專利名稱：低壓壓敏電阻材料及工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體陶瓷材料低壓壓敏電阻材料是七十年代末發(fā)展起來的一種很有應用前景的半導體陶瓷材料，在工業(yè)電器、高壓避雷器、電源設備、汽車通訊電路、儀器儀表、家用電器等方面具有廣泛用途，是線路的保護元件。日本公開特許公報昭61-121301低壓壓敏電阻材料是在經(jīng)過熱處理后，壓敏電壓最低在10V左右，普通為20-30V。我國壓敏電壓低于20V左右的元件全部依靠進口，價格十分昂貴，針對這種狀況，本發(fā)明經(jīng)過多次實踐，改進了制做低壓壓敏電阻材料中的各組份及組份配比并省去了熱處理工藝，研制出壓敏電壓低于10V，非線性條數(shù)α大于10的優(yōu)異性能的低壓材料。
本發(fā)明目的在于，研制出的低壓壓敏電阻材料，其性能電壓可從5V-50V，非線性系數(shù)α可從10-30，該材料具有工藝、生產(chǎn)成本低、制做方便等特點，從而替代了需要進口產(chǎn)品，其性能參數(shù)優(yōu)于進口產(chǎn)品。
本發(fā)明所述的低壓壓敏電阻材料及工藝是以氧化鋅為主體加入適當?shù)奶砑游?，采用陶瓷工藝制備而成，根?jù)添加物的種類，燒結工藝的不同，可制得壓敏電壓從幾伏到幾千伏的壓敏電阻器。
本發(fā)明所述的低壓壓敏電阻材料及工藝，其主要是以氧化鋅為主體材料，再加入適當?shù)奶砑游?，用陶瓷工藝制備而成，其中添加物是由金屬氧化物三氧化二鉍、二氧化錳、三氧化二鈷、三氧化二銻、二氧化鈦、三氧化二鉻、三氧化二鎳、二氧化硅、三氧化二鋁、三氧化二鍺、三氧化二鐵組成，各組份的配比為(摩爾百分比mol%)
三氧化二鉍0.5-1.0二氧化錳0.4-1.0三氧化二鈷0.4-1.0三氧化二銻0.01-0.07二氧化鈦0.3-1.0三氧化二鉻0.3-1.0三氧化二鎳0.3-1.0二氧化硅0.02-0.07三氧化二鋁0.001-0.005三氧化二鍺0.02-0.07三氧化二鐵0.05-0.5氧化鋅余量本發(fā)明所述低壓壓敏電阻材料及工藝是以化學純氧氧化鋅為主原料，經(jīng)過100℃烘干，將添加物與氧化鋅粉充分混合，加入去離子水，瑪瑙球進行濕磨35-40小時，100℃烘干，再進一步混合均勻后，在750-850℃預燒1-3小時，預燒后的料干磨2-4小時，放置24小時后在約1×10
pa的壓力下成型為φ10毫米，厚度為1.5-2毫米的小圓片，在1100-1250℃空氣中燒結，慢冷到室溫，在燒好瓷體的兩面被銀，燒銀溫度為750-850℃，時間10分鐘，然后焊接引線即可。所制出的材料電性能參數(shù)如表
實施例以氧化鋅粉為主要原料，經(jīng)過100℃烘干，加入添加物金屬氧化物與氧化鋅充分混勻，裝入去離子水，瑪瑙小球濕磨40小時，經(jīng)100℃烘干在800℃左右預燒1.5小時，干磨3小時，放置24小時在1×10
pa壓力下成型∮10毫米，厚度為1.5-2毫米的小圓片，在1115℃空氣中燒結，慢冷卻室溫，然后被銀、燒銀濕度為800℃，10分鐘，焊引線，外包封，測量即可。
權利要求
1.一種低壓壓敏電阻材料，其特征在于，該材料是以氧化鋅為主體材料，再加入適當?shù)奶砑游铮锰沾晒に囍苽涠伞?br> 2.根據(jù)權利要求1所述的低壓壓敏電阻材料，其特征在于添加物是由金屬氧化物三氧化二鉍、二氧化錳、三氧化二鈷、三氧化二銻、二氧化鈦、三氧化二鉻、三氧化二鎳、二氧化硅、三氧化二鋁、三氧化二鍺、三氧化二鐵組成。
3.根據(jù)權利要求2所述的低壓壓敏電阻材料，其特征在于添加物金屬氧化物中的各組份配比為(摩爾百分比mol%)三氧化二鉍 0.5-1.0二氧化錳 0.4-1.0三氧化二鈷 0.4-1.0三氧化二銻 0.01-0.07二氧化鈦 0.3-1.0三氧化二鉻 0.3-1.0三氧化二鎳 0.3-1.0二氧化硅 0.02-0.07三氧化二鋁 0.001-0.005三氧化二鍺 0.02-0.07三氧化二鐵 0.05-0.5氧化鋅 余量
4.一種低壓壓敏電阻材料，其特征在于其工藝為以化學純氧化鋅為主要原料，經(jīng)過100℃烘干，將添加物與氧化鋅粉充分混合，加入去離子水，瑪瑙小球進行濕磨35-40小時，100℃烘干，再進一步混合均勻后，在750-850℃預燒1-3小時，預燒后的料干磨2-4小時，放置24小時后在約1×10
pa的壓力下成型為φ10毫米厚度為1.5-2毫米的小圓片，在1100-1250℃空氣中燒結，慢冷到室溫，在燒好瓷體的兩面被銀，燒銀溫度為750-780℃時間10分鐘，然后焊接引線即可。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導體陶瓷材料，低壓壓敏電阻材料及工藝，該材料主要是以氧化鋅為主體，再加入適當?shù)奶砑游锝饘傺趸?，用陶瓷工藝制備而成，根?jù)添加物的種類，燒結工藝的不同，可制得壓敏電壓從幾伏到幾千伏的壓敏電阻器，該工藝簡單，生產(chǎn)成本低，制做方便，其產(chǎn)品所得參數(shù)優(yōu)于進口同類產(chǎn)品。
文檔編號H01C7/10GK1078065SQ92102389
公開日1993年11月3日 申請日期1992年4月23日 優(yōu)先權日1992年4月23日
發(fā)明者康雪雅 申請人:中國科學院新疆物理研究所