本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管(LED)的封裝結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，特別是針對C.S.P倒裝芯片LED封裝單體的結(jié)構(gòu)所為的改良。

背景技術(shù)：

近年來，全球暖化的現(xiàn)象日益嚴(yán)重，因此，節(jié)能減碳已成為近年來世界各國所倡導(dǎo)的議題，因此，使得各種具有節(jié)能減碳的環(huán)保產(chǎn)品逐漸受到重視，而發(fā)光二極管(LED)正符合世界節(jié)能減排的大趨勢。

所謂芯片級封裝乃是芯片周圍包覆之封裝膠體非常接近芯片尺寸，一般市售無基板、無支架的C.S.P倒裝芯片LED封裝單體的結(jié)構(gòu)如圖1所示，該LED封裝單體1的芯片10為倒裝設(shè)置，于芯片10上包覆有透光膠體20，底部為外露之焊盤11，此種C.S.P LED封裝單體1的芯片10與透光膠體20是以直接接觸，靠透光膠體20本身的塑性而與芯片10黏合，但此種接合的黏貼強(qiáng)度較弱，造成LED封裝單體1后續(xù)使用會有膠體脫離的現(xiàn)象，此現(xiàn)象會直接導(dǎo)致發(fā)光二極管發(fā)光顏色大幅偏離原色區(qū)塊目標(biāo)，實(shí)不甚理想，是以有改進(jìn)的必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型主要目的是為解決目前市售C.S.P倒裝芯片LED封裝單體于長期使用會有膠體脫離的現(xiàn)象，直接導(dǎo)致發(fā)光二極管發(fā)光顏色大幅偏離原色區(qū)塊目標(biāo)的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供采用的技術(shù)方案是；C.S.P倒裝芯片LED封裝結(jié)構(gòu)，包括LED封裝單體，該LED封裝單體包括芯片、透光膠體、焊盤及黏著層，該LED封裝單體的芯片為倒裝設(shè)置，芯片上包覆有透光膠體，底部為外露的焊盤，芯片與透光膠體的接觸面之間涂布一層透光耐高溫且黏性極強(qiáng)同時具有微結(jié)構(gòu)的黏著層。

采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案后，可提供與透光膠體更大的黏貼面積，使透光膠體與芯片黏接更牢固，不會有脫落分離的疑慮，同時藉由此黏著層的微結(jié)構(gòu)設(shè)計，更能有效地增加芯片的出光效率，即降低全反射機(jī)率。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中倒裝芯片的LED封裝單體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型倒裝芯片的LED封裝單體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本實(shí)用新型倒裝芯片的LED封裝單體制程示意圖。

其中：1、LED封裝單體，10、芯片，11、焊盤，20、透光膠體，30、黏著層。

具體實(shí)施方式

如圖2所示，本實(shí)用新型系提供一種C.S.P倒裝芯片LED封裝結(jié)構(gòu)，即是所謂的芯片級封裝(Chip Scale Package)，包括LED封裝單體1，該LED封裝單體1主要是由芯片10、透光膠體20、焊盤11及黏著層30所構(gòu)成，該LED封裝單體1的芯片10為倒裝設(shè)置，于芯片10上包覆有透光膠體20，底部為外露之焊盤11，,于芯片10與透光膠體20的接觸面之間涂布一層透光耐高溫且黏性極強(qiáng)同時具有微結(jié)構(gòu)的黏著層30；通過上述結(jié)構(gòu)，可提供與透光膠體更大的黏貼面積，使透光膠體與芯片黏接更牢固，不會有脫落分離的疑慮，同時藉由此黏著層的微結(jié)構(gòu)設(shè)計，更能有效地增加芯片的出光效率(降低全反射機(jī)率)。

前述所稱之微結(jié)構(gòu)是指黏著層30本身與透光膠體20接觸面不是一平面，可為鋸齒面、波浪面或其他不規(guī)則起伏面，通過此微結(jié)構(gòu)，可提供與透光膠體20更大的黏貼面積。

圖3所示為本實(shí)用新型倒裝芯片的LED封裝單體制程示意圖，其主要是在載板40上設(shè)置一層用于固定芯片10位置的固定膜，在固定膜表面分布若干芯片10，且所述芯片10呈數(shù)組分布，相鄰的芯片10之間留有間隙，先在芯片10表面涂布一層透光耐高溫且黏性極強(qiáng)同時具有微結(jié)構(gòu)的黏著層30，接著在芯片10數(shù)組上覆蓋一層封裝的透光膠體20，隨后烘干使封裝的透光膠體20固化，然后從芯片10數(shù)組之間隙中進(jìn)行切割，使之分割成C.S.P LED封裝單體1，最后將C.S.P LED封裝單體1從固定膜取下。