本發(fā)明涉及圖像傳感器制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種背照式cmos圖像傳感器及其制造方法。

背景技術(shù)：

圖像傳感器是在光電技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，所謂圖像傳感器，就是能夠感受光學(xué)圖像信息并將其轉(zhuǎn)換成可輸出信號(hào)的傳感器。圖像傳感器可以提高人眼的視覺(jué)范圍，使人們看到肉眼無(wú)法看到的微觀世界和宏觀世界，看到人們暫時(shí)無(wú)法到達(dá)處發(fā)生的事情，看到超出肉眼視覺(jué)范圍的各種物理、化學(xué)變化過(guò)程，生命、生理、病變的發(fā)生發(fā)展過(guò)程，等等?？梢?jiàn)圖像傳感器在人們的文化、體育、生產(chǎn)、生活和科學(xué)研究中起到非常重要的作用?？梢哉f(shuō)，現(xiàn)代人類活動(dòng)已經(jīng)無(wú)法離開(kāi)圖像傳感器了。

圖像傳感器可依據(jù)其采用的原理而區(qū)分為電荷耦合裝置(charge-coupleddevice)圖像傳感器(亦即俗稱ccd圖像傳感器)以及cmos(complementarymetaloxidesemiconductor)圖像傳感器，其中cmos圖像傳感器基于互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)技術(shù)而制造。由于cmos圖像傳感器是采用傳統(tǒng)的cmos電路工藝制作，因此可將圖像傳感器以及其所需要的外圍電路加以整合，從而使得cmos圖像傳感器具有更廣的應(yīng)用前景。

按照接收光線的位置的不同，cmos圖像傳感器可以分為前照式cmos圖像傳感器及背照式cmos圖像傳感器，其中，背照式cmos圖像傳感器與前照式cmos圖像傳感器相比，最大的優(yōu)化之處就是將元件內(nèi)部的結(jié)構(gòu)改變了，即將感光層的元件入射光路調(diào)轉(zhuǎn)方向，讓光線能從背面直射進(jìn)去，避免了在前照式cmos圖像傳感器結(jié)構(gòu)中，光線會(huì)受到微透鏡和光電二極管之間的結(jié)構(gòu)和厚度的影響，提高了光線接收的效能。

但在現(xiàn)有技術(shù)的背照式cmos圖像傳感器中，在像素晶圓和邏輯晶圓鍵合以后仍需要使用多張光罩(通常需要使用六張光罩)以形成金屬焊盤等結(jié)構(gòu)，從而得到背照式cmos圖像傳感器。如何減少光罩的使用以降低制造成本，成了本領(lǐng)域技術(shù)人員一直以來(lái)需要解決的一個(gè)問(wèn)題。同時(shí)，越來(lái)越多背照式cmos圖像傳感器利用深溝槽隔離來(lái)減少光路串?dāng)_，但是引入新的深溝槽隔離制程，會(huì)引入工藝缺陷，相反會(huì)增加噪點(diǎn)和暗電流。如何在新工藝中減少噪點(diǎn)和暗電流也成了需要解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種背照式cmos圖像傳感器及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中在像素晶圓和邏輯晶圓鍵合以后仍需要使用多張光罩以形成金屬焊盤等結(jié)構(gòu)的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種背照式cmos圖像傳感器的制造方法，所述背照式cmos圖像傳感器的制造方法包括：

提供鍵合在一起的邏輯晶圓和像素晶圓；

采用第一張光罩，以在所述像素晶圓的背面形成焊盤區(qū)、第一隔離槽和第二隔離槽；

形成介質(zhì)材料層，所述介質(zhì)材料層覆蓋所述焊盤區(qū)、所述第一隔離槽、所述第二隔離槽及所述像素晶圓的背面；

采用第二張光罩，以在所述焊盤區(qū)暴露出金屬層；

形成金屬材料層，所述金屬材料層覆蓋所述金屬層、所述焊盤區(qū)、所述第一隔離槽、所述第二隔離槽及所述像素晶圓的背面；

采用第三張光罩，以在所述焊盤區(qū)形成焊盤，所述焊盤與所述金屬層連接；

采用第四張光罩，以形成金屬網(wǎng)格，所述金屬網(wǎng)格與所述焊盤連接，所述金屬網(wǎng)格包括位于所述第一隔離槽的第一金屬線、位于所述第二隔離槽的第二金屬線及連接所述焊盤、所述第一金屬線和所述第二金屬線的第三金屬線。

可選的，在所述的背照式cmos圖像傳感器的制造方法中，所述介質(zhì)材料層為單層結(jié)構(gòu)或者多層疊層結(jié)構(gòu)。

可選的，在所述的背照式cmos圖像傳感器的制造方法中，所述介質(zhì)材料層包括高k介質(zhì)層及形成于所述高k介質(zhì)層上的緩沖層。

可選的，在所述的背照式cmos圖像傳感器的制造方法中，所述金屬材料層包括第一金屬材料層及形成于所述第一金屬材料層上的第二金屬材料層，所述第一金屬材料層的材料為鎢。

可選的，在所述的背照式cmos圖像傳感器的制造方法中，所述第二金屬材料層的材料為鋁或者銅。

可選的，在所述的背照式cmos圖像傳感器的制造方法中，采用第三張光罩，以在所述焊盤區(qū)形成焊盤包括：

形成用于第三張光罩的掩膜層，所述用于第三張光罩的掩膜層覆蓋所述金屬材料層；

通過(guò)所述第三張光罩，形成圖形化的用于第三張光罩的掩膜層，所述圖形化的用于第三張光罩的掩膜層暴露出所述第一隔離槽、所述第二隔離槽、所述像素晶圓的背面及部分所述焊盤區(qū)的金屬材料層；

去除暴露出的所述金屬材料層中的所述第二金屬材料層，露出部分所述第一金屬材料層，以形成所述焊盤，所述焊盤包括部分所述第一金屬材料層和剩余的所述第二金屬材料層。

可選的，在所述的背照式cmos圖像傳感器的制造方法中，采用第四張光罩，以形成金屬網(wǎng)格包括：

形成用于第四張光罩的掩膜層，所述用于第四張光罩的掩膜層覆蓋所述焊盤和露出的所述第一金屬材料層；

通過(guò)所述第四張光罩，形成圖形化的用于第四張光罩的掩膜層，所述圖形化的用于第四張光罩的掩膜層暴露出部分所述像素晶圓的背面的第一金屬材料層；

去除暴露出的所述第一金屬材料層，以形成所述金屬網(wǎng)格。

可選的，在所述的背背照式cmos圖像傳感器的制造方法中，所述背照式cmos圖像傳感器的制造方法還包括：在所述金屬網(wǎng)格中形成微透鏡。

可選的，在所述的背背照式cmos圖像傳感器的制造方法中，所述背照式cmos圖像傳感器的制造方法還包括：對(duì)所述焊盤施加負(fù)壓。

本發(fā)明還提供一種背照式cmos圖像傳感器，所述背照式cmos圖像傳感器包括：

鍵合在一起的邏輯晶圓和像素晶圓；

所述像素晶圓的背面形成有焊盤區(qū)、第一隔離槽和第二隔離槽；

介質(zhì)材料層，所述介質(zhì)材料層覆蓋所述焊盤區(qū)、所述第一隔離槽、所述第二隔離槽及所述像素晶圓的背面；

焊盤，所述焊盤位于所述焊盤區(qū)，所述焊盤與所述像素晶圓中的金屬線連接，所述焊盤上施加有負(fù)壓；

金屬網(wǎng)格，所述金屬網(wǎng)格與所述焊盤連接，所述金屬網(wǎng)格包括位于所述第一隔離槽的第一金屬線、位于所述第二隔離槽的第二金屬線及連接所述焊盤、連接所述第一金屬線和所述第二金屬線的第三金屬線。

在本發(fā)明提供的背照式cmos圖像傳感器及其制造方法中，通過(guò)四張光罩的使用即可形成焊盤等結(jié)構(gòu)，降低了光罩的使用；進(jìn)一步的，所形成的背照式cmos圖像傳感器包括金屬網(wǎng)格，所述金屬網(wǎng)格與所述焊盤連接，所述金屬網(wǎng)格包括位于所述第一隔離槽的第一金屬線、位于所述第二隔離槽的第二金屬線及連接所述焊盤、所述第一金屬線和所述第二金屬線的第三金屬線，通過(guò)所述金屬網(wǎng)格能夠很好的限定入射的光線，避免出現(xiàn)串?dāng)_，提高了背照式cmos圖像傳感器的質(zhì)量。更進(jìn)一步的，所述焊盤上施加了負(fù)壓，由此與所述焊盤連接的金屬網(wǎng)格上也施加了負(fù)壓，也即在所述第一隔離槽中形成的第一隔離結(jié)構(gòu)和在所述第二隔離槽中形成的第二隔離結(jié)構(gòu)上施加了負(fù)壓，通過(guò)在所述第一隔離結(jié)構(gòu)和所述第二隔離結(jié)構(gòu)上施加負(fù)壓可以抑制噪點(diǎn)和暗電流的產(chǎn)生。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例的背照式cmos圖像傳感器的制造方法的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中提供的鍵合在一起的邏輯晶圓和像素晶圓的剖面示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中采用第一張光罩后得到的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例中形成介質(zhì)材料層后得到的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例中采用第二張光罩后得到的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例中形成金屬材料層后得到的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例中采用第三張光罩后得到的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例中采用第四章光罩后得到的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的背照式cmos圖像傳感器及其制造方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

首先，請(qǐng)參考圖1，其為本發(fā)明實(shí)施例的背照式cmos圖像傳感器的制造方法的流程示意圖。如圖1所示，所述背照式cmos圖像傳感器的制造方法包括：

步驟s10：提供鍵合在一起的邏輯晶圓和像素晶圓；

步驟s11：采用第一張光罩，以在所述像素晶圓的背面形成焊盤區(qū)、第一隔離槽和第二隔離槽；

步驟s12：形成介質(zhì)材料層，所述介質(zhì)材料層覆蓋所述焊盤區(qū)、所述第一隔離槽、所述第二隔離槽及所述像素晶圓的背面；

步驟s13：采用第二張光罩，以在所述焊盤區(qū)暴露出金屬層；

步驟s14：形成金屬材料層，所述金屬材料層覆蓋所述金屬層、所述焊盤區(qū)、所述第一隔離槽、所述第二隔離槽及所述像素晶圓的背面；

步驟s15：采用第三張光罩，以在所述焊盤區(qū)形成焊盤，所述焊盤與所述金屬層連接；

步驟s16：采用第四張光罩，以形成金屬網(wǎng)格，所述金屬網(wǎng)格與所述焊盤連接，所述金屬網(wǎng)格包括位于所述第一隔離槽的第一金屬線、位于所述第二隔離槽的第二金屬線及連接所述焊盤、所述第一金屬線和所述第二金屬線的第三金屬線。

接下去，請(qǐng)參考圖2至圖8，本申請(qǐng)實(shí)施例將結(jié)合完成不同步驟后得到的剖面示意圖作進(jìn)一步描述。

首先，請(qǐng)參考圖2，提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20，具體的，提供鍵合在一起的邏輯晶圓和像素晶圓。其中，所述邏輯晶圓可以包括第一襯底及形成在所述第一襯底中和/或形成在所述第一襯底上的邏輯電路；所述像素晶圓可以包括第二襯底及形成在所述第二襯底中和/或形成在所述第二襯底上的光電二極管以及金屬層等結(jié)構(gòu)，其中，所述金屬層具體可以包括金屬互連線以及金屬接觸孔等金屬材質(zhì)的結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，所述邏輯晶圓和所述像素晶圓在鍵合之后，所述像素晶圓還可以執(zhí)行背面減薄工藝。

接著，請(qǐng)參考圖3，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，采用第一張光罩，以在所述像素晶圓的背面形成焊盤區(qū)21、第一隔離槽22和第二隔離槽23。即在此，通過(guò)一張光罩，在所述像素晶圓的背面至少形成了三種結(jié)構(gòu)，分別為焊盤區(qū)21、第一隔離槽22和第二隔離槽23。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述第一隔離槽22和所述第二隔離槽23均用來(lái)形成隔離結(jié)構(gòu)，兩者之間主要有外形上的不同，具體的，所述第一隔離槽22和所述第二隔離槽23的深度和/或截面寬度可以不相同。

其中，采用第一張光罩，以在所述像素晶圓的背面形成焊盤區(qū)21、第一隔離槽22和第二隔離槽23具體可以包括：在所述像素晶圓的背面形成第一掩膜層；采用第一張光罩對(duì)所述第一掩膜層執(zhí)行光刻工藝，以形成圖形化的第一掩膜層(即所述圖形化的第一掩膜層暴露出所述像素晶圓需要形成焊盤區(qū)21、第一隔離槽22和第二隔離槽23的區(qū)域的表面)；對(duì)所述像素晶圓執(zhí)行刻蝕工藝，從而在所述像素晶圓的背面形成焊盤區(qū)21、第一隔離槽22和第二隔離槽23；去除所述圖形化的第一掩膜層。

接著，請(qǐng)參考圖4，形成介質(zhì)材料層24，所述介質(zhì)材料層24覆蓋所述焊盤區(qū)21、所述第一隔離槽22、所述第二隔離槽23及所述像素晶圓的背面(例如兩個(gè)相鄰的所述第二隔離槽23之間的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20的表面，又如所述第一隔離槽22和所述第二隔離槽23之間的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20的表面，還如所述第一隔離槽22和所述焊盤區(qū)21之間的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20的表面)。

具體的，所述介質(zhì)材料層24可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層疊層結(jié)構(gòu)。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述介質(zhì)材料層24為多層疊層結(jié)構(gòu)，具體包括高k介質(zhì)層及形成在所述高k介質(zhì)層上的緩沖層，由此，由此所形成的隔離結(jié)構(gòu)具有極佳的隔離效果。具體的，所述高k介質(zhì)層的材料可以為氧化鉿(hfo2)、氧氮化鉿(hfon)、硅酸鉿(hfsio)、氧氮化鉿硅(hfsion)、氧化鋯(zro2)、氧氮化鋯(zron)、硅酸鋯(zrsio)、氧氮化鋯硅(zrsion)、氧化鉿鋯(hfzro2)、氧氮化鉿鋯(hfzron)、硅酸鉿鋯(hfzrsio)、氧氮化鉿鋯硅(hfzrsion)、氧化鋁(al2o3)、氧化鈦(tio2)、氧化鑭(la2o3)、鑭鋁氧化物(laalo3)、氧化鈰(ceo2)、氧化釔(y2o3)、氧化鋇鍶鈦物(basrtio)、鈦鋇氧化物(batio)、鍶鈦氧化物(srtio3)、鉛鈧鉭氧化物(pbsctao)等或者它們兩個(gè)以上的組合。所述緩沖層的材料可以為氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等或者它們兩個(gè)以上的組合。

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，由于所述介質(zhì)材料層24覆蓋了所述第一隔離槽22和所述第二隔離槽23，因此也可以認(rèn)為通過(guò)所述介質(zhì)材料層24覆蓋所述第一隔離槽22形成了第一隔離結(jié)構(gòu)，通過(guò)所述介質(zhì)材料層24覆蓋所述第二隔離槽23形成了第二隔離結(jié)構(gòu)。

接著，請(qǐng)參考圖5，采用第二張光罩，以在所述焊盤區(qū)21暴露出金屬層25。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述金屬層25具體可以包括金屬互連線以及金屬接觸孔等金屬材質(zhì)的結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，所述金屬層25可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層疊層結(jié)構(gòu)；其材料可以選自鋁、銅、鎳、鎢等材料中的一種或多種。

其中，采用第二張光罩，以在所述焊盤區(qū)21暴露出金屬層25具體可以包括：形成第二掩膜層，所述第二掩膜層覆蓋所述介質(zhì)材料層24；采用第二張光罩對(duì)所述第二掩膜層執(zhí)行光刻工藝，以形成圖形化的第二掩膜層(即所述圖形化的第二掩膜層暴露出部分所述介質(zhì)材料層24)；對(duì)暴露出的所述介質(zhì)材料層24以及其下的像素晶圓(也即半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20)執(zhí)行刻蝕工藝，從而暴露出金屬層24；去除所述圖形化的第二掩膜層。

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，接著，請(qǐng)參考圖6，形成金屬材料層26，所述金屬材料層26覆蓋所述金屬層25、所述焊盤區(qū)21、所述第一隔離槽22、所述第二隔離槽23及所述像素晶圓的背面。也即，所述金屬材料層26覆蓋(剩余的)所述介質(zhì)材料層24和(露出的)所述金屬層25。

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述金屬材料層26為多層疊層結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，所述金屬材料層26包括第一金屬材料層260及形成于所述第一金屬材料層260上的第二金屬材料層261。更佳的，所述第一金屬材料層260的材料為鎢；進(jìn)一步的，所述第二金屬材料層261的材料為鋁或者銅。在此，通過(guò)所述第一金屬材料層260選擇為鎢，可以保證對(duì)于所述第一隔離溝槽22和所述第二隔離溝槽23的填充質(zhì)量；進(jìn)一步的，通過(guò)所述第一金屬材料層260選擇為鎢，可以實(shí)現(xiàn)噪點(diǎn)抑制。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述第二金屬材料層261的材料優(yōu)選為鋁或者銅，從而可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的金屬接觸。

接著，請(qǐng)參考圖7，采用第三張光罩，以在所述焊盤區(qū)21形成焊盤，所述焊盤27與所述金屬26層連接。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述焊盤27為疊層結(jié)構(gòu)，具體包括(部分)第一金屬材料層260及位于所述(部分)第一金屬材料層260上的第二金屬材料層261。

其中，采用第三張光罩，以在所述焊盤區(qū)21形成焊盤27具體包括：形成用于第三張光罩的掩膜層(即在此為第三掩膜層)，所述用于第三張光罩的掩膜層(即第三掩膜層)覆蓋所述金屬材料層26；通過(guò)所述第三張光罩(即采用第三張光罩對(duì)所述第三掩膜層執(zhí)行光刻工藝)，形成圖形化的用于第三張光罩的掩膜層(即圖形化的第三掩膜層)，所述圖形化的用于第三張光罩的掩膜層(即圖形化的第三掩膜層)暴露出所述第一隔離槽22、所述第二隔離槽23、所述像素晶圓的背面及部分所述焊盤區(qū)21的金屬材料層；去除暴露出的所述金屬材料層26中的所述第二金屬材料層261，露出部分所述第一金屬材料層260，以形成所述焊盤27，所述焊盤27包括部分所述第一金屬材料層260和剩余的所述第二金屬材料層261。進(jìn)一步的，還包括：去除圖形化的第三掩膜層。

接著，請(qǐng)參考圖8，采用第四張光罩，以形成金屬網(wǎng)格28，所述金屬網(wǎng)格28與所述焊盤27連接，所述金屬網(wǎng)格28包括位于所述第一隔離槽22的第一金屬線280、位于所述第二隔離槽23的第二金屬線281及連接所述焊盤27、所述第一金屬線280和所述第二金屬線281的第三金屬線282。

其中，采用第四張光罩，以形成金屬網(wǎng)格28具體包括：形成用于第四張光罩的掩膜層(即在此為第四掩膜層)，所述用于第四張光罩的掩膜層(即第四掩膜層)覆蓋所述焊盤27和露出的所述第一金屬材料層260；通過(guò)所述第四張光罩(即采用第四張光罩對(duì)所述第四掩膜層執(zhí)行光刻工藝)，形成圖形化的用于第四張光罩的掩膜層(即圖形化的第四掩膜層)，所述圖形化的用于第四張光罩的掩膜層(即圖形化的第四掩膜層)暴露出部分所述像素晶圓的背面的第一金屬材料層260(在此主要暴露出兩個(gè)相鄰的所述第二隔離槽23之間的第一金屬材料層260)；去除暴露出的所述第一金屬材料層260，以形成所述金屬網(wǎng)格28。進(jìn)一步的，還包括：去除圖形化的第四掩膜層。

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述背照式cmos圖像傳感器的制造方法進(jìn)一步還可包括：在所述金屬網(wǎng)格28中形成微透鏡(圖中未示出)。在此，所述微透鏡主要填充了去除的所述第一金屬材料層260的區(qū)域。通過(guò)所述第二隔離槽23中的第一金屬材料層260能夠很好的隔離兩個(gè)相鄰的微透鏡，從而降低串?dāng)_。

進(jìn)一步的，所述背照式cmos圖像傳感器的制造方法還包括：對(duì)所述焊盤27施加負(fù)壓。由此與所述焊盤27連接的金屬網(wǎng)格28上也施加了負(fù)壓，通過(guò)所述負(fù)壓可以抑制噪點(diǎn)的產(chǎn)生，從而提高所形成的背照式cmos圖像傳感器的質(zhì)量。

通過(guò)上述背照式cmos圖像傳感器的制造方法即可得到一背照式cmos圖像傳感器，具體的，所述背照式cmos圖像傳感器包括：鍵合在一起的邏輯晶圓和像素晶圓；所述像素晶圓的背面形成有焊盤區(qū)21、第一隔離槽22和第二隔離槽23；介質(zhì)材料層24，所述介質(zhì)材料層24覆蓋所述焊盤區(qū)21、所述第一隔離槽22、所述第二隔離槽23及所述像素晶圓的背面；焊盤27，所述焊盤位于所述焊盤區(qū)21，所述焊盤27與所述像素晶圓中的金屬線25連接，所述焊盤27上施加有負(fù)壓；金屬網(wǎng)格28，所述金屬網(wǎng)格28與所述焊盤27連接，所述金屬網(wǎng)格28包括位于所述第一隔離槽22的第一金屬線280、位于所述第二隔離槽23的第二金屬線281及連接所述焊盤、連接所述第一金屬線280和所述第二金屬線281的第三金屬線282。

在此，通過(guò)四張光罩的使用即可形成焊盤等結(jié)構(gòu)，降低了光罩的使用；進(jìn)一步的，所形成的背照式cmos圖像傳感器包括金屬網(wǎng)格，所述金屬網(wǎng)格與所述焊盤連接，所述金屬網(wǎng)格包括位于所述第一隔離槽的第一金屬線、位于所述第二隔離槽的第二金屬線及連接所述焊盤、所述第一金屬線和所述第二金屬線的第三金屬線，通過(guò)所述金屬網(wǎng)格能夠很好的限定入射的光線，避免出現(xiàn)串?dāng)_，提高了背照式cmos圖像傳感器的質(zhì)量。更進(jìn)一步的，所述焊盤上施加了負(fù)壓，由此與所述焊盤連接的金屬網(wǎng)格上也施加了負(fù)壓，也即在所述第一隔離槽中形成的第一隔離結(jié)構(gòu)和在所述第二隔離槽中形成的第二隔離結(jié)構(gòu)上施加了負(fù)壓，通過(guò)在所述第一隔離結(jié)構(gòu)和所述第二隔離結(jié)構(gòu)上施加負(fù)壓可以抑制噪點(diǎn)和暗電流的產(chǎn)生。

上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。