本發(fā)明的一個方式涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明的一個方式涉及一種晶體管及其制造方法。本發(fā)明的一個方式涉及一種包括半導(dǎo)體裝置的顯示裝置。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于上述。作為本說明書等所公開的本發(fā)明的一個方式的的例子，可以舉出半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、電子設(shè)備、照明裝置、輸入裝置、輸入輸出裝置、這些裝置的驅(qū)動方法或這些裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置是指能夠通過利用半導(dǎo)體特性而工作的所有裝置。

背景技術(shù)：

1、晶體管需要進行微型化。例如，當將其用于高清晰顯示裝置時，為了縮小像素尺寸，已研討如何縮小晶體管的占有面積。

2、近年來，顯示面板的高清晰化得到了推進。近年來，作為需求高清晰顯示面板的使用的設(shè)備，例如還積極地開發(fā)應(yīng)用于虛擬現(xiàn)實(vr：virtual?reality)或增強現(xiàn)實(ar：augmented?reality)的設(shè)備。高清晰顯示面板中主要使用有機el(electro?luminescence：電致發(fā)光)元件或發(fā)光二極管(led：light?emitting?diode)等發(fā)光元件。

3、專利文獻1公開了使用有機el器件(也稱為有機el元件)的高清晰顯示裝置。

4、[先行技術(shù)文獻]

5、[專利文獻]

6、[專利文獻1]國際公開第2016/038508號

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)微型化的晶體管。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種能夠縮小溝道長度的晶體管。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種占有面積小的晶體管。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種布線電阻得到降低的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種易于實現(xiàn)高清晰化的顯示裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的晶體管及半導(dǎo)體裝置。

3、本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種具有新穎結(jié)構(gòu)的晶體管、顯示裝置、電子設(shè)備。本發(fā)明的一個方式的目的之一是至少減輕先行技術(shù)的問題中的至少一個。

4、注意，這些目的的記載并不妨礙其他目的的存在。注意，本發(fā)明的一個方式并不需要實現(xiàn)所有上述目的?？梢詮恼f明書、附圖、權(quán)利要求書的記載中抽取上述目的以外的目的。

5、解決技術(shù)問題的手段

6、本發(fā)明的一個方式是一種包括第一絕緣層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵電極、第一電極、第二電極及第一導(dǎo)電層的半導(dǎo)體裝置。第一絕緣層的側(cè)面位于第一電極上。第二電極位于第一絕緣層上。半導(dǎo)體層與第一電極、第一絕緣層的側(cè)面及第二電極接觸。柵極絕緣層具有隔著半導(dǎo)體層與第一絕緣層的側(cè)面對置的部分。柵電極具有隔著柵極絕緣層及半導(dǎo)體層與第一絕緣層的側(cè)面對置的部分。第一導(dǎo)電層與柵電極接觸且具有隔著柵電極、柵極絕緣層及半導(dǎo)體層與第一絕緣層的側(cè)面對置的部分并具有比柵電極厚的部分。

7、另外，本發(fā)明的另一個方式是一種包括第一絕緣層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵電極、第一電極、第二電極及第一導(dǎo)電層的半導(dǎo)體裝置。第一絕緣層具有開口。第一絕緣層在開口中的側(cè)面位于第一電極上。第二電極位于第一絕緣層上。半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵電極及第一導(dǎo)電層分別具有位于開口的內(nèi)部的部分。半導(dǎo)體層與第一電極、第一絕緣層的側(cè)面及第二電極接觸。柵極絕緣層具有隔著半導(dǎo)體層與第一絕緣層的側(cè)面對置的部分。柵電極具有隔著柵極絕緣層及半導(dǎo)體層與第一絕緣層的側(cè)面對置的部分。第一導(dǎo)電層與柵電極接觸并具有隔著柵電極、柵極絕緣層及半導(dǎo)體層與第一絕緣層的側(cè)面對置的部分且具有比柵電極厚的部分。

8、另外，本發(fā)明的另一個方式是一種包括第一絕緣層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵電極、第一電極、第二電極及第一導(dǎo)電層的半導(dǎo)體裝置。第一絕緣層具有狹縫。第一絕緣層在狹縫中的側(cè)面位于第一電極上。第二電極位于第一絕緣層上。半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵電極及第一導(dǎo)電層分別具有位于狹縫內(nèi)部的部分。半導(dǎo)體層與第一電極、第一絕緣層的側(cè)面及第二電極接觸。柵極絕緣層具有隔著半導(dǎo)體層與第一絕緣層的側(cè)面對置的部分。柵電極具有隔著柵極絕緣層及半導(dǎo)體層與第一絕緣層的側(cè)面對置的部分。第一導(dǎo)電層與柵電極接觸并具有隔著柵電極、柵極絕緣層及半導(dǎo)體層與第一絕緣層的側(cè)面對置的部分且具有比柵電極厚的部分。

9、另外，上述任意半導(dǎo)體裝置優(yōu)選還包括第二絕緣層。此時，優(yōu)選第一導(dǎo)電層的頂面高度與第二絕緣層的頂面高度大致一致。

10、另外，上述任意半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選半導(dǎo)體層包含金屬氧化物。此時，優(yōu)選第一電極包含與半導(dǎo)體層組成不同的金屬氧化物。

11、另外，上述半導(dǎo)體裝置優(yōu)選還包括第二導(dǎo)電層。此時，第一電極優(yōu)選具有與第二導(dǎo)電層的頂面接觸的部分。另外，第二導(dǎo)電層優(yōu)選含有金屬或合金。

12、另外，上述任意半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選半導(dǎo)體層包括與第一電極的頂面接觸的第一部分、與第一絕緣層的側(cè)面接觸的第二部分以及位于第一絕緣層的上部的第三部分。此時，優(yōu)選第二部分的厚度比第一部分及第三部分薄。

13、另外，上述任意半導(dǎo)體裝置優(yōu)選包括第一絕緣層的側(cè)面與第一電極的頂面所成的角為90度以上且120度以下的部分。

14、另外，在上述任意半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選第一絕緣層的側(cè)面具有凹凸形狀。

15、另外，在上述任意半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選半導(dǎo)體層與第二電極的頂面接觸。再者，優(yōu)選半導(dǎo)體層包含金屬氧化物。并且，第二電極優(yōu)選包含與半導(dǎo)體層組成不同的金屬氧化物。

16、另外，上述任意半導(dǎo)體裝置優(yōu)選還包括第三導(dǎo)電層。此時，第二電極優(yōu)選具有與第三導(dǎo)電層接觸的部分。再者，第三導(dǎo)電層優(yōu)選包含金屬或合金。

17、發(fā)明效果

18、根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)微型化的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種能夠縮小溝道長度的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種占有面積小的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，提供一種布線電阻得到降低的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種易于實現(xiàn)高清晰化的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種可靠性高的晶體管及半導(dǎo)體裝置。

19、根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種具有新穎結(jié)構(gòu)的晶體管、顯示裝置、電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，至少可以改善現(xiàn)有技術(shù)的問題中的至少一個。

20、注意，這些效果的記載并不妨礙其他效果的存在。本發(fā)明的一個方式不一定需要具有所有上述效果。可以從說明書、附圖、權(quán)利要求書的記載中抽取上述效果以外的效果。

技術(shù)特征：

1.一種包括第一絕緣層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵電極、第一電極、第二電極及第一導(dǎo)電層的半導(dǎo)體裝置，

2.一種包括第一絕緣層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵電極、第一電極、第二電極及第一導(dǎo)電層的半導(dǎo)體裝置，

3.一種包括第一絕緣層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵電極、第一電極、第二電極及第一導(dǎo)電層的半導(dǎo)體裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，還包括所述第一絕緣層的所述側(cè)面與所述第一電極的頂面所成的角為90度以上且120度以下的部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，

10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

技術(shù)總結(jié)
提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)微型化的晶體管。提供一種占有面積小的晶體管。提供一種溝道長度小的晶體管。半導(dǎo)體裝置包括第一絕緣層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵電極、第一電極、第二電極及第一導(dǎo)電層。第一絕緣層的側(cè)面位于第一電極上。第二電極位于第一絕緣層上。半導(dǎo)體層與第一電極、第一絕緣層的側(cè)面及第二電極接觸。柵極絕緣層具有隔著半導(dǎo)體層與側(cè)面對置的部分。柵電極具有隔著柵極絕緣層及半導(dǎo)體層與側(cè)面對置的部分。第一導(dǎo)電層與柵電極接觸且具有隔著柵電極、柵極絕緣層及半導(dǎo)體層與側(cè)面對置的部分并具有比柵電極厚的部分。

技術(shù)研發(fā)人員：神長正美,島行德,肥塚純一,笹川慎也
受保護的技術(shù)使用者：株式會社半導(dǎo)體能源研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/14