本申請(qǐng)要求于2016年3月11日提交的第10-2016-0029716號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)和于2016年8月29日提交的第10-2016-0110091號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，為了所有目的通過(guò)引用將上述兩件韓國(guó)專利申請(qǐng)包含于此，就如同在這里被充分地闡述一樣。

示例性實(shí)施例涉及一種顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

可視地顯示數(shù)據(jù)的顯示裝置包括被劃分成顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域的基底。在顯示區(qū)域中，柵極線和數(shù)據(jù)線彼此絕緣，通過(guò)使柵極線與數(shù)據(jù)線交叉來(lái)限定多個(gè)像素區(qū)域。另外，在顯示區(qū)域中，與像素區(qū)域一致地設(shè)置薄膜晶體管(tft)和電連接到tft的像素電極。非顯示區(qū)域包括焊盤和扇出單元。扇出單元包括將焊盤連接到顯示區(qū)域的布線，并通過(guò)布線傳輸來(lái)自設(shè)置在焊盤上的驅(qū)動(dòng)器集成電路(ic)的信號(hào)。

顯示裝置的至少一部分可以被彎曲，以增強(qiáng)各種角度的可視性或減小非顯示區(qū)域的尺寸。正在開發(fā)在制造彎曲的顯示裝置期間用于降低成本和減少缺陷的出現(xiàn)的各種技術(shù)。

在該背景技術(shù)部分中公開的上述信息僅是為了增強(qiáng)對(duì)發(fā)明構(gòu)思的背景的理解，并因此可包含不形成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言在本國(guó)中已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種具有提高的耐久性、低制造成本的顯示裝置。在示例性實(shí)施例中，可以防止會(huì)在各種制造工藝期間發(fā)生的諸如短路的各種缺陷。示例性實(shí)施例也包括制造顯示裝置的方法。

另外的方面將在隨后的描述中部分地闡述，并且部分地通過(guò)公開將是明顯的，或者可以通過(guò)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施而獲知。

示例性實(shí)施例公開了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底，包括設(shè)置有顯示器件以顯示圖像的顯示區(qū)域和設(shè)置在顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域，其中，非顯示區(qū)域包括關(guān)于彎曲軸而彎曲的彎曲區(qū)域；包封層，布置在顯示區(qū)域上方；觸摸電極，布置在包封層上方；觸摸布線，連接到觸摸電極并延伸到非顯示區(qū)域；以及扇出布線，連接到將電信號(hào)施加到顯示區(qū)域的信號(hào)布線。扇出布線的至少一部分布置在彎曲區(qū)域中，扇出布線包括與觸摸布線的材料相同的材料。

示例性實(shí)施例也公開了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底，包括設(shè)置有顯示器件以顯示圖像的顯示區(qū)域和設(shè)置在顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域，其中，非顯示區(qū)域可以包括關(guān)于彎曲軸而彎曲的彎曲區(qū)域；包封層，布置在顯示區(qū)域上方；觸摸電極，布置在包封層上方；觸摸布線，連接到觸摸電極并延伸到非顯示區(qū)域；信號(hào)布線，布置在彎曲區(qū)域與顯示區(qū)域之間，并施加電信號(hào)；端子，布置在非顯示區(qū)域的一側(cè)中；扇出布線，至少部分地布置在彎曲區(qū)域中，并具有通過(guò)通孔連接到信號(hào)布線的一側(cè)和連接到端子的另一側(cè)。扇出布線可以包括與觸摸布線的材料相同的材料。

上述的大體描述和下面的詳細(xì)描述是示例性的和解釋性的，并且意圖提供對(duì)要求保護(hù)的主題的進(jìn)一步解釋。

附圖說(shuō)明

附圖示出了發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，并且與描述一起用來(lái)解釋發(fā)明構(gòu)思的原理，其中，包括附圖以提供對(duì)發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解，并且附圖被并入本說(shuō)明書中并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。

圖1是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的透視圖。

圖2a是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的透視圖。

圖2b是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的平面圖。

圖2c是示意性地示出圖2a的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖3a是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖3b是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖4a是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖4b是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖4c是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖4d是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖4e是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖4f是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖4g是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖4h是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖4i是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖5a是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖5b是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖5c是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖5d是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖5e是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖5f是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖5g是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖5h是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖5i是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖5j是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的平面圖。

圖5k是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的平面圖。

圖6a是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖6b是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖7a、圖7b、圖7c、圖7d、圖7e、圖7f、圖7g、圖7h和圖7i是順序地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的制造顯示裝置的方法的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在隨后的描述中，出于解釋的目的，為了提供對(duì)各種示例性實(shí)施例的徹底理解，闡述了許多具體的細(xì)節(jié)。然而，清楚的是，各種示例性實(shí)施例可以在沒(méi)有這些具體的細(xì)節(jié)或者在一個(gè)或更多個(gè)等同布置的情況下實(shí)施。在其它情況下，為了避免使各種示例性實(shí)施例不必要地模糊，以框圖形式示出了公知的結(jié)構(gòu)和裝置。

在附圖中，出于清楚和描述性的目的，可以夸大層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對(duì)尺寸。另外，同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件。

當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谒隽硪辉驅(qū)由?、直接連接到或直接結(jié)合到所述另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g元件或中間層。然而，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“直接在”另一元件或?qū)?、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。出于本公開的目的，“x、y和z中的至少一個(gè)(種)(者)”和“從由x、y和z組成的組中選擇的至少一個(gè)(種)(者)”可以被解釋為只有x、只有y、只有z，或者x、y和z中的兩個(gè)或更多個(gè)的任意組合，諸如以xyz、xyy、yz和zz為例。同樣的標(biāo)號(hào)始終表示同樣的元件。如這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意組合和所有組合。

盡管這里可以使用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來(lái)描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本公開的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分可以被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。

出于描述的目的，在這里可以使用諸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)來(lái)描述如圖中所示出的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。除了在圖中描繪的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)還意圖包含裝置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為其它元件或特征“下方”或“之下”的元件隨后將被定位為“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在……下方”可以包括上方和下方兩種方位。另外，裝置可以被另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)，如此，相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)。

這里使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施例的目的，而不意圖進(jìn)行限制。如這里使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種(者)”和“該(所述)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。另外，當(dāng)術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”用在本說(shuō)明書中時(shí)，說(shuō)明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

在此參照作為理想的示例性實(shí)施例和/或中間結(jié)構(gòu)的示意圖的剖視圖來(lái)描述各種示例性實(shí)施例。如此，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，這里公開的示例性實(shí)施例不應(yīng)該被理解為局限于具體示出的區(qū)域的形狀，而將包括例如由制造導(dǎo)致的形狀上的偏差。在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，并且它們的形狀不意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，也不意圖進(jìn)行限制。

除非另有定義，否則在此使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的含義相同的含義。除非在此明確這樣定義，否則術(shù)語(yǔ)(諸如在通用字典中定義的術(shù)語(yǔ))應(yīng)被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文中它們的含義相一致的含義，將不以理想化或過(guò)于形式化的含義來(lái)進(jìn)行解釋。

在下面的示例中，x軸、y軸和z軸不限于直角坐標(biāo)系中的三個(gè)軸，并且可以以更寬的含義來(lái)解釋。例如，x軸、y軸和z軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

當(dāng)可以不同地實(shí)現(xiàn)某個(gè)實(shí)施例時(shí)，可以與所描述的順序不同地來(lái)執(zhí)行特定工藝順序。例如，兩個(gè)連續(xù)描述的工藝可以基本上同時(shí)執(zhí)行或者以與所描述的順序相反的順序來(lái)執(zhí)行。

顯示裝置是用于顯示圖像的裝置，例如，液晶顯示(lcd)裝置、電泳顯示裝置、有機(jī)發(fā)光顯示裝置、無(wú)機(jī)發(fā)光顯示裝置、場(chǎng)發(fā)射顯示(fed)裝置、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射(sed)顯示裝置、等離子體顯示裝置或陰極射線顯示裝置等。

在下文中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置被描述為根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的示例。然而，顯示裝置不限于此，顯示裝置可以包括各種類型的顯示裝置。

圖1和圖2a是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的透視圖。圖2b是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的平面圖。圖2c是示意性地示出圖2a的顯示裝置的一部分的剖視圖。如圖1中所示，因?yàn)轱@示裝置中的基底100被部分地彎曲，所以根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分被彎曲。為了便于描述，圖2c示出處于非彎曲狀態(tài)的顯示裝置。為了便于描述，涉及以下公開的示例性實(shí)施例的剖視圖和平面圖也示出處于非彎曲狀態(tài)的顯示裝置。

如圖1至圖2c中所示，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置的基底100被劃分成設(shè)置有顯示器件并顯示圖像的顯示區(qū)域da和圍繞顯示區(qū)域da的非顯示區(qū)域。非顯示區(qū)域包括關(guān)于彎曲軸bax而彎曲的彎曲區(qū)域ba。彎曲區(qū)域ba可以指具有曲率半徑的彎曲區(qū)域。

彎曲區(qū)域ba在第一方向(+y方向)上延伸，并且沿與第一方向相交的第二方向(+x方向)布置在第一區(qū)域1a與第二區(qū)域2a之間。另外，基底100關(guān)于在第一方向(+y方向)上延伸的彎曲軸bax彎曲，如圖1中所示?；?00可以包括各種柔性的或可彎曲的材料，例如，聚合物樹脂，諸如聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二酯(pen)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯、聚酰亞胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或醋酸丙酸纖維素(cap)。

第一區(qū)域1a包括顯示區(qū)域da。除了顯示區(qū)域da之外，第一區(qū)域1a也可以包括非顯示區(qū)域的圍繞顯示區(qū)域da或位于顯示區(qū)域da外部的一部分，如圖2c中所示。第二區(qū)域2a也包括非顯示區(qū)域。

顯示圖像的多個(gè)像素可以設(shè)置在基底100的顯示區(qū)域da中。顯示區(qū)域da可以包括例如顯示器件300、薄膜晶體管(tft)210和電容器cst(未示出)。

參照?qǐng)D2a至圖2c，顯示區(qū)域da還可以包括諸如驅(qū)動(dòng)電源線、公共電源線等的傳送脈沖信號(hào)和直流信號(hào)的信號(hào)布線，信號(hào)布線包括傳輸柵極信號(hào)的柵極線、傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線等(均未示出)?？梢孕纬上袼?，并且像素可以基于連接到柵極線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電源線的tft、電容器、顯示器件等的電組合而顯示圖像。像素的亮度可以與響應(yīng)于根據(jù)被供應(yīng)到像素的驅(qū)動(dòng)電力和公共電力的數(shù)據(jù)信號(hào)而流過(guò)顯示器件的驅(qū)動(dòng)電流對(duì)應(yīng)。信號(hào)布線可以通過(guò)扇出布線720a連接到端子單元20。即，扇出布線720a可以傳送諸如柵極信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)等的脈沖信號(hào)和諸如電力等的直流電流?？梢栽O(shè)置多個(gè)像素，所述多個(gè)像素以各種方式布置，諸如條紋布局或pentile^tm布局等。

端子單元20、扇出布線720a、額外的導(dǎo)電層215d和觸摸布線720可以布置在非顯示區(qū)域中。盡管未示出，但是公共電源線、驅(qū)動(dòng)電源線、柵極驅(qū)動(dòng)單元、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元等可以進(jìn)一步布置在非顯示區(qū)域中。

端子單元20可以布置在非顯示區(qū)域的一端中，并可以包括信號(hào)端子21和觸摸端子22。端子單元20可以不被絕緣層覆蓋，而可以被暴露，使得端子單元20可以電連接到諸如柔性印刷電路板(fpcb)、驅(qū)動(dòng)器ic等的驅(qū)動(dòng)電路單元(未示出)?？刂茊卧梢蕴峁?shù)據(jù)信號(hào)、柵極信號(hào)、驅(qū)動(dòng)電壓dlvdd、共電壓elvss等。控制單元也可以通過(guò)觸摸布線720將信號(hào)提供到觸摸屏層700，或者可以接收由觸摸屏層700感測(cè)的信號(hào)。

扇出布線720a位于非顯示區(qū)域中并連接到顯示區(qū)域da中的tft210或?qū)㈦娦盘?hào)施加到顯示器件300的第一信號(hào)布線213b。如上所述，第一信號(hào)布線213b可以對(duì)應(yīng)于設(shè)置在顯示區(qū)域da中的各種線，諸如柵極線、數(shù)據(jù)線、驅(qū)動(dòng)電源線或公共電源線等。扇出布線720a可以連接到第一信號(hào)布線213b，并且扇出布線720a的至少一部分可以位于彎曲區(qū)域ba中。在一些實(shí)施例中，扇出布線720a可以從第一區(qū)域1a延伸并在彎曲區(qū)域ba的一部分中，或者延伸穿過(guò)彎曲區(qū)域ba直到第二區(qū)域2a。即，扇出布線720a可以延伸穿過(guò)彎曲軸bax。例如，扇出布線720a可以具有各種修改，諸如扇出布線720a可以以與彎曲軸bax成預(yù)定的傾斜角而延伸。扇出布線720a可以具有各種形狀，諸如彎曲形狀、鋸齒形狀等(除了直線形狀之外)。

扇出布線720a可以連接到端子單元20的信號(hào)端子21以將電信號(hào)傳送到顯示區(qū)域da。

額外的導(dǎo)電層215d可以進(jìn)一步設(shè)置在非顯示區(qū)域中。額外的導(dǎo)電層215d可以連接到將電信號(hào)施加到布置在顯示區(qū)域da中的tft210或顯示器件300的信號(hào)線，諸如扇出布線720a。額外的導(dǎo)電層215d可以包括與扇出布線720a的材料不同的材料。例如，額外的導(dǎo)電層215d可以包括與作為顯示區(qū)域da的內(nèi)部信號(hào)線的柵極線或數(shù)據(jù)線的材料相同的材料。額外的導(dǎo)電層215d可以布置在與扇出布線720a不同的層中，如圖2b中所示，并可以與扇出布線720a水平地分隔開。然而，額外的導(dǎo)電層215d的布置不限于此。額外的導(dǎo)電層215d可以與扇出布線720a至少部分地疊置。例如，額外的導(dǎo)電層215d可以電連接到扇出布線720a的下部中的扇出布線720a，以將電信號(hào)施加到顯示區(qū)域da。下面將描述關(guān)于額外的導(dǎo)電層215d和扇出布線720a的布局的另一示例性實(shí)施例。

除了扇出布線720a之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置可以包括連接到扇出布線720a的第一信號(hào)布線213b。為了使第一信號(hào)布線213b位于與扇出布線720a位于其中的層不同的層中，第一信號(hào)布線213b可以布置在第一區(qū)域1a或第二區(qū)域2a中，并且可以電連接到扇出布線720a。

第一信號(hào)布線213b可以電連接到包括在顯示區(qū)域da中的tft210，因此，扇出布線720a可以通過(guò)第一信號(hào)布線213b電連接到包括在顯示區(qū)域da中的tft210。這樣，第一信號(hào)布線213b可以位于顯示區(qū)域da外部，同時(shí)電連接到位于顯示區(qū)域da中的組件，并可以位于顯示區(qū)域da外部，同時(shí)在顯示區(qū)域da的方向上延伸，因此，第一信號(hào)布線213b可以至少部分地位于顯示區(qū)域da中。

顯示區(qū)域da可以被包封層400密封。包封層400可以覆蓋顯示區(qū)域da中的顯示器件300和其它元件，并保護(hù)顯示器件300和其它元件免受外部濕氣或氧影響。包封層400可以覆蓋顯示區(qū)域da，并部分地延伸到顯示區(qū)域da的外部。

在包封層400上，設(shè)置包括用于觸摸屏功能的具有各種圖案的觸摸電極710的觸摸屏層700。觸摸電極710可以連接到觸摸布線720，通過(guò)觸摸布線720傳輸由觸摸電極710檢測(cè)的信號(hào)。觸摸布線720可以從包封層400的上部沿包封層400的一側(cè)延伸到非顯示區(qū)域。觸摸布線720可以連接到觸摸屏層700，并從包封層400的上部延伸，直到觸摸布線720的至少一部分位于彎曲區(qū)域ba中。

圖2c示出顯示區(qū)域da中的有機(jī)發(fā)光器件(也可以稱為顯示器件)300。有機(jī)發(fā)光器件300電連接到tft210可以指像素電極310電連接到tft210。如果必要，另一個(gè)tft(未示出)可以設(shè)置在基底100的顯示區(qū)域da外部的周圍區(qū)域中。設(shè)置在周圍區(qū)域中的tft可以是例如用于控制施加到顯示區(qū)域da的電信號(hào)的電路單元的一部分。

tft210可以包括半導(dǎo)體層211，半導(dǎo)體層211包括非晶硅、多晶硅、氧化物半導(dǎo)體材料或有機(jī)半導(dǎo)體材料。tft210也可以包括柵電極213、源電極215a和漏電極215b。

柵電極213可以連接到將導(dǎo)通和截止信號(hào)施加到tft210的柵極線(未示出)。柵電極213可以包括低電阻金屬材料。例如，柵電極213可以是由包括例如鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)和/或鈦(ti)的導(dǎo)電材料形成的單層或多層。

源電極215a和漏電極215b中的每個(gè)可以是包括導(dǎo)電材料的單層或多層。源電極215a和漏電極215b可以分別連接到半導(dǎo)體層211的源區(qū)和漏區(qū)。例如，源電極215a和漏電極215b中的每個(gè)可以是由包括例如al、cu和/或ti的導(dǎo)電材料形成的單層或多層。

根據(jù)示例性實(shí)施例的tft210可以是柵電極213位于半導(dǎo)體層211上方的頂柵型tft。然而，tft210的其它示例性實(shí)施例不限于此。根據(jù)另一示例性實(shí)施例的tft210可以是柵電極213位于半導(dǎo)體層211下方的底柵型tft。

為了使半導(dǎo)體層211與柵電極213絕緣，柵極絕緣層120可以設(shè)置在半導(dǎo)體層211與柵電極213之間，柵極絕緣層120包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無(wú)機(jī)材料。另外，層間絕緣層130可以設(shè)置在柵電極213上方，層間絕緣層130包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無(wú)機(jī)材料。源電極215a和漏電極215b可以設(shè)置在層間絕緣層130上方。包括無(wú)機(jī)材料的絕緣層可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)或原子層沉積(ald)來(lái)形成。這也適用于下面描述的示例性實(shí)施例和示例性實(shí)施例的修改示例。

緩沖層110可以設(shè)置在tft210與基底100之間，緩沖層110包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無(wú)機(jī)材料。緩沖層110可以使基底100的上表面平坦化或防止雜質(zhì)從基底100滲透到tft210的半導(dǎo)體層211中。緩沖層110可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

平坦化層140可以設(shè)置在tft210上方。例如，如圖2c中所示，當(dāng)有機(jī)發(fā)光器件300設(shè)置在tft210上方時(shí)，平坦化層140可以使覆蓋tft210的保護(hù)層的上部平坦化。平坦化層140可以包括例如pi、亞克力、苯并環(huán)丁烯(bcb)或六甲基二硅氧烷(hmdso)的有機(jī)材料，雖然圖2c將平坦化層140示出為單層，但是平坦化層140可以是多個(gè)層或以其它的各種方式修改。

在基底100的顯示區(qū)域da中，有機(jī)發(fā)光器件300可以設(shè)置在平坦化層140上。有機(jī)發(fā)光器件300可以包括像素電極310、對(duì)電極330和設(shè)置在像素電極310與對(duì)電極330之間并包括發(fā)射層的中間層320。如圖2c中所示，像素電極310可以通過(guò)形成在平坦化層140中的開口接觸源電極215a和漏電極215b中的任何一個(gè)而電連接到tft210。

像素限定層150可以設(shè)置在平坦化層140上方。像素限定層150利用分別與子像素對(duì)應(yīng)的開口(即，至少暴露像素電極310的中心部分的開口)限定像素。在圖2c中，像素電極310上的像素限定層150可以增大像素電極310的外圍與對(duì)電極330之間的距離，使得電弧不產(chǎn)生在像素電極310的外圍處。像素限定層150可以包括例如pi、亞克力、bcb或hmdso。

有機(jī)發(fā)光器件300的中間層320可以包括低分子材料或高分子材料。當(dāng)中間層320包括低分子材料時(shí)，中間層320可以包括發(fā)射層(eml)，并且還可以包括空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)中的至少一個(gè)。中間層320可以包括各種有機(jī)材料，例如，銅酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-聯(lián)苯胺(npb)或三-8-羥基喹啉-鋁(alq3)等。所述層可以通過(guò)氣相沉積來(lái)形成。

當(dāng)中間層320包括高分子材料時(shí)，中間層320可以包括htl和eml。htl可以包括pedot，eml可以包括聚苯撐乙烯撐(ppv)類和聚芴類高分子材料。中間層320可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷或激光誘導(dǎo)熱成像(liti)等來(lái)形成。

然而，中間層320不限于上面的示例。中間層320可以包括橫跨多個(gè)像素電極310的單層或相對(duì)于像素電極310中的每個(gè)被圖案化的多個(gè)層。

對(duì)電極330位于顯示區(qū)域da的上部中。如圖2c中所示，對(duì)電極330可以被設(shè)置為覆蓋顯示區(qū)域da。即，對(duì)電極330可以被形成為針對(duì)多個(gè)有機(jī)發(fā)光器件300的單個(gè)元件，因此，對(duì)電極330與多個(gè)像素電極310對(duì)應(yīng)。

由于這種有機(jī)發(fā)光器件會(huì)容易地被外部濕氣或氧損壞，因此包封層400可以覆蓋并保護(hù)有機(jī)發(fā)光器件。包封層400可以覆蓋像素區(qū)域，并延伸到像素區(qū)域的外部區(qū)域。如圖2c中所示，包封層400可以包括第一無(wú)機(jī)包封層410、有機(jī)包封層420和第二無(wú)機(jī)包封層430。

第一無(wú)機(jī)包封層410可以覆蓋對(duì)電極330，并包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果必要，諸如蓋層的其它層可以設(shè)置在第一無(wú)機(jī)包封層410與對(duì)電極330之間。由于第一無(wú)機(jī)包封層410沿其下面的結(jié)構(gòu)形成，因此第一無(wú)機(jī)包封層410的上表面是不平坦的，如圖2c中所示。與第一無(wú)機(jī)包封層410不同，覆蓋第一無(wú)機(jī)包封層410的有機(jī)包封層420可以具有平坦的上表面。具體地，有機(jī)包封層420的與顯示區(qū)域da對(duì)應(yīng)的上表面可以是基本平坦的。有機(jī)包封層420可以包括從由pet、pen、pc、pi、pes、聚甲醛(pom)、聚芳酯和hmdso組成的組中選擇的至少一種。第二無(wú)機(jī)包封層430可以覆蓋有機(jī)包封層420，并包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二無(wú)機(jī)包封層430的位于顯示區(qū)域da外部的外圍可以接觸第一無(wú)機(jī)包封層410，使得有機(jī)包封層420不暴露于外部。

由于包封層400具有包括第一無(wú)機(jī)包封層410、有機(jī)包封層420和第二無(wú)機(jī)包封層430的多層結(jié)構(gòu)，因此即使當(dāng)包封層400中存在裂縫時(shí)，裂縫也不在第一無(wú)機(jī)包封層410與有機(jī)包封層420之間或有機(jī)包封層420與第二無(wú)機(jī)包封層430之間延伸。因此，可以防止外部濕氣或氧滲透到顯示區(qū)域da中。

包括觸摸電極710的觸摸屏層700設(shè)置在包封層400上方。覆蓋層730可以設(shè)置在觸摸屏層700上方并保護(hù)觸摸屏層700。

觸摸屏層700可以是例如電容型。當(dāng)覆蓋層730被觸摸時(shí)，可以通過(guò)檢測(cè)形成在觸摸屏層700的觸摸電極710之間的互電容的變化來(lái)確定是否出觸摸了一部分?？蛇x擇地，觸摸屏層700可以通過(guò)檢測(cè)觸摸電極710與對(duì)電極330之間的電容的變化或者通過(guò)其它技術(shù)來(lái)確定是否觸摸了一部分。

觸摸電極710可以連接到傳輸被觸摸電極710檢測(cè)的信號(hào)的觸摸布線720，觸摸布線720可以從包封層400的上部沿包封層400的一側(cè)延伸到非顯示區(qū)域。觸摸布線720可以連接到觸摸屏層700，并從包封層400的上部延伸，直到觸摸布線720的至少一部分在彎曲區(qū)域ba中。在示例性實(shí)施例中，觸摸布線720可以被布置為穿過(guò)彎曲區(qū)域ba。觸摸布線720可以從包封層400沿包封層400的一側(cè)延伸，在此情況下，包封層400的該側(cè)可以是彎曲的。該彎曲可以由于由平坦化層140和像素限定層150形成的臺(tái)階而形成，如圖2c中所示。由于該彎曲，觸摸布線720可以從包封層400的上部以漸變的斜率延伸到非密封區(qū)域。

觸摸電極710和觸摸布線720中的每個(gè)可以是包括例如al、cu和/或ti的導(dǎo)電材料的單層或多層。觸摸電極710和觸摸布線720可以包括相同的材料。

覆蓋層730可以是柔性的，并包括例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、pi、丙烯酸酯、pet或pen等。覆蓋層730可以布置在觸摸屏層700上方以保護(hù)觸摸屏層700。

觸摸緩沖層610可以設(shè)置在包封層400與觸摸屏層700之間。觸摸緩沖層610可以防止對(duì)包封層400的損壞，并阻擋會(huì)在操作觸摸屏層700時(shí)產(chǎn)生的干擾信號(hào)。觸摸緩沖層610可以包括無(wú)機(jī)材料(諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦等)或有機(jī)材料(諸如pi、聚酯或亞克力等)。另外，可以通過(guò)堆疊上述材料的層來(lái)形成觸摸緩沖層610。

觸摸緩沖層610可以通過(guò)沉積或使用其它方法直接形成在包封層400上。由于觸摸屏層700也直接形成在觸摸緩沖層610上，因此額外的附著層不必位于包封層400上。因此，可以減小顯示裝置的厚度。

非顯示區(qū)域可以包括彎曲區(qū)域ba。扇出布線720a可以設(shè)置為穿過(guò)非顯示區(qū)域中的彎曲區(qū)域ba。扇出布線720a可以電連接到tft210或者可以電連接到將電信號(hào)施加到設(shè)置在顯示區(qū)域da中的顯示器件300的第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c和第三信號(hào)布線215c。電連接到第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c和第三信號(hào)布線215c的扇出布線720a不僅指扇出布線720a通過(guò)圖2c中示出的接觸孔直接連接到第一信號(hào)布線213b，而且還指扇出布線720a經(jīng)由第一信號(hào)布線213b間接連接到第二信號(hào)布線213c或第三信號(hào)布線215c。

第一信號(hào)布線213b可以電連接到顯示區(qū)域da中的第二信號(hào)布線213c或第三信號(hào)布線215c。在示例性實(shí)施例中，第二信號(hào)布線213c或第三信號(hào)布線215c可以是將信號(hào)施加到柵電極213的柵極線。在示例性實(shí)施例中，第二信號(hào)布線213c或第三信號(hào)布線215c可以是將信號(hào)施加到源電極215a或漏電極215b的數(shù)據(jù)線。在示例性實(shí)施例中，第一信號(hào)布線213b可以通過(guò)通孔連接到第二信號(hào)布線213c。

在示例性實(shí)施例中，第一信號(hào)布線213b和第二信號(hào)布線213c可以包括與柵電極213的材料相同的材料。第三信號(hào)布線215c可以包括與源電極215a和漏電極215b的材料相同的材料。

扇出布線720a可以包括與觸摸布線720的材料相同的材料。扇出布線720a和觸摸布線720可以在同一制造條件下同時(shí)形成。在示例性實(shí)施例中，扇出布線720a和觸摸布線720可以包括al。在其它示例性實(shí)施例中，扇出布線720a和觸摸布線720可以包括ti/al/ti。

在示例性實(shí)施例中，扇出布線720a可以包括與觸摸布線720的材料相同但與第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c、第三信號(hào)布線215c、源電極215a或漏電極215b的材料不同的材料。

在示例性實(shí)施例中，扇出布線720a可以包括與第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c、第三信號(hào)布線215c、源電極215a或漏電極215b的材料相同的材料。

扇出布線720a和觸摸布線720可以在大約90℃或低于90℃下通過(guò)低溫層形成工藝來(lái)形成。這可能是為了保護(hù)已經(jīng)形成的顯示器件300或其它元件。另一方面，第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c、第三信號(hào)布線215c、源電極215a和漏電極215b可以在等于或高于90℃的溫度(例如，大約150℃)下通過(guò)高溫層形成工藝來(lái)形成，其中，在形成顯示器件300、包封層400或其它元件之前形成第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c、第三信號(hào)布線215c、源電極215a和漏電極215b。

因此，即使當(dāng)使用與第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c、第三信號(hào)布線215c、源電極215a或漏電極215b的材料相同的材料形成扇出布線720a時(shí)，各個(gè)電阻率值和各個(gè)晶粒尺寸也可以改變。例如，當(dāng)使用相同的材料時(shí)，扇出布線720a的電阻率值可以比第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c和第三信號(hào)布線215c的電阻率值大大約25％。另外，扇出布線720a的晶粒尺寸可以小于第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c和第三信號(hào)布線215c的晶粒尺寸。

在實(shí)施例中，扇出布線720a、第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c和第三信號(hào)布線215c的相應(yīng)的厚度可以彼此不同。例如，扇出布線720a的厚度可以小于通過(guò)使用與源電極215a和漏電極215b的材料相同的材料形成的第三信號(hào)布線215c的厚度。在示例性實(shí)施例中，扇出布線720a的厚度可以為第三信號(hào)布線215c的厚度的大約50％。

有機(jī)材料層160可以設(shè)置在彎曲區(qū)域ba的位于扇出布線720a與基底100之間的至少一部分中。當(dāng)顯示裝置被彎曲時(shí)，有機(jī)材料層160可以防止彎曲區(qū)域ba的扇出布線720a中的裂縫。有機(jī)材料層160可以吸收由彎曲造成的基底100和其它元件的張應(yīng)力，因此有效地減小集中在扇出布線720a上的張應(yīng)力。

有機(jī)材料層160可以通過(guò)使用與平坦化層140、像素限定層150、包封層400的有機(jī)包封層420或觸摸緩沖層610的材料相同的材料形成，并與平坦化層140、像素限定層150、包封層400的有機(jī)包封層420或觸摸緩沖層610同時(shí)形成。即，可以在用于形成平坦化層140、像素限定層150、包封層400的有機(jī)包封層420或觸摸緩沖層610的掩模工藝期間形成有機(jī)材料層160。因此，可以省略用于形成有機(jī)材料層160的額外的掩模工藝。緩沖層110、柵極絕緣層120或?qū)娱g絕緣層130也可以包括有機(jī)材料。在此情況下，有機(jī)材料層160可以通過(guò)使用與緩沖層110、柵極絕緣層120或?qū)娱g絕緣層130的材料相同的材料來(lái)形成，并與緩沖層110、柵極絕緣層120或?qū)娱g絕緣層130同時(shí)形成。

如果扇出布線720a與第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c、第三信號(hào)布線215c、源電極215a或漏電極215b同時(shí)形成，則必須使用額外的掩模來(lái)形成有機(jī)材料層160。根據(jù)示例性實(shí)施例，由于扇出布線720a和觸摸布線720同時(shí)形成，因此有機(jī)材料層160可以與設(shè)置在顯示區(qū)域da中的包括有機(jī)材料的層一起形成，因此簡(jiǎn)化了掩模工藝。

均包括無(wú)機(jī)材料的緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130可以被稱作無(wú)機(jī)絕緣層。無(wú)機(jī)絕緣層可以具有與如圖2c中示出的彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的開口。即，緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130可以分別具有與彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的開口110a、120a和130a。與彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的開口可以指與彎曲區(qū)域ba疊置的開口。所述開口可以大于彎曲區(qū)域ba。因此，圖2c示出開口的寬度ow大于彎曲區(qū)域ba的寬度。緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130的相應(yīng)的開口110a、120a和130a之中的最小的開口可以被確定為開口的尺寸。在圖2c中，緩沖層110的開口110a的尺寸被確定為開口的尺寸。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置包括填充無(wú)機(jī)絕緣層的開口的至少一部分的有機(jī)材料層160。圖2c示出有機(jī)材料層160完全填充開口。扇出布線720a可以從第一區(qū)域1a穿過(guò)彎曲區(qū)域ba延伸到第二區(qū)域2a，并可以位于有機(jī)材料層160上。在不設(shè)置有機(jī)材料層160的區(qū)域中，扇出布線720a可以位于諸如層間絕緣層130的無(wú)機(jī)絕緣層上。

由于無(wú)機(jī)絕緣層具有比有機(jī)材料層160高的硬度，因此彎曲區(qū)域ba中的無(wú)機(jī)絕緣層可能具有裂縫。當(dāng)無(wú)機(jī)絕緣層斷裂時(shí)，扇出布線720a中會(huì)發(fā)生斷裂的可能性很高。盡管有機(jī)材料層160可以阻擋裂縫擴(kuò)展，但是形成在無(wú)機(jī)絕緣層中的開口可以進(jìn)一步減小在無(wú)機(jī)絕緣層中出現(xiàn)裂縫的可能性。因此，水平降低的張應(yīng)力可以集中在扇出布線720a上。

如圖2c中所示，有機(jī)材料層160可以覆蓋無(wú)機(jī)絕緣層的開口的內(nèi)表面?？梢酝ㄟ^(guò)在基底100的整個(gè)表面上形成導(dǎo)電材料層并將導(dǎo)電材料層圖案化來(lái)形成顯示裝置的各種布線。如果在將導(dǎo)電材料層圖案化期間，有機(jī)材料層160不覆蓋緩沖層110的開口110a的內(nèi)表面、柵極絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面或?qū)娱g絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面，則導(dǎo)電材料可以不從緩沖層110的開口110a的內(nèi)表面、柵極絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面或?qū)娱g絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面去除，而是可以保留在緩沖層110的開口110a的內(nèi)表面、柵極絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面或?qū)娱g絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面中。在此情況下，保留的導(dǎo)電材料會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電層之間的短路。因此，有機(jī)材料層160可以被形成為覆蓋無(wú)機(jī)絕緣層的開口的內(nèi)表面。盡管圖2c示出有機(jī)材料層160具有用于參考的均勻的厚度，但是，可選擇地，有機(jī)材料層160可以根據(jù)各種位置具有不同的厚度，使得有機(jī)材料層160在緩沖層110的開口110a的內(nèi)表面、柵極絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面或?qū)娱g絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面周圍逐漸上升和下降。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置還可以包括保護(hù)膜170。保護(hù)膜170可以是保護(hù)基底100的下表面的下保護(hù)膜，如圖2c中所示，并可以具有開口170op。開口170op可以與彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)。開口170op的面積可以大于彎曲區(qū)域ba的面積。在圖2c中，開口170op的寬度可以大于彎曲區(qū)域ba的寬度。

保護(hù)膜170可以保護(hù)基底100的下表面，因此，本身具有剛性。因此，當(dāng)保護(hù)膜170具有低柔性時(shí)，由于基底100被彎曲，因此保護(hù)膜170會(huì)與基底100分離。因此，如圖2c中所示，保護(hù)膜170可以具有與彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的開口170op，從而有效地防止保護(hù)膜170與基底100分離。為此，如上所述，保護(hù)膜170的開口170op的面積可以大于彎曲區(qū)域ba的面積。在圖2c中，保護(hù)膜170從彎曲區(qū)域ba去除，但不限于此。保護(hù)膜170可以進(jìn)行各種修改，例如，保護(hù)膜170可以不完全從彎曲區(qū)域ba去除，而與第一區(qū)域1a或第二區(qū)域2a相比，可以在彎曲區(qū)域ba中具有小的厚度。

彎曲保護(hù)層(bpl)600可以位于顯示區(qū)域da外部。即，bpl600可以至少與彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)以位于扇出布線720a上方。

當(dāng)堆疊結(jié)構(gòu)被彎曲時(shí)，應(yīng)力中性面可以存在于堆疊結(jié)構(gòu)中。如果不存在bpl600，因?yàn)樯瘸霾季€720a的位置不會(huì)與應(yīng)力中性面對(duì)應(yīng)，所以過(guò)量的張應(yīng)力會(huì)根據(jù)基底100的彎曲而被施加到彎曲區(qū)域ba中的扇出布線720a。然而，通過(guò)允許存在bpl600并調(diào)整bpl600的厚度和模量，可以調(diào)整包括所有的基底100、扇出布線720a和bpl600的堆疊結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力中性面的位置。因此，應(yīng)力中性面可以位于穿過(guò)bpl600的扇出布線720a附近，因此，較少的張應(yīng)力會(huì)被施加到扇出布線720a。

在圖2c中，bpl600的在朝向顯示區(qū)域da的方向(-x方向)上的頂表面與在覆蓋層730的方向(+z方向)上的頂表面重合，但是本發(fā)明不限于此。例如，bpl600的在朝向顯示區(qū)域da的方向(-x方向)上的一端可以部分地覆蓋位于覆蓋層730的邊緣處的頂表面。另外，可以能夠進(jìn)行各種修改，例如，bpl600的在朝向顯示區(qū)域da的方向(-x方向)上的一端可以不接觸覆蓋層730。bpl600可以延伸到顯示區(qū)域da的上部以覆蓋觸摸電極710。

可以通過(guò)涂覆液相材料或漿料型材料(paste-typematerial)并將其硬化來(lái)形成bpl600。在此情況下，在硬化工藝期間會(huì)減小bpl600的體積。就這點(diǎn)而言，當(dāng)bpl600的在朝向顯示區(qū)域da的方向(-x方向)上的一部分與覆蓋層730接觸時(shí)，bpl600的該部分的位置是固定的，因此，在bpl600的剩余部分中發(fā)生體積減小。因此，bpl600的在朝向顯示區(qū)域da的方向(-x方向)上的一部分的厚度可以大于bpl600的其它部分的厚度。

bpl600可以暴露第二區(qū)域2a的端子21(見圖2b)。就這點(diǎn)而言，在第二區(qū)域2a中，端子21可以用來(lái)連接諸如各種電子元件或pcb等的控制單元。

圖3a是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。參照?qǐng)D3a，覆蓋層730可以從觸摸屏層700的上部延伸到非顯示區(qū)域，以覆蓋扇出布線720a。因此，覆蓋層730可以同時(shí)保護(hù)觸摸屏層700和扇出布線720a。如圖3a中所示，覆蓋層730可以作為一個(gè)整體從顯示區(qū)域da至少延伸到彎曲區(qū)域ba。在此情況下，覆蓋層730可以用作bpl600(見圖2c)。即，覆蓋層730可以調(diào)整彎曲區(qū)域ba中的應(yīng)力中性面的位置。應(yīng)力中性面可以位于穿過(guò)覆蓋層730的扇出布線720a附近，因此，水平降低的張應(yīng)力可以被施加到扇出布線720a。

圖3b是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。參照?qǐng)D3b，覆蓋層730可以從觸摸屏層700的上部延伸到非顯示區(qū)域，以覆蓋扇出布線720a。即，覆蓋層730可以作為一個(gè)整體從顯示區(qū)域da至少延伸到彎曲區(qū)域ba。bpl600還可以在非顯示區(qū)域中設(shè)置在覆蓋層730上方。如上面所描述的，可以使用bpl600來(lái)通過(guò)將應(yīng)力中性面定位在扇出布線720a附近來(lái)將水平降低的張應(yīng)力施加到扇出布線720a。

在以下將描述的示例性實(shí)施例的附圖中，覆蓋層730延伸到彎曲區(qū)域ba，但是本發(fā)明不限于此。如上所述，可以能夠做出各種修改，例如，bpl600可以代替覆蓋層730布置在彎曲區(qū)域ba中，可以同時(shí)布置覆蓋層730和bpl600或者兩者可以均不布置。

圖4a是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。參照?qǐng)D4a，可以通過(guò)順序地堆疊第一觸摸導(dǎo)電層711、第一絕緣層712、第二觸摸導(dǎo)電層713和第二絕緣層714來(lái)形成觸摸電極710。第一觸摸導(dǎo)電層711可以電連接到第二觸摸導(dǎo)電層713。在一些實(shí)施例中，第一絕緣層712可以包括暴露第一觸摸導(dǎo)電層711的上表面的通孔，第一觸摸導(dǎo)電層711可以通過(guò)通孔連接到第二觸摸導(dǎo)電層713。

通過(guò)使用第一觸摸導(dǎo)電層711和第二觸摸導(dǎo)電層713，可以減小觸摸電極710的電阻，因此，可以提高觸摸屏層700的響應(yīng)速度。

在示例性實(shí)施例中，扇出布線720a和觸摸布線720可以包括與第一觸摸導(dǎo)電層711或第二觸摸導(dǎo)電層713的材料相同的材料。在其它示例性實(shí)施例中，扇出布線720a和觸摸布線720可以具有堆疊有第一層和第二層的結(jié)構(gòu)，所述第一層包括與第一觸摸導(dǎo)電層711的材料相同的材料，所述第二層包括與第二觸摸導(dǎo)電層713的材料相同的材料。

在示例性實(shí)施例中，觸摸布線720可以包括與第一觸摸導(dǎo)電層711或第二觸摸導(dǎo)電層713的材料相同的材料。在其它示例性實(shí)施例中，可以通過(guò)堆疊第一層和第二層來(lái)形成觸摸布線720，所述第一層包括與第一觸摸導(dǎo)電層711的材料相同的材料，所述第二層包括與第二觸摸導(dǎo)電層713的材料相同的材料。

第一觸摸導(dǎo)電層711和第二觸摸導(dǎo)電層713中的每個(gè)可以是由例如al、cu和/或ti的導(dǎo)電材料形成的單層或多層。在示例性實(shí)施例中，第一觸摸導(dǎo)電層711和第二觸摸導(dǎo)電層713中的每個(gè)可以具有由ti/al/ti形成的堆疊結(jié)構(gòu)。

第一絕緣層712可以包括無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料。無(wú)機(jī)材料可以包括從氮化硅、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰和氮氧化硅中選擇的至少一種。有機(jī)材料可以包括從丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、聚異戊二烯、乙烯基類樹脂、環(huán)氧類樹脂、氨基甲酸乙酯類樹脂、纖維素類樹脂和苝類樹脂中選擇的至少一種。

第二絕緣層714可以包括有機(jī)材料，例如，從丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、聚異戊二烯、乙烯基類樹脂、環(huán)氧類樹脂、氨基甲酸乙酯類樹脂、纖維素類樹脂和苝類樹脂中選擇的至少一種。

在此情況下，有機(jī)材料層160可以通過(guò)使用與第一絕緣層712或第二絕緣層714的材料相同的材料與第一絕緣層712或第二絕緣層714同時(shí)形成。

有機(jī)材料層160可以通過(guò)使用與平坦化層140、像素限定層150、包封層400的有機(jī)包封層420、觸摸緩沖層610、第一絕緣層712或第二絕緣層714的材料相同的材料與平坦化層140、像素限定層150、包封層400的有機(jī)包封層420、觸摸緩沖層610、第一絕緣層712或第二絕緣層714同時(shí)形成，但是本發(fā)明不限于此。例如，可以通過(guò)與形成平坦化層140、像素限定層150、包封層400的有機(jī)包封層420、觸摸緩沖層610、第一絕緣層712或第二絕緣層714的工藝不同的工藝來(lái)形成有機(jī)材料層160。

緩沖層110、柵極絕緣層120和/或?qū)娱g絕緣層130可以包括有機(jī)材料。在此情況下，可以通過(guò)使用與緩沖層110、柵極絕緣層120或?qū)娱g絕緣層130的材料相同的材料來(lái)形成有機(jī)材料層160。

圖4b和圖4c是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置與根據(jù)以上描述的示例性實(shí)施例的顯示裝置的不同之處在于：額外的導(dǎo)電層215d可以進(jìn)一步設(shè)置在扇出布線720a的下部中。如上所述，如果扇出布線720a通過(guò)使用與額外的導(dǎo)電層215d的材料相同的材料與額外的導(dǎo)電層215d同時(shí)形成，則額外的導(dǎo)電層215d可以通過(guò)使用與源電極215a或漏電極215b的材料相同的材料與源電極215a或漏電極215b同時(shí)形成。額外的導(dǎo)電層215d在彎曲區(qū)域ba中可以至少位于扇出布線720a的下部中，使得額外的導(dǎo)電層215d電連接到扇出布線720a。

如上所述，由于根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置在彎曲區(qū)域ba中包括扇出布線720a和額外的導(dǎo)電層215d，因此彎曲區(qū)域ba的導(dǎo)電層可以具有多層結(jié)構(gòu)。因此，即使由于形成在扇出布線720a中的裂縫而在彎曲區(qū)域ba中產(chǎn)生缺陷，電信號(hào)也可以通過(guò)額外的導(dǎo)電層215d沒(méi)有問(wèn)題地傳送到顯示區(qū)域da?？蛇x擇地，即使由于形成在額外的導(dǎo)電層215d中的裂縫而產(chǎn)生缺陷，電信號(hào)也可以通過(guò)扇出布線720a沒(méi)有問(wèn)題地傳送到顯示區(qū)域da。

在本示例性實(shí)施例中，扇出布線720a和觸摸布線720可以包括與如圖4b中示出的第一觸摸導(dǎo)電層711的材料相同的材料，或者可以包括與如圖4c中示出的第二觸摸導(dǎo)電層713的材料相同的材料。

圖4d是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分剖視圖。根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置與參照?qǐng)D4b描述的顯示裝置的不同之處在于：扇出布線720a具有堆疊有第一層721a和第二層723a的結(jié)構(gòu)，第一層721a包括與第一觸摸導(dǎo)電層711的材料相同的材料，第二層723a包括與第二觸摸導(dǎo)電層713的材料相同的材料。

在本示例性實(shí)施例中，觸摸布線720可以具有堆疊有第一布線層721和第二布線層723的結(jié)構(gòu)，第一布線層721包括與第一觸摸導(dǎo)電層711的材料相同的材料，第二布線層723包括與第二觸摸導(dǎo)電層713的材料相同的材料。

如上所述，由于根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置在彎曲區(qū)域ba中包括具有多層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層，因此，即使在具有單層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層中出現(xiàn)裂紋，電信號(hào)也可以沒(méi)有問(wèn)題地傳送到顯示區(qū)域da。

圖4e是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。參照?qǐng)D4e，額外的導(dǎo)電層215d可以布置在扇出布線720a的下部中?？梢酝ㄟ^(guò)延伸穿過(guò)彎曲區(qū)域ba的第一信號(hào)布線213b來(lái)形成額外的導(dǎo)電層215d。即，額外的導(dǎo)電層215d可以包括與柵電極213的材料相同的材料。在本示例性實(shí)施例中，額外的導(dǎo)電層215d可以直接接觸彎曲區(qū)域ba中的扇出布線720a，以形成多層結(jié)構(gòu)。

如上所述，由于根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置在彎曲區(qū)域ba中包括扇出布線720a和額外的導(dǎo)電層215d，因此彎曲區(qū)域ba的導(dǎo)電層可以具有多層結(jié)構(gòu)。因此，即使由于形成在扇出布線720a中的裂縫而在彎曲區(qū)域ba中產(chǎn)生缺陷，電信號(hào)也可以通過(guò)額外的導(dǎo)電層215d沒(méi)有問(wèn)題地傳送到顯示區(qū)域da?？蛇x擇地，即使由于形成在額外的導(dǎo)電層215d中的裂縫而產(chǎn)生缺陷，電信號(hào)也可以通過(guò)扇出布線720a沒(méi)有問(wèn)題地傳送到顯示區(qū)域da。

如上所述，扇出布線720a可以包括與第一觸摸導(dǎo)電層711或第二觸摸導(dǎo)電層713的材料相同的材料。扇出布線720a可以具有堆疊有第一層和第二層的結(jié)構(gòu)，所述第一層包括與第一觸摸導(dǎo)電層711的材料相同的材料，所述第二層包括與第二觸摸導(dǎo)電層713的材料相同的材料。

圖4f和圖4g是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

參照?qǐng)D4f，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置可以包括在彎曲區(qū)域ba中位于扇出布線720a的下部中的額外的導(dǎo)電層215d和位于扇出布線720a與額外的導(dǎo)電層215d之間的絕緣層180。

如上所述，扇出布線720a可以通過(guò)使用與觸摸布線720的材料相同的材料與觸摸布線720同時(shí)形成，額外的導(dǎo)電層215d可以通過(guò)使用與源電極215a、漏電極215b或柵電極213的材料相同的材料與源電極215a、漏電極215b或柵電極213同時(shí)形成。額外的導(dǎo)電層215d可以通過(guò)設(shè)置在絕緣層180中的通孔cnt電連接到扇出布線720a。所述通孔可以布置在第一區(qū)域1a和/或第二區(qū)域2a中。

額外的導(dǎo)電層215d和扇出布線720a可以具有各種修改，例如，額外的導(dǎo)電層215d和扇出布線720a可以布置在彎曲區(qū)域ba上方，或者可以僅在如以上描述的示例性實(shí)施例中所描述的彎曲區(qū)域ba的一部分中疊置。

絕緣層180可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。絕緣層180可以通過(guò)使用與平坦化層140、像素限定層150、包封層400的無(wú)機(jī)包封層410和430、有機(jī)包封層420、觸摸緩沖層610等的材料相同的材料與平坦化層140、像素限定層150、包封層400的無(wú)機(jī)包封層410和430、有機(jī)包封層420、觸摸緩沖層610等同時(shí)形成。

參照?qǐng)D4g，額外的導(dǎo)電層215d可以僅存在于彎曲區(qū)域ba的一部分中。例如，額外的導(dǎo)電層215d可以存在于彎曲區(qū)域ba的兩個(gè)邊緣中，以接觸扇出布線720a。額外的導(dǎo)電層215d可以具有各種修改，例如，額外的導(dǎo)電層215d可以存在于彎曲區(qū)域ba的僅一個(gè)邊緣中。

圖4h是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。參照?qǐng)D4h，扇出布線720a可以僅存在于彎曲區(qū)域ba的一部分中。例如，扇出布線720a可以存在于彎曲區(qū)域ba的兩個(gè)邊緣中，以接觸額外的導(dǎo)電層215d。扇出布線720a可以具有各種修改，例如，扇出布線720a可以存在于彎曲區(qū)域ba的僅一個(gè)邊緣中。

圖4i是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。

除了tft210之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置可以包括顯示區(qū)域da中的第二tft210'。tft210'可以包括半導(dǎo)體層211'、源電極215a'、漏電極215b'和柵電極213'。就這點(diǎn)而言，半導(dǎo)體層211'可以包括與半導(dǎo)體層211的材料相同的材料，并可以與半導(dǎo)體層211位于同一層上。源電極215a'和漏電極215b'也可以包括與源電極215a和漏電極215b的材料相同的材料，并可以與源電極215a和漏電極215b位于同一層中。然而，柵電極213'可以與柵電極213位于不同的層中，這可以表明柵電極213'和柵電極213不同時(shí)形成并在不同的操作中形成。

更詳細(xì)地，柵極絕緣層120'可以位于柵極絕緣層120上方，源電極215a、漏電極215b、源電極215a'和漏電極215b'可以位于覆蓋柵極絕緣層120'的層間絕緣層130上方。柵電極213可以位于柵極絕緣層120上方。柵極絕緣層120'可以覆蓋柵電極213。柵電極213'可以位于柵極絕緣層120'上方。

在一些示例性實(shí)施例中，可以添加與柵電極213'布置在同一層中的布線和/或與柵電極213'布置在同一層中的電容器(未示出)的電極。在此情況下，可以能夠做出各種修改，例如，可以省略tft210'。

在本示例性實(shí)施例中，顯示裝置在彎曲區(qū)域ba中還可以包括第一額外的導(dǎo)電層215d'和/或第二額外的導(dǎo)電層215d”。第一額外的導(dǎo)電層215d'可以包括與柵電極213的材料相同的材料，并可以與柵電極213布置在同一層中。第二額外的導(dǎo)電層215d”可以包括與柵電極213'的材料相同的材料，并可以與柵電極213'布置在同一層中。

第一額外的導(dǎo)電層215d'和/或第二額外的導(dǎo)電層215d”可以在彎曲區(qū)域ba上方延伸，并可以在彎曲區(qū)域ba中布置在扇出布線720a的下部中。在圖4i中，第一額外的導(dǎo)電層215d'、第二額外的導(dǎo)電層215d”和扇出布線720a可以順序地堆疊在彎曲區(qū)域ba中，以形成多層結(jié)構(gòu)。因此，即使由于形成在扇出布線720a中的裂縫而在彎曲區(qū)域ba中產(chǎn)生缺陷，電信號(hào)也可以通過(guò)第一額外的導(dǎo)電層215d'和/或第二額外的導(dǎo)電層215d”沒(méi)有問(wèn)題地傳送到顯示區(qū)域da?？蛇x擇地，即使由于形成在第一額外的導(dǎo)電層215d'和/或第二額外的導(dǎo)電層215d”中的裂縫而產(chǎn)生缺陷，電信號(hào)也可以通過(guò)扇出布線720a沒(méi)有問(wèn)題地傳送到顯示區(qū)域da。

然而，本發(fā)明不限于此。例如，第一額外的導(dǎo)電層215d'、第二額外的導(dǎo)電層215d”和/或扇出布線720a可以布置在彎曲區(qū)域ba上方，或者可以在彎曲區(qū)域ba的僅一部分中疊置，如以上所述實(shí)施例中描述的。

在示例性實(shí)施例中，第一額外的導(dǎo)電層215d'和扇出布線720a可以在彎曲區(qū)域ba的一部分中疊置，第二額外的導(dǎo)電層215d”和扇出布線720a可以在彎曲區(qū)域ba的另一部分中疊置?？蛇x擇地，可以能夠做出各種修改，例如，第一額外的導(dǎo)電層215d'和/或第二額外的導(dǎo)電層215d”可以不與扇出布線720a疊置，僅第一額外的導(dǎo)電層215d'和/或第二額外的導(dǎo)電層215d”可以布置在彎曲區(qū)域ba的一部分中。

絕緣層180(見圖4f)可以布置在第一額外的導(dǎo)電層215d'、第二額外的導(dǎo)電層215d”和扇出布線720a中的每個(gè)的層之間。

圖5a至圖5i是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。具體地，圖5a至圖5i是示出位于彎曲區(qū)域ba附近的區(qū)域的剖視圖。

參照?qǐng)D5a，無(wú)機(jī)絕緣層的開口中的有機(jī)材料層160的至少一部分的高度h1可以大于無(wú)機(jī)絕緣層的高度h2。如圖5a中所示，有機(jī)材料層160的開口的中心部分的高度可以大于所述開口的兩端處的高度。有機(jī)材料層160可以覆蓋開口的內(nèi)表面，使得扇出布線720a與保留在開口的內(nèi)表面上的導(dǎo)電材料之間不發(fā)生短路。

參照?qǐng)D5b，無(wú)機(jī)絕緣層的開口中的有機(jī)材料層160的高度h1可以基本上是無(wú)機(jī)絕緣層的高度h2。在此情況下，有機(jī)材料層160可以覆蓋開口的內(nèi)表面，使得扇出布線720a與保留在開口的內(nèi)表面上的導(dǎo)電材料之間不發(fā)生短路。有機(jī)材料層160的高度h1可以根據(jù)由于彎曲而導(dǎo)致的張應(yīng)力而改變。

參照?qǐng)D5c，無(wú)機(jī)絕緣層的開口中的有機(jī)材料層160的上表面(在+z方向上)的至少一部分可以具有一定程度的表面不均勻。因此，可以增加開口中的有機(jī)材料層160的上表面的表面積以及扇出布線720a的上表面和下表面的表面積。有機(jī)材料層160的上表面以及扇出布線720a的上表面和下表面的表面積增加可以意味著提高了變形裕度，以減小由于基底100的彎曲而導(dǎo)致的張應(yīng)力。

由于扇出布線720a位于有機(jī)材料層160上，因此扇出布線720a的下表面可以成形為與有機(jī)材料層160的不均勻表面160a對(duì)應(yīng)。

可以通過(guò)使用各種方法來(lái)形成有機(jī)材料層160的上表面(在+z方向上)的不均勻表面160a。例如，在形成有機(jī)材料層160時(shí)可以使用光敏材料，在制造工藝期間，可以通過(guò)在仍具有基本上平坦的上表面的有機(jī)材料層160的各個(gè)部分中使用狹縫掩?；虬肷{(diào)掩模來(lái)區(qū)分曝光量。因此，某些部分可以比其它部分相對(duì)更多地被蝕刻(去除)。相對(duì)更多地被蝕刻的部分可以是相對(duì)于有機(jī)材料層160的上表面凹入的部分。制造根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置的方法不限于前述方法。例如，在形成具有基本上平坦的上表面的有機(jī)材料層160之后干法蝕刻某些部分，或者可以使用其它各種方法。

參照?qǐng)D5d，有機(jī)材料層160可以覆蓋開口的內(nèi)表面，并延伸到無(wú)機(jī)絕緣層的上表面的一部分。在示例性實(shí)施例中，有機(jī)材料層160可以不設(shè)置在開口的中心部分的至少一部分中。有機(jī)材料層160可以覆蓋開口的內(nèi)表面，以防止扇出布線720a與保持在開口的內(nèi)表面上導(dǎo)電材料之間的短路。根據(jù)本示例性實(shí)施例，由于彎曲區(qū)域ba中不存在無(wú)機(jī)絕緣層，因此在扇出布線720a中形成裂縫的可能性較低。

參照?qǐng)D5e，無(wú)機(jī)絕緣層在彎曲區(qū)域ba中可以具有凹槽來(lái)代替暴露基底100的開口。換言之，僅無(wú)機(jī)絕緣層的一部分(即，僅緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130的一部分)可以在彎曲區(qū)域ba中被去除。例如，緩沖層110可以繼續(xù)穿過(guò)第一區(qū)域1a、彎曲區(qū)域ba和第二區(qū)域2a。另外，柵極絕緣層120可以具有與彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的開口120a，層間絕緣層130可以具有與彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的開口130a。因此，包括緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130的無(wú)機(jī)絕緣層可以具有與彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的凹槽。無(wú)機(jī)絕緣層可以具有凹槽，所述凹槽具有與以上描述的形狀不同的形狀。例如，可以部分地去除緩沖層110的上表面(在+z方向上)，但是可以不去除并保留柵極絕緣層120的下表面(在-z方向上)。

在根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置中，有機(jī)材料層160可以填充凹槽的至少一部分。無(wú)機(jī)絕緣層中的凹槽的形成可以降低無(wú)機(jī)絕緣層中的裂紋的可能性，因此，降低了裂縫擴(kuò)展到扇出布線720a的可能性。盡管有機(jī)材料層160可以阻擋裂縫的擴(kuò)展，但是無(wú)機(jī)絕緣層中的凹槽的形成還可以降低無(wú)機(jī)絕緣層中的裂縫的形成的可能性。因此，較低水平的張應(yīng)力可以集中在扇出布線720a上。

參照?qǐng)D5f，無(wú)機(jī)絕緣層在彎曲區(qū)域ba中可以不具有開口或凹槽，有機(jī)材料層160可以位于無(wú)機(jī)絕緣層上。即，無(wú)機(jī)絕緣層在彎曲區(qū)域ba中可以不具有開口。有機(jī)材料層160可以吸收無(wú)機(jī)絕緣層的張應(yīng)力，以減少傳輸?shù)缴瘸霾季€720a的張應(yīng)力的量。有機(jī)材料層160的高度可以改變。

參照?qǐng)D5g，無(wú)機(jī)絕緣層在彎曲區(qū)域ba中可以不具有開口或凹槽，有機(jī)材料層160可以位于無(wú)機(jī)絕緣層上。另外，有機(jī)材料層160的上表面(在+z方向上)的至少一部分可以具有不均勻的表面。因此，可以增加開口中的有機(jī)材料層160的上表面的表面積以及扇出布線720a的上表面和下表面的表面積。有機(jī)材料層160的上表面以及扇出布線720a的上表面和下表面的表面積增加可以意味著提高了變形裕度，以減小由于基底100的彎曲而導(dǎo)致的張應(yīng)力的水平。

參照?qǐng)D5h，緩沖層110、柵極絕緣層120或?qū)娱g絕緣層130在彎曲區(qū)域ba中可以具有表面不均勻性。在圖5h中，層間絕緣層130可以具有不均勻表面130a，但是本發(fā)明不限于此。例如，存在于彎曲區(qū)域ba中的緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130和另一個(gè)絕緣層中的至少一個(gè)可以具有表面不均勻性。

如圖5h中所示，層間絕緣層130可以具有不均勻表面130a，因此，有機(jī)材料層160以及位于層間絕緣層130上方的扇出布線720a的上表面和/或下表面的形狀可以與層間絕緣層130的不均勻表面130a對(duì)應(yīng)。在示例性實(shí)施例中，可以省略有機(jī)材料層160。盡管可以省略有機(jī)材料層160，但是由于扇出布線720a具有不均勻性質(zhì)，因此可以使張應(yīng)力的量最小化。如上所述，當(dāng)在制造工藝期間基底100在彎曲區(qū)域ba中被彎曲時(shí)，由于張應(yīng)力被施加到扇出布線720a，因此扇出布線720a的上表面和/或下表面的形狀可以與不均勻表面130a對(duì)應(yīng)，從而將較少的張應(yīng)力施加到扇出布線720a。

參照?qǐng)D5i，根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置可以包括在彎曲區(qū)域ba中布置在扇出布線720a與基底100之間的無(wú)機(jī)材料層160'，而不是有機(jī)材料層160。當(dāng)應(yīng)用無(wú)機(jī)材料層160'時(shí)，無(wú)機(jī)材料層160'可以包括與第一無(wú)機(jī)包封層410、第二無(wú)機(jī)包封層430、觸摸緩沖層610、第一絕緣層712或第二絕緣層714的材料相同的材料。如果平坦化層140或像素限定層150可以包括無(wú)機(jī)材料，則無(wú)機(jī)材料層160'可以包括與平坦化層140或像素限定層150的材料相同的材料。

無(wú)機(jī)材料層160'的上表面(在+z方向上)的至少一部分可以具有不均勻表面160'a。因此，可以增加開口中的無(wú)機(jī)材料層160'的上表面的表面積和扇出布線720a的上表面和下表面的表面積。這可以意味著提高了變形裕度，以減小由于基底100的彎曲而導(dǎo)致的張應(yīng)力。

在以上描述的示例性實(shí)施例中，可以通過(guò)使突出表面在某一方向上延伸來(lái)形成不均勻表面160a。在一些示例性實(shí)施例中，扇出布線720a可以在第二方向(+x方向)上延伸，不均勻表面160a的突出表面可以在第一方向(+y方向)上延伸，使得扇出布線720a和不均勻表面160a的突出表面可以彼此相交。相交角可以為90度，如圖5j中所示，圖5j是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的平面圖，相交角可以是除了90度之外的角，如圖5k中所示。為了參考，圖5j和圖5k的附圖標(biāo)記gd可以表示形成在有機(jī)材料層160的上表面中的不均勻表面160a的突出表面延伸的方向。在圖5k中，與圖5j相比，形成在有機(jī)材料層160的上表面中的不均勻表面160a的突出表面延伸的方向相對(duì)于第二方向(+x方向)傾斜，但是示例性實(shí)施例不限于此。例如，如圖5j中所示，形成在有機(jī)材料層160的上表面中的不均勻表面160a的突出表面延伸的方向可以是第一方向(+y方向)。根據(jù)示例性實(shí)施例，扇出布線720a延伸的方向可以不是第二方向(+x方向)，而可以是相對(duì)于第二方向(+x方向)傾斜的方向(例如，相對(duì)于第二方向(+x方向)形成45度的方向。當(dāng)存在多個(gè)扇出布線720a時(shí)，多個(gè)扇出布線720a中的一些相對(duì)于第二方向(+x方向)形成的角可以與多個(gè)扇出布線720a中的其它扇出布線720a相對(duì)于第二方向(+x方向)形成的角不同。

圖6a和圖6b是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。具體，附圖示意性地示出位于扇出布線720a的一端附近的區(qū)域。

參照?qǐng)D6a，驅(qū)動(dòng)電路800可以設(shè)置在扇出布線720a的一端處。驅(qū)動(dòng)電路800可以通過(guò)扇出布線720a電連接到第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c和第三信號(hào)布線215c，以將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到顯示區(qū)域da。驅(qū)動(dòng)信號(hào)指用于驅(qū)動(dòng)顯示裝置的各種信號(hào)，諸如驅(qū)動(dòng)電壓、柵極信號(hào)或數(shù)據(jù)信號(hào)等。

參照?qǐng)D6b，扇出布線720a可以連接到第二區(qū)域2a中的下扇出布線213d。下扇出布線213d可以設(shè)置在柵極絕緣層120上，并通過(guò)使用與柵電極213的材料相同的材料與柵電極213同時(shí)形成。扇出布線720a可以經(jīng)由接觸孔連接到下扇出布線213d。上扇出布線215e可以另外地位于下扇出布線213d的一端處。上扇出布線215e可以通過(guò)使用與源電極215a或漏電極215b的材料相同的材料與源電極215a或漏電極215b同時(shí)形成?？蛇x擇地，上扇出布線215e可以通過(guò)使用與扇出布線720a的材料相同的材料與扇出布線720a同時(shí)形成。

可以實(shí)施各種修改。例如，可以省略下扇出布線213d或上扇出布線215e。

驅(qū)動(dòng)電路800可以設(shè)置在上扇出布線215e的一端或下扇出布線213d的一端處。驅(qū)動(dòng)電路800可以通過(guò)上扇出布線215e或下扇出布線213d和扇出布線720a電連接到第一信號(hào)布線213b、第二信號(hào)布線213c和第三信號(hào)布線215c，以將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到顯示區(qū)域da。驅(qū)動(dòng)信號(hào)指用于驅(qū)動(dòng)顯示裝置的各種信號(hào)，諸如驅(qū)動(dòng)電壓、柵極信號(hào)或數(shù)據(jù)信號(hào)等。

圖7a至圖7i是順序地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的制造顯示裝置的方法的剖視圖。這里，作為示例將描述制造圖2c的顯示裝置的方法。

參照?qǐng)D7a，在基底100上順序地堆疊緩沖層110和半導(dǎo)體材料層。然后，通過(guò)將半導(dǎo)體材料層圖案化來(lái)形成半導(dǎo)體層211。

基底100可以包括各種柔性的或可彎曲的材料，例如，諸如pes、par、pei、pen、pet、pps、聚芳酯、pi、pc或cap的聚合物樹脂。

首先，可以在基底100的整個(gè)區(qū)域上沉積緩沖層110和半導(dǎo)體材料。緩沖層110可以包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無(wú)機(jī)材料。半導(dǎo)體材料層可以被形成為包括非晶硅、多晶硅或有機(jī)半導(dǎo)體材料等的半導(dǎo)體?？梢酝ㄟ^(guò)使用各種沉積方法來(lái)沉積緩沖層110和半導(dǎo)體材料層。

接著，可以通過(guò)使用掩模在半導(dǎo)體材料層上形成光致抗蝕劑圖案，然后將半導(dǎo)體材料層圖案化來(lái)形成半導(dǎo)體層211。

參照?qǐng)D7b，在基底100的整個(gè)區(qū)域上形成覆蓋半導(dǎo)體層211的柵極絕緣層120，并在柵極絕緣層120上沉積第一導(dǎo)電材料層。通過(guò)使用掩模在第一導(dǎo)電材料層上形成光致抗蝕劑圖案，然后將第一導(dǎo)電材料層圖案化，因此形成柵電極213、第一信號(hào)布線213b和第二信號(hào)布線213c。柵電極213可以與半導(dǎo)體層211疊置。

柵極絕緣層120可以包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無(wú)機(jī)材料，并可以通過(guò)使用各種沉積方法來(lái)沉積柵極絕緣層120。

可以通過(guò)使用低電阻金屬材料來(lái)形成第一導(dǎo)電材料層。例如，第一導(dǎo)電材料層可以包括mo、al、cu和/或ti。第一導(dǎo)電材料層可以是單層或多層。

可以通過(guò)使用各種沉積方法來(lái)沉積第一導(dǎo)電材料層?？梢栽?0℃或更高的溫度下(例如，在150℃或更高的高溫下)沉積第一導(dǎo)電材料層，以改善導(dǎo)電性并降低電阻率。

在形成柵電極213、第一信號(hào)布線213b和第二信號(hào)布線213c之后，形成層間絕緣層130，以覆蓋柵電極213、第一信號(hào)布線213b和第二信號(hào)布線213c。層間絕緣層130可以包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無(wú)機(jī)材料，并可以通過(guò)使用各種沉積方法來(lái)沉積層間絕緣層130。

接著，可以通過(guò)使用掩模在層間絕緣層130上形成光致抗蝕劑圖案，然后可以同時(shí)蝕刻層間絕緣層130和柵極絕緣層120以形成暴露半導(dǎo)體層211的接觸孔c1和c2、暴露第一信號(hào)布線213b的接觸孔c3、非顯示區(qū)域中的層間絕緣層130的開口130a以及柵極絕緣層120的開口120a。可以根據(jù)示例性實(shí)施例省略層間絕緣層130的開口130a和柵極絕緣層120的開口120a。

接著，如圖7c中所示，在層間絕緣層130的開口130a和柵極絕緣層120的開口120a中形成緩沖層110的開口110a?？梢酝ㄟ^(guò)使用掩模(不是用來(lái)形成層間絕緣層130的開口130a和柵極絕緣層120的開口120a的掩模)來(lái)形成緩沖層110的開口110a。當(dāng)緩沖層110的開口110a與層間絕緣層130的開口130a和柵極絕緣層120的開口120a同時(shí)形成時(shí)，會(huì)損壞半導(dǎo)體層211。

參照?qǐng)D7d，通過(guò)在層間絕緣層130上沉積第二導(dǎo)電材料層，通過(guò)使用掩模在第二導(dǎo)電材料層上形成光致抗蝕劑圖案，并將第二導(dǎo)電材料層圖案化來(lái)形成源電極215a、漏電極215b和第三信號(hào)布線215c。源電極215a和漏電極215b可以經(jīng)由暴露半導(dǎo)體層211的接觸孔c1和c2分別連接到半導(dǎo)體層211的源區(qū)和漏區(qū)。根據(jù)示例性實(shí)施例，可以通過(guò)摻雜來(lái)形成源區(qū)和漏區(qū)。

可以通過(guò)使用低電阻金屬材料來(lái)形成第二導(dǎo)電材料層。例如，第二導(dǎo)電材料層可以包括al、cu和/或ti。第二導(dǎo)電材料層可以是單層或多層。

可以通過(guò)使用各種沉積方法來(lái)沉積第二導(dǎo)電材料層?？梢栽?0℃或更高的溫度下(例如，在150℃或更高的高溫下)沉積第二導(dǎo)電材料層，以改善導(dǎo)電性并降低電阻率。

接著，可以使用第一有機(jī)材料涂覆或沉積基底100，通過(guò)掩模工藝同時(shí)形成平坦化層140和有機(jī)材料層160。通過(guò)同時(shí)形成平坦化層140和有機(jī)材料層160，可以不需要用于形成有機(jī)材料層160的另外的掩模工藝。

第一有機(jī)材料可以是諸如pi、亞克力、bcb或hmdso的有機(jī)材料。第一有機(jī)材料可以是光敏有機(jī)材料。因此，可以通過(guò)使用掩模部分地曝光、顯影并固化來(lái)形成平坦化層140和有機(jī)材料層160。平坦化層140和有機(jī)材料層160的各自的高度可以彼此不同。這是因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)使用狹縫掩模或半色調(diào)掩模來(lái)區(qū)分曝光量，使得特定部分比其它部分相對(duì)更多地被去除。平坦化層140可以包括暴露源電極215a或漏電極215b的開口op1。

有機(jī)材料層160可以不與平坦化層140同時(shí)形成，而是與像素限定層150或包封層400的有機(jī)包封層420同時(shí)形成。其它各種方法也可以用來(lái)形成有機(jī)材料層160。

參照?qǐng)D7e，通過(guò)在平坦化層140上沉積第三導(dǎo)電材料，通過(guò)使用掩模在第三導(dǎo)電材料上形成光致抗蝕劑圖案，并蝕刻第三導(dǎo)電材料來(lái)形成像素電極310。像素電極310可以填充平坦化層140的開口op1，并可以連接到源電極215a或漏電極215b。

第三導(dǎo)電材料可以包括從由氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦(in2o3)、氧化銦鎵(igo)和氧化鋁鋅(azo)組成的組中選擇的至少一種透明導(dǎo)電氧化物。除了透明導(dǎo)電氧化物之外，第三導(dǎo)電材料還可以包括金屬反射膜，所述金屬反射膜包括從銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉑(pt)、鉛(pb)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)和鉻(cr)中選擇的一種或更多種。

接著，在基底100的整個(gè)表面上形成第二有機(jī)材料，以覆蓋像素電極310。第二有機(jī)材料可以是諸如pi、亞克力、bcb或hmdso的有機(jī)材料。第二有機(jī)材料可以是光敏有機(jī)材料。因此，可以通過(guò)使用掩模部分地曝光、顯影并固化來(lái)形成暴露像素電極310的中心部分的像素限定層150。

像素限定層150和平坦化層140在顯示區(qū)域da外部的外圍區(qū)域處可以具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)顯示區(qū)域da外部的外圍區(qū)域可以由有機(jī)材料形成為逐漸彎曲的臺(tái)階。

如上所述，有機(jī)材料層160可以與像素限定層150同時(shí)形成。

參照?qǐng)D7f，通過(guò)在像素電極310不被像素限定層150覆蓋的區(qū)域中形成有機(jī)發(fā)光器件的中間層320，然后在中間層320上形成對(duì)電極330來(lái)形成顯示器件300。對(duì)電極330可以延伸到像素限定層150的上部。

中間層320可以包括低分子材料或高分子材料。當(dāng)中間層320包括低分子材料時(shí)，中間層320可以包括eml，并還可以包括hil、htl、etl和eil中的至少一個(gè)。中間層320可以包括各種有機(jī)材料，例如，cupc、npb或alq3等?？梢酝ㄟ^(guò)氣相沉積來(lái)形成所述層。

當(dāng)中間層320包括高分子材料時(shí)，中間層320可以包括htl和eml。htl可以包括pedot，eml可以包括ppv類和聚芴類高分子材料。可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷或liti等來(lái)形成中間層320。

對(duì)電極330可以包括各種導(dǎo)電材料。例如，對(duì)電極330可以包括從由ito、izo、zno、in2o3、igo和azo組成的組中選擇的透明導(dǎo)電金屬氧化物。根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例，對(duì)電極330可以被形成為包括從鋰(li)、鈣(ca)、lif/ca、lif/al、鋁(al)、銀(ag)、鎂(mg)和鐿(yb)中選擇的至少一種材料的薄膜。對(duì)電極330可以被形成為單層或多層。對(duì)電極330可以是底發(fā)射型顯示裝置中的反射電極。對(duì)電極330可以是頂發(fā)射型顯示裝置中的透明電極或半透明電極。

可以通過(guò)使用各種沉積方法(例如，濺射、真空沉積、cvd、脈沖激光沉積、印刷以及原子層沉積等)來(lái)形成對(duì)電極330。

接著，形成包封層400以包封顯示區(qū)域。包封層400可以包括至少一個(gè)有機(jī)包封層和至少一個(gè)無(wú)機(jī)包封層。以第一無(wú)機(jī)包封層410、有機(jī)包封層420和第二無(wú)機(jī)包封層430的順序形成包封層400，以覆蓋顯示區(qū)域。第二無(wú)機(jī)包封層430的位于顯示區(qū)域da外部的外圍可以接觸第一無(wú)機(jī)包封層410，使得有機(jī)包封層420不被暴露于外部。

第一無(wú)機(jī)包封層410和第二無(wú)機(jī)包封層430中的每個(gè)可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅?？梢酝ㄟ^(guò)使用各種沉積方法(例如，cvd、ald和濺射)來(lái)沉積第一無(wú)機(jī)包封層410和第二無(wú)機(jī)包封層430。

有機(jī)包封層420可以包括從由pet、pen、pc、pi、pes、pom、聚芳酯和hmdso組成的組中選擇的至少一種。第二無(wú)機(jī)包封層430可以覆蓋有機(jī)包封層420，并包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅?？梢酝ㄟ^(guò)閃蒸、噴墨印刷或狹縫式模具涂覆(slotdiecoating)等來(lái)涂覆或沉積有機(jī)包封層420。

參照?qǐng)D7g，在包封層400上形成觸摸緩沖層610，然后同時(shí)形成觸摸電極710、觸摸布線720和扇出布線720a。

可以在包封層400上形成觸摸緩沖層610，觸摸緩沖層610可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅?？梢酝ㄟ^(guò)使用各種沉積方法(諸如cvd、ald或?yàn)R射)來(lái)沉積觸摸緩沖層610。

接著，在基底100的整個(gè)表面上形成第四導(dǎo)電材料層。第四導(dǎo)電材料層可以包括低電阻金屬材料，例如，al、cu和/或ti。第四導(dǎo)電材料層可以是單層或多層。

可以通過(guò)使用各種沉積方法來(lái)沉積第四導(dǎo)電材料層?？梢栽诓粨p壞顯示器件300的低溫下沉積第四導(dǎo)電材料層，以防止對(duì)顯示器件300和已經(jīng)形成的其它元件造成損壞。例如，可以通過(guò)熱蒸發(fā)沉積方法在大約90℃或低于90℃的溫度下來(lái)沉積第四導(dǎo)電材料層。

可以使用與第一導(dǎo)電材料層或第二導(dǎo)電材料層的材料不同的材料或與第一導(dǎo)電材料層或第二導(dǎo)電材料層的厚度不同的厚度來(lái)形成第四導(dǎo)電材料層。例如，第四導(dǎo)電材料層的厚度可以小于第二導(dǎo)電材料層的厚度，例如，第二導(dǎo)電材料層的厚度的大約50％。

可選擇地，可以使用與第二導(dǎo)電材料層的材料相同的材料和與第二導(dǎo)電材料層的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)來(lái)沉積第四導(dǎo)電材料層。然而，因?yàn)槌练e條件的差異，所以最終沉積的材料可以具有不同的性質(zhì)。

當(dāng)在90℃或更高的高溫(例如，大約150℃)下沉積時(shí)，第二導(dǎo)電材料層可以具有大的晶粒尺寸和低的電阻率值。

然而，可以在低于90℃的低溫下沉積第四導(dǎo)電材料層，因此，第四導(dǎo)電材料層具有小于第二導(dǎo)電材料層的晶粒尺寸的晶粒尺寸和高的電阻率值。例如，第四導(dǎo)電材料層的電阻率值可以比第二導(dǎo)電材料層的電阻率值高大約25％。

可以通過(guò)使用掩模在第四導(dǎo)電材料層上形成光致抗蝕劑圖案并將第四導(dǎo)電材料層圖案化來(lái)同時(shí)形成扇出布線720a、觸摸布線720和觸摸電極710。

如上所述，觸摸電極710可以包括第一觸摸導(dǎo)電層711、第一絕緣層712、第二觸摸導(dǎo)電層713和第二絕緣層714。在此情況下，扇出布線720a和觸摸布線720可以與第一觸摸導(dǎo)電層711或第二觸摸導(dǎo)電層713同時(shí)形成。在示例性實(shí)施例中，扇出布線720a和觸摸布線720可以以與第一觸摸導(dǎo)電層711和第二觸摸導(dǎo)電層713的堆疊相同的方式來(lái)形成。因此，第一層可以與第一觸摸導(dǎo)電層711同時(shí)形成，第二層可以與第二觸摸導(dǎo)電層713同時(shí)形成。

由于同時(shí)形成扇出布線720a和觸摸布線720，因此有機(jī)材料層160可以與設(shè)置在顯示區(qū)域da中的包括有機(jī)材料的層同時(shí)形成，因此簡(jiǎn)化了掩模工藝。

參照?qǐng)D7h，在基底100的整個(gè)表面上形成覆蓋層730。覆蓋層730可以是柔性的，并包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、pi、丙烯酸酯、pet或pen等。覆蓋層730可以作為一個(gè)單體至少延伸到非顯示區(qū)域的彎曲區(qū)域ba。

參照?qǐng)D7i，可以在彎曲區(qū)域ba中形成bpl600?？梢酝ㄟ^(guò)涂覆液相材料或漿料型材料并將其硬化來(lái)形成bpl600。

接著，可以關(guān)于彎曲區(qū)域ba的彎曲軸bax將顯示裝置彎曲，使得顯示裝置大致成形為如圖2中所示出的顯示裝置。

如上所述，根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)通過(guò)在扇出布線720a與基底100之間使用有機(jī)材料層160將顯示裝置彎曲時(shí)，可以降低在扇出布線720a處發(fā)生短路的可能性。另外，根據(jù)示例性實(shí)施例，可以通過(guò)使有機(jī)材料層160與設(shè)置在顯示區(qū)域da中的包括有機(jī)材料的層同時(shí)形成來(lái)簡(jiǎn)化掩模工藝。

根據(jù)前述示例性實(shí)施例，可以通過(guò)減少制造工藝期間的諸如短路的缺陷并減少操作次數(shù)以低的制造成本來(lái)制造耐久性增強(qiáng)的顯示裝置。

盡管在此已經(jīng)描述了某些示例性實(shí)施例和實(shí)施方式，但是通過(guò)該描述，其它實(shí)施例和修改將是明顯的。因此，發(fā)明構(gòu)思不限于這樣的實(shí)施例，而是給出的權(quán)利要求、各種明顯的修改和等同布置的更寬范圍。