專利名稱：一種x射線圖形掩模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于半導(dǎo)體器件與集成電路光刻工藝的X射線圖形掩模的結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)有用于半導(dǎo)體器件與集成電路光刻工藝的X射線掩模，均為在透X射線的基片上粘附能夠掩蔽X射線的金屬圖形，它要求金屬圖形具有足夠的掩蔽厚度(例如用金作金屬圖形時(shí)一般要求金線條的厚度在1微米以上)。但X射線曝光在半導(dǎo)體光刻工藝中應(yīng)用的主要特色是在于它具有高分辨率的超精細(xì)圖形形成功能，所用掩模也必然均系精細(xì)圖形的掩模，其金屬線條的寬度一般小于1微米，甚至有時(shí)要比1微米小得多，由此形成具有較大厚寬比的金屬線條極易引起彎曲、倒伏以及脫落，它嚴(yán)重影響掩模制造的合格率及其在使用中的可靠與耐用程度。
本實(shí)用新型的目的是為克服上述現(xiàn)有技術(shù)缺陷，提出一種具有高產(chǎn)品合格率、高可靠性以及長使用壽命的X射線掩模圖形的結(jié)構(gòu)。
為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的所采取的技術(shù)措施是，在X射線圖形掩模的金屬線條側(cè)邊設(shè)置能夠透過X射線并與掩?；约敖饘倬€條側(cè)壁粘附的側(cè)向支撐體。
側(cè)向支撐體對金屬線條的直立起支撐作用，使之不易彎曲、倒伏以及脫落，從而提高掩模的合格率、可靠性與耐用性。由于側(cè)向支撐體能夠透過X射線，它對X射線掩模特有的精細(xì)圖形掩蔽功能沒有不良影響。
以下結(jié)合附圖與實(shí)施例對本實(shí)用新型X射線圖形掩模作進(jìn)一步具體說明。


圖1為本實(shí)用新型X射線圖形掩模一項(xiàng)實(shí)施例的局部示意俯視圖。
圖2為圖1中A－A’斷面處的示意剖視圖。
圖中1為氮化硅基片，2為金線條圖形，3為薄層鈦粘結(jié)層，4為側(cè)向支撐體，5為二氧化硅支撐主體，6為薄層鈦粘結(jié)層。
在本實(shí)用新型一項(xiàng)實(shí)施例中，用氮化硅作X射線掩模的基片(1)，用金線條作掩模圖形(2)，在金線條掩模圖形(2)與氮化硅基片之間用薄層鈦?zhàn)髡辰Y(jié)層(3)。該項(xiàng)實(shí)施例的側(cè)向支撐體(4)是由支撐主體(5)以及處于支撐主體(5)和金屬線條(2)側(cè)壁之間的粘結(jié)層(6)組成，并選用二氧化硅作支撐主體(5)，選用薄層鈦(6)作支撐主體(5)和金屬線條(2)側(cè)壁之間的粘結(jié)層。
權(quán)利要求1.一種在基片上粘附金屬圖形的X射線圖形掩模，其特征在于，它在掩模圖形的金屬線條側(cè)邊設(shè)置能夠透過X射線并與掩模基片以及金屬線條側(cè)壁粘附的側(cè)向支撐體。
2.按照權(quán)利要求1所述的X射線圖形掩模，其特征為，所述基片為氮化硅片，所述金屬圖形是用金線條形成的圖形，在所述基片與所述金屬圖形之間并有薄層鈦?zhàn)髡辰Y(jié)層。
3.按照權(quán)利要求1所述的X射線圖形掩模，其特征為，所述側(cè)向支撐體是由支撐主體與粘結(jié)層組成，該粘結(jié)層處于該支撐主體與所述金屬線條側(cè)壁之間。
4.按照權(quán)利要求2和3所述的X射線掩模，其特征為，所述側(cè)向支撐體是用二氧化硅作所述支撐主體，用薄層鈦?zhàn)魉鲋沃黧w與所述金屬線條側(cè)壁之間的所述粘結(jié)層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于半導(dǎo)體器件與集成電路工藝的X射線圖形掩模，它在掩模線條的側(cè)邊設(shè)有能夠透過X射線的屬側(cè)向支撐體，基片可為氮化硅片，金屬圖形可以是金屬線條形成的圖形。這樣的結(jié)構(gòu)能夠提高掩模的合格率、可靠性以及使用壽命。
文檔編號H01L21/027GK2177291SQ9324485
公開日1994年9月14日 申請日期1993年11月22日 優(yōu)先權(quán)日1993年11月22日
發(fā)明者劉訓(xùn)春, 陳夢真, 葉甜春, 錢鶴, 王潤梅, 王玉玲, 孫寶銀, 曹振亞, 歐文, 張學(xué) 申請人:中國科學(xué)院微電子中心