專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，特別是涉及具備有應(yīng)用于半導(dǎo)體襯底和導(dǎo)電層之間接觸區(qū)域的雜質(zhì)濃度分布的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
近年來，隨著半導(dǎo)體集成電路器件的集成度顯著提高，器件的微細(xì)化急速地向前發(fā)展。特別是作為半導(dǎo)體存儲器件，在動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)中，存儲器的集成度隨著存儲容量從64兆位到256兆位，進(jìn)而到千兆位的增加而不斷地提高。作為構(gòu)成這樣地高度集成化了的存儲器的有源器件的場效應(yīng)晶體管和電容器，必須各自具備微細(xì)化的構(gòu)造。另一方面，隨著有源器件的微細(xì)化，與半導(dǎo)體襯底的雜質(zhì)區(qū)域接觸的接觸電極的直徑也已微細(xì)化。
從接觸電極流向半導(dǎo)體襯底的漏電流即便是在每一接觸電極處的電流小時，隨著有源器件的集成，伴隨著在一個器件內(nèi)所能形成的接觸電極個數(shù)的增加，在一個半導(dǎo)體器件中也將變成大的漏電流。今后，在形成高集成化半導(dǎo)體器件時，漏電流在全部耗電中所占的比率就會變得很大。另外，還存在著因有源器件的按比例縮小(scaling)將使得在接觸電極中結(jié)耐壓下降，有源器件，比如說場效應(yīng)晶體管的工作電壓會受到限制的問題。
圖21是表示現(xiàn)有接觸電極構(gòu)造的部分剖面圖。如圖21所示，從p型硅襯底101的表面到規(guī)定的深度為止的區(qū)域中已形成了含有n型雜質(zhì)的n型雜質(zhì)區(qū)域106。在層間絕緣膜115上形成接觸孔116，使得把該n型雜質(zhì)區(qū)域106的表面露出來。還形成了導(dǎo)電層110，比如說電極層、電容器的存儲節(jié)點(diǎn)，使得通過該接觸孔116與n型雜質(zhì)區(qū)域106的表面接觸。
在這樣的接觸電極構(gòu)造中，在形成了接觸孔116之后，根據(jù)需要，要追加防止漏電流用的離子注入，然后，借助于把已摻入了n型雜質(zhì)的多晶硅等的導(dǎo)電性物質(zhì)填到接觸孔116中去的辦法，形成導(dǎo)電層110。
圖22是表示在圖21的XXII位置處的雜質(zhì)濃度分布圖。如圖22所示，硅襯底101，具有已把硼(B)作為p型雜質(zhì)摻入進(jìn)來的雜質(zhì)濃度分布p(B)。n型雜質(zhì)區(qū)域106具有已把磷(P)摻進(jìn)來作為n型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度分布n(P)。表示這兩種雜質(zhì)濃度分布的曲線進(jìn)行交叉的結(jié)點(diǎn)J具有1×1017cm-3左右的濃度。
在具有上述那種雜質(zhì)濃度分布的硅襯底的區(qū)域中，在場效應(yīng)晶體管的閾值電壓調(diào)整用的p型雜質(zhì)區(qū)域或器件隔離絕緣膜之下的區(qū)域中形成的防止反型用的p型雜質(zhì)區(qū)域形成為延伸到整個器件形成區(qū)域。在這種情況下，在圖22中，在淺的p型雜質(zhì)濃度分布p(B)的區(qū)域中，p型雜質(zhì)濃度將上升。這時，結(jié)點(diǎn)J的位置結(jié)果將移往雜質(zhì)濃度高的一側(cè)。在已給導(dǎo)電層111加上電壓的情況下，由于pn結(jié)處的雜質(zhì)濃度高，所以耗盡層難于擴(kuò)展，易于形成電場集中。特別是存在著結(jié)耐壓將因pn結(jié)處的雜質(zhì)濃度的升高而使結(jié)耐壓降低的問題。另外，存在著在接觸電極處的漏電流將因pn結(jié)處的雜質(zhì)濃度的升高而增大的問題。
于是，在特愿平8—26861號(申請日期平成8年2月14日)中，提出了一種用于消除上述那種結(jié)耐壓降低或漏電流的增大的接觸電極構(gòu)造的方案。
圖23是表示上述的專利申請中提出的接觸電極的構(gòu)造的部分剖面圖。如圖23所示，在p型硅襯底上分別形成p型阱形成用摻雜區(qū)域103、p型溝道截止(cbannel cut)區(qū)域(防止反型區(qū)域)104和n型溝道摻雜區(qū)域(閾值電壓調(diào)整用)105使之具有規(guī)定的深度。在層間絕緣膜115上形成了使該n型雜質(zhì)區(qū)域106的表面露出來的接觸孔116。還形成了導(dǎo)電層110，使得通過該接觸孔116與n型雜質(zhì)區(qū)域106的表面接觸。
圖24示出了圖23的XXIV的位置處的雜質(zhì)濃度分布。如圖24所示，p型雜質(zhì)濃度分布p(B)具有使得分別與p型阱形成用摻雜區(qū)域103、p型溝道截止區(qū)域104和p型溝道摻雜區(qū)域105對應(yīng)的雜質(zhì)濃度峰值。n型雜質(zhì)濃度分布n(P)在p型溝道截止區(qū)域104、p型溝道摻雜區(qū)域105的深度位置處，具有比這些雜質(zhì)濃度還高的雜質(zhì)濃度。這樣一來，n型雜質(zhì)濃度分布n(P)在p型雜質(zhì)濃度分布p(B)的極小值X附近有結(jié)點(diǎn)J。
如上所述，pn結(jié)的位置存在于n型雜質(zhì)濃度分布n(P)和p型雜質(zhì)濃度分布p(B)的雙方的雜質(zhì)濃度都小的位置處。為此，與結(jié)點(diǎn)J存在于雜質(zhì)濃度大的位置處的情況相比，即便是加在導(dǎo)電層110上的電壓相同，耗盡層也易于擴(kuò)展，延伸也大，所以，在加到接觸電極上的電壓變大之前，結(jié)不會擊穿，將提高結(jié)耐壓。因此，在pn結(jié)上產(chǎn)生的電場被緩和，減少了接觸電極區(qū)域的漏電流。
圖25是部分剖面圖，它示出應(yīng)用了圖24示出的那種雜質(zhì)濃度分布的DRAM的存儲器部分。如圖25所示，在p型硅襯底101的上邊，中間夾著柵極絕緣膜108形成了柵極電極109。在柵極電極109的兩側(cè)，硅襯底101的表面區(qū)域上形成了一對n型源漏區(qū)域106和107。使之與一方的源漏區(qū)域106的表面接觸那樣地形成了存儲節(jié)點(diǎn)110。形成了電介質(zhì)膜111，使之把存儲節(jié)點(diǎn)110的表面覆蓋起來。形成了單元板(Cell Plate)112使之把電介質(zhì)膜111的表面覆蓋起來。電容器由存儲節(jié)點(diǎn)110和電介質(zhì)膜111及單元板112構(gòu)成。使得與另一方的源漏區(qū)域107接觸那樣地形成了位線113。另外，存儲節(jié)點(diǎn)110通過已形成了層間絕緣膜115的接觸孔116與n型源漏區(qū)域106接觸。n型源漏區(qū)域106由已摻入了砷(As)的區(qū)域和如上述那樣為了提高pn結(jié)的耐壓和抑制漏電流而形成的含磷(P)的區(qū)域構(gòu)成。
圖26示出的是圖25的XXVI的位置處的雜質(zhì)濃度分布。如圖26所示，p型雜質(zhì)濃度分布p(B)分別具有與p型阱形成用的摻雜區(qū)域103、p型溝道截止區(qū)域104和p型溝道摻雜區(qū)域105對應(yīng)的雜質(zhì)濃度峰值。n型雜質(zhì)濃度分布n(P)，在p型溝道截止區(qū)域104和p型溝道摻雜區(qū)域105的位置處具有比這些雜質(zhì)濃度還高的雜質(zhì)濃度。n型雜質(zhì)濃度分布n(P)在p型雜質(zhì)濃度分布p(B)的極小值X的附近有結(jié)點(diǎn)J。這樣一來，就可以獲得因結(jié)耐壓的提高和因電場緩和而得到的漏電流的減少。另外，在圖26中，還示出了為形成本來的源漏區(qū)域的而摻入了砷(As)的n型雜質(zhì)濃度分布，用n(As)表示。
如上所述，在已具備有圖26中所示的那種雜質(zhì)濃度分布DRAM的存儲器部分中，隨著存儲容量的增加，就可以使得場效應(yīng)晶體管微細(xì)化。特別是在具有1兆位左右的存儲容量的DRAM中，在示于圖25的場效應(yīng)晶體管中，柵極長度L將變成為約0.15μm，接觸孔116的側(cè)壁與柵極電極109的側(cè)壁之間的距離D也將變?yōu)榉浅Ｖ?，約為0.075μm。當(dāng)場效應(yīng)晶體管發(fā)展到這樣的微細(xì)化時，在圖26中，p型溝道摻雜區(qū)域105將被形成為很淺且具有很陡峻的濃度梯度。與此同時，如在圖26中用箭頭所表示的那樣，n型源漏區(qū)域106的n型雜質(zhì)濃度分布n(P)在淺的區(qū)域被形成為使之具有較高的雜質(zhì)濃度。結(jié)果是，在圖25中，作為為緩和電場和提高結(jié)耐壓而形成的n型源漏區(qū)域106的一部分而摻入的磷(P)的區(qū)域，如用2點(diǎn)點(diǎn)劃線所示那樣，將形成為在淺區(qū)域濃度變高，在橫向方向上也將進(jìn)行擴(kuò)展。
由于如上述那樣地形成n型源漏區(qū)域106，故將產(chǎn)生下述問題。
首先，由于n型源漏區(qū)域106將如圖25的2點(diǎn)點(diǎn)劃線所示那樣地擴(kuò)展，故在比設(shè)計值還低的閾值電壓下將易于變成使場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通狀態(tài)。也就是，場效應(yīng)晶體管的特性變化，例如，降低了閥值電壓。結(jié)果是存儲節(jié)點(diǎn)110的電子將變得易于泄漏。
此外，結(jié)果將變成為在圖25中，因距離D的變動所產(chǎn)生的n型源漏區(qū)域106的用2點(diǎn)點(diǎn)劃線所示的擴(kuò)展給予場效應(yīng)晶體管的特性的影響的程度將產(chǎn)生變動。這意味著場效應(yīng)晶體管的特性將因接觸孔116的位置的變動而變動。因此，結(jié)果將變成為場效應(yīng)晶體管的特性將隨著形成接觸孔116的工序和制造工藝條件的變動而變動。就是說，場效應(yīng)晶體管的特性將變得易于受存儲節(jié)點(diǎn)116的形成位置的不均一性的影響。
所以，本發(fā)明的目的，是提供一種可以使pn結(jié)的耐壓提高而不損害場效應(yīng)管的特性，同時還可使電場緩和，減少漏電流的雜質(zhì)濃度分布。
本發(fā)明的另外一個目的，是不損害場效應(yīng)晶體管的特性地在DRAM的存儲節(jié)點(diǎn)一側(cè)的接觸電極中提高pn結(jié)的耐壓，同時使電場緩和，減少漏電流。
本發(fā)明的再一個目的，是使得容易形成一種不損害場效應(yīng)晶體管的特性地提高pn結(jié)的耐壓，使電場緩和，減少漏電流的雜質(zhì)濃度分布。
根據(jù)本發(fā)明的一種方案的半導(dǎo)體器件，具備具有主表面的第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底，和已形成為使之具有從該半導(dǎo)體襯底的主表面往深度方向延伸的第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布的第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)區(qū)域。半導(dǎo)體襯底具有從主表面往深度方向延伸的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度分布。第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布從主表面開始，在第1深度處有雜質(zhì)濃度的第1極大點(diǎn)、在比該第1深度還深的第2深度處雜質(zhì)濃度的第2極大點(diǎn)，和比該第2深度還深的區(qū)域處比第1和第2極大點(diǎn)的雜質(zhì)濃度低的低濃度區(qū)域。第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布，在低濃度區(qū)域中，與第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布進(jìn)行交叉形成結(jié)點(diǎn)，在從主表面到結(jié)點(diǎn)的區(qū)域中具有比第1雜質(zhì)濃度分布所表示的雜質(zhì)濃度還高的第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度，而在第1深度與第2深度之間的區(qū)域中，具有極小點(diǎn)或拐點(diǎn)。
在上述那樣地構(gòu)成的半導(dǎo)體器件中，第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布，在較低的雜質(zhì)濃度的區(qū)域中與第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布交叉形成結(jié)點(diǎn)。因此，可以提高pn結(jié)的耐壓的同時，還可以使電場緩和，可以減少漏電流。此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布，在從主表面到結(jié)點(diǎn)的區(qū)域中，具有比第1雜質(zhì)濃度分布所表示的還高的第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布，且在第1深度與第2深度之間的區(qū)域中有極小點(diǎn)或拐點(diǎn)。由于存在有上述極小點(diǎn)或拐點(diǎn)，故可以抑制具有更高的雜質(zhì)濃度的第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布對場效應(yīng)晶體管的柵極電極形成區(qū)域的影響。結(jié)果是使場效應(yīng)晶體管的特性不會變化。也不會比如說使場效應(yīng)晶體管的閾值電壓降低。
另外，在已根據(jù)了如上所述的本發(fā)明的一種方案的半導(dǎo)體器件中，第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布理想的是在比結(jié)合點(diǎn)還深的第3深度處有雜質(zhì)濃度的第3極大點(diǎn)。
此外，第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布理想的是在第1深度的近旁有雜質(zhì)濃度的第1極大點(diǎn)，和在第2深度的近旁有雜質(zhì)濃度的第2極大點(diǎn)。
在這種情況下，第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布的上述第1和第2極大點(diǎn)理想的是具有分別比第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布的第1和第2極大點(diǎn)還高的雜質(zhì)濃度。
通過這樣地進(jìn)行處理的辦法，就可以求得pn結(jié)的耐壓的提高和電場的緩和，而且，可以容易地形成對場效應(yīng)晶體管的特性沒有壞影響的雜質(zhì)分布。
此外，理想的是第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布的第1、第2和第3極大點(diǎn)，分別表示場效應(yīng)晶體管的閾值電壓調(diào)整用的雜質(zhì)區(qū)域、防止反型用的雜質(zhì)區(qū)域和用于形成阱的雜質(zhì)區(qū)域的峰值濃度。
更為理想的是，根據(jù)本發(fā)明的一種方案的半導(dǎo)體器件具備場效應(yīng)晶體管。該場效應(yīng)晶體管含有柵極電極、第2導(dǎo)電型的第1和第2源漏區(qū)域。柵極電極中間夾有柵極絕緣膜形成于半導(dǎo)體襯底的主表面上。第1和第2源漏區(qū)域形成于半導(dǎo)體襯底的主表面上，在柵極電極的兩側(cè)。第1源漏區(qū)域含有上述第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)區(qū)域。半導(dǎo)體器件還具有已形成為使得與第1源漏區(qū)域接觸的導(dǎo)電層。
在上述那樣構(gòu)成的半導(dǎo)體器件中，場效應(yīng)晶體管的特性不會受第1源漏區(qū)域的雜質(zhì)濃度分布的影響而改變。比如說，場效應(yīng)晶體管的閾值電壓也不會降低。結(jié)果是也可抑制已積聚于被形成為使得與第1源漏區(qū)域接觸的導(dǎo)電層，例如電容器的存儲節(jié)點(diǎn)上的電子泄漏。
此外，在上述那樣地構(gòu)成的半導(dǎo)體器件中，借助于用于形成使之與第1源漏區(qū)域接觸的導(dǎo)電層的接觸孔的位置變動，就可抑制第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布對場效應(yīng)晶體管的影響。因此，場效應(yīng)晶體管的特性也不會因制造工藝過程的變動而變動。
上述那樣地構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，理想的是在柵極電極的下邊的半導(dǎo)體襯底的區(qū)域上具有用于調(diào)整閾值電壓的雜質(zhì)區(qū)域。該雜質(zhì)區(qū)域的峰值濃度，相當(dāng)于上述第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布的第1個極大點(diǎn)。另外，上述的導(dǎo)電層理想的是構(gòu)成已形成為使之與第1源漏區(qū)域接觸的電容器的電極。
還有，上述那樣地構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，理想的是還具有電隔離場效應(yīng)晶體管的器件隔離絕緣膜、和用于防止該器件隔離絕緣膜的下邊的半導(dǎo)體襯底的區(qū)域反型的雜質(zhì)區(qū)域。該雜質(zhì)區(qū)域的峰值濃度，相當(dāng)于第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布的第2個極大點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一種方案的半導(dǎo)體器件的制造方法，具備以下的工序。
(a)在第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底的主表面上形成器件隔離絕緣膜的工序。
(b)向從距主表面的第1深度上用第1注入劑量離子注入第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)，使之在器件隔離絕緣膜的下邊的半導(dǎo)體襯底上形成用于防止反型的第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)區(qū)域的第1注入工序。
(c)向比第1深度還淺的第2深度上用第2注入劑量離子注入第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)，使得在器件隔離絕緣膜之間的半導(dǎo)體襯底的區(qū)域上，形成用于調(diào)整閾值電壓的第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)區(qū)域的第2注入工序。
(d)使柵極絕緣膜夾在中間，在器件隔離絕緣膜之間的半導(dǎo)體襯底的區(qū)域上形成柵極電極的工序。
(e)在柵極電極的兩側(cè)，在半導(dǎo)體襯底的表面上，形成第2導(dǎo)電型的第1和第2源漏區(qū)域的工序。
(f)在第1源漏區(qū)域中向距主表面第1深度近旁，以將成為比用第1注入劑量所形成的雜質(zhì)濃度還高的雜質(zhì)濃度的第3注入劑量離子注入第2導(dǎo)電型雜質(zhì)的第3注入工序。
(g)在第1源漏區(qū)域中，在距主表面第2深度的近旁用比第2注入劑量所形成的雜質(zhì)濃度還高的雜質(zhì)濃度的第4注入劑量離子注入第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)的第4注入工序。
在如上述那樣地構(gòu)成的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，不必用復(fù)雜的制造工藝，就可以容易地實(shí)現(xiàn)提高pn結(jié)的耐壓、使電場緩和，同時對場效應(yīng)晶體管的特性沒有壞影響的雜質(zhì)濃度分布。
在根據(jù)上述的本發(fā)明的另一方案的半導(dǎo)體器件的制造方法中，在第1注入工序之前，還可具有第5注入工序，用于向比第1深度還深的第3深度上離子注入第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)，使之形成第1導(dǎo)電型的阱。
此外，上述的半導(dǎo)體器件的制造方法，還可具有形成導(dǎo)電層使之與第1源漏區(qū)域接觸的工序。
上述的半導(dǎo)體器件的制造方法中，第3和第4注入工序，理想的是采用通過被形成為使第1源漏區(qū)域的表面露出來的接觸孔離子注入雜質(zhì)的辦法進(jìn)行。
倘采用根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，則可以提高pn結(jié)的耐壓，可以實(shí)現(xiàn)因電場緩和而得以降低漏電流的雜質(zhì)濃度分布。另外，場效應(yīng)晶體管的特性也不會因該雜質(zhì)濃度分布而劣化。例如，可以維持設(shè)計值規(guī)定的閾值電壓。其結(jié)果是，可以抑制已連接到源漏區(qū)域上的存儲節(jié)點(diǎn)的電子的泄漏。場效應(yīng)晶體管的特性也不會因接觸到源漏區(qū)域上的接觸孔的位置的變動而變動。這意味著場效應(yīng)晶體管的特性不隨制造工藝條件的變動而變動。
另外，倘采用根據(jù)本發(fā)明的另一方案半導(dǎo)體器件的制造方法，則不必采用復(fù)雜的制造工藝就可以容易地實(shí)現(xiàn)上述那樣的雜質(zhì)濃度分布。


圖1的部分剖面圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造。
圖2示出了圖1的II位置處的雜質(zhì)濃度分布。
圖3的部分剖面圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的制造方法中的第1工序。
圖4的部分剖面圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的制造方法中的第2工序。
圖5的部分剖面圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件制造方法中的第3工序。
圖6的部分剖面圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件制造方法中的第4工序。
圖7的部分剖面圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件制造方法中的第5工序。
圖8的部分剖面圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件制造方法中的第6工序。
圖9的部分剖面圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件制造方法中的第7工序。
圖10的部分剖面圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件制造方法中的第8工序。
圖11的部分剖面圖示出了在本發(fā)明的實(shí)施例2中，作為發(fā)明例示出的場效應(yīng)晶體管的構(gòu)造的模擬結(jié)果。
圖12示出的是在本發(fā)明的實(shí)施例2中本發(fā)明例的雜質(zhì)濃度分布的模擬結(jié)果圖。
圖13的部分剖面圖示出了在本發(fā)明的實(shí)施例2中現(xiàn)有例的場效應(yīng)晶體管的構(gòu)造的模擬結(jié)果。
圖14示出的是在本發(fā)明的實(shí)施例2中現(xiàn)有例的雜質(zhì)濃度分布的模擬結(jié)果圖。
圖15的部分剖面圖示出了在本發(fā)明的實(shí)施例2中，比較例的場效應(yīng)晶體管的構(gòu)造的模擬結(jié)果。
圖16示出的是在本發(fā)明的實(shí)施例2中比較例的雜質(zhì)濃度分布的模擬結(jié)果圖。
圖17示出的是本發(fā)明例、現(xiàn)有例和比較例的場效應(yīng)晶體管的柵極電壓—漏極電流特性的模擬結(jié)果圖。
圖18示出的是在接觸電極位置已偏離開的情況下的本發(fā)明例、現(xiàn)有例和比較例的場效應(yīng)晶體管的柵極電壓—漏極電流特性的模擬結(jié)果圖。
圖19示出的是本發(fā)明例、現(xiàn)有例和比較例的場效應(yīng)晶體管的柵極電壓—漏極電流特性的模擬結(jié)果圖。
圖20示出的是在接觸電極位置已偏離開的情況下的本發(fā)明例、現(xiàn)有例和比較例的場效應(yīng)晶體管的柵極電壓—漏極電流特性的模擬結(jié)果圖。
圖21的部分剖面圖示出了已備有現(xiàn)有的接觸電極構(gòu)造的半導(dǎo)體器件圖。
圖22示出的是圖21的XXII的位置處的雜質(zhì)濃度分布圖。
圖23的部分剖面圖示出了已具有改善后的接觸電極構(gòu)造的半導(dǎo)體器件。
圖24示出的是圖23的XXIV的位置處的雜質(zhì)濃度分布圖。
圖25的部分剖面圖示出了已具有改善后的接觸電極構(gòu)造的DRAM的存儲器區(qū)域。
圖26示出了圖25的XXVI的位置處的雜質(zhì)濃度分布圖。
實(shí)施例實(shí)施例1
圖1的部分剖面圖示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件。圖2示出的是圖1的II位置處的雜質(zhì)濃度分布圖。參照圖1和圖2，說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造和雜質(zhì)濃度分布。
如圖1所示，在p型硅襯底1的主表面上邊，已形成了溝槽構(gòu)造的隔離絕緣膜2。在硅襯底1上分別在規(guī)定的深度位置上形成了用于形成p型阱的摻雜區(qū)域3、p型溝道截止區(qū)域(防止反型區(qū)域)4和p型溝道截止區(qū)域(用于閾值電壓調(diào)整)5。介以柵極氧化膜8在硅襯底1上形成了柵極電極9。在電極9的兩側(cè)，在硅襯底1的主表面上邊形成了n型源漏區(qū)域6和7。n型源漏區(qū)域6由在硅襯底1的主表面近旁的砷注入?yún)^(qū)域61、磷注入?yún)^(qū)域62和磷注入?yún)^(qū)域63構(gòu)成。使之與n型源漏區(qū)域6的表面接觸那樣地形成了存儲節(jié)點(diǎn)10。存儲節(jié)點(diǎn)10用已摻磷(P)的多晶硅膜形成。存儲節(jié)點(diǎn)10被形成為使得通過已形成于層間絕緣膜15上的接觸孔16與n型源漏區(qū)域6的表面接觸。形成了電介質(zhì)膜11，使之把存儲節(jié)點(diǎn)10的表面覆蓋起來。形成了單元板(Cell Plate)12，使之把電介質(zhì)膜11的表面覆蓋起來。這樣一來，連接到n型源漏區(qū)域上的電容器就由存儲節(jié)點(diǎn)10和電介質(zhì)膜11和單元板12構(gòu)成。形成了位線13，使之與n型源漏區(qū)域7的表面接觸。n型源漏區(qū)域7由已注入了砷(As)的區(qū)域構(gòu)成。位線13通過已形成于層間絕緣膜14上的接觸孔連接到n型源漏區(qū)域7上。
如圖2所示，已注入了硼(B)的p型雜質(zhì)濃度分布p(B)具有分別與p型阱形成用摻雜區(qū)域3、p型溝道截止區(qū)域4和p型溝道摻雜區(qū)域5的峰值對應(yīng)的雜質(zhì)濃度峰值，在比雜質(zhì)濃度峰值區(qū)域4、5還深的區(qū)域上具有低濃度雜質(zhì)區(qū)域。在該低濃度雜質(zhì)區(qū)域中，p型雜質(zhì)濃度分布p(B)與n型雜質(zhì)濃度分布n(P)交叉形成結(jié)點(diǎn)J。注入磷(P)之后的n型雜質(zhì)濃度分布n(P)與磷注入?yún)^(qū)域62和63的峰值相對應(yīng)地具有雜質(zhì)濃度峰值。在n型雜質(zhì)濃度分布n(P)中，在硅襯底的表面近旁出現(xiàn)的雜質(zhì)濃度峰值64是由已摻入到存儲節(jié)點(diǎn)中的磷(P)向源漏區(qū)域中擴(kuò)散而產(chǎn)生的峰值。形成本來的n型源漏區(qū)域6的注入?yún)^(qū)域61被表示為n型雜質(zhì)濃度分布n(As)。
在如上所示的雜質(zhì)濃度分布中，n型雜質(zhì)濃度分布n(P)在結(jié)點(diǎn)J處，與p型雜質(zhì)濃度分布p(B)交叉。n型雜質(zhì)濃度分布n(P)的雜質(zhì)濃度在從硅襯底的表面到結(jié)點(diǎn)J的區(qū)域中，顯示出比p型雜質(zhì)濃度分布p(B)所示出的雜質(zhì)濃度還高的值。n型雜質(zhì)濃度分布n(P)的雜質(zhì)濃度峰值62和63分別顯示出了比p型雜質(zhì)濃度分布p(B)的雜質(zhì)濃度峰值4和5還高的值。n型雜質(zhì)濃度分布n(P)，在雜質(zhì)濃度峰值62和63之間的區(qū)域中，具有極小點(diǎn)或拐點(diǎn)K。即便是在極小點(diǎn)或拐點(diǎn)K處，n型雜質(zhì)濃度分布n(P)也表現(xiàn)出比p型雜質(zhì)濃度分布p(B)高的雜質(zhì)濃度。此外，雖然在圖2中沒畫出來，但在p型雜質(zhì)濃度分布p(B)的下方還存在著與p型阱形成用摻雜區(qū)域?qū)?yīng)的雜質(zhì)濃度峰值。
如上所述，在n型雜質(zhì)濃度分布n(P)低的雜質(zhì)濃度的區(qū)域中，借助于與p型的雜質(zhì)濃度分布p(B)交叉形成結(jié)點(diǎn)J，就可以提高pn結(jié)的耐壓，就可以緩和電場。因此，就可以抑制pn結(jié)中的漏電流。
在圖2所示的雜質(zhì)濃度分布中，由于n型雜質(zhì)濃度分布n(P)有極小點(diǎn)或拐點(diǎn)K，故圖1的n型源漏區(qū)域6的擴(kuò)展，特別是磷注入?yún)^(qū)域63的擴(kuò)展不會對柵極電極9的下邊的硅襯底1的區(qū)域施加不好的影響。因此，也可以抑制場效應(yīng)晶體管的閾值電壓降低的影響。為此，已積蓄于連接到n型源漏區(qū)域6上的存儲節(jié)點(diǎn)10上的電子的漏泄也得以抑制。
在DRAM的存儲容量已高集成化為1千兆位的情況下，柵極電極9的長度將變得極其之短(約0.15μm)，此外，柵極電極9的側(cè)壁與接觸孔16的側(cè)壁之間的距離也變得極其之小(約0.75μm)，可以抑制因這些尺寸的變動而引起的場效應(yīng)晶體管的特性變動。就是說，因接觸孔16的位置變動而引起的場效應(yīng)晶體管的特性變動這一現(xiàn)象得以抑制。這意味著場效應(yīng)晶體管變成為難于受存儲節(jié)點(diǎn)10的位置的離散的影響。因此，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，比如說在DRAM的存儲區(qū)域中，場效應(yīng)晶體管或電容器的特性難于受用來制造它們的工藝條件所產(chǎn)生的影響。
圖3～圖10的部分剖面圖，按順序示出了圖1所示的半導(dǎo)體器件的制造工序。參照圖3～圖10，對本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說明。
首先，如圖3所示，準(zhǔn)備p型硅襯底1。
如圖4所示，形成溝槽式的隔離絕緣膜2。在加速電壓700KeV、注入劑量1.0×1013cm-2的條件下，向硅襯底1中離子注入硼(B)。以此，形成p型阱形成用的摻雜區(qū)域3。其次，用加速電壓100～180keV、注入劑量0.5×1012～8.0×1012cm-2向硅襯底1中離子注入硼(B)。以此，形成p型溝道截止區(qū)域4，使之與隔離絕緣膜2的下部表面接觸。此外，用加速電壓10～50keV、注入劑量1.0×1012～5.0×1013cm-2向硅襯底1中離子注入硼(B)。以此，在硅襯底1中形成p型溝道摻雜區(qū)域(閾值電壓調(diào)整用)5。
之后，如圖5所示，在硅襯底1的上邊，把柵極氧化膜8夾在中間形成柵極電極9。柵極電極9的長度為0.13～0.18μm左右。柵極電極的厚度為500～1000埃。柵極電極9由已以約1020cm-3的濃度摻入了磷(P)的多晶硅構(gòu)成。柵極氧化膜的厚度為50～60埃。采用以柵極電極為掩模向硅襯底中離子注入砷(As)的辦法，在n型源漏區(qū)域6之中形成砷注入?yún)^(qū)域61和n型源漏區(qū)域7。
如圖6所示，用CVD法從氧化膜形成層間絕緣膜14。形成位線13，使之通過已形成于層間絕緣膜14上的接觸孔與n型源漏區(qū)域7的表面接觸。這時的接觸孔的直徑約為0.07～0.1μm。位線13由以磷(P)約1020cm-3的濃度摻雜后的多晶硅構(gòu)成。
之后，如圖7所示，用CVD法形成層間絕緣膜15，使之把位線13覆蓋起來。在層間絕緣膜15上邊形成接觸孔16，使之把砷注入?yún)^(qū)域61的表面覆蓋起來。接觸孔的直徑為0.07～0.1μm左右。
如圖8所示，通過接觸孔16進(jìn)行兩次磷(P)的離子注入。在第1次的離子注入中，以加速電壓為30～50keV、注入劑量為1.0×1013～5.0×1013cm-2離子注入磷(P)。這一注入劑量被設(shè)定為比用于形成p型溝道摻雜區(qū)域的注入劑量還高。另外，作為第2次的注入，以加速電壓為180～230keV、注入劑量為1.0×1013～5.0×1013cm-2離子注入磷(P)。該注入劑量被設(shè)定為比用來形成p型溝道截止區(qū)域4的離子注入劑量還高。這樣一來，就形成了磷注入?yún)^(qū)域62和63。磷注入?yún)^(qū)域62在與p型溝道摻雜區(qū)域5同等的深度上形成為使之具有比該p型雜質(zhì)濃度還高的n型雜質(zhì)濃度。磷注入?yún)^(qū)域63在與p型溝道截止區(qū)域4同等的深度上形成為使之具有比該p型雜質(zhì)濃度還高的n型雜質(zhì)濃度。
接著，如圖9所示，形成由已摻入了磷(P)的多晶硅構(gòu)成的存儲節(jié)點(diǎn)10，使之通過接觸孔16與n型的源漏區(qū)域6的表面接觸。
最后，如圖10所示，形成電介質(zhì)膜11，使之把存儲節(jié)點(diǎn)10覆蓋起來。形成單元板12，使之把電介質(zhì)膜11的表面覆蓋起來。這樣一來，就形成了與n型源漏區(qū)域6連接的電容器。
如上所述，就可以不受接觸孔16等的工藝條件左右、不受雜質(zhì)濃度分布的影響地形成具有設(shè)計值所要求的特性的場效應(yīng)晶體管。
實(shí)施例2在實(shí)施例2中，對本發(fā)明的雜質(zhì)濃度分布的模擬結(jié)果進(jìn)行說明。
圖11的剖面圖示出了具有根據(jù)本發(fā)明的雜質(zhì)濃度分布的場效應(yīng)晶體管的模擬結(jié)果。圖12示出的圖是圖11的XII的位置處的雜質(zhì)濃度分布的模擬結(jié)果。
圖13的剖面圖示出了具有現(xiàn)有的雜質(zhì)濃度分布的場效應(yīng)晶體管的模擬結(jié)果。圖14示出的是圖13的XIV的位置處的雜質(zhì)濃度分布的模擬結(jié)果。
圖15的剖面圖示出了具有作為本發(fā)明的比較例的雜質(zhì)濃度分布的場效應(yīng)晶體管的模擬結(jié)果。圖16示出的是圖15的XVI的位置處的雜質(zhì)濃度分布的模擬結(jié)果圖。
參照圖11～圖16，在硅襯底的上邊，中間夾有柵極絕緣膜形成了柵極電極9。在柵極電極的兩側(cè)的硅襯底的表面上形成了n型源漏區(qū)域6和7。形成電極17，使之與n型源漏區(qū)域6和7的每一區(qū)域相連。
在圖11的根據(jù)本發(fā)明的雜質(zhì)濃度分布中，n型源漏區(qū)域6含有磷注入?yún)^(qū)域62和63，并如圖12所示，在硅襯底的表面附近具有含于電極17中的已擴(kuò)散過磷的區(qū)域64。即便是在圖13的現(xiàn)有的雜質(zhì)濃度分布中，如圖14所示，n型源漏區(qū)域6也含有源于電極17的磷擴(kuò)散區(qū)域。在根據(jù)圖15的比較例的雜質(zhì)濃度分布中，n型源漏區(qū)域6含有磷擴(kuò)散區(qū)域64和磷注入?yún)^(qū)域65。
在圖11和圖12的本發(fā)明例中，借助于進(jìn)行磷的兩次注入，形成了出現(xiàn)兩個峰值濃度的磷注入?yún)^(qū)域62和63。對此，在圖15和圖16的比較例中，借助于進(jìn)行一次的磷離子注入，形成了出現(xiàn)一個雜質(zhì)濃度峰值的磷注入?yún)^(qū)域65。
在圖12、圖14和圖16的不論哪一個例子中，注入砷所產(chǎn)生的雜質(zhì)濃度分布都略去而未畫出來。在雜質(zhì)濃度分布中，總的看p型雜質(zhì)濃度分布p(B)和n型雜質(zhì)濃度分布n(P)這兩者的雜質(zhì)濃度分布，被表示為凈摻雜(濃度)50。
在圖12的本發(fā)明例中，pn結(jié)點(diǎn)J用低濃度的區(qū)域表示，對此，在現(xiàn)有例的圖14中結(jié)點(diǎn)J出現(xiàn)在淺且濃度高的區(qū)域。即便是在圖16的比較例中pn結(jié)點(diǎn)J也出現(xiàn)在濃度低的區(qū)域。這樣一來，在本發(fā)明例和比較例中，pn結(jié)出現(xiàn)在濃度低的區(qū)域中，所以，可以提高結(jié)耐壓，由于使電場緩和，故還可以降低漏電流。
但是，在圖16的比較例中，磷注入?yún)^(qū)域的峰值濃度65出現(xiàn)在比較淺的區(qū)域，所以如圖15所示，p型源漏區(qū)域6已大大地擴(kuò)展到柵極電極的下邊的硅襯底的區(qū)域中去。為此，即便是也可以提高結(jié)的耐壓和緩和電場，但場效應(yīng)晶體管的特性卻因其雜質(zhì)濃度分布而降低。對此，在本發(fā)明例的圖12中，由于在磷注入?yún)^(qū)域62和63之間出現(xiàn)了極小點(diǎn)或拐點(diǎn)，所以，在淺的區(qū)域中n型源漏區(qū)域6的擴(kuò)展小。因此，如圖11所示，在n型源漏區(qū)域6的淺的區(qū)域處的擴(kuò)展小，不會使場效應(yīng)晶體管的特性降低。
以下，對具備了上述本發(fā)明例、現(xiàn)有例和比較例的雜質(zhì)濃度分布的場效應(yīng)晶體管的特性的模擬結(jié)果進(jìn)行說明。
圖17示出的是本發(fā)明例(A)、現(xiàn)有例(B)和比較例(C)的場效應(yīng)晶體管的柵極電壓—漏極電流(Vg—Id)特性模擬結(jié)果圖。如圖17所示，本發(fā)明例(A)表現(xiàn)出與現(xiàn)有例(B)相同的特性，不受用于提高結(jié)的耐壓和電場緩和的磷注入的影響，表現(xiàn)出本來的柵極電壓—漏極電流特性。對此，在比較例(C)中對于柵極電壓的增加漏極電流顯著地增加，表現(xiàn)出了比原始特性劣化了的柵極電壓—漏極電流特性。
圖18示出了在圖11、圖13和圖15的每一圖中，電極17的接觸電極位置朝向柵極電極9偏離開僅0.025μm時的柵極電壓—漏極電流(Vg—Id)特性的模擬結(jié)果。如圖18所示，本發(fā)明例(A)與現(xiàn)有例(B)一樣，維持原始特性。但是，在比較例(C)中，對于柵極電壓的增加，漏極電流的增加變得更為顯著，可知柵極電壓—漏極電流特性已經(jīng)變壞。
圖19示出了本發(fā)明例(A)、現(xiàn)有例(B)和比較例(C)漏極電壓—漏極電流(Vd—Id)特性的模擬結(jié)果。由圖19可知，本發(fā)明例(A)顯示出與現(xiàn)有例(B)相同的特性，沒有受雜質(zhì)濃度分布所帶來的壞影響。對此，比較例(C)不論是在哪一個柵極電壓中，相對于漏極電壓漏極電流的增加的比率大，漏極電壓—漏極電流特性已經(jīng)劣化。
圖20與圖18一樣，示出了在接觸電極相對于電極17的n型源漏區(qū)域6的位置朝著柵極電極9的方向已偏離開僅0.025μm的情況下的，本發(fā)明例(A)、現(xiàn)有例(B)和比較例(C)的各自的漏極電壓—漏極電流(Vd—Id)特性的模擬結(jié)果圖。由圖20可知，本發(fā)明例(A)和現(xiàn)有例(B)一樣，維持了本來的漏極電壓—漏極電流特性。對此，比較例(C)不論在哪一柵極電壓下，漏極電流相對于漏極電壓的增加比率顯著地變大，漏極電壓—漏極電流特性已經(jīng)劣化。
根據(jù)以上的模擬結(jié)果，相對于現(xiàn)有例(B)已取得了pn結(jié)的耐壓的提高和電場緩和的比較例(C)，受雜質(zhì)濃度分布的影響，場效應(yīng)晶體管的特性已經(jīng)劣化。對此，可知，倘采用本發(fā)明例(A)，則在實(shí)現(xiàn)pn結(jié)的耐壓的提高和電場的緩和的同時，可以不受雜質(zhì)濃度分布的影響地維持場效應(yīng)晶體管的特性。
以上所公開的實(shí)施例，應(yīng)該看做在所有的點(diǎn)上只是一個例子而不是一種限制。本發(fā)明的范圍，不是以上的實(shí)施例，而是權(quán)利要求書所示，并含有在與權(quán)利要求書具有均等的意義和范圍內(nèi)進(jìn)行的所有的變更和修正在內(nèi)的范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，具備有具有主表面的第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體襯底；形成為從上述半導(dǎo)體襯底的主表面開始向深度方向延伸的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度分布的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度分布；上述半導(dǎo)體襯底具有從上述主表面開始向深度方向延伸的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度分布；上述第1導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度分布，在距上述主表面第1深度上具有雜質(zhì)濃度的第1極大點(diǎn)，在比上述第1深度還深的第2深度上具有第2極大點(diǎn)及在比上述第2深度還深的區(qū)域上具有顯示出比第1和第2極大點(diǎn)小的雜質(zhì)濃度的濃度區(qū)域；上述第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布，在上述低濃度區(qū)域上與上述第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布交叉形成結(jié)點(diǎn)，在從上述主表面到上述結(jié)點(diǎn)的區(qū)域中，具有比上述第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布所示的雜質(zhì)濃度還高的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度，而在上述第1深度和上述第2深度之間的區(qū)域中還具有極小點(diǎn)或拐點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布在比上述結(jié)點(diǎn)還深的第3深度上具有雜質(zhì)濃度的第3極大點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布，在上述第1深度的近旁具有雜質(zhì)濃度的第1極大點(diǎn)，在上述第2深度的近旁具有雜質(zhì)濃度的第2極大點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布的上述第1和第2極大點(diǎn)，分別具有比上述第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布的上述第1和第2極大點(diǎn)還高的雜質(zhì)濃度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布的上述第1、第2和第3極大點(diǎn)，分別顯示出場效應(yīng)晶體管的閾值電壓調(diào)整用的雜質(zhì)區(qū)域、防止反型用的雜質(zhì)區(qū)域和阱形成用的雜質(zhì)區(qū)域的峰值濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備場效應(yīng)晶體管；上述場效應(yīng)晶體管具備有在上述半導(dǎo)體襯底的主表面上中間夾有柵極絕緣膜形成的柵極電極；和含有在上述柵極電極的兩側(cè)，在上述半導(dǎo)體襯底的主表面上形成的第2導(dǎo)電型的第1和第2源漏區(qū)域，上述的第1源漏區(qū)域含有上述第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)區(qū)域，且已形成為使之與上述第1源漏區(qū)域接觸的導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在上述柵極電極的下邊的上述半導(dǎo)體襯底的區(qū)域上具備閾值電壓調(diào)節(jié)用的雜質(zhì)區(qū)域，該雜質(zhì)區(qū)域的峰值濃度相當(dāng)于上述第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布的上述第1極大點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，構(gòu)成已形成為使之與上述第1源漏區(qū)域接觸的電容器。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還具有與上述場效應(yīng)晶體管電隔離的器件隔離絕緣膜，和在上述器件隔離絕緣膜上的下邊的上述半導(dǎo)體襯底的區(qū)域上用于防止反型的雜質(zhì)區(qū)域，該雜質(zhì)區(qū)域的峰值濃度相當(dāng)于上述第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度分布的上述第2極大點(diǎn)。
10.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，由下述工序構(gòu)成在第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底的主表面上形成器件隔離絕緣層的工序；第1注入工序，在距上述主表面第1深度上以第1注入劑量離子注入第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)，使得在上述器件隔離絕緣膜的下邊的上述半導(dǎo)體襯底的區(qū)域上形成防止反型用的第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)區(qū)域；第2注入工序，在比上述第1深度還淺的第2深度上，以第2注入劑量離子注入第1導(dǎo)電型雜質(zhì)，使得在上述器件隔離絕緣膜之間的上述半導(dǎo)體襯底的區(qū)域上形成閾值電壓調(diào)整用的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域；在上述器件隔離絕緣膜之間的半導(dǎo)體襯底的區(qū)域上，中間夾有柵極絕緣膜形成柵極電極的工序；在上述柵極電極的兩側(cè)，在上述半導(dǎo)體襯底的主表面上，形成第1和第2源漏區(qū)域的工序；第3注入工序，在上述第1源漏區(qū)域中，在距上述主表面的第1深度的近旁，以比用上述第1注入劑量得到的雜質(zhì)濃度還高的雜質(zhì)濃度的第3注入劑量，離子注入第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)；第4注入工序，在上述第1源漏區(qū)域中，在距上述主表面的第2深度的近旁，以比用上述第2注入劑量得到的雜質(zhì)濃度還高的雜質(zhì)濃度的第4注入劑量，離子注入第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)；
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，還具備第5注入工序，在上述第1注入工序之前，在比上述第1深度還深的第3深度上，離子注入第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)，使得形成第1導(dǎo)電型的阱區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，還具備形成導(dǎo)電層使之與上述第1源漏區(qū)域接觸的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，上述第3和第4注入工序，采用通過被形成為使上述第1源漏區(qū)域的表面露出來的接觸孔離子注入雜質(zhì)的辦法進(jìn)行。
全文摘要
提高pn結(jié)的耐壓和緩和電場的同時,對場效應(yīng)晶體管的特性不造成壞影響的雜質(zhì)濃度分布,在硅襯底上形成n型源漏區(qū)域;在形成p阱形成用摻雜區(qū)域、p溝截止區(qū)域和p溝摻雜區(qū)域中具有蜂值濃度;n源漏區(qū)域雜質(zhì)濃度分布,以低濃度與p雜質(zhì)濃度分布交叉,而且比p溝截止區(qū)域和p溝摻雜區(qū)域的雜質(zhì)濃度高,在它們的深度近旁,有磷注入?yún)^(qū)域,出現(xiàn)了各自的峰值濃度;在磷注入?yún)^(qū)域的峰值濃度之間,n源漏區(qū)域的濃度分布具有極小點(diǎn)或拐點(diǎn)。
文檔編號H01L27/105GK1194465SQ9712247
公開日1998年9月30日 申請日期1997年11月10日 優(yōu)先權(quán)日1997年3月26日
發(fā)明者村上隆昭, 安村賢二 申請人:三菱電機(jī)株式會社