專利名稱：表面安裝用片式多層瓷介電容器全銀可鍍端頭漿料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及片式多層瓷介電容器全銀可鍍端頭漿料。
目前片式多層瓷介電容器結(jié)構(gòu)中，一般采用引線型和烙鐵手工焊接型，這種類型的電容器外部電極采用全銀可焊端頭漿料，其耐焊接熱260度，浸漬時(shí)間低于5秒，隨著表面安裝技術(shù)的發(fā)展，自動貼片電容器必須經(jīng)受住高效的波峰焊工藝或紅外回流焊工序，在這一過程中，片式元件要較長時(shí)間直接浸入侵蝕性的高溫焊料中，傳統(tǒng)的全銀或鈀銀電容器端頭難以承受這種惡劣工序。有采用鎳阻擋層三層電鍍工藝，即在銀端頭上電鍍鎳層和錫層(或錫鉛合金層)，該工藝使片式電容器的耐焊接熱性能大大提高，可在260度焊料中，浸漬時(shí)間超過1分鐘，可見，三層電鍍工藝的使用，使得片式電容器端頭電極必須經(jīng)受酸性鍍液這一苛刻環(huán)境，這對端頭電極漿料提出了新的要求。
本發(fā)明的目的是針對上述不足，提出一種表面安裝用片式多層瓷介電容器全銀可鍍端頭漿料，其漿料均勻、細(xì)滑，燒滲后外觀光亮、導(dǎo)電性能良好，經(jīng)酸性電鍍后，不產(chǎn)生延伸橋接現(xiàn)象，具有較高的附著力，滿是生產(chǎn)線工藝要求。
本發(fā)明由下列(重量比)組成，銀粉65～85(Wt)％，其中球狀銀粉和片狀銀粉比例1∶0.3～1.5；玻璃料2～25(Wt)％，玻璃料組成為PbO 40～60(Wt)％，B2O35～15(Wt)％，SiO225～40(Wt)％，添加劑10～25(Wt)％，為Al2O3、CaO、CdO、CuO、L12O、Na2O、NiO、WO3、TiO、ZnO一種或一種以上混合物，有機(jī)載體15～35(Wt)％，其中松香酚醛樹脂20～35(Wt)％，乙基纖維素1～3(Wt)％，松油醇50～65(Wt)％，松節(jié)油7～12(Wt)％，蓖麻油5～12(Wt)％，觸變劑1～2(Wt)％，消泡劑0.05～2(Wt)％。
最佳配方(重量比)組成為銀粉75～80(Wt)％；玻璃料3～6(Wt)％；有機(jī)載體20～25(Wt)％。
我們可從端頭電極附著模型說明本發(fā)明，附

圖1、附圖2、附圖3分別是端頭電極附著模型燒滲前、后、電鍍后三種狀態(tài)，圖1是全銀可鍍端漿涂覆于陶瓷基體表面經(jīng)烘干后所形成的導(dǎo)電圖，1是陶瓷基體，2是端頭漿料，導(dǎo)電層內(nèi)銀粉和無機(jī)填料呈均勻分布狀態(tài)，導(dǎo)電層界面附著在粗糙的陶瓷基體上，圖2是燒滲后的獨(dú)石電容器端頭剖面，3是連續(xù)金屬導(dǎo)體，4是低熔玻璃粘結(jié)區(qū)域，富集于導(dǎo)電層與陶瓷基體表面的玻璃熔體，待冷卻后形成一個(gè)非連續(xù)的牢固的粘結(jié)區(qū)域，具有良好的機(jī)械粘接力，圖3是電鍍后的獨(dú)石電容器的端頭剖面，5是錫層，6是鎳層，7是銀層，電鍍后，致密的銀層上涂上一層熱阻擋鎳層，并在鎳層上鍍一層可焊性良好的錫層成錫鉛層。
本發(fā)明與美國、日本同類漿料實(shí)測數(shù)據(jù)比較，見表1。
現(xiàn)從上述配方中，列舉五個(gè)實(shí)施例來說明鍍前、鍍后電性能以及其附著力。
權(quán)利要求
1.一種表面安裝用片式多層瓷介電容器全銀可鍍端頭漿料，其特征在于其由下列(重量比)組成，銀粉65～85(Wt)％，其中球狀銀粉和片狀銀粉比例1∶0.3～1.5；玻璃料2～25(Wt)％，玻璃料組成為PbO 40～60(Wt)％，B2O35～15(Wt)％，SiO225～40(Wt)％，添加劑10～25(Wt)％，為Al2O3、CaO、CdO、CuO、L12O、Na2O、NiO、WO3、TiO、ZnO一種或一種以上混合物，有機(jī)載體15～35(Wt)％，其中松香酚醛樹脂20～35(Wt)％，乙基纖維素1～3(Wt)％，松油醇50～65(Wt)％，松節(jié)油7～12(Wt)％，蓖麻油5～12(Wt)％，觸變劑1～2(Wt)％，消泡劑0.05～2(Wt)％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面安裝用片式多層瓷介電容器全銀可鍍端頭漿料，其特征在于其由下列(重量比)組成，銀粉75～80(Wt)％；玻璃料3～6(Wt)％；有機(jī)載體20～25(Wt)％。
全文摘要
一種表面安裝用片式多層瓷介電容器全銀可鍍端頭漿料,由銀粉、玻璃料和有機(jī)載體組成,其采用ZnO－Al
文檔編號H01B1/22GK1186314SQ9612145
公開日1998年7月1日 申請日期1996年12月24日 優(yōu)先權(quán)日1996年12月24日
發(fā)明者梁力平, 陳錦清, 劉會沖, 彭國彬, 葉育強(qiáng), 孟淑媛, 張彩云, 莫暖云, 梁偉明, 張尹, 宋子峰 申請人:廣東肇慶風(fēng)華電子工程開發(fā)有限公司