本公開是關于一種電子裝置及其制造方法，特別是關于一種包括電路結(jié)構的電子裝置及其制造方法。

背景技術：

1、電子裝置包括電子組件以及電路結(jié)構。電路結(jié)構包括導電層以及絕緣層。于電子裝置的制造過程中，電路結(jié)構會因為其中的導電層以及絕緣層之間的熱膨脹系數(shù)差異而破裂、損壞或脫層，進而降低電子裝置的可靠性。

技術實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本公開的一些實施例，提供一種電子裝置，其包括：包括芯片以及設置在芯片的活性面的保護層的電子組件；圍繞電子組件的封裝層；以及接觸封裝層的第一表面并電性連接電子組件的電路結(jié)構，其中保護層具有遠離活性面的第二表面，第一表面與第二表面具有介于1～10μm的第一段差。

2、根據(jù)本公開的一些實施例，提供一種電子裝置的制造方法，包括：提供圍繞電子組件的封裝層；提供第一導電層及第一導電組件于電子組件及封裝層上；對第一導電組件執(zhí)行第一表面處理制程；提供第一絕緣層于經(jīng)第一表面處理制程的第一導電組件上；執(zhí)行平坦化制程；以及執(zhí)行第二表面處理制程，其中電子組件包括芯片與覆蓋芯片的活性面的保護層，保護層具有第二表面，封裝層具有第一表面，且第二表面與第一表面相距第一段差，且第一段差介于1～10μm。

3、根據(jù)本公開的一些實施例，提供一種電子裝置的制造方法，包括：提供圍繞至少兩個電子組件的封裝層；提供第一導電層及第一導電組件于其中一個電子組件以及封裝層上；對第一導電組件執(zhí)行第一表面處理制程；提供第一絕緣層于第一導電層、第一導電組件及另一個電子組件上；在該至少兩個電子組件之間形成貫穿封裝層的第三開口；形成第二導電層及第二導電組件于另一個電子組件上及第三開口中以電性連接該至少兩個電子組件；提供第二絕緣層于第二導電層及第二導電組件上；執(zhí)行平坦化制程；以及執(zhí)行第二表面處理制程，其中電子組件包括芯片與覆蓋芯片的活性面的保護層，保護層具有第二表面，封裝層具有第一表面，且第二表面與第一表面相距第一段差，且第一段差介于1～10μm。

技術特征：

1.一種電子裝置，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，該電路結(jié)構包括第一導電層、設置于該第一導電層上的第一導電組件以及設置于該第一導電層以及該第一導電組件上的第一絕緣層，該第一絕緣層圍繞該第一導電層以及該第一導電組件，該第一絕緣層的絕緣層表面跟該第一導電組件的導電組件表面具有第二段差。

3.如權利要求2所述的電子裝置，其特征在于，該第二段差介于1～15μm。

4.如權利要求2所述的電子裝置，其特征在于，該電子裝置進一步包括重疊該第一導電組件的連接組件。

5.如權利要求2所述的電子裝置，其特征在于，該第一導電組件的該導電組件表面包括表面凸出部及表面凹陷部，該表面凸出部的波峰與該表面凹陷部的波谷具有第一高度差，該第一高度差介于0.1～5μm。

6.如權利要求5所述的電子裝置，其特征在于，至少部分該第一絕緣層填入該導電組件表面的該表面凹陷部中。

7.如權利要求2所述的電子裝置，其特征在于，該第一導電層跟該封裝層之間有容置空間，至少部分該第一絕緣層填入該容置空間。

8.如權利要求7所述的電子裝置，其特征在于，該容置空間的深度介于1～10μm。

9.一種電子裝置的制造方法，其特征在于，包括：

10.一種電子裝置的制造方法，其特征在于，包括：

技術總結(jié)
一種電子裝置包括：包括芯片以及設置在芯片的活性面的保護層的電子組件；圍繞電子組件的封裝層；以及接觸封裝層的第一表面并電性連接電子組件的電路結(jié)構，其中保護層具有遠離活性面的第二表面，所述第一表面與所述第二表面具有介于1～10μm的第一段差。

技術研發(fā)人員：高克毅,鄭惟元,王茹立
受保護的技術使用者：群創(chuàng)光電股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/5