本申請(qǐng)是2013年3月4日申請(qǐng)的,申請(qǐng)?zhí)枮?01310068414.3,發(fā)明名稱為“彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置”的中國發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)
本發(fā)明是關(guān)于一種彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,特別是關(guān)于一種借由調(diào)整子像素的排列配置以提升顯示品質(zhì)的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
背景技術(shù):
有機(jī)發(fā)光二極管主要系由陽極、陰極及配置于兩電極間的有機(jī)材料層所構(gòu)成,而有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度與自有機(jī)發(fā)光二極管的陽極流向陰極的電流大小相關(guān)。因此若希望有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)出亮度較高的光,則需要提供較大的驅(qū)動(dòng)電壓以加大有機(jī)發(fā)光二極管上流經(jīng)的電流,進(jìn)而驅(qū)動(dòng)更多的電子空穴在有機(jī)材料層復(fù)合,以產(chǎn)生更多激子(exciton),使有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)出亮度更高的光。
有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置于制造時(shí),蒸鍍有機(jī)材料需要用到金屬掩模(metalmask),而蒸鍍技術(shù)只能做到約每英寸200~250像素(pixelsperinch,ppi)。因此無法有效地提高像素密度,進(jìn)而降低有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的解析度,同時(shí)影響有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的良率及競(jìng)爭(zhēng)力。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
有鑒于此,本發(fā)明提供一種彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其借由特殊的子像素排列配置,透過傳統(tǒng)的金屬掩模蒸鍍有機(jī)材料于布有像素電極的基板上,達(dá)到提升解析度的目的。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其包括一基板、多個(gè)像素單元、多個(gè)第一發(fā)光單元及多個(gè)第二發(fā)光單元。每一像素單元分別具有多個(gè)子像素。多個(gè)第一發(fā)光單元以矩陣方式排列于基板上,且多個(gè)第二發(fā)光單元,與第一發(fā)光單元在平行橫軸線的方向上交互排列。
每一第一發(fā)光單元皆為一橫軸線與一縱軸線劃分為四個(gè)區(qū)域,且包括第一激光材料層、二第二激光材料層及二第三激光材料層。每一第一、第二、第三激光材料層分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一、第二、第三子像素。并且,第一激光材料層與縱軸線重疊。并且,在平行縱軸線方向上二相鄰像素單元的子像素的配置互為鏡射對(duì)應(yīng)。
在一些實(shí)施例中,二第二激光材料層的一者設(shè)置于第一區(qū)域,且二第二激光材料層的另一者設(shè)置于第二區(qū)域,亦即位于第一、第四區(qū)域的子像素與位于第二、第三區(qū)域的子像素系相對(duì)于縱軸線互為鏡射對(duì)應(yīng)。在另一些實(shí)施例中,二第二激光材料層的一者設(shè)置于第一區(qū)域,且二第二激光材料層的另一者設(shè)置于第三區(qū)域,亦即位于第一區(qū)域的子像素與位于第三區(qū)域的子像素系點(diǎn)對(duì)稱于第一發(fā)光單元的中心。
在上述實(shí)施例中,第一、第二、第三激光材料層受激發(fā)后所發(fā)出的光線的波長(zhǎng)彼此不同。具體而言,第一激光材料層受激發(fā)后發(fā)出的光線波長(zhǎng)主峰值范圍為380納米到495納米,例如:藍(lán)光;第二激光材料層受激發(fā)后所發(fā)出的光線波長(zhǎng)主峰值范圍為580納米到700納米,例如:紅光;第三激光材料層受激發(fā)后所發(fā)出的光線波長(zhǎng)主峰值范圍為495納米到590納米,例如:綠光。
在一些實(shí)施例中,每一第一發(fā)光單元包括多個(gè)像素單元,每一像素單元包括一第一子像素、一第二子像素及一第三子像素。第一子像素在平行縱軸線的方向上的長(zhǎng)度系大于第二、第三子像素在平行縱軸線的方向上的長(zhǎng)度。因此,在單一像素單元中,第一子像素的總面積系大于第二子像素的面積,且大于第三子像素的面積。在另一些實(shí)施例中,每一第一發(fā)光單元包括多個(gè)像素單元,每一像素單元包括二第一子像素、一第二子像素及一第三子像素。
在上述實(shí)施例中,每一第二激光材料層對(duì)應(yīng)于四個(gè)第二子像素,且每一第三激光材料層對(duì)應(yīng)于四個(gè)第三子像素。
在上述實(shí)施例中,由于蒸鍍制成中金屬掩模的開口影響,第二激光材料層與第三激光材料層之間在平行縱軸線的方向上的間距大于每一第二激光材料層中第二子像素彼此間的間距,且系大于每一第三激光材料層中第三子像素彼此間的間距。并且,第二激光材料層或第三激光材料層與最相鄰的第一激光材料層的一者之間在平行橫軸線的方向上的間距系大于每一第二激光材料層中第二子像素彼此間的間距,且系大于每一第三激光材料層中第三子像素彼此間的間距,且系大于每一第一激光材料層中這些第一子像素彼此間的間距。另外,第二激光材料層或第三激光材料層與最相鄰的第一激光材料層的一者之間在平行橫軸線的方向上的間距系大于每一第一激光材料層中第一子像素彼此間的間距。
在一些實(shí)施例中,第一子像素在平行縱軸線的方向上具有實(shí)質(zhì)相同的間距。在另一些實(shí)施例中,第一子像素重復(fù)地相隔一第一間距與一不同于第一間距的第二間距沿平行縱軸線的方向排列。
在上述實(shí)施例中,第一、第二、第三子像素分別為一有機(jī)發(fā)光二極管,其中第一、第二、第三子像素為頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管或底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管。
在本發(fā)明另一實(shí)施例中,彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括:一基板以及多個(gè)像素單元。每一該像素單元包括一第一子像素、一第二子像素以及一第三子像素,其中每一像素單元的子像素配置與相鄰的這些像素單元的子像素配置彼此互為鏡射對(duì)應(yīng)。
在上述實(shí)施例中,彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置更包括:一對(duì)應(yīng)多個(gè)第一子像素的第一激光材料層、一對(duì)應(yīng)四個(gè)第二子像素的第二激光材料層及一對(duì)應(yīng)四個(gè)該第三子像素的第三激光材料層。第二子像素系由一次蒸鍍制程完成,且該四第二子像素間的該第二激光材料層系連續(xù)。第三子像素系由一次蒸鍍制程完成,且四第三子像素間的該第三激光材料層系連續(xù)。
附圖說明
圖1顯示本發(fā)明的一實(shí)施例的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的俯視圖。
圖2顯示本發(fā)明的一實(shí)施例的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的第一、第二發(fā)光單元的示意圖。
圖3a(1)、3a(2)、3b、3c顯示本發(fā)明的一實(shí)施例的多個(gè)蒸鍍罩的示意圖。
圖4顯示本發(fā)明的另一實(shí)施例的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的第一、第二發(fā)光單元的示意圖。
圖5顯示本發(fā)明的另一實(shí)施例的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的第一、第二發(fā)光單元的示意圖。
圖6顯示本發(fā)明的另一實(shí)施例的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的第一、第二發(fā)光單元的示意圖。
圖中元件標(biāo)號(hào)說明:
1~彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置;
10、10a、10b、10c~基板;
100、100a、100b、100c~第一發(fā)光單元;
110、110a、110b、110c~第一區(qū)域;
120、120a、120b、120c~第二區(qū)域;
130、130a、130b、130c~第三區(qū)域;
140、140a、140b、140c~第四區(qū)域;
150、150c~第一激光材料層;
160~第二激光材料層;
170~第三激光材料層;
200、200a、200b、200c~第二發(fā)光單元;
300、400、500~金屬掩模;
310、410、510~開口;
b~第一子像素;
d1、d2、d3、d4~間距;
d5~第一間距;
d6~第二間距;
g~第三子像素;
p~像素單元;
r~第二子像素;
x~橫軸線;
y~縱軸線。
具體實(shí)施方式
為了讓本發(fā)明的目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉較佳實(shí)施例,并配合所附圖示圖1至圖6,做詳細(xì)的說明。本發(fā)明說明書提供不同的實(shí)施例來說明本發(fā)明不同實(shí)施方式的技術(shù)特征。其中,實(shí)施例中的各元件的配置為說明之用,并非用以限制本發(fā)明。且實(shí)施例中圖式標(biāo)號(hào)的部分重復(fù),是為了簡(jiǎn)化說明,并非意指不同實(shí)施例之間的關(guān)聯(lián)性。
參照?qǐng)D1,本發(fā)明的一實(shí)施例的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置1包括一基板10、多個(gè)第一發(fā)光單元100及多個(gè)第二發(fā)光單元200。多個(gè)像素電極(圖未示)在形成第一發(fā)光單元100與第二發(fā)光單元200于基板10前形成于基板10上,像素電極受適當(dāng)?shù)氖侄慰刂埔耘渲糜糜隍?qū)動(dòng)彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置1的多個(gè)像素的作動(dòng)。在此實(shí)施例中,第一發(fā)光單元100與第二發(fā)光單元200系以蒸鍍的方式形成于基板10的像素電極上,其中第一發(fā)光單元100以矩陣方式排列于基板10上,且第二發(fā)光單元200與第一發(fā)光單元100在橫向上交互排列,以連續(xù)性構(gòu)成多個(gè)像素單元p于基板10上。
詳而言之,參照?qǐng)D2,每一第一發(fā)光單元100皆為一橫軸線x與一垂直橫軸線x的縱軸線y劃分為一第一區(qū)域110、一第二區(qū)域120、一第三區(qū)域130及一第四區(qū)域140,其中第一、第三區(qū)域110、130對(duì)角地位于第一發(fā)光單元100的一相對(duì)角,且第二、第四區(qū)域120、140對(duì)角地跨越第一發(fā)光單元100的該對(duì)相對(duì)角。
每一第一發(fā)光單元100包括一第一激光材料層150、二第二激光材料層160及二第三激光材料層170,且每一第二發(fā)光單元200包括一第一激光材料層150。第一發(fā)光單元100的第一激光材料層150重疊于縱軸線y上。二第二激光材料層160設(shè)置于第一、第二區(qū)域110、120內(nèi)且與第一激光材料層150相距一距離d1。二第三激光材料層170設(shè)置于第三、第四區(qū)域130、140內(nèi)且與第一激光材料層150相距一第一距離d1,并且第二激光材料層160與第三激光材料層170平行縱軸線y的方向上相距一距離d2。第二發(fā)光單元200的第一激光材料層150與第一發(fā)光單元100的第一激光材料層150具有相同的排列特征并在橫軸線x方向上分別相鄰一第一發(fā)光單元100。
如圖2所示般,第一發(fā)光單元100的第一、第二、第三激光材料層150、160、170與第二發(fā)光單元200的第一激光材料層150分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一、第二、第三子像素b、r、g,其中每一第一激光材料層150對(duì)應(yīng)于多個(gè)彼此相距間距d4的第一子像素b,每一第二激光材料層160對(duì)應(yīng)于四個(gè)彼此相距間距d3的第二子像素r,且每一第三激光材料層170對(duì)應(yīng)于四個(gè)彼此相距間距d3的第三子像素g。在此實(shí)施例中,第一激光材料層150受激發(fā)后發(fā)出的光線為藍(lán)光,第二激光材料層160受激發(fā)后所發(fā)出的光線為紅光,且第三激光材料層170受激發(fā)后所發(fā)出的光線為綠光。
本領(lǐng)域的技術(shù)人士可以理解的是,雖然第一、第二、第三激光材料層150、160及170系連續(xù)且延展地鋪設(shè)于基板10的上述區(qū)域,但只有相對(duì)于基板10上的像素電極(未圖示)的第一、第二、第三子像素b、r及g可以受到電流激發(fā)而發(fā)出對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)的光線。因此,在圖1中,第一、第二、第三激光材料層150、160及170系以虛線表示,而實(shí)際上具有發(fā)光功能的子像素r、g、b即以實(shí)線表示。
整體觀之,位于第一、第四區(qū)域110、140的子像素與位于第二、第三區(qū)域120、130的子像素是相對(duì)于縱軸線y互為鏡射對(duì)應(yīng),是以二個(gè)像素單元p定義于縱軸線y的兩側(cè),其中每一像素單元p包括一第一子像素b、一第二子像素r及一第三子像素g。另外,同時(shí)參照?qǐng)D1、2可以明白的是,第一發(fā)光單元100更進(jìn)一步與在橫軸線x方向上相鄰的第二發(fā)光單元200以及在縱軸線y方向上相鄰的第一發(fā)光單元100構(gòu)成多個(gè)像素單元p,并且在平行縱軸線y方向上二相鄰的像素單元p的第一、第二、第三子像素b、r及g的配置互為鏡射對(duì)應(yīng)。
為了克服藍(lán)色激光材料在高電流運(yùn)作下容易損壞的缺點(diǎn),本實(shí)施例提供以下方式解決此問題。如圖2所示般,第一子像素b在縱軸線y方向上的長(zhǎng)度系大于第二子像素r及第三子像素g在縱軸線y方向,且在單一像素單元p中,第一子像素b的面積系大于第二子像素的面積r,且大于第三子像素的面積g。于是,第一子像素b可以相較于第二子像素r及第三子像素g被施加較小的電流,即可發(fā)出相同亮度的光線。
參照?qǐng)D2、3a(1)-3c,本發(fā)明的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置1的制造方式說明如下。首先,于基板10上形成驅(qū)動(dòng)電路以及像素電極(圖未示),并且提供如圖3a(1)-3c所示的金屬掩模300、400及500蒸鍍有機(jī)材料于布有像素電極(圖未示)的基板10上。具體而言,金屬掩模300包括長(zhǎng)條形的開口310,開口310的面積與位置對(duì)應(yīng)于第一激光材料層150的面積與位置;金屬掩模400包括二個(gè)矩形的開口410,開口410的面積與位置對(duì)應(yīng)于第二激光材料層160的面積與位置;金屬掩模500包括二個(gè)長(zhǎng)條形的開口510,開口510的面積與位置對(duì)應(yīng)于第三激光材料層170的尺寸與位置。
為預(yù)留對(duì)位公差,第一、第二、第三激光材料層150、160及170之間的間距系大于各自內(nèi)部的子像素的間距。詳而言之,第二激光材料層160與第三激光材料層170之間在平行縱軸線的方向上的間距d2系大于每一第二激光材料層160中第二子像素r彼此間的間距d3,且系大于每一第三激光材料層170中第三子像素g彼此間的間距d3。并且,第二激光材料層160或第三激光材料層170與最相鄰的第一激光材料層150之間在平行橫軸線x的方向上的間距d1系大于每一第二激光材料層160中第二子像素r彼此間的間距d3,且系大于每一第三激光材料層170中第三子像素g彼此間的間距d3。另外,第二激光材料層160或第三激光材料層170與最相鄰的第一激光材料層150之間在平行橫軸線x的方向上的間距d1系大于第一激光材料層150中第一子像素b彼此間的間距d4。
值得注意的是,上述金屬掩模300、400及500的解析度約為每英寸200像素(pixelsperinch,ppi),系現(xiàn)行普遍使用的金屬掩模。在一具體實(shí)施例中,間距d1為24.3±12微米;間距d2為23.0±12微米;間距d3為8±12微米;且間距d4為14±12微米。每一像素單元p的寬度為55±12微米,使彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置1具有約為每英寸460像素(pixelsperinch,ppi)的解析度。
參照?qǐng)D4,其顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的第一、第二發(fā)光單元100a、200a的示意圖。在圖4中與圖2相同或相似的元件將施予相似的標(biāo)號(hào),且其特征將不再說明。第一、第二發(fā)光單元100a、200a與第一、第二發(fā)光單元100、200差異之處在于,第二激光材料層160系設(shè)置于第二、第四區(qū)域120a、140a,且二第三激光材料層170系設(shè)置于第一、第三區(qū)域110a、130a,亦即位于第一區(qū)域110a的子像素與位于第三區(qū)域130a的子像素系點(diǎn)對(duì)稱于第一發(fā)光單元100a的中心。借由此配置,用于蒸鍍第二激光材料層160與第三激光材料層170的金屬掩??删哂休^強(qiáng)的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,因開口交錯(cuò)配置。
參照?qǐng)D5,其顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的第一、第二發(fā)光單元100b、200b的示意圖。在圖5中與圖2相同或相似的元件將施予相似的標(biāo)號(hào),且其特征將不再說明。第一、第二發(fā)光單元100b、200b與第一、第二發(fā)光單元100、200差異之處在于,每一像素單元p包括二第一子像素b、一第二子像素r及一第三子像素g,借此使每一像素的亮度均勻化。
參照?qǐng)D6,其顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的第一、第二發(fā)光單元100c、200c的示意圖。在圖6中與圖2相同或相似的元件將施予相似的標(biāo)號(hào),且其特征將不再說明。第一、第二發(fā)光單元100c、200c與第一、第二發(fā)光單元100、200差異之處在于,第一激光材料層150c的第一子像素b重復(fù)地相隔一第一間距d5與一不同于第一間距d5的第二間距d6沿平行縱軸線y的方向排列。在制造時(shí),用于蒸鍍此實(shí)施例的第一激光材料層150c的金屬掩模的開口系以圖3a(2)所示。
本發(fā)明借由子像素單元的排列,在不改變現(xiàn)有制程裝置的情況下提升彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的解析度,以提高此類彩色有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的競(jìng)爭(zhēng)力。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許的修改和完善,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。