專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用薄膜半導(dǎo)體的有源矩陣方法的液晶顯示裝置，該方法應(yīng)用于這類顯示圖像和字符信息的OA(辦公室自動(dòng)化)裝置上。
在已有的液晶顯示裝置中，通常提供一個(gè)與液晶電容器并聯(lián)的附加電容器，從而通過(guò)防止因TFT(薄膜晶體管)泄漏電流引起的液晶驅(qū)動(dòng)電壓的減小及因沾污引起的液晶材料的電阻的減小，和因TFT柵極與源極間的寄生電容導(dǎo)致的場(chǎng)擊穿(field—through)電壓而引起的液晶驅(qū)動(dòng)信號(hào)直流成分疊加，改善了圖像質(zhì)量。組成附加電容器的結(jié)構(gòu)有各種各樣。例如，作為第一種已有技術(shù)，在日本公開特許公報(bào)No.137826/1990中揭示了一種帶有氧化鉭(Ta2O5)層和氮化硅(SiN)層兩層絕緣層的電容器。
而且，由于縮短TFT襯底制造過(guò)程可以有效地降低生產(chǎn)成本，所以，例如作為第二種已有技術(shù)，在日本公開特許公報(bào)No.228632/1990中揭示了一種通過(guò)采用同一光掩模(這減少了光刻蝕處理環(huán)節(jié))處理由構(gòu)成TFT的半導(dǎo)體層和構(gòu)成柵極絕緣膜的SiN來(lái)減少制造環(huán)節(jié)的方法。該技術(shù)的特點(diǎn)是附加電容器的電介質(zhì)層由半導(dǎo)體層和SiN層兩層組成。
由于SiN薄膜和半導(dǎo)體薄膜的光刻處理必須分別采用不同的光掩模以在TFT部分保留半導(dǎo)體層圖案而在附加電容器部分去除半導(dǎo)體薄膜，所以第一種已有技術(shù)的制造過(guò)程較長(zhǎng)。
如果采用第二種已有技術(shù)所揭示的由SiN薄膜和半導(dǎo)體薄膜組成的附加電容器，那么由于在驅(qū)動(dòng)像素的圖像保持期間液晶施加電壓要衰減和無(wú)法得到電荷保持效應(yīng)(這是采用附加電容器的主要目的)，所以顯示性能不大好。
本發(fā)明的目的是提供一種制造過(guò)程短而圖像質(zhì)量好的液晶顯示裝置。
在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，液晶顯示裝置帶有多個(gè)掃描電極、與掃描電極按矩陣狀態(tài)相交并構(gòu)成多個(gè)像素的多個(gè)圖像數(shù)據(jù)電極、安裝有與掃描電極和圖像數(shù)據(jù)電極交點(diǎn)附近相連的薄膜晶體管的有源矩陣襯底和連至薄膜晶體管的像素電極、與有源矩陣襯底相對(duì)的對(duì)面的襯底以及介于有源矩陣襯底和對(duì)面的襯底之間的液晶層，顯示裝置還包括附加電容器，每一電容器由位于多個(gè)像素的每個(gè)像素內(nèi)的每個(gè)像素電極、另一個(gè)掃描電極、相鄰的連于某個(gè)薄膜晶體管的一個(gè)掃描電極以及形成于一個(gè)掃描電極上的絕緣薄膜構(gòu)成；以及構(gòu)成每個(gè)薄膜半導(dǎo)體的半導(dǎo)體薄膜和柵極絕緣薄膜，兩種薄膜的平面形狀幾乎相同。
在上述顯示裝置結(jié)構(gòu)中，由于組成每個(gè)薄膜晶體管的半導(dǎo)體薄膜和柵極絕緣薄膜平面形狀幾乎相同，所以可以用同一光學(xué)掩膜加工，這樣就減少了制造過(guò)程的環(huán)節(jié)。
而且，由于提供了由每個(gè)像素電極、與連至每個(gè)像素內(nèi)一個(gè)薄膜晶體管的掃描電極相鄰的掃描電極以及形成于其中一個(gè)掃描電極上的絕緣薄膜構(gòu)成的電容器而避免形成帶有半導(dǎo)體層和絕緣薄膜兩層的電容器，所以也能獲得較好的圖像質(zhì)量。并且，在制造過(guò)程中像素電極與絕緣薄膜的界面不與化學(xué)試劑接觸，所以可以防止絕緣耐壓性能的下降。
在本發(fā)明中，還可以通過(guò)在與安裝掃描電極的同一襯底上提供公共電極，形成絕緣薄膜覆蓋每個(gè)公共電極，并在絕緣薄膜上形成每個(gè)像素電極而構(gòu)成附加電容器。在這種結(jié)構(gòu)中，由于掃描電極的負(fù)載電容減小并且減少了掃描信號(hào)的傳播延遲，所以即使是大屏幕或高分辨率屏幕，圖像質(zhì)量也較好。
其次，在本發(fā)明中，掃描電極圖案或公共電極圖案的側(cè)面處理為漸變狀。利用這種漸變狀，可以防止像素電極在掃描電極圖案或公共電極圖案的不同的側(cè)面的水平面折斷。而且，由于避免了電極圖案角頂處的電場(chǎng)集中，所以確保了較高的絕緣耐壓。
每個(gè)掃描電極或公共電極由兩層或兩層以上的鋁(Al)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鈮(Nb)、鋯(Zr)、釩(V)和鉿(Hf)組成的金屬膜、合金膜或金屬氮化物膜疊加而成的化合物層組成。如果采用這種復(fù)合層構(gòu)成電極，由于形成了一層絕緣性能良好的自氧化膜，所以進(jìn)一步提高了絕緣耐壓。特別是，如果掃描電極和公共電極由主成分為鋁(Al)的合金構(gòu)成，那么由于掃描電極和分菜電極的電阻減小，所以掃描信號(hào)傳播延遲減少，從而便于實(shí)現(xiàn)大屏幕和高分辨屏幕顯示。而且，由于鋁(Al)膜的自氧化形成的氧化鋁膜非常穩(wěn)定并且難以被通常半導(dǎo)體處理中的氣體或化學(xué)試劑腐蝕，所以成品率較高。同時(shí)，在包含形成于襯底上的掃描電極的過(guò)程、形成覆蓋掃描電極的絕緣氧化物膜的過(guò)程和形成像素電極的過(guò)程的制造過(guò)程中，由于像素電極與絕緣膜之間的界面沒(méi)有接觸化學(xué)試劑，所以可以防止絕緣耐壓的下降。
通過(guò)以下借助附圖的詳細(xì)描述將能更清楚地理解本發(fā)明這些和其他的目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。附圖包括

圖1為本發(fā)明液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例的單元像素的剖面圖；圖2為本發(fā)明液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)施例的單元像素的剖面圖；圖3為本發(fā)明液晶顯示裝置另一個(gè)實(shí)施例的平面圖。
圖4為本發(fā)明液晶顯示裝置又一個(gè)實(shí)施例的剖面圖。
圖5為本發(fā)明液晶顯示裝置又一個(gè)實(shí)施例的平面圖。
圖6為本發(fā)明液晶顯示裝置又一個(gè)實(shí)施例的剖面圖。
圖7為本發(fā)明液晶顯示裝置又一個(gè)實(shí)施例的平面圖。
圖8為本發(fā)明液晶顯示裝置又一個(gè)實(shí)施例的剖面圖。
圖9為本發(fā)明液晶顯示裝置又一個(gè)實(shí)施例的平面圖。
圖10為解釋圖6和圖7所示實(shí)施例制造過(guò)程其中一個(gè)步驟的示意圖；圖11為解釋圖6和圖7所示實(shí)施例制造過(guò)程其中一個(gè)步驟的示意圖；圖12為解釋圖6和圖7所示實(shí)施例制造過(guò)程其中一個(gè)步驟的示意圖；圖13為解釋圖6和圖7所示實(shí)施例制造過(guò)程其中一個(gè)步驟的示意圖；圖14為解釋圖6和圖7所示實(shí)施例制造過(guò)程其中一個(gè)步驟的示意圖；圖15為解釋圖6和圖7所示實(shí)施例制造過(guò)程其中一個(gè)步驟的示意圖；圖16表示自氧化膜的絕緣耐壓與鋁(Al)合金中包含鈦(Ti)、鉭(Ta)重量之和的關(guān)系；圖17為本發(fā)明一個(gè)液晶顯示裝置實(shí)例的剖面圖；圖18為表示在本發(fā)明液晶顯示裝置中像素安排實(shí)例的示意圖；圖19為本發(fā)明整個(gè)液晶顯示裝置的等效電路圖。
以下將參照附圖在實(shí)施例的基礎(chǔ)上闡述本發(fā)明。
圖1表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例單元像素的剖面圖。鋁制的掃描電極10形成于玻璃襯底1上面并在其表面覆蓋一層氧化鋁膜20。把掃描電極圖案的端部處理為漸變狀。在氧化鋁膜20上，形成有包括由SiN薄膜制成的柵極絕緣膜21、非晶硅(α—Si)膜30、n型α—Si膜31、圖像數(shù)據(jù)電極14以及源極電極15的TFT。在玻璃襯底1上，形成有銦錫氧化物(ITO)膜制成的像素電極13并且電極13的一個(gè)端子側(cè)與源極電極15相連。像素電極13的另一個(gè)端子側(cè)跨越表面形成氧化鋁膜的相鄰掃描電極10并形成附加電容器。隨后，形成一層由SiN膜制成的保護(hù)絕緣膜23從而覆蓋住TFT和附加電容器。
本實(shí)施例的特征在于，像素電極13和掃描電極10形成于同一平面上，而附加電容器由跨越相鄰掃描電極的像素電極端子側(cè)構(gòu)成。由于上述結(jié)構(gòu)可以避免形成包括半導(dǎo)體層和絕緣層兩層的電容器，所以可以防止液晶施加電壓在圖像保持期間衰減，實(shí)現(xiàn)了好的圖像保持特性。而且，由于構(gòu)成附加電容器的氧化鋁膜20被像素電極13覆蓋并且在源極電極15、圖像數(shù)據(jù)電極14或柵極絕緣薄膜21的制造過(guò)程中不暴露在腐蝕液體或氣體中，所以獲得了好的絕緣性能。本實(shí)施例的另外一個(gè)特征是由于掃描電極的側(cè)面處理為漸變形，所以可以防止位于相鄰掃描電極不同平面部分的像素電極斷裂。而且，由于防止了在圖案邊緣處的電場(chǎng)集中，所以改善了絕緣性能。
圖2表示本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的單位像素的剖面圖。本實(shí)施例的特征在于，α—Si膜30和柵極絕緣膜21處理成具有幾乎相同的平面形狀，而保護(hù)電極16形成于位于掃描電極10的不同水平面的像素電極上。這樣，由于可以通過(guò)使兩種膜具有幾乎相同的平面形狀而在一個(gè)光刻過(guò)程中處理α—Si膜和柵極絕緣膜，所以縮短了制造過(guò)程。而且，由于可以通過(guò)在位于掃描電極10的不同水平面的像素電極上形成保護(hù)電極而減少像素電極發(fā)生斷裂的可能性，所以提高了液晶顯示裝置的成品率。
圖3表示圖2所示本發(fā)明的另一實(shí)施例單元像素的平面圖。α—Si薄膜和柵極絕緣薄膜21不僅形成于TFT而且也沿圖像數(shù)據(jù)電極14形成。于是，由于通過(guò)上述結(jié)構(gòu)減輕了在掃描電極不同水平面上的不良效應(yīng)，所以可以防止不同水平面上圖像數(shù)據(jù)電極的斷裂。而且，由于通過(guò)具有良好可見(jiàn)光吸收特性的α—Si薄膜可以削弱來(lái)自圖像數(shù)據(jù)電極14背面的光反射，所以可以提供光反射少而圖像清晰的液晶顯示裝置。
圖4和圖5分別表示本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的單位像素的剖面圖和平面圖。本實(shí)施例的特征在于，α—Si薄膜30和柵極絕緣薄膜21的圖案形成于附加電容器部分的掃描電極的不同水平面上。如果在不同的部分形成用于像素電極的銦錫氧化物(ITO)電極，那么電極就從不同水平面的圖案部分分裂成楔形。如果開裂部分在以后的處理中暴露在腐蝕氣體或液體中，那么腐蝕氣體或液體就會(huì)從開裂處滲入像素電極13與氧化鋁膜20之間的界面并影響絕緣性能。于是，由于可以通過(guò)本實(shí)施例所述的柵極絕緣薄膜21保護(hù)不同的水平面部分而防止腐蝕氣體或液體滲入，所以提高了成品率。
圖6和圖7分別表示本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的單位像素的剖面圖和平面圖。本實(shí)施例的特征在于，α—Si薄膜30、n型α—Si薄膜31和柵極絕緣薄膜21形成于附加電容器部分的掃描電極的不同水平面上，形成保護(hù)電極16以跨越α—Si薄膜30、n型α—Si薄膜31和柵極絕緣薄膜21的圖案。于是，與圖4和圖5所示的實(shí)施例一樣，通過(guò)在柵極絕緣薄膜21保護(hù)不同的水平面部分可以防止腐蝕氣體或液體的滲入。
圖8和圖9分別表示本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的單元像素的剖面圖和平面圖。在玻璃襯底1上，形成有銦錫氧化物(ITO)制成的像素電極13并且其一個(gè)端子側(cè)與源極電極15相連，另一個(gè)端子側(cè)跨越相鄰的表面形成有氧化鋁膜的公共電極11并形成附加電容器。而且，在本實(shí)施例中，由于通過(guò)形成與掃描電極分離的公共電極可以減小掃描電極的負(fù)載電容并減少掃描信號(hào)的傳播延遲，所以即使在大屏幕或高分辨率屏幕情況下也可以獲得良好的圖像質(zhì)量。
接下來(lái)借助附圖10—15解釋本發(fā)明的TFT襯底的制造過(guò)程。
首先，如圖10所示，通過(guò)濺射方法將300nm厚的鋁(Al)膜疊層到玻璃襯底1上，利用光刻方法以預(yù)先確定形狀的鋁(Al)膜圖案形成掃描電極10。
接下來(lái)，如圖11所示，利用陽(yáng)極氧化方法在每個(gè)掃描電極上形成氧化鋁膜20。陽(yáng)極氧化是在加有乙二醇的PH值由氨水調(diào)節(jié)為7左右酒石酸溶液中進(jìn)行。利用該方法，在145V下獲得200nm左右厚的氧化鋁膜。
接著，如圖12所示，利用濺射方法在玻璃襯底1上疊加120nm厚的銦錫氧化物(ITO)薄膜，而像素電極13由ITO薄膜圖案形成預(yù)定的形狀。并且，形成每個(gè)像素電極從而跨越相鄰的其表面形成氧化鋁膜的掃描電極的一部分。上述部分用于制造附加電容器。于是，由于通過(guò)在形成氧化鋁膜后立即形成附加電容器的上電極而使附加電容器的氧化鋁膜不在以后處理中暴露于腐蝕氣體或液體中，所以保持了良好的絕緣耐壓。
接著，如圖13所示，連續(xù)形成用作TFT柵極絕緣薄膜的SiN薄膜21、本征非晶硅薄膜30和n型非晶硅薄膜31。利用硅烷SiH4、氫氣(H2)和氨氣(NH3)作材料氣體在襯底溫度為300℃下形成200nm的SiN薄膜。利用SiH4作材料氣體，在襯底溫度為250℃下形成250nm的本征Si薄膜。利用硅烷(SiH4)和氫化磷(PH3)作材料氣體，在襯底溫度為250℃下形成50nm的n型Si薄膜。然后，比較好的做法是將掃描電極10的電位設(shè)置為地電位。通過(guò)這樣的設(shè)置，由于即使在等離子體中帶電粒子注入襯底時(shí)也能避免CVD處理中的充電效應(yīng)，所以可以防止處理中氧化鉛膜的電介質(zhì)擊穿。由于掃描電極形成于寬的區(qū)域，所以掃描電極很容易使微粒帶電。這樣，由于所形成電容器的電容小于1PF，所以如果不將電位設(shè)置為上述中和方式，很容易使所形成的電容器發(fā)生電介質(zhì)擊穿。利用同一光刻掩模，SiN薄膜21、本征非晶硅薄膜30和n型非晶硅薄膜31連續(xù)制成具有相同平面形狀的圖案。接下來(lái)，由于在六氟化硫SF6氣體的刻蝕過(guò)程中本征非晶硅薄膜30與n型Si薄膜31的刻蝕速率大于SiN薄膜21的刻蝕速率，所以整個(gè)刻蝕薄膜成為漸變狀。漸變狀薄膜有效地防止了后形成的上電極在不同水平面處斷裂。而且，通過(guò)在附加電容器的掃描電極的不同水平面處形成本征非晶硅薄膜30、n型本征Si薄膜31和SiN薄膜21，由于避免了電容器部分的氧化鋁膜在以后的處理中暴露在腐蝕氣體或液體中，所以保持了良好的絕緣耐壓。
接著，如圖14所示，利用濺射方法在玻璃襯底1上分別形成50和400nm厚的Cr膜和Al膜，而圖像數(shù)據(jù)電極14、源極電極15和附加電容器的保護(hù)電極16通過(guò)使薄膜具有預(yù)定形狀的圖案而形成。
最后，如圖15所示，通過(guò)在TFT部分與附加電容器部分形成保護(hù)SiN薄膜23完成TFT的制造。在上述實(shí)施例中，鋁Al用于掃描電極10和公共電極12，而其自氧化膜的氧化鋁膜用作附加電容器的電介質(zhì)。但是，形成電極的材料并不局限于鋁(Al)，還可以是其他的自氧化膜具有良好絕緣特性的鉭(Ta)、鈦(Ti)、鈮(Nb)、釩(V)、鉿(Hf)等材料。由于利用氮化物可以抑制泄漏電流，所以用上述金屬的氮化物更好。
而且，從改善絕緣耐壓的觀點(diǎn)出發(fā)，如果合金主成分為鋁(Al)，特別應(yīng)該使鈦(Ti)和鉭(Ta)的重量之和在合金中占0.8—8.5％。圖16表示了絕緣耐壓與鋁(Al)合金中鈦(Ti)和鉭(Ta)含量總和之間的關(guān)系。如果含量超出上述范圍，絕緣耐壓就會(huì)下降。也就是說(shuō)，通過(guò)采用鈦(Ti)和鉭(Ta)重量含量總和為0.8—8.5％的鋁(Al)合金可以獲得良好的絕緣耐壓性能。
圖17表示本發(fā)明液晶顯示裝置實(shí)例典型的剖面圖。在如圖所示襯底1的下側(cè)，掃描電極10和圖像數(shù)據(jù)電極14以矩陣形式形成，并且這些電極的每一對(duì)都通過(guò)形成于電極矩陣交點(diǎn)附近的TFT驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素電極13。并且，在藉液晶層506與襯底1對(duì)著的襯底508上，形成有由ITO制成的對(duì)面的電極510、濾色片507、濾色片的保護(hù)膜511和形成遮擋黑色矩陣圖案的遮擋薄膜512。圖17的中央部分表示一個(gè)像素區(qū)域的剖面圖。圖的左邊表示襯底對(duì)1和508左端側(cè)面部分的剖面圖，其中設(shè)有引出線端，而圖的右邊是不包括引出線端的右端側(cè)面部分。位于左、右側(cè)的符號(hào)SL表示密封，用來(lái)密封液晶層并沿除液晶注入口(圖中未畫出)以外的襯底對(duì)1和508的整個(gè)邊緣形成。作為密封材料，例如采用環(huán)氧樹脂。對(duì)面的玻璃襯底508上的對(duì)面的電極510連至通過(guò)在玻璃襯底1上至少一點(diǎn)采用銀糊SIL形成的引線130。引線130在制造掃描電極10、源極電極15和圖像數(shù)據(jù)電極14的同一過(guò)程中形成。取向薄膜ORI1和ORI2、像素電極13、保護(hù)薄膜23、濾色片的保護(hù)薄膜511和柵極SiN薄膜形成于密封SL內(nèi)部。在每一玻璃襯底對(duì)1和508的外表面上形成偏振片。
液晶層506包容在使液晶分子按一定方向排列的下取向薄膜ORI1與上取向薄膜ORI2之間，并由密封SL加以密封。下取向膜ORI1形成于玻璃襯底1一側(cè)的保護(hù)膜23上。在對(duì)著的玻璃襯底的內(nèi)表面上，連結(jié)疊加遮擋薄膜510、濾色片507、濾色片的保護(hù)膜511、對(duì)著的電極510和上取向薄膜ORI2。玻璃襯底1和對(duì)著的玻璃襯底508上的層分別獨(dú)立制造。然后，通過(guò)在下面的玻璃襯底1上疊加上面的玻璃襯底508并在襯底之間包容液晶506，構(gòu)成了液晶顯示裝置。通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了通過(guò)像素電極13調(diào)整來(lái)自背面照明(back light)BL的透射光的TFT驅(qū)動(dòng)型彩色液晶顯示裝置。
圖18表示TFT襯底上像素安排的平面圖。多個(gè)像素沿掃描電極延伸方向排列并組成一個(gè)個(gè)像素列X1、X2…。在每個(gè)像素列X1、X2…的每個(gè)像素中，TFT、像素電極13和附加電容器16位于同一位置。每個(gè)圖像數(shù)據(jù)電極14安排得與其中一個(gè)掃描電極10相交并通過(guò)TFT連至每個(gè)像素列的一個(gè)像素電極上。
圖19表示整個(gè)顯示裝置的等效電路。XiG、Xi＋1G…是連接形成有綠色濾光片G的像素的圖像數(shù)據(jù)電極。同樣，XiB、Xi＋1B…是連接形成有藍(lán)色濾光片的像素的圖像數(shù)據(jù)電極，以及XiR、Xi＋1R…是連接形成有紅色濾光片R的像素的圖像數(shù)據(jù)電極。Yi、Yi＋1…為選擇像素列X1、X2…的掃描電極10并且與垂直掃描電路V相連。圖像數(shù)據(jù)電極與圖像數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路H相連。電源電路SUP包括通過(guò)劃分電壓源獲得穩(wěn)壓源的電源電路和將來(lái)自主裝置(上面的信息處理裝置)的陰極射線管的信息轉(zhuǎn)換為液晶顯示面板的信息的電路。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括多個(gè)掃描電極、與所述掃描電極按矩陣狀態(tài)相交并構(gòu)成多個(gè)像素的多個(gè)圖像數(shù)據(jù)電極、安裝有與所述掃描電極和圖像數(shù)據(jù)電極交點(diǎn)附近相連的薄膜晶體管的有源矩陣襯底和連至所述薄膜晶體管的像素電極、與所述有源矩陣襯底相對(duì)的對(duì)面的襯底以及介于所述有源襯底和所述對(duì)面的襯底之間的液晶層，其特征在于包含附加電容器，每一所述電容器由位于所述多個(gè)像素的每個(gè)像素內(nèi)的每個(gè)所述像素電極、另一個(gè)所述掃描電極、相鄰的與某個(gè)所述薄膜晶體管相連的一個(gè)所述掃描電極以及形成于一個(gè)所述掃描電極上的絕緣薄膜構(gòu)成；以及構(gòu)成每個(gè)所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體薄膜和柵極絕緣薄膜，所述兩種薄膜的平面形狀幾乎相同。
2.一種如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述的每層絕緣膜為由氧化各個(gè)所述掃描電極而形成的自氧化膜。
3.一種液晶顯示裝置，包含多個(gè)掃描電極、與所述掃描電極按矩陣狀態(tài)相交并構(gòu)成多個(gè)像素的多個(gè)圖像數(shù)據(jù)電極、提供于所述多個(gè)像素內(nèi)的所述多個(gè)掃描電極之間的多個(gè)公共電極、安裝連于所述掃描電極和所述圖像數(shù)據(jù)交點(diǎn)附近的薄膜晶體管和連于所述薄膜晶體管的像素電極的有源矩陣襯底、與所述有源矩陣襯底相對(duì)的對(duì)面的襯底以及放于所述有效矩陣襯底與所述對(duì)面的襯底之間的液晶層，其特征在于包含附加電容器，每一所述電容器由位于所述多個(gè)像素的每個(gè)像素內(nèi)的每個(gè)所述像素電極、另一個(gè)所述掃描電極、相鄰的與某個(gè)所述薄膜晶體管相連的一個(gè)所述掃描電極以及形成于一個(gè)所述掃描電極上的絕緣薄膜構(gòu)成；以及構(gòu)成每個(gè)所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體薄膜和柵極絕緣薄膜，所述兩種薄膜的平面形狀幾乎相同。
4.一種如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置；其特征在于，所述的每層絕緣膜為由氧化各個(gè)所述掃描電極而形成的自氧化膜。
5.一種如權(quán)利要求1或3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體薄膜的每個(gè)圖案和每層所述柵極絕緣薄膜形成于每個(gè)所述薄膜晶體管和每個(gè)所述圖像數(shù)據(jù)電極之下。
6.一種如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，每個(gè)所述掃描電極的側(cè)面處理為漸變形狀。
7.一種如權(quán)利要求3或4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，每個(gè)所述公共電極的側(cè)面處理為漸變形狀。
8.一種如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述掃描電極由鋁(Al)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、釩(V)和(Hf)組中的一種金屬膜，所述組中金屬的合金膜或由所述組中金屬氮化物合金構(gòu)成。
9.一種如權(quán)利要求3或4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述掃描電極和所述公共電極由鋁(Al)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、釩(V)和鉿(Hf)組中一種金屬膜，所述組中金屬的合金膜或所述組中金屬氮化物合金構(gòu)成。
10.一種如權(quán)利要求1或2所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述掃描電極由主成分為鋁并含有鈦和鉭的合金構(gòu)成，所述合金中鈦和鉭之和占0.8—8.5重量％。
11.一種如權(quán)利要求3或4所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述掃描電極和所述公共電極由主成分為鋁并含有鈦和鉭的合金構(gòu)成，所述合金中鈦和鉭之和占0.8—8.5重量％。
12.一種如權(quán)利要求1—4所述液晶顯示裝置，其特征在于，疊加在所述每層絕緣薄膜上的每個(gè)所述像素電極的一部分覆蓋有所述柵極絕緣薄膜。
13.一種液晶顯示裝置的制造手法，其特征在于包括以下步驟在襯底上形成掃描電極；形成絕緣薄膜以覆蓋所述掃描電極；以及在所述絕緣薄膜上形成像素電極。
14.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于包括以下步驟在襯底上形成掃描電極；形成絕緣薄膜以覆蓋所述掃描電極；在所述絕緣薄膜上形成像素電極；將所述柵極絕緣薄膜和所述半導(dǎo)體薄膜疊加到所述襯底上；以及將所述柵極絕緣薄膜和所述半導(dǎo)體薄膜處理為具有幾乎相同的平面形狀。
全文摘要
一種液晶顯示裝置，其附加電容器由位于多個(gè)像素的每個(gè)像素內(nèi)的每個(gè)所述像素電極、另一個(gè)所述掃描電極、鄰近的與某個(gè)所述薄膜晶體管相連的一個(gè)所述掃描電極以及形成于一個(gè)所述掃描電極上的絕緣薄膜構(gòu)成；構(gòu)成每個(gè)所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體薄膜和柵極絕緣薄膜，所述前兩種薄膜的平面形狀幾乎相同。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1126844SQ9510959
公開日1996年7月17日 申請(qǐng)日期1995年10月27日 優(yōu)先權(quán)日1994年10月28日
發(fā)明者河內(nèi)玄士朗, 佐藤努, 小川和宏, 阿武恒一, 和久井陽(yáng)行, 阿須間宏明, 石井正宏 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所