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      一種陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號(hào):40234538發(fā)布日期:2024-12-06 16:56閱讀:22來(lái)源:國(guó)知局
      一種陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

      本發(fā)明涉及的一種封裝結(jié)構(gòu),特別是涉及應(yīng)用于陶瓷基座封裝領(lǐng)域的一種陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)。


      背景技術(shù):

      1、目前l(fā)ed的主流封裝方式是采用有機(jī)封裝,且主要封裝材料多為環(huán)氧樹脂及硅樹脂等有機(jī)材料。而由于紫外光波長(zhǎng)更短,輻射能量高,這些有機(jī)材料受到其長(zhǎng)時(shí)間照射容易出現(xiàn)老化,從而降低led芯片的發(fā)光效率,影響其使用性能和壽命。隨著uvled封裝技術(shù)不斷進(jìn)步,為了提高uvled使用穩(wěn)定性,無(wú)機(jī)材料逐步代替有機(jī)材料進(jìn)行封裝,如今市場(chǎng)上大都采用陶瓷框進(jìn)行無(wú)機(jī)封裝,但是其與uvled封裝襯板仍避免不了采用有機(jī)膠水進(jìn)行連接。當(dāng)然也有研究機(jī)構(gòu)(如日本京瓷)研究出采用陶瓷框與封裝襯板進(jìn)行一體成型,省去了后續(xù)兩者封裝連接問(wèn)題,但這種工藝復(fù)雜,并且需要制作精密模具,生產(chǎn)成本極高,不適合工業(yè)化批量生產(chǎn)。

      2、為解決上述問(wèn)題,中國(guó)專利cn206003815u說(shuō)明書公開了一種uvled陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu),其包括陶瓷基板、金屬層、焊料層以及封裝陶瓷框,金屬層包括分布在陶瓷基板上的電路連接部以及圍繞電路連接部的封裝連接部,在沿垂直于陶瓷基板的方向上,金屬層包括第一金屬層和第二金屬層,第一金屬層設(shè)置于陶瓷基板的表面,第二金屬層設(shè)置于第一金屬層的表面,焊料層設(shè)置于封裝連接部,封裝陶瓷框設(shè)置于焊料層,該uvled陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)uvled陶瓷基座的無(wú)機(jī)封裝,避免使用有機(jī)封裝材料,延長(zhǎng)led器件的使用壽命。

      3、現(xiàn)有的陶瓷基座大多采用低溫工燒(ltcc)工藝來(lái)進(jìn)行多層陶瓷基體的燒結(jié),從而得到整體性良好的陶瓷基座,但現(xiàn)有的陶瓷基座在封裝時(shí)與封裝芯片的結(jié)合大多是通過(guò)導(dǎo)線與引腳的焊接來(lái)完成的,使得封裝芯片與陶瓷基座之間的結(jié)合力還不夠牢固,導(dǎo)線承載主要的結(jié)合力會(huì)使得導(dǎo)線比較容易出現(xiàn)斷裂等問(wèn)題,且現(xiàn)有的陶瓷基座在多層結(jié)構(gòu)之間的預(yù)連接大多通過(guò)壓合來(lái)實(shí)現(xiàn),其自身的預(yù)連接結(jié)構(gòu)強(qiáng)度不高,易出現(xiàn)燒結(jié)之前的偏移或預(yù)連接過(guò)程中的偏移,影響后續(xù)的成型作業(yè)。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何提供一種能夠增強(qiáng)與封裝芯片之間的連接強(qiáng)度,同時(shí)增強(qiáng)陶瓷基座自身的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度和穩(wěn)定性的陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)。

      2、為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu),包括陶瓷基座,陶瓷基座由上下依次疊放的第一封層、第二封層和基層組成,第一封層上表面、第一封層與第二封層之間以及第二封層與基層之間均設(shè)置有金屬電路層,第一封層、第二封層和基層內(nèi)均設(shè)有豎直延伸的通孔,通孔內(nèi)設(shè)置有連通電路,第一封層、第二封層、基層以及金屬電路層和連通電路使用ltcc工藝燒結(jié)成型;

      3、陶瓷基座上端固定有與連通電路電性連接的封裝芯片;

      4、第一封層上端開設(shè)有避開金屬電路層開設(shè)有第一加固槽,第一加固槽底部開設(shè)有向下延伸的加固孔,加固孔下端開設(shè)有長(zhǎng)或?qū)挻笥诩庸炭椎拈L(zhǎng)或?qū)挼牡诙庸滩郏谝患庸滩?、加固孔以及第二加固槽?nèi)均注有固結(jié)劑;

      5、封裝芯片下端部分區(qū)域通過(guò)固結(jié)劑固定在第一封層上;

      6、第一封層、第二封層和基層之間設(shè)置有用于增加連接穩(wěn)定性的加固結(jié)構(gòu)。

      7、在上述陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)中,通過(guò)設(shè)置第一加固槽能夠增加封裝芯片底部與第一封層之間的接觸面積,并通過(guò)注入固結(jié)劑增強(qiáng)封裝芯片與第一封層的連接穩(wěn)定性,固結(jié)劑凝固后形成i形結(jié)構(gòu),使得安裝的封裝芯片牢固性更好,不易脫離,從而增強(qiáng)該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)的整體穩(wěn)定性;

      8、此外,通過(guò)加固結(jié)構(gòu)增加第一封層、第二封層和基層之間的連接穩(wěn)定性,也同樣達(dá)到了增強(qiáng)該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)整體穩(wěn)定性的目的。

      9、作為本技術(shù)的進(jìn)一步補(bǔ)充,加固結(jié)構(gòu)包括錨固柱和承接槽,錨固柱設(shè)置有多個(gè),多個(gè)錨固柱分別位于第一封層或第二封層下端并與第一封層或第二封層一體成型;

      10、承接槽開設(shè)于第二封層和基層上端面,承接槽避開金屬電路層設(shè)置,

      11、錨固柱與承接槽插接固定。

      12、在將第一封層、第二封層、基層以及金屬電路層和連通電路使用ltcc工藝燒結(jié)成型之前,需要先將第一封層、第二封層、基層以及金屬電路層和連通電路組合安裝,并進(jìn)行壓合處理,使其定型后進(jìn)行燒結(jié),在預(yù)壓合處理之前,將第一封層通過(guò)錨固柱插接在第二封層的承接槽內(nèi),同樣的,將第二封層通過(guò)錨固柱插接在基層的承接槽內(nèi),從而使得第一封層、第二封層、基層以及金屬電路層和連通電路組合完成,在壓合之前就具有較為穩(wěn)固的連接結(jié)構(gòu),從而保證該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)在壓合時(shí)不易出現(xiàn)位移或偏差,保證壓合時(shí)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和壓合后的精度,從而在一定程度上提高了該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)的成品合格率,削弱了壓合時(shí)的精度需求,有利于降低生產(chǎn)成本。

      13、作為本技術(shù)的進(jìn)一步補(bǔ)充,錨固柱下端周側(cè)形成有向外凸出的外凸擴(kuò)腳,外凸擴(kuò)腳的截面呈半圓形;

      14、承接槽內(nèi)側(cè)形成與外凸擴(kuò)腳適配的凹入部,外凸擴(kuò)腳的設(shè)置能夠避免插接后的第一封層與第二封層或第二封層與基層之間出現(xiàn)受意外力產(chǎn)生上下分離的狀況,從而避免了需要多次對(duì)接組合第一封層、第二封層和基層,進(jìn)一步提升了該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)組合后的穩(wěn)定性。

      15、作為本技術(shù)的進(jìn)一步補(bǔ)充,加固孔與第一加固槽的接口處以及加固孔與第二加固槽的接口處均設(shè)置于過(guò)渡倒角部,過(guò)渡倒角部為向遠(yuǎn)離加固孔中部擴(kuò)張的喇叭口狀結(jié)構(gòu),通過(guò)過(guò)渡倒角部的設(shè)置,能夠便于在注入固結(jié)劑時(shí)排出第二加固槽和加固孔內(nèi)的空氣,避免第二加固槽和加固孔出現(xiàn)空鼓,從而避免了該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)因后續(xù)空鼓產(chǎn)生的一系列連接不穩(wěn)定或其它問(wèn)題。

      16、作為本技術(shù)的又一種改進(jìn),第一封層上開設(shè)有主注膠孔,主注膠孔一端在第一封層上端面形成開口,主注膠孔另一端與其中一個(gè)第二加固槽底部連通;

      17、多個(gè)第二加固槽之間通過(guò)輔助注膠孔相互連通;

      18、通過(guò)主注膠孔和輔助注膠孔的設(shè)置,當(dāng)需要注入固結(jié)劑時(shí),工作人員可通過(guò)主注膠孔向其中一個(gè)第二加固槽內(nèi)注入,并通過(guò)輔助注膠孔將固結(jié)劑同時(shí)注入多個(gè)第二加固槽內(nèi),達(dá)到一次性完成注入操作的目的,同時(shí),從第二加固槽底部注入也能夠最大限度的避免第二加固槽或加固孔在注入過(guò)程中產(chǎn)生空鼓,進(jìn)一步避免了該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)因后續(xù)空鼓產(chǎn)生的一系列連接不穩(wěn)定或其它問(wèn)題。

      19、作為本技術(shù)的又一種改進(jìn)的補(bǔ)充,第一封層、第二封層和基層兩側(cè)均開設(shè)有排膠槽,排膠槽的端部開口與金屬電路層邊緣相交;

      20、第一封層、第二封層和基層內(nèi)還開設(shè)有與排膠槽連通的排膠通道,排膠通道位于第一封層或第二封層或基層靠近金屬電路層的端部;

      21、排膠通道通過(guò)分支通道與第一封層或第二封層或第二封層與金屬電路層的連接處連通,分支通道開設(shè)有一個(gè)或多個(gè);

      22、排膠通道和分支通道均避開錨固柱設(shè)置。

      23、通過(guò)排膠槽、排膠通道和分支通道的設(shè)置,能夠在燒結(jié)時(shí)更好的排出粘合劑燒結(jié)后的雜質(zhì),使得該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)在燒結(jié)后其本身的結(jié)合性更好,從而提升該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)的整體性,延長(zhǎng)使用壽命。

      24、作為本技術(shù)的再一種改進(jìn),排膠槽內(nèi)設(shè)置有散熱齒,散熱齒設(shè)置有多個(gè)并沿排膠槽內(nèi)壁呈齒狀分布,多個(gè)散熱齒分別與第一封層或第二封層或基層一體成型。

      25、通過(guò)設(shè)置散熱齒,能夠在陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成散熱結(jié)構(gòu),使其具備更加良好的散熱性能,從而延長(zhǎng)該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命。

      26、作為本技術(shù)的另一種改進(jìn),第一封層、第二封層和基層靠近金屬電路層的端部均固定嵌設(shè)有熱管,熱管一端靠近陶瓷基座的中部,熱管另一端略微伸出陶瓷基座一側(cè),熱管避開錨固柱設(shè)置。

      27、通過(guò)設(shè)置熱管同樣能夠起到散熱作用,且熱管的散熱效果更好,散熱效率更高,進(jìn)一步延長(zhǎng)該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命。

      28、綜上所述,通過(guò)設(shè)置第一加固槽能夠增加封裝芯片底部與第一封層之間的接觸面積,并通過(guò)注入固結(jié)劑增強(qiáng)封裝芯片與第一封層的連接穩(wěn)定性,固結(jié)劑凝固后形成i形結(jié)構(gòu),使得安裝的封裝芯片牢固性更好,不易脫離,從而增強(qiáng)該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)的整體穩(wěn)定性;

      29、此外,通過(guò)加固結(jié)構(gòu)增加第一封層、第二封層和基層之間的連接穩(wěn)定性,具體的,在將第一封層、第二封層、基層以及金屬電路層和連通電路使用ltcc工藝燒結(jié)成型之前,需要先將第一封層、第二封層、基層以及金屬電路層和連通電路組合安裝,并進(jìn)行壓合處理,使其定型后進(jìn)行燒結(jié),在預(yù)壓合處理之前,將第一封層通過(guò)錨固柱插接在第二封層的承接槽內(nèi),同樣的,將第二封層通過(guò)錨固柱插接在基層的承接槽內(nèi),從而使得第一封層、第二封層、基層以及金屬電路層和連通電路組合完成,在壓合之前就具有較為穩(wěn)固的連接結(jié)構(gòu),從而保證該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)在壓合時(shí)不易出現(xiàn)位移或偏差,保證壓合時(shí)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和壓合后的精度,從而在一定程度上提高了該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)的成品合格率,削弱了壓合時(shí)的精度需求,有利于降低生產(chǎn)成本;

      30、同時(shí),通過(guò)主注膠孔和輔助注膠孔的設(shè)置,當(dāng)需要注入固結(jié)劑時(shí),工作人員可通過(guò)主注膠孔向其中一個(gè)第二加固槽內(nèi)注入,并通過(guò)輔助注膠孔將固結(jié)劑同時(shí)注入多個(gè)第二加固槽內(nèi),達(dá)到一次性完成注入操作的目的,同時(shí),從第二加固槽底部注入也能夠最大限度的避免第二加固槽或加固孔在注入過(guò)程中產(chǎn)生空鼓,進(jìn)一步避免了該陶瓷基座封裝結(jié)構(gòu)因后續(xù)空鼓產(chǎn)生的一系列連接不穩(wěn)定或其它問(wèn)題。

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