一金屬層上涂覆正性光刻膠，通過柵極保護(hù)掩膜版對所述正性光刻膠進(jìn)行光刻顯影，在所述柵極區(qū)內(nèi)、柵極區(qū)兩側(cè)所述第一金屬層上形成正性光刻膠填充；

（4）、去除（2）中形成并暴露的第一金屬層；

（5）、在所述負(fù)性光刻膠上、正性光刻膠填充上、源極區(qū)以及漏極區(qū)內(nèi)形成第二金屬層；

（6）、去除（5）中位于所述負(fù)性光刻膠上、正性光刻膠填充上的第二金屬層，去除涂覆的所述負(fù)性光刻膠、正性光刻膠填充，所述柵極區(qū)內(nèi)所述第一金屬層為柵極金屬層，所述源極、漏極內(nèi)所述第二金屬層為源極金屬層以及漏極金屬層。

優(yōu)選地，在（1）中，在所述襯底上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上再涂覆所述負(fù)性光刻膠，所述柵極金屬層、源極金屬層以及漏極金屬層形成在所述柵極絕緣層上。

優(yōu)選地，在（4）中，采用濕法清洗的方式去除所述第一金屬層。

優(yōu)選地，在（6）中，采用liftoff工藝去除所述第二金屬層。

由于上述技術(shù)方案運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點和效果：

1、有效消除柵極和源極/漏極之間的不對準(zhǔn)；

2、改善了小型幾何器件的加工余量；

3、有效提高大直徑晶圓器件的產(chǎn)量。

附圖說明

附圖1-7為本實施例的步驟圖。

其中：1、襯底；2、柵極絕緣層；3、負(fù)性光刻膠；3a、柵極區(qū)；3b、源極區(qū)；3c、漏極區(qū)；4、第一金屬層；4a、柵極金屬層；5、正性光刻膠填充；6、第二金屬層；6b、源極金屬層；6c、漏極金屬層。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖及實施案例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述：

一種平面功率轉(zhuǎn)換器件中使柵極自對準(zhǔn)源極和漏極的方法，具體包括以下步驟：

（1）、在襯底1上形成柵極絕緣層2，如圖1所示；

（2）、在柵極絕緣層2上涂覆負(fù)性光刻膠3，通過柵極、源極以及漏極掩膜版（gate/source/drainmask）對負(fù)性光刻膠3進(jìn)行光刻顯影，在負(fù)性光刻膠3上形成柵極區(qū)3a、源極區(qū)3b以及漏極區(qū)3c，如圖2所示；

（3）、在負(fù)性光刻膠3上、柵極區(qū)3a、源極區(qū)3b以及漏極區(qū)3c內(nèi)形成第一金屬層4，如圖3所示；

（4）、在第一金屬層4上涂覆正性光刻膠，通過柵極保護(hù)掩膜版（gateprotectmask）對正性光刻膠進(jìn)行光刻顯影，在柵極區(qū)3a內(nèi)、柵極區(qū)3a兩側(cè)的第一金屬層4上形成正性光刻膠填充5，如圖4所示；

（5）、去除（3）中形成并暴露的第一金屬層4，位于負(fù)性光刻膠3與正性光刻膠填充5之間為非暴露的第一金屬層4，并未被去除，如圖5所示，去除的方式可以采用濕法清洗；

（6）、在負(fù)性光刻膠3上、正性光刻膠填充5上、源極區(qū)3b以及漏極區(qū)3c內(nèi)形成第二金屬層6，如圖6所示；

（7）、去除（6）中位于負(fù)性光刻膠3上、正性光刻膠填充5上的第二金屬層7，去除涂覆的負(fù)性光刻膠3、正性光刻膠填充5，第二金屬層7的去除方式可以采用liftoff工藝，最終：柵極區(qū)3a內(nèi)第一金屬層4為柵極金屬層4a，源極區(qū)3b、漏極區(qū)3c內(nèi)第二金屬層6為源極金屬層6b以及漏極金屬層6c，形成如圖7所示的產(chǎn)品。

上述實施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種平面功率轉(zhuǎn)換器件中使柵極自對準(zhǔn)源極和漏極的方法，包括在襯底上涂負(fù)性光刻膠，對負(fù)性光刻膠光刻顯影，形成柵/源/漏極區(qū)；在負(fù)性光刻膠上、柵/源/漏極區(qū)內(nèi)形成第一金屬層；在第一金屬層上涂正性光刻膠，對正性光刻膠光刻顯影，在柵極區(qū)內(nèi)、兩側(cè)的第一金屬層上形成正性光刻膠填充；去除暴露的第一金屬層；在負(fù)/正性光刻膠填充上、源/漏極區(qū)內(nèi)形成第二金屬層；去除位于負(fù)/正性光刻膠填充上的第二金屬層，去除涂覆的負(fù)/正性光刻膠填充，柵極區(qū)內(nèi)第一金屬層為柵極金屬層，源極、漏極內(nèi)第二金屬層為源極金屬層以及漏極金屬層。本發(fā)明消除柵極和源/漏極之間的不對準(zhǔn)；改善了小型幾何器件的加工余量；提高大直徑晶圓器件的產(chǎn)量。

技術(shù)研發(fā)人員：李亦衡;朱廷剛;朱友華;張葶葶;王強
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.02
技術(shù)公布日：2017.10.27