專利名稱：使用稀釋設(shè)備的要點和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及到集成電路，更確切地說是涉及到制備通過過濾器來用以從集成電路清除殘留物的溶液。
半導(dǎo)體工藝正在生產(chǎn)著含有更多的尺寸更小而幾何圖形更精細(xì)的晶體管的集成電路。這類器件的精確重復(fù)性要求晶片表面高度平整且其上的顆粒和其它殘留物很少。因此，凡是需要精確圖形的地方，大多數(shù)制造工藝都包括表面整平步驟。
例如，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)步驟常常被用來拋去覆蓋著留下的鎢塞的鎢層或用來整平使互連層彼此隔離的層間介電(ILD)材料。用懸浮在pH值為1.8-3.8的水溶液中的氧化鋁顆粒組成的懸浮液來對晶片表面進(jìn)行機(jī)械拋光。但水溶液的低的pH值在氧化鋁顆粒中產(chǎn)生與晶片相反的Z電位，從而產(chǎn)生使許多氧化鋁顆粒吸附到晶片表面的吸引力。這些顆粒造成光刻缺陷和晶片沾污，會導(dǎo)致集成電路失效。
為了改變Z電位的極性并減小吸引力，采用pH值設(shè)定為大約12.0的清洗液來清除顆粒。通常，重量比濃度為2％的氫氧化銨溶液可提供清除顆粒用的正確的pH值。對濃度的控制是重要的。太低的濃度不能充分地提高pH值，從而由于顆粒Z電位的改變不恰當(dāng)而無法清除顆粒。太高的濃度則得到的溶液更具腐蝕性，能夠腐蝕諸如用來通過窗口而填充中間層的鎢塞之類的晶片材料。
市面上可購到重量比濃度為30％的氫氧化銨。現(xiàn)有技術(shù)工藝借助于用去離子(DI)水手工稀釋30％的氫氧化銨而在大容量儲存罐中得到2％的濃度，其中用手工混合并儲存直至使用。但手工混合和手工傾倒這種濃烈的基液，對處置這種化學(xué)品的人和工作在儲存罐區(qū)域的人的安全是有害的。而且，氨氣是高度揮發(fā)性的。當(dāng)氨氣從溶液蒸發(fā)時，不僅對安全的損害增加，而且清洗液中的氫氧化銨濃度也明顯下降，使稀釋過的溶液的pH值下降到可接受水平以下。
因此，需要一種對用來從半導(dǎo)體晶片清除殘留物的氫氧化銨進(jìn)行稀釋的設(shè)備和方法，此方法應(yīng)能減少蒸發(fā)并避免使周圍人員暴露于有害化學(xué)品的危險中。


圖1是集成電路制造設(shè)備的流程圖；圖2是氫氧化銨稀釋裝置圖。
集成電路制造工序包含將材料引入晶片或晶片表面的許多步驟以及清除材料的其他一些步驟。例如，光刻步驟就包含將光抗蝕劑淀積在晶片表面上、對光抗蝕劑進(jìn)行顯影并清除未被顯影的部位以形成用于后續(xù)各加工步驟的晶片暴露部位的幾何形狀圖形。當(dāng)這些步驟完成時，清除其余的光抗蝕劑。這種光刻步驟是一類例子，其中所有的原先淀積的材料都是為防止制得有缺陷的器件而必須清除的殘留物。同樣，層間介電層之類的二氧化硅層被淀積或生長在晶片上，并用光抗蝕劑層形成圖形。光抗蝕劑暴露部位中的二氧化硅被選擇性地腐蝕以提供在互連層之間實現(xiàn)連接的窗口。
在上述的每個例子中，加工步驟都包含從晶片清除不需要的材料以防止集成電路出現(xiàn)缺陷或失效。這種不需要的材料稱為殘留物，包括諸如清洗步驟的非淀積步驟引入的顆?；蚱渌s質(zhì)之類的先前各步驟遺留的不需要的材料以及當(dāng)前步驟的材料。
在集成電路制造工藝(包括從晶片清除殘留物)中使用各種溶液。由于半導(dǎo)體器件制造過程中要求高等級的清潔度以及某些加工材料的性質(zhì)獨特，故在制造廠內(nèi)借助于組合二種或更多種液體而制作這種溶液往往是有優(yōu)點的。在本發(fā)明中，溶液至少包含不固定液體的均勻混合物，其性質(zhì)不固定，即可以改變。例如，溶液可包括真溶液、乳化液和懸浮液之類。
圖1示出了包括化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備10、晶片擦洗器20和氫氧化銨(NH4OH)稀釋裝置100的集成電路制造系統(tǒng)中半導(dǎo)體晶片通過部分的流程。
CMP設(shè)備10在入口11處接收送入的半導(dǎo)體晶片，并在出口12處得到拋光過的整平了的晶片。CMP設(shè)備是全自動的，晶片在CMP設(shè)備10中由設(shè)備中的控制單元所控制的機(jī)械手或相似的裝置來處置。通常，送入的晶片在被接收之前要淀積一個互連介電層或?qū)㈡u之類的金屬以覆蓋層的形式涂于通過介電層中窗口的層間塞。
在淀積鎢之后的整平情況下，用含有金屬顆粒和硝酸鐵之類的緩沖化學(xué)品的懸浮液來完成拋光。例如，典型的懸浮液包含與去離子水和作為緩沖劑的碘酸鉀相混合的氧化鋁顆粒。此懸浮液被加于稱為主板的第一旋轉(zhuǎn)板。氧化鋁顆粒形成一個高度研磨性的懸浮液，以確保晶片以可確定的磨去特定量材料的速率加于旋轉(zhuǎn)板。主板一旦被氧化鋁懸浮液完全浸潤，就用機(jī)械手將晶片面朝下壓向旋轉(zhuǎn)著的主板表面，借助于使晶片沿與主板相反的方向旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行拋光。
上述拋光步驟在晶片上留下碘酸鉀、鎢和氧化鋁顆粒組成的殘留物。這些材料是能夠在晶片中引起缺陷的沾污物，導(dǎo)致形成不準(zhǔn)確的幾何圖形、集成電路元件中的結(jié)構(gòu)缺陷、或能夠使集成電路失效的腐蝕損傷。在氧化鋁顆粒的情況下，其硬度在晶片的表面上留下劃痕，也能損傷集成電路。因此，在第一次拋光之后，要用去離子水沖洗晶片以清除碘酸鉀和某些松散的氧化鋁顆粒。其它的氧化鋁顆粒由于其Z電位同晶片表面的Z電位極性相反，產(chǎn)生使顆粒粘附到晶片的吸引力，而仍然附著于晶片。
在沖洗之后，晶片被傳送到CMP 100中的二級轉(zhuǎn)盤接受第二拋光步驟以便從晶片表面拋光劃痕。這一步驟除了懸浮液顆粒是由NH4OH或氫氧化鉀和去離子水溶液中的較軟的二氧化硅所組成之外，與第一拋光步驟相似。
氫氧化鉀被用來提高懸浮液的pH值，以便氧化鋁的Z電位與晶片表面上二氧化硅的Z電位具有相同的極性。從而減弱氧化鋁對晶片的親和力以易于清除氧化鋁顆粒。在拋光之后，再用去離子水沖洗晶片，并在進(jìn)一步加工之前一直保持濕潤。晶片一旦干燥，則幾乎不可能在不損傷晶片的情況下清除顆粒。
成批的濕法拋光過的晶片從CMP設(shè)備10被傳送到晶片擦洗器20。晶片被載入裝片架24中，并用來自噴頭22的去離子水保持濕潤。借助于將晶片穿過由聚乙烯乙酸酯(PVA)之類的柔軟泡沫材料組成并沿圓周含有小的突出物(未示出)的刷子26之間，對晶片進(jìn)行擦洗。當(dāng)晶片穿過時，刷子26旋轉(zhuǎn)，使突出物適應(yīng)晶片以便輕輕地擦去顆粒和其它殘留物而不損傷表面。在水合過程中，刷子26帶有高的水分，提供了自潤滑以維持接觸而不損傷晶片。
在稀釋裝置100中制作2％的氫氧化銨溶液，且用閥門94控制滴于刷子26上以擦洗晶片。2％氫氧化銨的pH值約為12.0，這進(jìn)一步修正了留在晶片上的氧化鋁顆粒的Z電位，使刷子26更容易清除它們。對氫氧化銨濃度的控制是至關(guān)重要的，因為，如果濃度太低則對Z電位的修正不夠，使氧化鋁顆粒仍然維持對晶片的親和力。若濃度太高，則鎢塞之類的晶片材料被腐蝕。在二種情況下，都可能損傷晶片和造成器件失效。在一個工藝中，已確定1.5-2.5％的濃度范圍適合于清除氧化鋁顆粒和其它殘留物而不會損傷晶片?？捎玫巫⒁酝獾钠渌椒▽溲趸@溶液加于刷子26。例如，倘若來自分得很細(xì)的噴射顆粒的氨(NH3)的蒸發(fā)得到控制，從而防止溶液濃度的下降，不至于得到低的pH值，則可采用噴射方法。
在擦洗大量晶片之后，顆粒狀物質(zhì)和其它殘留物就積聚在刷子26中，其中有一些會被重新引入到晶片上。因此，用刷子28執(zhí)行第二擦洗步驟，刷子28的組成與刷子26相似，但是更清潔，因為刷子26先前已清除了大部分殘留物。在與說明刷子26的步驟相似的步驟中，閥門95控制著滴注到刷子28上的2％氫氧化銨溶液的流速。刷子26和28要經(jīng)常用2％的氫氧化銨進(jìn)行清洗以清除積聚的顆粒。
晶片被移到旋轉(zhuǎn)干燥器，此干燥器含有紅外或相似熱源30、噴嘴31和轉(zhuǎn)盤32。借助于在轉(zhuǎn)盤32上旋轉(zhuǎn)晶片時，用通過噴嘴31所加的去離子水進(jìn)行沖洗而清除留下的殘留物。在沖洗之后，關(guān)閉噴嘴31且接通熱源30以對晶片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥。干燥過的晶片被裝于干燥的晶片盒34中以便移出擦洗器20。
由于氫氧化銨對自然有害，故通常得到的都是高濃度的，這樣可減少運(yùn)輸和處置的容器的數(shù)目。一般使用廣泛有售的標(biāo)準(zhǔn)濃度30％。稀釋裝置100接收來自儲存罐91的30％的氫氧化銨和來自儲存罐92的去離子水。30％的氫氧化銨被去離子水沖稀成濃度為2％的氫氧化銨溶液，如上所述流過管道93到閥門94-95，進(jìn)入擦洗器20。
如上所述，在CMP工序之后，為了從晶片清除氧化鋁顆粒和其它殘留物，要求濃度范圍為1.5-2.5％。在現(xiàn)有技術(shù)的氫氧化銨沖稀裝置中，30％的氫氧化銨溶液是用去離子水手工混合和將稀釋溶液倒入儲存罐的。儲存罐被手工運(yùn)輸并進(jìn)入清洗裝置，且用氮氣加壓以便在需要時提供2％的氫氧化銨。這種系統(tǒng)有一些缺點，包括手工混合和手工傾倒氫氧化銨這樣的高度腐蝕性物質(zhì)所引起的安全危險。而且，由于氨氣的揮發(fā)性，在混合和儲存或溶液暴露于大氣時，氨氣會從溶液蒸發(fā)，以致稀釋溶液的濃度極易改變。
圖2是氫氧化銨沖稀和供給裝置100的示意圖，裝置100包含壓力調(diào)節(jié)器112-114、減壓閥116、儲存罐118、過濾器130、電導(dǎo)計166、泵141-142以及馬達(dá)143。大量的30％的氫氧化銨溶液儲存在集中化學(xué)品分配器(CDM)中，以便供給晶片制造設(shè)施的各個加工站。詳細(xì)地說，通過管道151將30％的氫氧化銨供給稀釋裝置100。用10500-42200Kg/M2范圍的壓力通過管道152泵壓去離子水。壓力調(diào)節(jié)器113將進(jìn)入儲罐118和泵142的壓力降低到約為3500Kg/M2。
如果CDM供給系統(tǒng)中出現(xiàn)了問題，則可能中斷向稀釋裝置供給30％的氫氧化銨。對于CDM供給裝置直接將2％的氫氧化銨供給晶片擦洗器的某些現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)，這種中斷立即引起不恰當(dāng)?shù)木料?。而且，?dāng)要求同時供給多個加工站時，供給壓力可能明顯下降，引起失效，使加工步驟被定時或依賴于最小的壓力來運(yùn)行。
為了減少這種供給中斷或壓力變化的出現(xiàn)，在靠近晶片擦洗器20處就地制備2％的氫氧化銨溶液。儲罐118提供就地緩沖儲存，以消除稀釋裝置100的CDM供給問題，用作本地儲罐以確保連續(xù)不斷地向稀釋裝置供給30％的氫氧化銨。傳感器120-121是用來探測儲罐118中的液面容性傳感器。當(dāng)儲罐118裝滿時，亦即處于傳感器120的高度時，信號被送至CDM以停止供給氫氧化銨。當(dāng)儲罐118的液面低，亦即處于傳感器121的高度時，信號被送至CDM以恢復(fù)供給氫氧化銨。傳感器120-121安裝在儲罐118的外面以避免泄漏和腐蝕。
借助于將傳感器121設(shè)定成在儲罐118變空之前向CDM送出供給命令而實現(xiàn)30％的氫氧化銨的連續(xù)供應(yīng)，使儲罐118中保持恰當(dāng)?shù)臍溲趸@量，以運(yùn)行稀釋裝置100，直至CDM有時間來補(bǔ)給供應(yīng)。例如，可以設(shè)定傳感器121在儲罐118仍然可供應(yīng)45分鐘的氫氧化銨時向CDM發(fā)出供給信號。為了進(jìn)一步提高稀釋裝置100的可靠性，如所示，傳感器120和121被做成完全一樣以提供冗余度。傳感器120和121各自獨立地與CDM聯(lián)系。
清潔的干燥空氣經(jīng)過加壓，通過壓力調(diào)節(jié)器113送到儲罐118，壓力調(diào)節(jié)器113維持儲罐118中的恒定正壓以防止沸騰并使泵141保持灌注狀態(tài)以免變空。在一個實施例中，壓力調(diào)節(jié)器113用來使儲罐118中的壓力保持在3500-5625Kg/M2之間。為了使液體不會由于停滯不動以及由于沸騰造成氨氣損失而變壞，即使在晶片不被擦洗時，稀釋裝置100也維持晶片擦洗器20的2％氫氧化銨滴流速度。這一流動不僅確保了化學(xué)品的純度，而且具有連續(xù)地從刷子26清除顆粒的優(yōu)點。
當(dāng)儲罐118加料時，進(jìn)入的氫氧化銨使儲罐118中的壓力提高到5625Kg/M2以上。減壓閥116被連接到儲罐118以吹除過量的空氣與氨氣的混合物，從而使管道154中的壓力維持在3500-5625Kg/M2的規(guī)定范圍內(nèi)。
泵141-142是市售的不密封計量泵，在半導(dǎo)體制造過程中使用時有許多優(yōu)點。泵141-142的潤濕元件由聚四氟乙烯(PTFE)之類的含氟聚合物和陶瓷制成，以便能夠泵壓各種各樣的化學(xué)品而不會被腐蝕。例如，能夠無損傷地泵壓檸檬酸、草酸和冰乙酸以及氫氧化銨和氫氧化鉀。此外，泵的轉(zhuǎn)子不接觸泵腔的壁，減輕了摩擦和磨損，而且防止了來自泵中刮下的顆粒的沾污。結(jié)果，可以在保持高純度的情況下泵壓氫氧化銨之類的半導(dǎo)體工藝化學(xué)品。
用傾斜泵腔中旋轉(zhuǎn)活塞角度的外部調(diào)節(jié)方法來方便而精確地控制通過泵141-142的流速。而且，借助于調(diào)節(jié)馬達(dá)速度(周期速率)，可將流速精確地下調(diào)到低值。在一個實施例中，泵141帶有一個小泵頭，它能產(chǎn)生每轉(zhuǎn)4微升氫氧化銨的流速。因此，當(dāng)運(yùn)行于每秒3轉(zhuǎn)的低速時，流速為每秒12微升。度盤指示器162-165顯示各泵頭的傾斜量，以便校準(zhǔn)泵141-142的流速，可用手動、機(jī)械及電動等方法來改變。流速一旦設(shè)定，則即使通過泵141-142的液體總流量改變了，各個流速之間的比率仍然保持恒定。作為變通，也可以每個泵用一個度盤指示器來指示傾斜。
泵142在24600-26725Kg/M2的壓力下從引入管152接收去離子水。壓力調(diào)節(jié)器114使進(jìn)入泵142的壓力保持在3500-5625Kg/M2。泵142的結(jié)構(gòu)與泵141的相似但大得多，這是由于有15倍的水流過泵142以便將30％的氫氧化銨溶液稀釋到2％的濃度。
馬達(dá)143用單軸144驅(qū)動泵141-142，以確保泵141-142以相同的速度旋轉(zhuǎn)，從而以恒定比率的流速提供氫氧化銨和去離子水。在馬達(dá)143的每一轉(zhuǎn)即每一周期中，固定體積的液體被泵壓通過各個泵141-142，所以，借助于調(diào)節(jié)馬達(dá)143的速度，可以一并改變各個流速。亦即，為了產(chǎn)生更大量的2％的氫氧化銨溶液，可相應(yīng)提高馬達(dá)143的速度。只要進(jìn)入泵141-142的液體壓力保持在特定的范圍以內(nèi)，30％氫氧化銨流速對去離子水流速之比率就可以在更高的速度下保持恒定?？梢杂刹僮魅藛T或利用通過晶片擦洗器20反饋機(jī)構(gòu)(未示出)連接于馬達(dá)143的傳感器(未示出)，來提供這種速度控制。
由于泵141-142是不密封的，故在轉(zhuǎn)子與泵腔壁之間提供有例如百萬分之二十厘米的空隙，可防止研磨顆粒對泵產(chǎn)生摩擦。這一間隙使預(yù)定部位的化學(xué)品在壓力下滑過泵的轉(zhuǎn)子，造成泵偏離定標(biāo)。例如，泵141-142有大約1％的偏離，意味著1％的流量是由輸入壓力而不是由泵造成的。如果輸入壓力太高，泵滑移的百分比就增大并導(dǎo)致偏離所希望的流速。這一偏離能夠改變?nèi)芤旱臐舛龋⒁鸢雽?dǎo)體晶片不恰當(dāng)?shù)幕蜻^量的擦洗。為了使氫氧化銨對去離子水的比率保持在恒定的水平上，調(diào)節(jié)器112-114使進(jìn)入泵141-142的液體壓力保持在3500-5625Kg/M2的范圍以內(nèi)。
液體導(dǎo)管154從去離子水導(dǎo)管連接到泵141，起泵141潤滑密封墊襯的作用。去離子水的不斷滴注潤滑泵141的轉(zhuǎn)子，提供了液體密封以防止揮發(fā)性的氨氣從30％的氫氧化銨溶液蒸發(fā)和在泵141轉(zhuǎn)動過程中逃逸到大氣中。這種潤滑防止了氨氣逃逸造成的對環(huán)境或周圍人員的傷害。滴注流還有防止停滯以確保去離子水純度的額外優(yōu)點。過量的去離子水則通過管道155從泵141排出。
過濾器130提供了如下所述的過濾功能和溶解功能。用由篩分出直徑大于0.2微米的顆粒的PTFE制成的過濾元件131來獲得過濾功能。CMP懸浮液中的氧化鋁顆粒的直徑大于0.2微米，故有效的清洗要求2％的氫氧化銨溶液的顆粒直徑小于0.2微米。
某些現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)采用多支管來混合組分液體。但多支管混合要求高的流速來充分地攪拌液體以免在多支管中形成隔離層。在諸如稀釋裝置100之類中的流速較低的情況下，攪拌不充分，不能可靠地形成溶液。例如，30％的氫氧化銨和去離子水的密度和流速不同。當(dāng)在低流速下進(jìn)入多支管混合系統(tǒng)時，各個液體傾向于分成層，較致密的液體分布在多支管的底部。
稀釋裝置100借助于通過過濾器130將第一液體(30％的氫氧化銨)和第二液體(去離子水)組合成所希望的2％的氫氧化銨溶液，而在低達(dá)每秒0.1毫升流速下獲得溶解功能以從晶片上清除殘留物。最重的液體或流速最高的液體被從高于其它液體處引入過濾器，以便由上而下穿過其它液體，從而防止各個液體分凝成層狀層。具體地說，30％的氫氧化銨在輸入端132處引入過濾器130，而去離子水在輸入端133處引入，其中的端133安置在過濾器130中的端132的上方。在一個實施例中，端133安置在端132上方大約3厘米處。
過濾器130的運(yùn)行如下。記得去離子水是以15倍于30％的氫氧化銨的流速而流向過濾器130的，氫氧化銨以較低的液面被引入過濾器130。因此，較大量的去離子水由上而下穿過并攪動30％的氫氧化銨，從而擊破氫氧化銨的邊界層或梯度以改善過濾器130中的混合。借助于通過過濾器元件131的曲折迂回路徑的延長和增加，攪動使過濾器130中各個液體之間的接觸更加密切，從而在過濾器130中制得稀釋的2％的氫氧化銨溶液。所希望的2％的氫氧化銨溶液通過管道153流出過濾器130到晶片擦洗器20。
應(yīng)該指出的是，除了稀釋的氫氧化銨之外，通過過濾器也可制作其它的溶液。例如，可以將檸檬酸和去離子水引入過濾器130以制作稀釋的檸檬酸，這是一種用來在金屬拋光之后從半導(dǎo)體晶片清除鐵沉淀物的溶液。
為了監(jiān)測2％的氫氧化銨的濃度，現(xiàn)有技術(shù)的系統(tǒng)采用化學(xué)方法，從大容量儲罐對溶液進(jìn)行取樣。在典型的現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)中，借助于將溶液樣品從儲罐取出并測量其一個諸如比重之類的物理或化學(xué)性質(zhì)而確定濃度。然而，在需要評估樣品時，許多晶片可能用此溶液加工了，故在發(fā)現(xiàn)濃度已經(jīng)超出特定范圍之前，可能出現(xiàn)重大的損傷。此系統(tǒng)的另一缺點是為了取出樣品而需要打開系統(tǒng)通大氣，這就增加了沾污和使周圍人員暴露于有害化學(xué)品的危險。而且，現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)由于在取樣時、樣品輸送時、樣品儲存時以及例如滴定法樣品化驗時的揮發(fā)性化學(xué)品的損失而對不代表大容量溶液的樣品敏感。
本發(fā)明用配置在管道153中的電導(dǎo)計166來測量作為濃度的函數(shù)的溶液的電導(dǎo)率或電阻率。電導(dǎo)計166一直置于管道153中，以致可在任何時刻甚至連續(xù)地讀數(shù)以確定電導(dǎo)率。這一確定所需的時間明顯少于現(xiàn)有技術(shù)特有的樣品評估所需的時間。因此，當(dāng)探測到有問題的溶液時，可采取恰當(dāng)?shù)牟襟E來減少對晶片的損傷。電導(dǎo)計166的另一優(yōu)點是無需打開系統(tǒng)就可確定濃度，減少了沾污并避免了使附近人員暴露于有害化學(xué)品的危險。
在一個變通實施例中，不密封的各個泵可以用能被獨立控制來調(diào)整過濾器輸出端處的溶液的分立的馬達(dá)驅(qū)動。電導(dǎo)計可測量溶液的電導(dǎo)率以提供控制信號來調(diào)整各個馬達(dá)的速度或各個泵頭的輸出沖程量以改變?nèi)芤旱臐舛?。馬達(dá)的調(diào)整是由電導(dǎo)計到馬達(dá)的包含電氣和機(jī)械器件的反饋路徑來提供的。當(dāng)輸入液體例如30％的氫氧化銨的濃度改變時，這一實施例可能有利于調(diào)節(jié)輸出溶液例如2％的氫氧化銨的濃度。
總之，本發(fā)明提供了一種新穎的稀釋裝置和一種制造集成電路的方法，它包含制備一種用來從半導(dǎo)體晶片清除殘留物的由二種液體組成的溶液。這些液體在過濾器中組合成所希望的溶液。由公共馬達(dá)驅(qū)動的不密封的各個泵對各個液體進(jìn)行泵壓，同時在溶液速率改變時保持各個速率之比率恒定。借助于用電導(dǎo)計測量電導(dǎo)率來確定溶液的濃度。
稀釋的氫氧化銨溶液按需要的量隨時制作，無需制備和儲存大量其濃度隨著氨氣的蒸發(fā)而改變的溶液。此裝置運(yùn)行于密封的外殼中，以減輕對安全和環(huán)境的損害以及對處置腐蝕性化學(xué)品的需要。
權(quán)利要求
1．一種制造集成電路的方法，其特征是通過過濾器(130)組合第一和第二液體(氫氧化銨和水)，以制作一種溶液，用來從集成電路清除殘留物。
2．權(quán)利要求1的方法，其進(jìn)一步特征是在過濾器的第一位置(132)處將第一液體引入過濾器；以及在高于第一位置的過濾器的第二位置(133)處，將第二液體引入過濾器。
3．權(quán)利要求2的方法，其中的組合步驟包含下列步驟以第一流速將第一液體泵壓穿過過濾器；以及以高于第一流速的第二流速將第二液體泵壓穿過過濾器。
4．權(quán)利要求3的方法，其中的組合步驟包含以第三流速制作稀釋的氫氧化銨溶液的步驟，其進(jìn)一步特征是當(dāng)?shù)谌魉俑淖儠r，保持第二流速對第一流速的比率基本恒定。
5．一種制造集成電路的設(shè)備，其特征是一個過濾器(130)，它帶有分別接收第一和第二液體的第一和第二輸入(132和133)以及提供用來從集成電路清除殘留物的溶液的輸出(153)。
6．權(quán)利要求5的設(shè)備，其中的第二液體以高于第一液體的流速流向過濾器，且第二輸入安置在第一輸入的上方。
7．權(quán)利要求5的設(shè)備，其進(jìn)一步特征是連接于過濾器輸出的用來確定溶液濃度的電導(dǎo)計(166)。
8．一種用來從集成電路清除殘留物的設(shè)備，其特征是用來泵壓第一液體的第一泵(141)；用來泵壓第二液體的第二泵(142)；帶有分別從第一和第二泵接收第一和第二液體的第一和第二輸入(132和133)以及用來提供清洗溶液的輸出(153)的組合裝置(130)；以及連接于組合裝置輸出的用來測量清洗溶液的電導(dǎo)率的測量裝置(166)。
9．權(quán)利要求8的設(shè)備，其進(jìn)一步特征是一個馬達(dá)(143)，用來驅(qū)動第一和第二泵，以便以第一流速提供第一液體和以第二流速提供第二液體，從而以第三速率提供清洗溶液，其中第一和第二速率之比率在第三速率變化時保持恒定。
10．權(quán)利要求9的設(shè)備，其中的第一流速低于第二流速，且組合裝置的第一輸入安置在第二輸入的下方。
全文摘要
一種用來制備從半導(dǎo)體晶片清除殘留物的由二種液體組成的溶液的稀釋裝置(100)和方法。各個液體在過濾器(130)中被組合成所希望的溶液。不密封的泵(141,142)由公共馬達(dá)(143)驅(qū)動,以便在溶液的流速變化時,以它們各自流速的恒定比率泵壓各個液體。用電導(dǎo)計(166)來測量溶液的電導(dǎo)率以確定濃度。
文檔編號H01L21/306GK1208950SQ9811555
公開日1999年2月24日 申請日期1998年6月30日 優(yōu)先權(quán)日1997年7月1日
發(fā)明者詹姆斯·A·格魯特戈德, 詹姆斯·F·瓦奈爾 申請人:摩托羅拉公司