本發(fā)明涉及電極材料，具體為一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法。

背景技術(shù)：

1、20世紀(jì)以來，由于工業(yè)技術(shù)的飛速發(fā)展，人們對大自然資源的開采利用速度大幅增加，導(dǎo)致如煤、原油、天然氣等不可再生能源儲(chǔ)量急劇下降，生物賴以生存的生態(tài)環(huán)境迅速惡化，各種疾病也接踵而至。所以，在這個(gè)能源需求量逐漸增加的時(shí)代，各個(gè)國家都在大力倡導(dǎo)人們節(jié)能減排、低碳生活。相對于傳統(tǒng)照明用具由于其發(fā)光方式所帶來的能量損耗大、光線質(zhì)量差等缺點(diǎn)，發(fā)光二極管(light-emitting?diode,led)通過電光轉(zhuǎn)換、激發(fā)光子的方式進(jìn)行發(fā)光，具有綠色環(huán)保、光源體積小、惡劣環(huán)境下可靠性高、工作時(shí)間長、能量損耗低等優(yōu)點(diǎn)。

2、led的光電轉(zhuǎn)換效率在理論上可以達(dá)到100%，但在現(xiàn)實(shí)照明時(shí)發(fā)現(xiàn)，led的光電轉(zhuǎn)換比值遠(yuǎn)低于理論中轉(zhuǎn)化數(shù)值，僅僅只有理想轉(zhuǎn)化率的20%左右。這不僅制約了led的發(fā)展，而且也造成了電能的損失和能源的浪費(fèi)。所以，出于節(jié)能減排、保護(hù)環(huán)境的目的，需要提高led的出光效率來提高能源利用率；通常情況下，銀反射膜對可見光的反射率在97%以上，并且穩(wěn)定性較好，但是，銀反射膜在led裝配過程中或工作時(shí)，銀會(huì)與環(huán)境中的硫反應(yīng)生成硫化物，即硫化銀，硫化銀的生成會(huì)導(dǎo)致銀反射膜失去金屬光澤，致使反射膜的反射率急劇下降甚至失去反射特性；因此，發(fā)明一種基于高反射含銀膜層電極材料顯得尤為必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，包括以下制備步驟：

3、1.一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，其特征在于，包括以下制備步驟：

4、（1）將甲基磺酸與總質(zhì)量一半的去離子水混合，60rpm攪拌至溶液冷卻至室溫，加入甲基磺酸亞錫、聚乙二醇辛基苯基醚、苯甲基丙酮、間苯二酚和剩余的去離子水，混勻，得鍍錫液；

5、（2）將焦磷酸鉀、碳酸鉀、煙酸、硝酸銀、5,5-二甲基乙內(nèi)酰脲、0.1wt%2,2’-聯(lián)吡啶水溶液、去離子水混合，100rpm攪拌至完全溶解，加入氨水，得鍍銀液；

6、（3）將陰極置鍍錫液中進(jìn)行鍍錫，隨后用去離子水沖洗，冷風(fēng)干燥處理，置鍍銀液中進(jìn)行鍍銀，再次用去離子水沖洗，冷風(fēng)干燥處理，得銀錫復(fù)合鍍層；

7、（4）將銀錫復(fù)合鍍層在微波輔助下進(jìn)行退火處理，得基于高反射含銀膜層電極材料。

8、進(jìn)一步的，步驟（1）所述甲基磺酸、甲基磺酸亞錫、聚乙二醇辛基苯基醚、苯甲基丙酮、間苯二酚、去離子水的質(zhì)量比為1.4:5:0.6:0.1:0.5:65。

9、進(jìn)一步的，步驟（2）所述焦磷酸鉀、碳酸鉀、煙酸、硝酸銀、5,5-二甲基乙內(nèi)酰脲、0.1wt%2,2’-聯(lián)吡啶水溶液、去離子水、氨水的質(zhì)量比為4.5:7:10:4:6:0.5:64:3.2。

10、進(jìn)一步的，步驟（3）所述陰極為銅制材料。

11、進(jìn)一步的，步驟（3）所述沖洗時(shí)間為10~15s。

12、進(jìn)一步的，步驟（3）所述干燥溫度為10~20℃、時(shí)間為1~3h。

13、進(jìn)一步的，步驟（3）所述鍍液的溫度為25~45℃。

14、進(jìn)一步的，步驟（3）所述鍍錫的電流密度為1.5a/dm2、鍍銀的電流密度為0.5a/dm2。

15、進(jìn)一步的，步驟（3）所述鍍錫的時(shí)間為8min、鍍銀的時(shí)間為4min。

16、進(jìn)一步的，步驟（4）所述微波功率為100~200w、退火溫度為150℃、時(shí)間為20~35min。

17、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所達(dá)到的有益效果是：

18、本發(fā)明利用退火工藝與銀和錫表面自由能的差異，驅(qū)動(dòng)錫原子進(jìn)入銀層，甚至驅(qū)動(dòng)到達(dá)銀層表面頂部，此時(shí)的錫原子和銀原子之間發(fā)生互擴(kuò)散，在復(fù)合膜的上層生成金屬間化合物，在熱處理過程中，復(fù)合膜表面的錫原子與氧氣反應(yīng)，生層氧化錫膜，從而隔絕環(huán)境中的硫離子與銀離子之間的化學(xué)反應(yīng)，使基體實(shí)現(xiàn)抗硫化效果，同時(shí)，能夠在led工作使器件的溫度升高時(shí)，整個(gè)體系中的自由能不受影響，從而降低銀離子的團(tuán)聚行為發(fā)生，提高基體的反射率，實(shí)現(xiàn)耐高溫的效果。

技術(shù)特征：

1.一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，其特征在于，包括以下制備步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（1）所述甲基磺酸、甲基磺酸亞錫、聚乙二醇辛基苯基醚、苯甲基丙酮、間苯二酚、去離子水的質(zhì)量比為1.4:5:0.6:0.1:0.5:65。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（2）所述焦磷酸鉀、碳酸鉀、煙酸、硝酸銀、5,5-二甲基乙內(nèi)酰脲、0.1wt%2,2’-聯(lián)吡啶水溶液、去離子水、氨水的質(zhì)量比為4.5:7:10:4:6:0.5:64:3.2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（3）所述陰極為銅制材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（3）所述沖洗時(shí)間為10~15s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（3）所述干燥溫度為10~20℃、時(shí)間為1~3h。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（3）所述鍍液的溫度為25~45℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（3）所述鍍錫的電流密度為1.5a/dm2、鍍銀的電流密度為0.5a/dm2。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（3）所述鍍錫的時(shí)間為8min、鍍銀的時(shí)間為4min。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（4）所述微波功率為100~200w、退火溫度為150℃、時(shí)間為20~35min。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于高反射含銀膜層電極材料的制備方法，涉及電極材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用退火工藝與銀和錫表面自由能的差異，驅(qū)動(dòng)錫原子進(jìn)入銀層，甚至驅(qū)動(dòng)到達(dá)銀層表面頂部，此時(shí)的錫原子和銀原子之間發(fā)生互擴(kuò)散，在復(fù)合膜的上層生成金屬間化合物，在熱處理過程中，復(fù)合膜表面的錫原子與氧氣反應(yīng)，生層氧化錫膜，從而隔絕環(huán)境中的硫離子與銀離子之間的化學(xué)反應(yīng)，使基體實(shí)現(xiàn)抗硫化效果，同時(shí)，能夠在LED工作使器件的溫度升高時(shí)，整個(gè)體系中的自由能不受影響，從而降低銀離子的團(tuán)聚行為發(fā)生，提高基體的反射率，實(shí)現(xiàn)耐高溫的效果。

技術(shù)研發(fā)人員：王云鵬,唐永峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：方博科技（常州）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/14