本揭露是關(guān)于半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，對于更高的儲存容量、更快的處理系統(tǒng)、更高的效能以及更低的價(jià)格的需求日益增長。為了滿足這些需求，半導(dǎo)體工業(yè)不斷地縮小半導(dǎo)體裝置的尺寸，例如金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metal?oxide?semiconductor?field?effecttransistors；mosfets)，其中包含平面式mosfets、鰭式場效應(yīng)晶體管(fin?field?effecttransistors；finfets)以及柵極全環(huán)場效晶體管(gate-all-around?field?effecttransistors；gaa?fets)。這樣縮小尺寸的做法增加了半導(dǎo)體工藝的復(fù)雜度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本揭露的部分實(shí)施方式，提供了一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括在一基板上，形成一鰭式結(jié)構(gòu)；在該鰭式結(jié)構(gòu)上，形成一多晶硅結(jié)構(gòu)；執(zhí)行一氮化工藝，以在該多晶硅結(jié)構(gòu)的側(cè)墻，形成一氮化層；在該氮化層上，形成一柵極間隔物；形成一漏極/源極區(qū)域，其中該漏極/源極區(qū)域鄰近于該氮化層以及該多晶硅結(jié)構(gòu)；執(zhí)行一退火工藝，以致密化該柵極間隔物；及將該多晶硅結(jié)構(gòu)替換為一柵極結(jié)構(gòu)。

2、根據(jù)本揭露的部分實(shí)施方式，提供了一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括在一基板上，形成一多晶硅結(jié)構(gòu)；執(zhí)行一氮化工藝，以在該多晶硅結(jié)構(gòu)上形成一阻隔層；在該阻隔層上，形成一柵極間隔物；形成一漏極/源極區(qū)域，其中該漏極/源極區(qū)域鄰近于該阻隔層；執(zhí)行一退火工藝以致密化該柵極間隔物；調(diào)整該阻隔層的一高度；及將該多晶硅結(jié)構(gòu)替換為一柵極結(jié)構(gòu)。

3、根據(jù)本揭露的部分實(shí)施方式，提供了一個半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括一基板；一鰭式結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該基板上；一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該鰭式結(jié)構(gòu)上；一無氫氮化層，設(shè)置在該鰭式結(jié)構(gòu)以及該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)墻上；一柵極間隔物層，在該無氫氮化層上；及一漏極/源極區(qū)域，設(shè)置在該鰭式結(jié)構(gòu)上并鄰近于該無氫氮化層。

技術(shù)特征：

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中執(zhí)行該氮化工藝包括控制該氮化工藝的參數(shù)，以形成具有一厚度為到的該氮化層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中執(zhí)行該氮化工藝包括將該多晶硅結(jié)構(gòu)暴露在一氮電漿下1秒到5秒的一持續(xù)時間。

4.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，包括：

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，其中執(zhí)行該氮化工藝包括形成具有一厚度在到的該阻隔層。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，其中執(zhí)行該氮化工藝包括將該多晶硅結(jié)構(gòu)暴露在一氮電漿下1秒到5秒的一持續(xù)時間。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，其中調(diào)整該阻隔層的該高度包括：

8.一個半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，其中該無氫氮化層包括一垂直部分以及一水平部分，該垂直部分在該柵極側(cè)墻上，該水平部分在該鰭式結(jié)構(gòu)上，且其中該垂直部分的一厚度大于該水平部分的一厚度至少10％。

10.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，其中該無氫氮化層的一高度與該柵極間隔物層的一高度之間的比值在30％到50％之間。

技術(shù)總結(jié)
揭露具有在柵極結(jié)構(gòu)與柵極間隔物層之間的阻隔層的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。方法包含在基板上形成鰭式結(jié)構(gòu)、在鰭式結(jié)構(gòu)上形成多晶硅結(jié)構(gòu)、執(zhí)行氮化作業(yè)，以在多晶硅結(jié)構(gòu)及鰭式結(jié)構(gòu)上形成阻隔層、在阻隔層上形成柵極間隔物層、在鰭式結(jié)構(gòu)形成漏極/源極區(qū)域中，其中漏極/源極區(qū)域鄰近于阻隔層、退火柵極結(jié)構(gòu)、及將多晶硅結(jié)構(gòu)替換為柵極結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：洪牧民,簡汎軒,林志男,許凱翔,鄭子健,葉書佑
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/14