專利名稱：使用相移掩模在半導(dǎo)體器件中制造細(xì)環(huán)形電荷存儲(chǔ)電極的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體器件中制造細(xì)環(huán)形電荷存儲(chǔ)電極的方法，更具體地說，涉及采用相移掩模，容易地形成具有大電容和細(xì)環(huán)形圖形的電荷存儲(chǔ)電極的方法。
近年來，在半導(dǎo)體芯片上以高密度集成大量的元件的半導(dǎo)體器件發(fā)展活躍。對(duì)于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的存儲(chǔ)單元，已經(jīng)提出各種結(jié)構(gòu)以適用于器件的微型化。
而且，為了對(duì)應(yīng)于高密度器件中單元面積的減小來獲得足夠的電容量，已經(jīng)開發(fā)出具有溝槽、翅片和筒狀結(jié)構(gòu)的器件，并已開發(fā)出鐵電材料，例如Ta2O5，其介電常數(shù)大于ONO(氧化物-氮化物-氧化物)層。這就是說，已對(duì)電荷存儲(chǔ)電極的結(jié)構(gòu)和具有大電容量的介電材料做了改進(jìn)。
傳統(tǒng)的在半導(dǎo)體器件中形成電荷存儲(chǔ)電極的方法中，由石英襯底上的鉻圖形來形成用于制造電荷存儲(chǔ)電極的圖形。因此，在光掩模上形成的一個(gè)鉻圖形對(duì)應(yīng)于一個(gè)光致抗蝕劑圖形。這樣，為了形成圓筒狀結(jié)構(gòu)的電荷存儲(chǔ)電極，需要幾次光刻處理和蝕刻處理。
但是，具有對(duì)光完全阻斷的鉻圖形的光掩模，不能形成電容量足夠大的電荷存儲(chǔ)電極，這是因?yàn)?，鉻圖形不能形成小于光源波長(zhǎng)的細(xì)微圖形。而且，形成圓筒狀結(jié)構(gòu)的電荷存儲(chǔ)電極時(shí)，盡管已經(jīng)開發(fā)出單個(gè)或多個(gè)圓筒結(jié)構(gòu)，但仍難以獲得足夠的電容量，以致于高密度器件中存在許多問題。
為了解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種在半導(dǎo)體器件中制造細(xì)環(huán)形電荷存儲(chǔ)電極的方法，利用相移掩模，能容易地形成具有大電容量和細(xì)環(huán)形圖形的電荷存儲(chǔ)電極，該環(huán)形圖形可小于光源波長(zhǎng)。
本發(fā)明的另一目的是提供一種在半導(dǎo)體器件中制造細(xì)環(huán)形電荷存儲(chǔ)電極的方法，利用相移掩模，能容易地形成具有雙圓筒狀結(jié)構(gòu)和細(xì)環(huán)形圖形的電荷存儲(chǔ)電極，該環(huán)形圖形小于光源波長(zhǎng)。
按照本發(fā)明，提供了一種在半導(dǎo)體器件中制造電荷存儲(chǔ)電極的方法，包括以下步驟在具有有源區(qū)的襯底上淀積第一絕緣層；蝕刻所述第一絕緣層，以便形成接觸孔，從而曝露出所述有源區(qū)；形成第一導(dǎo)電層，通過接觸孔與有源區(qū)接觸；在所述導(dǎo)電層上淀積第二絕緣層，用于平面化；在所述第二絕緣層上淀積光致抗蝕劑層；使用相移掩模對(duì)所述光致抗蝕劑層曝光，該相移掩模具有寬度寬于曝光波長(zhǎng)的相移材料圖形，從而顯影出細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；利用所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層作為蝕刻掩模，對(duì)所述第二絕緣層和所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻；去除所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；在所得結(jié)構(gòu)上淀積第二導(dǎo)電層；對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行各向同性蝕刻；去除所述第二絕緣層。
按照本發(fā)明，提供了一種在半導(dǎo)體器件中制造電荷存儲(chǔ)電極的方法，包括如下步驟在具有有源區(qū)的襯底上淀積第一絕緣層；蝕刻所述第一絕緣層，以便形成接觸孔，曝露出所述有源區(qū)；形成第一導(dǎo)電層，通過接觸孔與有源區(qū)接觸；在所述導(dǎo)電層上淀積第二絕緣層用于平面化；在所述第二絕緣層上淀積光致抗蝕劑層；利用相移掩模對(duì)所述光致抗蝕劑層曝光，該相移掩模具有寬度寬于曝光波長(zhǎng)的被蝕刻部分，從而顯影出細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；利用所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層作為蝕刻掩模，對(duì)所述第二絕緣層和所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻；去除所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；在所得結(jié)構(gòu)上淀積第二導(dǎo)電層；對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行各向同性蝕刻；去除所述第二絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種在半導(dǎo)體器件中制造電荷存儲(chǔ)電極的方法，包括如下步驟在具有有源區(qū)的襯底上淀積第一絕緣層；蝕刻所述第一絕緣層，以便形成接觸孔，曝露出所述有源區(qū)；形成第一導(dǎo)電層，通過接觸孔與有源區(qū)接觸；在所述導(dǎo)電層上淀積第二絕緣層用于平面化；在所述第二絕緣層上淀積光致抗蝕劑層；利用相移掩模對(duì)所述光致抗蝕劑層曝光，該相移掩模具有寬度寬于曝光波長(zhǎng)的相移材料圖形，并具有從所述相移材料圖形突出的部分，其寬度窄于曝光波長(zhǎng)，從而顯影出細(xì)環(huán)形光致抗蝕層；利用所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層作為蝕刻掩模，對(duì)所述第二絕緣層和所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻；去除所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；在所得結(jié)構(gòu)上淀積第二導(dǎo)電層；對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行各向同性腐蝕；去除所述第二絕緣層。
按照本發(fā)明，提供了一種在半導(dǎo)體器件中制造電荷存儲(chǔ)電極的方法，包括如下步驟在具有有源區(qū)的襯底上淀積第一絕緣層；蝕刻所述第一絕緣層，以便形成接觸孔，曝露出所述有源區(qū)；形成第一導(dǎo)電層，通過接觸孔與有源區(qū)接觸；在所述導(dǎo)電層上淀積第二絕緣層用于平面化；在所述第二絕緣層上淀積光致抗蝕劑層；利用相移掩模對(duì)所述光致抗蝕劑層曝光，該相移掩模具有寬度寬于曝光波長(zhǎng)的被蝕刻部分，并具有從所述被蝕刻部位突出的部分，其寬度窄于曝光波長(zhǎng)；從而顯影出細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；利用所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層作為蝕刻掩模，對(duì)所述第二絕緣層和所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻；去除所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；在所得結(jié)構(gòu)上淀積第二導(dǎo)電層；對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行各向同性腐蝕；去除所述第二絕緣層。
參看附圖，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好地了解本發(fā)明及其多個(gè)目的和優(yōu)點(diǎn)。附圖中

圖1A-1C是展示根據(jù)本發(fā)明形成相移掩模的方法的截面圖；圖2是通過圖1C所示相移掩模曝光光強(qiáng)的分布；圖3是采用圖1C的相移掩模形成的細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑圖形；圖4是展示根據(jù)本發(fā)明形成另一個(gè)相移掩模的方法的截面圖；圖5是相移掩模的頂視平面圖，用于根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例形成具有雙圓筒狀結(jié)構(gòu)的電荷存儲(chǔ)電極；圖6是通過圖5的相移掩模沿線A-A′的曝光光強(qiáng)分布；圖7是由圖5的相移掩模顯影的光致抗蝕劑圖形的頂視平面圖；圖8A-8D是展示采用圖5的相移掩模，形成雙圓筒狀結(jié)構(gòu)的電荷存儲(chǔ)電極的方法的截面圖；圖9是相移掩模的頂視平面圖，用來根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，形成雙圓筒狀結(jié)構(gòu)的電荷存儲(chǔ)電極；圖10是通過圖9的相移掩模沿線A-A′的曝光光強(qiáng)分布；圖11是通過圖9的相移掩模沿線B-B′的曝光光強(qiáng)分布；圖12是由圖9的相移掩模顯影的光致抗蝕劑圖形的頂視平面圖；圖13是沿圖12的線C-C′的光致抗蝕劑圖形的截面圖14A-14D是展示采用圖9的相移掩模，形成雙圓筒狀結(jié)構(gòu)的電荷存儲(chǔ)電極的方法的截面圖；圖15是展示具有本發(fā)明第二實(shí)施例的電荷存儲(chǔ)電極圖形的相移掩模的頂視平面圖；圖16是由圖15的相移掩模顯影的光致抗蝕劑圖形的頂視平面圖。
以下將說明本發(fā)明的電荷存儲(chǔ)電極。
首先，結(jié)合圖1A-1C說明形成細(xì)環(huán)形圖形的方法。
如圖1A所示，在襯底1例如石英上設(shè)有相移材料2。相移材料2是SOG、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、CYTOP、SiOx等，考慮到其折射率，相移材料2的厚度(d)應(yīng)為d＝1/2(n－1)其中，n是相移材料2的折射率，一般為1.3－1.5。而且，相移材料2對(duì)可見光和遠(yuǎn)紫外光有可透性。
如圖1B所示，在相移材料2上淀積光致抗蝕劑層，通過曝光及顯影處理，形成均勻的光致抗蝕劑圖形3。
接著，如圖1C所示，以光致抗蝕劑圖形3作為蝕刻掩模對(duì)相移材料2蝕刻，直至露出襯底1的表面，于是在襯底1上形成相移材料圖形2。此時(shí)，對(duì)于無機(jī)材料如SOG、CYTOP和SiOx，采用氟化物等離子體的干法蝕刻，對(duì)于有機(jī)材料如PMMA，采用氧等離子體的干法蝕刻，以便獲得優(yōu)異的圖形。
如圖2所示，當(dāng)具有相移材料圖形2′的光掩模被可見光或遠(yuǎn)紫外光曝光時(shí)，無相移材料2的部分處的相位為0，有相移材料2的部分處的相位為π。這就是說，在無相移材料2的部分與有相移材料2的部分之間的邊界是異相的，如圖2的曲線所示。圖2中的虛線表示能使相移材料2顯影的臨界光強(qiáng)，亦即，虛線之下的光強(qiáng)不能使相移材料2顯影。
圖3是采用圖1C的相移掩模形成的細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑圖形6。
圖4是展示形成另一種相移掩模的方法的截面圖。如圖4所示，通過對(duì)襯底1的部分蝕刻來制成相移掩模，該掩模具有與圖1C的上述相移掩模相同的效果。
以下說明本發(fā)明的第一實(shí)施例。
如上所述，相移掩模的特征在于只在相移材料的外周邊發(fā)生干涉，從而降低了光強(qiáng)。因此，在采用具有相移材料圖形的相移掩模時(shí)，如圖5所示，它形成在襯底上，或者對(duì)襯底部分蝕刻，光強(qiáng)分布如圖6所示。盡管圖示的相移材料圖形為四邊形，但并限于此。當(dāng)然，如果相移材料圖形具有確定的區(qū)域，也可形成細(xì)環(huán)形圖形。
圖6表示通過圖5的相移掩模沿線A-A′的曝光光強(qiáng)分布。圖6的虛線表示能使相移材料顯影的臨界光強(qiáng)。也就是說，虛線之下的光強(qiáng)不能使相移材料顯影，這是由于相移材料蝕刻部分的外周邊光強(qiáng)非常低。
圖7是由圖5的相移掩模顯影的光致抗蝕劑圖形。
參看圖8A-8D，說明采用圖7的光致抗蝕劑圖形形成電荷存儲(chǔ)電極的方法。
首先，如圖8A所示，在具有有源區(qū)23的襯底21上，形成氧化層22作為層間絕緣層，在有源區(qū)23之上，通過對(duì)氧化層22的一部分蝕刻來形成接觸孔，作為電荷存儲(chǔ)電極的多晶硅層24，通過接觸孔與有源區(qū)23接觸。在上述結(jié)構(gòu)上形成氧化層25用于平面化，由圖5的相移掩模顯影的光致抗蝕劑圖形26形成在氧化層25上。
接著，如圖8B所示，利用光致抗蝕劑圖形26作為蝕刻掩模，依次蝕刻氧化層25和多晶硅層24，在所得結(jié)構(gòu)上形成多晶硅層27。尤其是，為了防止多晶硅層27被蝕刻時(shí)，多晶硅層27被切斷，圖8A中的光致抗蝕劑圖形26必須精確地定位，并且必須精確地控制多晶硅層27的蝕刻速率。
如圖8C所示，對(duì)多晶硅層27做各向同性地腐蝕，以便在氧化層25的側(cè)壁上和多晶硅層24上形成間隔物多晶硅層28。
最后，如圖8D所示，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，通過蝕刻氧化層25，形成電荷存儲(chǔ)電極。此時(shí)，可對(duì)氧化層22的上部進(jìn)行蝕刻，以便增大電荷存儲(chǔ)電極的表面積。
以下，說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電荷存儲(chǔ)電極的形成方法。
第二實(shí)施例的相移材料具有突出部分。所以，曝光分布可分為兩部分。圖10展示了通過圖9的相移掩模沿線A-A′的曝光光強(qiáng)分布，圖11展示了通過圖9的相移掩模沿線B-B′的曝光光強(qiáng)分布，與圖6方式相同。
而且，由圖9的相移掩模顯影的光致抗蝕劑圖形如圖12所示，圖13是沿圖12的線C-C′的光致抗蝕劑圖形的截面圖。
圖14A-14D展示了采用圖12的光致抗蝕劑圖形，沿線C-C′，形成電荷存儲(chǔ)電極的方法。如圖14A-14D所示，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電荷存儲(chǔ)電極的形成方法，按與圖8A-8D所述工藝相同的方式完成。而且，與圖8A-8D相同的標(biāo)號(hào)表示相同的層。
在第二實(shí)施例中，如圖12所示，光致抗蝕劑圖形可以解決如下問題，即相移材料在第一實(shí)施例所述的接觸孔中心之上不能精確定位產(chǎn)生的問題。這就是說，接觸部分(標(biāo)號(hào)D)的部位不同于相移材料的中心部位C。電荷存儲(chǔ)電極與突出部分D之下的有源區(qū)接觸，從而克服了不良接觸，并無需對(duì)多晶硅層24的腐蝕速率精確控制。采用以下原則，可以優(yōu)化設(shè)計(jì)，如圖3所示，當(dāng)相移材料寬度遠(yuǎn)寬于曝光波長(zhǎng)時(shí)形成環(huán)形圖形，而當(dāng)相移材料寬度接近于或窄于曝光波長(zhǎng)時(shí)不形成環(huán)形圖形。
圖15展示了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例，具有電荷存儲(chǔ)電極圖形的相移掩模。圖15中，單元尺寸是0.5μm×1.0μm，設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)為0.25μm。此相移掩?？捎糜?56M器件。
圖16展示了由圖15的相移掩模和KrF激光(波長(zhǎng)為248nm)顯影的光致抗蝕劑圖形。
如上所述，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)，通過去掉在雙圓筒狀結(jié)構(gòu)中的不良接觸，使具有電荷存儲(chǔ)電極的存儲(chǔ)器件的可靠性得以改善；電荷存儲(chǔ)電極的表面可以容易地增加20％-80％。
權(quán)利要求
1.一種在存儲(chǔ)器件中制造電荷存儲(chǔ)電極的方法，包括如下步驟在具有有源區(qū)的襯底上淀積第一絕緣層；蝕刻所述第一絕緣層，以便形成接觸孔，曝露出所述有源區(qū)；形成第一導(dǎo)電層，通過接觸孔與有源區(qū)接觸；在所述導(dǎo)電層上淀積第二絕緣層用于平面化；在所述第二絕緣層上淀積光致抗蝕劑層；利用相移掩模對(duì)所述光致抗蝕劑層曝光，所述相移掩模具有寬度寬于曝光波長(zhǎng)的相移材料圖形，從而顯影出細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；利用所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層作為蝕刻掩模，對(duì)所述第二絕緣層和所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻；去除所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；在所得結(jié)構(gòu)上淀積第二導(dǎo)電層；對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行各向同性腐蝕；去除所述第二絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中去除所述第二絕緣層的步驟還包括去除所述第一絕緣層的上部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述相移材料圖形的層厚約是1/2(n-1)(其中n是相移材料的折射率)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述相移材料圖形由無機(jī)材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述相移材料圖形由有機(jī)材料制成。
6.一種在存儲(chǔ)器件中制造電荷存儲(chǔ)電極的方法，包括如下步驟在具有有源區(qū)的襯底上淀積第一絕緣層；蝕刻所述第一絕緣層，以便形成接觸孔，曝露出所述有源區(qū)；形成第一導(dǎo)電層，通過接觸孔與有源區(qū)接觸；在所述導(dǎo)電層上淀積第二絕緣層用于平面化；在所述第二絕緣層上淀積光致抗蝕劑層；利用相移掩模對(duì)所述光致抗蝕劑層曝光，所述相移掩模具有寬度寬于曝光波長(zhǎng)的被蝕刻部分，從而顯影出細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；利用所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層作為蝕刻掩模，對(duì)所述第二絕緣層和所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻；去除所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；在所得結(jié)構(gòu)上淀積第二導(dǎo)電層；對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行各向同性腐蝕；去除所述第二絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中去除所述第二絕緣層的步驟還包括去除所述第一絕緣層的上部。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述相移材料圖形的層厚約為1/2(n-1)(其中n是相移材料的折射率)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述相移材料圖形由無機(jī)材料制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述相移材料圖形由有機(jī)材料制成。
11.一種在存儲(chǔ)器件中制造電荷存儲(chǔ)電極的方法，包括如下步驟在具有有源區(qū)的襯底上淀積第一絕緣層；蝕刻所述第一絕緣層，以便形成接觸孔，曝露出所述有源區(qū)；形成第一導(dǎo)電層，通過接觸孔與有源區(qū)接觸；在所述導(dǎo)電層上淀積第二絕緣層用于平面化；在所述第二絕緣層上淀積光致抗蝕劑層；利用相移掩模對(duì)所述光致抗蝕劑層曝光，所述相移掩模具有寬度寬于曝光波長(zhǎng)的相移材料圖形，并具有從所述相移材料圖形突出的部分，其寬度窄于曝光波長(zhǎng)，從而顯影出細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；利用所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層作為蝕刻掩模，對(duì)所述第二絕緣層和所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻；去除所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；在所述結(jié)構(gòu)上淀積第二導(dǎo)電層；對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行各向同性腐蝕；去除所述第二絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中去除所述第二絕緣層的步驟還包括去除所述第一絕緣層的上部。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述相移材料圖形的層厚約為1/2(n-1)(其中n是相移材料的折射率)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述相移材料圖形由無機(jī)材料制成。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述相移材料圖形由有機(jī)材料制成。
16.一種在存儲(chǔ)器件中制造電荷存儲(chǔ)電極的方法，包括如下步驟在具有有源區(qū)的襯底上淀積第一絕緣層；蝕刻所述第一絕緣層，以便形成接觸孔，曝露出所述有源區(qū)；形成第一導(dǎo)電層，通過接觸孔與有源區(qū)接觸；在所述導(dǎo)電層上淀積第二絕緣層用于平面化；在所述第二絕緣層上淀積光致抗蝕劑層；利用相移掩模對(duì)所述光致抗蝕劑層曝光，所述相移掩模具有寬度寬于曝光波長(zhǎng)的被蝕刻部分，并具有從所述被蝕刻部分突出的部分，其寬度窄于所述曝光波長(zhǎng)，從而顯影出細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；利用所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層作為蝕刻掩模，對(duì)所述第二絕緣層和所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻；去除所述細(xì)環(huán)形光致抗蝕劑層；在所得結(jié)構(gòu)上淀積第二導(dǎo)電層；對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行各向同性腐蝕；去除所述第二絕緣層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中去除所述第二絕緣層的步驟還包括去除所述第一絕緣層的上部。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述相移材料圖形的層厚約為1/2(n-1)(其中n是相移材料的折射率)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述相移材料圖形由無機(jī)材料制成。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述相移材料圖形由有機(jī)材料制成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在半導(dǎo)體器件中制造細(xì)環(huán)形電荷存儲(chǔ)電極的方法，利用相移掩模，能容易地形成具有雙圓筒狀結(jié)構(gòu)和細(xì)環(huán)形圖形的電荷存儲(chǔ)電極，該細(xì)環(huán)形圖形小于光源波長(zhǎng)。因此，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，通過消除在雙圓筒狀結(jié)構(gòu)中的不良接觸，可以改善具有電荷存儲(chǔ)電極的存儲(chǔ)器件的可靠性；電荷存儲(chǔ)電極的表面可容易地增加20％-80％。
文檔編號(hào)H01L21/8242GK1115115SQ95109438
公開日1996年1月17日 申請(qǐng)日期1995年7月8日 優(yōu)先權(quán)日1994年7月8日
發(fā)明者安昌男, 許翼范, 金興一, 文承燦, 李一浩 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社