專利名稱：清洗晶片用的盛器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體晶片的清洗，具體涉及到用來(lái)保持多個(gè)晶片同時(shí)能最大限度暴露于超聲波下的盛器。
微電子工業(yè)用的半導(dǎo)體晶片在生產(chǎn)中首先是將硅晶錠切成薄的晶片。切片后，對(duì)晶片作研磨處理，使它們的厚度大致均一。再對(duì)晶片進(jìn)行刻蝕以除去缺陷而產(chǎn)生光滑的表面。最后的工序是拋光晶片，使在各晶片的至少一面上形成高反射性的和無(wú)缺陷的表面。這些晶片在研磨與刻蝕兩道工序之間必需進(jìn)行清洗，以除去例如磨粒等污染物。如果清洗過(guò)程不是很有效，晶片的表面就會(huì)為細(xì)的磨粒殘余物污染。這類殘余的磨粒在電氣裝置制造過(guò)程中就會(huì)造成污染問(wèn)題。
晶片的清洗通常是將它們浸沒(méi)于液體介質(zhì)中同時(shí)暴露于超聲波下來(lái)進(jìn)行。首先將各晶片置于盒或盛器中，這種盒或盛器收納下多個(gè)晶片并把它們保持成平行分隔排列的豎立形式。將此載有晶片的盛器置于清洗槽中，浸沒(méi)于含腐蝕溶液的流體中，用或不用表面活性劑去分散臟物。將位于清洗槽底部的超聲波發(fā)生器發(fā)出的超聲波引入到此液體介質(zhì)中。晶片表面上的磨?；蚱渌廴疚锿ㄟ^(guò)暴露于超聲波下得以除去。然后將此盛器置入沖洗槽中用去離子水沖洗晶片，最后以異丙醇蒸汽干燥晶片。
上述盛器必須限制晶片的振動(dòng)以免造成損傷。當(dāng)盛器移動(dòng)，例如在把它放到清洗槽內(nèi)時(shí)，這些晶片在盛器內(nèi)有可能碰撞或相互抵觸，形成缺口或裂紋。為了防止這類破損，先有技術(shù)的盛器企圖能在安全的方式下保持晶片曾設(shè)計(jì)成很大的結(jié)構(gòu)。這類盛器中的某些有許多用來(lái)接納和保持晶片周邊區(qū)域的狹溝。每條狹溝沿著晶片周沿的顯著部分展延，例如從晶片底部附近位置向上高達(dá)其上部1/3處。
上述清洗過(guò)程中的一個(gè)重要問(wèn)題是，盛器會(huì)阻礙晶片的一些部分適當(dāng)?shù)乇┞队诔暡ㄏ?，先有技術(shù)的盛器具有多少是龐大了點(diǎn)的用來(lái)將晶片支承于狹溝中的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)阻擋或防礙了超聲波分散到整個(gè)液體介質(zhì)中，因而也就阻止了超聲波到達(dá)晶片的所有區(qū)域以足夠的強(qiáng)度去清洗它。特別是由于超聲波在到達(dá)清洗槽的上部之前便受到阻擋，晶片表面的上部常常清洗得不充分而保留一些有害的粒狀物污染。這樣，晶片的清洗是不均一的。此外，上述盛器的結(jié)構(gòu)甚至?xí)钃暇砻娴母稍?。置納于狹溝內(nèi)的晶片的周邊區(qū)在異丙醇的干燥過(guò)程中未被充分地干燥，形成了水印和導(dǎo)致晶片質(zhì)量下降。
可以指出的是，在本發(fā)明的若干目的與特點(diǎn)之中提供了用來(lái)盛納和保持多塊半導(dǎo)體晶片的盛器；提供了可使晶片表面所有部分能在超聲波輻射處理中得到充分清洗的盛器；提供了在移動(dòng)或振動(dòng)時(shí)能防止損傷晶片的盛器；提供了可均勻干燥晶片表面的盛器，以及提供了易于使用的盛器。
簡(jiǎn)單地說(shuō)，本發(fā)明的盛器可盛納和保持許多晶片，在將它與多個(gè)半導(dǎo)體晶片浸沒(méi)到液體介質(zhì)中而在液體介質(zhì)中產(chǎn)生有超聲波的清洗晶片過(guò)程中，能允許各晶片的表面最大限度地暴露于超聲波輻射下，用來(lái)保持晶片的這種盛器的尺寸由晶片的直徑所確定，包括相分開的側(cè)壁以及若干水平桿，這些水平桿在一起定位成用來(lái)將各晶片支承成大致豎立、面對(duì)面大致相互平行的位置。各桿在側(cè)壁之間延伸并與側(cè)壁相互連接，這些桿以相互分開的關(guān)系定位，使得晶片能暴露于桿之間的液體介質(zhì)中與超聲波下，各側(cè)壁的取向使盛器能用來(lái)將晶片保持大致與側(cè)壁平行。側(cè)壁所選的尺寸使其最大高度約小于晶片直徑之半，以便讓保持有晶片的盛器在浸沒(méi)于液體介質(zhì)中時(shí)各晶片的上半部暴露于液體介質(zhì)，從而此盛器適合這樣地保持晶片可使超聲波只受到此盛器結(jié)構(gòu)的最小阻抗影響，一般不受阻地通過(guò)液體介質(zhì)而到達(dá)晶片表面的所有部分，由此有助于有效的清洗。
在另一方面，本發(fā)明的盛器可盛納和保持多個(gè)半導(dǎo)體晶片。在將此盛器與晶片浸沒(méi)于液體介質(zhì)中而在液體介質(zhì)中產(chǎn)生有超聲波的清洗晶片過(guò)程中，能允許各晶片的表面最大限度地暴露于超聲波輻射下。適合保持晶片的此盛器的尺寸由晶片的直徑所確定。這樣的盛器包括兩個(gè)相分隔開的豎立側(cè)壁以及三根分隔開定位的水平桿，它們用來(lái)將晶片支承成相互大致平行的關(guān)系。至少在一根桿上設(shè)有一列分隔開的齒。每對(duì)相鄰的齒之間限定一大致呈V形的狹溝來(lái)盛納晶片的周邊部分，用來(lái)使晶片在盛器中相對(duì)于其他晶片保持在相分開的位置中。
本發(fā)明的其他目的與特點(diǎn)將在以后部分地得以弄明白，部分地將給以指出。


圖1是本發(fā)明的清洗晶片用盛器的頂視平面圖；圖2是此盛器的側(cè)視圖；圖3是此盛器的端視圖；圖4是沿圖1中4-4線平面中截取的剖面圖，并示出假想的由此盛器保持的晶片；圖5是沿圖1中5-5線的平面中截取的剖面圖；而圖6是沿圖1中6-6線的平面中截取的剖面圖。
在以上所有的附圖中，以相應(yīng)的標(biāo)號(hào)指相應(yīng)的部件。
現(xiàn)來(lái)參看附圖，特別參看圖1與4，其中用來(lái)盛納和保持多塊半導(dǎo)體晶片的盛器總體地以10表明。盛器10在將它與晶片浸沒(méi)于清洗槽內(nèi)液體介質(zhì)中且在此液體介質(zhì)中產(chǎn)生有超聲波的晶片清洗過(guò)程中，能使晶片W最大限度地暴露于超聲波下。
盛器10包括一框架，此框架有兩個(gè)平行相分開的側(cè)壁14和幾根在此兩側(cè)壁間延伸并垂直于此側(cè)壁取向的水平桿16。在側(cè)壁14之外有與之相分開的外壁18。各個(gè)側(cè)壁與一個(gè)外壁關(guān)聯(lián)。水平桿16的外側(cè)有兩個(gè)相分開的與水平桿平行的端部件20，它們位于盛器兩側(cè)的相對(duì)端處。在圖1所示的平面圖中，外壁18與端部件20限定出此盛器結(jié)構(gòu)的周邊。盛器10的所有部件通常都具有圓角。
各側(cè)壁14在其中部具有最大高度而在趨向其端部22、24時(shí)高度漸減，如圖4所示。在最佳實(shí)施形式中，各側(cè)壁的上邊緣26具有緩慢微凸的類似于倒船殼的形狀。這種形狀為既結(jié)實(shí)而表面積又小的盛器結(jié)構(gòu)提供了有效的支承。上述兩個(gè)側(cè)壁一般具有相同的形狀與大小。
確定此盛器高度的各側(cè)壁14的最大高度H其尺寸范圍為要由盛器所保持的晶片W的直徑的1/4～1/2。實(shí)際上，在此高度范圍內(nèi)的側(cè)壁已表明具有良好的盛器穩(wěn)定性而普遍地保持有小的表面面積。與先有技術(shù)盛器相比的較小表面面積就保證了當(dāng)保持晶片的盛器浸沒(méi)于液體介質(zhì)中時(shí)，各晶片的上半部暴露于液體介質(zhì)中。此盛器10能讓超聲波在盛器結(jié)構(gòu)的最大阻抗下，一般無(wú)阻礙地通過(guò)液體介質(zhì)到達(dá)晶片表面的所有部分，從而促進(jìn)了有效的清洗工作。
各側(cè)壁14的長(zhǎng)度L確定為略小于盛器所保持的晶片W的直徑。在最佳實(shí)施形式中，此側(cè)壁長(zhǎng)度是晶片直徑的至少90％而更好是其94％。要是此側(cè)壁長(zhǎng)度顯著地小于90％晶片直徑，此盛器有可能不穩(wěn)定，而要是它大于100％晶片直徑，盛器就將重到不必要的程度。
盛器10有4個(gè)支柱30將它支承在它的下表面之上，為它提供穩(wěn)定性。從各側(cè)壁14的底部延伸出的兩個(gè)支柱具有相同的長(zhǎng)度，用以將盛器沿水平取向支承。這4個(gè)支柱相對(duì)于盛器的中心作對(duì)稱地設(shè)置。
如圖2與3所示，兩外壁18大致沿盛器的上半部平行于側(cè)壁14對(duì)準(zhǔn)，且位于側(cè)壁14之外并分隔開，由隔離棱32連接到側(cè)壁14上。各外壁18中有3個(gè)孔34以使盛器盡可能地輕量化，每個(gè)孔具有與盛器輪廓相調(diào)和的便于經(jīng)濟(jì)制造的簡(jiǎn)單形狀。在此最佳實(shí)施形式中，上述3個(gè)孔使各外壁18的面積減小了35％～55％。
各孔34的周邊36所取的形狀使得沿此周邊不存在有可能收集液體和妨礙徹底干燥的水平表面。相反，此周邊36取朝著脫離開盛器的方向逐漸減縮的輪廓，以使液體從此邊緣流走，這種漸縮的錐角為15～60°而最好為30～45°。盛器10的其他表面，包括各外壁18的和各側(cè)壁14的頂部周邊，取類似的傾斜形式以防液體的積聚或蓄留。
在兩側(cè)壁14之間延伸的端部件20形成了用手來(lái)提拿盛器的手柄或用于由機(jī)械手末端操縱裝置握持與支承的手柄。端部件20具有倒圓的底部以便握持，同時(shí)是空心的而得以減輕盛器的重量。如圖2所示，各側(cè)壁14包括位于各端部件附近的凸端38，可使機(jī)械手末端操縱裝置在提拿盛器時(shí)不會(huì)從側(cè)壁或端部件處滑脫。
水平桿16包括4個(gè)用來(lái)保持和支承晶片重量的桿40以及如下所述的包括穩(wěn)定用桿42的第5桿。這4個(gè)支承桿40將晶片W保持成大致豎立、面對(duì)面地相互平行定位。各水平桿16都是在兩側(cè)壁14之間延伸并與之互連，可以取圓柱或方柱形等。這些桿16相互分隔開地定位，以使晶片在清洗過(guò)程中都能暴露向清洗槽底產(chǎn)生的并于各桿之間傳播的超聲波。保持更多或更少個(gè)數(shù)晶片的其他規(guī)格的水平桿也應(yīng)包括于本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
如圖4所示，各支承桿40在一起以分隔開的關(guān)系確定一段與各晶片W上一弧形周邊段相對(duì)應(yīng)的弧44?；?4在晶片W與圖4中左邊最遠(yuǎn)處的桿40的接觸點(diǎn)和晶片與此圖中右邊最遠(yuǎn)處的桿40的接觸點(diǎn)之間延伸?；?4也與其他的桿40相交。為這些桿所確定的弧44對(duì)應(yīng)于包括晶片W整個(gè)圓周的至少約2/7而最好是2/5的一圓弧段。上述各支承桿40所確定的弧段，最好是在晶片的運(yùn)輸與超聲清洗中為保持其穩(wěn)定所需最小長(zhǎng)度的弧段。附圖中所示的支承桿40相對(duì)于盛器10的中心以均勻的間隔作大致對(duì)稱的排列。這些桿的其他定位形式，包括非對(duì)稱的間隔，也不脫離本發(fā)明的范圍。
支承桿40中的第1與第2桿是在端部22、24附近在兩側(cè)壁14各個(gè)之上的位置之間延伸，第3與第4桿是在兩側(cè)壁14上從端部22、24大致向內(nèi)分開的位置間延伸。在至少一根支承桿40上設(shè)有一列相分開的齒50。在此最佳實(shí)施形式中，齒50是位于第1與第2桿上的，而第3與第4桿則無(wú)齒。應(yīng)知是可以有其他組合形式的，例如只有一個(gè)桿或是所有的桿有齒。這一列齒50基本上是沿著有齒的各支承桿40的整個(gè)長(zhǎng)度上分布。應(yīng)知，只在這種桿的一部分上有齒也不脫離本發(fā)明的范圍。
相鄰的成對(duì)的齒50界定出如圖5中統(tǒng)一以52標(biāo)明的用于盛納晶片周邊部的V形狹溝。各個(gè)狹溝52適合置納晶片W的周邊部以使此晶片相對(duì)于盛器中的其他晶片保持于分隔開的位置中。齒50具有大致錐形的斜度或坡度，且有35～50°的恒定的夾角A。各個(gè)齒的齒梢54最好倒圓，以便于將晶片插入狹溝52內(nèi)和避免因疏忽碰撞齒梢而損傷晶片。
第5水平桿包括穩(wěn)定用桿42，它限制晶片相對(duì)于盛器的運(yùn)動(dòng)，用來(lái)穩(wěn)定晶片的任何振動(dòng)并保持晶片在位。此穩(wěn)定用桿42垂直于側(cè)壁14并在靠近各側(cè)壁中心的位置間延伸。應(yīng)知此穩(wěn)定用桿可以位于沿盛器10的任何位置處而不脫離本發(fā)明的范圍。穩(wěn)定用桿42有一列相分開的齒56，在各兩相鄰齒之間確定出圖6中概以58標(biāo)明的Y形谷用來(lái)置納晶片的周邊部分。各個(gè)谷58的尺寸與形狀選定成能使晶片松弛地置納其中。穩(wěn)定用桿42上的齒56具有的大致垂直的邊緣60形成了上述谷的側(cè)邊，各個(gè)谷的兩側(cè)邊以大于置納其中的晶片厚度的間距S平行地分開。各谷兩側(cè)邊所分開的間距S最好大于晶片厚度約10％～約20％。各晶片懸掛于谷58之底62的上方，除非振動(dòng)或失配是不與齒56接觸的。谷底62是平齊的，但對(duì)于本發(fā)明的正常效用而言并非必需是平齊的。各個(gè)谷58所取的形狀可使其中的晶片在標(biāo)準(zhǔn)位置(在此位置上，晶片懸掛于谷中；保持成基本上不與穩(wěn)定用桿42上的齒56有任何接觸)和偏轉(zhuǎn)位置(在此位置上，晶片在此各側(cè)邊60處與穩(wěn)定用桿42上的一個(gè)齒接觸，以防晶片進(jìn)一步作振動(dòng)偏轉(zhuǎn))之間作振動(dòng)運(yùn)動(dòng)。穩(wěn)定用桿上的齒56具有大致錐形的斜度或坡度，且有35～50°的恒定夾角B。各齒的齒梢64最好倒圓，以免晶片因操作疏忽碰撞上齒梢時(shí)致傷。
盛器10為單件模塑結(jié)構(gòu)。材料為對(duì)清洗溶液中的化合物作用和對(duì)高溫的影響基本為惰性的和穩(wěn)定的樹脂，因而在暴露于化合物和高溫下時(shí)不會(huì)損壞、變形或軟化。在此最佳實(shí)施形式中，這一盛器是由氟基樹脂如PFA或PTFE或是由另外的樹脂如PEEK或PBT形成。
作業(yè)中，將許多晶片W置于盛器10中進(jìn)行清洗以除去細(xì)微的塵粒與磨粒殘?jiān)Ｃ繅K晶片插入時(shí)要使其邊緣同時(shí)接觸與支承桿40相對(duì)應(yīng)的4個(gè)接觸點(diǎn)(圖4)，以支承此晶片。這4個(gè)點(diǎn)包括在第1與第2桿上晶片邊緣與圖5中V形狹溝52結(jié)合的兩個(gè)點(diǎn)以及第3與第4桿上沒(méi)有齒而對(duì)晶片在其邊緣上支承的兩個(gè)點(diǎn)。各晶片的一小段周邊部分同時(shí)置納于穩(wěn)定用桿42上兩相鄰齒之間Y形谷58中之一(圖6)，晶片在此懸掛于谷底62的上方?？梢杂檬只蛴蓹C(jī)械手末端操作裝置握持住端部件20來(lái)提拿此盛器。將盛器運(yùn)送到清洗槽中，運(yùn)輸中晶片的任何振動(dòng)為穩(wěn)定用桿42上的齒56所限制。載有晶片的盛器10浸于例如化合物溶液的液體介質(zhì)中，清洗槽內(nèi)通常是在槽底上產(chǎn)生超聲波。由于盛器10具有低的懸度和最小的體結(jié)構(gòu)，此超聲波將不會(huì)為盛器的上部阻礙，從而到達(dá)晶片表面的所有部分。然后此盛器與晶片用去離子水沖洗并以異丙醇蒸汽干燥。由于這里是將晶片以點(diǎn)接觸支承而不是像先有技術(shù)中的某些其他盛器那樣由狹縫支承，就不會(huì)有積留液體和妨礙干燥之處。因此，這種盛器可以更均勻地干燥和抑制在晶片表面上形成水印或類似的其他痕跡。
這樣，本發(fā)明的盛器10可以盛納和保持許多半導(dǎo)體晶片并可使晶片表面的所有部分獲得充分的清洗和均勻的干燥。這種盛器在其移動(dòng)或振動(dòng)時(shí)也能防止損傷晶片。
從上述可知，本發(fā)明的前述幾個(gè)目的已經(jīng)達(dá)到，同時(shí)取得了其他的有益結(jié)果。
在介紹本發(fā)明的或其最佳實(shí)施形式中的部件時(shí)，涉及到的冠詞“一個(gè)”、“這種”以及“所述的”是用來(lái)表明此種部件的一或多個(gè)。又，其中所用到的詞“包括”、“具有”等是用作包含有之意，即意味著除所列出的部件外尚有其他的部件。
由于在不脫離本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)以上所述作出種種變更，因而應(yīng)把以上所述和附圖所示的全部?jī)?nèi)容視作為闡明性的而非限制意義的。
權(quán)利要求
1.可盛納和保持許多半導(dǎo)體晶片的盛器，在將此盛器與晶片浸沒(méi)于液體介質(zhì)中而在此液體介質(zhì)中產(chǎn)生有超聲波的清洗晶片過(guò)程中，能允許各晶片的表面最大限度地暴露于超聲波下，此盛器適合保持尺寸由晶片直徑所確定的晶片，此盛器包括相分開的側(cè)壁；以及若干水平桿，這些水平桿在一起定位成用來(lái)將晶片支承成大致豎立、面對(duì)面地相互大致平行，各個(gè)桿在此兩側(cè)壁間延伸并與側(cè)壁相互連接，這些桿相互間隔開定位成能使晶片暴露向上述液體介質(zhì)以及所述桿之間的超聲波，上述兩側(cè)壁的取向可使此盛器適合將晶片保持成與側(cè)壁大致平行，這些側(cè)壁的尺寸選定為令其最大高度約小于晶片直徑之半，以使載有所述晶片的盛器浸沒(méi)于液體介質(zhì)中時(shí)，各晶片的上半部暴露于液體介質(zhì)中，從而這種盛器可用來(lái)將晶片保持成，使超聲波只受到此盛器結(jié)構(gòu)的最小阻抗影響，一般不受阻地通過(guò)液體介質(zhì)而到達(dá)晶片表面的所有部分，由此有助于有效地清洗。
2.權(quán)利要求1所述的盛器，其中各所述側(cè)壁一般是在其中部具有最大高度，而在沿兩側(cè)趨向側(cè)壁的兩個(gè)相對(duì)端時(shí)高度漸減。
3.權(quán)利要求2所述的盛器，其中各所述側(cè)壁具有的上周邊確定此側(cè)壁的大致凸形。
4.權(quán)利要求3所述的盛器，其中各所述側(cè)壁的高度是晶片直徑的約1/4～約1/2。
5.權(quán)利要求4所述的盛器，其中所述兩側(cè)壁大致地對(duì)準(zhǔn)且具有基本相同的尺寸與形狀。
6.權(quán)利要求1所述的盛器，其中所述若干水平桿在一起以相分開的關(guān)系定位成確定一段與各晶片上弧形周邊的一段相對(duì)應(yīng)的弧，這些桿適合在沿晶片的弧形周邊的點(diǎn)處與晶片結(jié)合。
7.權(quán)利要求6所述的盛器，其中在所述桿的至少一根之上還包括一列相分開的齒，各相鄰的齒對(duì)適合接納晶片的周邊部分，用以將此晶片保持成相對(duì)于此盛器中的其他晶片作相分開的定位。
8.權(quán)利要求7所述的盛器，其中所述相鄰的齒對(duì)界定出所取形狀適合用來(lái)納置晶片周邊部分的V形狹溝。
9.權(quán)利要求7所述的盛器，其中所述的桿至少有4根，包括兩根有齒的桿和兩根桿無(wú)齒的桿。
10.權(quán)利要求1所述的盛器，其中所述水平桿包括支承桿，同時(shí)還包括至少一根穩(wěn)定用桿，后者水平地在兩側(cè)壁的中央?yún)^(qū)之間延伸，用以限制晶片相對(duì)于此盛器的運(yùn)動(dòng)而穩(wěn)定住晶片，此穩(wěn)定用桿取垂直于所述側(cè)壁的方向。
11.權(quán)利要求10所述的盛器，其中在所述穩(wěn)定用桿上還包括一列相分開的齒，而在此穩(wěn)定用桿上每?jī)蓚€(gè)相鄰齒之間形成有用來(lái)置納晶片的谷，各個(gè)谷的尺寸與形狀選定成可使晶片松弛地置納于其中，以使其中的晶片在由支承桿支承成與穩(wěn)定用桿上的齒實(shí)質(zhì)上無(wú)任何接觸的名義位置和在所述谷一側(cè)與該穩(wěn)定用桿上的一個(gè)齒接觸以防此晶片進(jìn)一步振動(dòng)偏轉(zhuǎn)的已偏轉(zhuǎn)位置之間，作振動(dòng)運(yùn)動(dòng)。
12.可盛納和保持許多半導(dǎo)體晶片的盛器，在將此盛器與晶片浸沒(méi)于液體介質(zhì)中而在此液體介質(zhì)中產(chǎn)生有超聲波的清洗晶片過(guò)程中，能允許各晶片的表面最大限度地暴露于超聲波下，此盛器適合保持尺寸由晶片直徑而確定的晶片，此盛器包括兩個(gè)相分開的豎立側(cè)壁；至少三根以相分開關(guān)系定位用以將晶片支承成相互成大致平行關(guān)系的水平桿，各水平桿在兩側(cè)壁間延伸；以及在上述桿的至少一根之上的一列相分開的齒，各相鄰的齒對(duì)在其間確定出大致呈V形的狹溝用以置納晶片的周邊部分，使此晶片保持成相對(duì)于盛器中的其他晶片作相分開的定位。
13.權(quán)利要求12所述的盛器，其中所述水平桿包括支承桿和至少一根穩(wěn)定用桿，此穩(wěn)定用桿水平地在該兩側(cè)壁間延伸以限制晶片相對(duì)于所述盛器的運(yùn)動(dòng)，而使晶片穩(wěn)定。
14.權(quán)利要求13所述的盛器，其中所述穩(wěn)定用桿上包括一列相分開的齒，在兩相鄰齒之間形成有用于納置晶片的谷，每個(gè)谷的尺寸與形狀確定成可使晶片松馳地置納于其中。
15.權(quán)利要求14所述的盛器，其中所述穩(wěn)定用桿上的齒具有大致垂直的邊緣形成了上述谷的側(cè)邊，各個(gè)谷的兩側(cè)邊成平行分開的關(guān)系，所分開的間距超過(guò)谷間置納的晶片的厚度。
16.權(quán)利要求15所述的盛器，其中所述各谷的兩側(cè)邊所分開的間距大于所述晶片的厚度約10％～約20％。
17.權(quán)利要求12所述的盛器，其中所述各水平桿在一起以相分開的關(guān)系定位成確定出一段與各晶片上弧形周邊的一段相對(duì)應(yīng)的弧，這些桿適合在沿晶片的弧形周邊的點(diǎn)上與晶片結(jié)合。
18.權(quán)利要求17所述的盛器，其中所述的桿至少有4根，包括兩根桿有齒的桿和兩根無(wú)齒的桿。
19.權(quán)利要求12所述的盛器，其中各所述側(cè)壁一般是在其中部具有最大高度，而在其沿兩側(cè)趨向側(cè)壁的兩個(gè)相對(duì)端時(shí)高度漸減。
20.權(quán)利要求12所述的盛器，其中各所述側(cè)壁的尺寸確定成使其所具最大高度約小于晶片直徑之半。
全文摘要
可盛納和保持許多半導(dǎo)體晶片的盛器,在將此盛器與晶片浸沒(méi)于液體介質(zhì)中而在此液體介質(zhì)中產(chǎn)生有超聲波的清洗晶片過(guò)程中,能允許各晶片的表面最大限度地暴露于超聲波下。此盛器包括:相分開的兩側(cè)壁;以及若干與此兩側(cè)壁相互連接的水平桿,這些水平桿在一起定位成用來(lái)將晶片支承成大致豎立、面對(duì)面地相互大致平行,各個(gè)桿在此兩側(cè)壁間延伸并與側(cè)壁相互連接,這些桿相互間隔開定位成能使晶片暴露向上述液體介質(zhì)以及所述桿之間的超聲波。側(cè)壁所選尺寸使其最大高度約小于晶片直徑之半。此盛器適合于將晶片保持成,可使超聲波只受到此盛器結(jié)構(gòu)的最小阻抗影響,一般不受阻地通過(guò)液體介質(zhì)而到達(dá)晶片表面的所有部分,由此有助于有效地清洗。在兩側(cè)壁中央?yún)^(qū)之間水平地延伸一穩(wěn)定用桿,用來(lái)限制晶片相對(duì)于盛器的運(yùn)動(dòng),使晶片穩(wěn)定。
文檔編號(hào)H01L21/673GK1326588SQ99812346
公開日2001年12月12日 申請(qǐng)日期1999年10月15日 優(yōu)先權(quán)日1998年10月19日
發(fā)明者巖本義夫, 黑川博幸 申請(qǐng)人:Memc電子材料有限公司