專利名稱：：晶片加工用帶的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種晶片加工用帶，尤其是涉及一種具有切割帶與管芯焊接膜的二種功能的晶片加工用帶。
背景技術：
：近來有開發(fā)一種同時具有切割帶(dicingtape)以及管芯焊接膜(diebondingfilm)的二種功能的切割-管芯焊接帶(dicing-diebondingtape)，其中，該切割帶在將半導體晶片切斷分離(切割)成各個芯片時用于固定半導體晶片，該管芯焊接帶用于將被切斷的半導體晶片粘接于引線框或封裝基板等或在堆疊封裝中用于半導體晶片彼此層疊及粘接。作為這樣的切割-管芯焊接帶，考慮到對晶片的貼附或?qū)η懈顣r的環(huán)形框的安裝等的作業(yè)性，而實施預切割(pre-cut)加工。圖8、圖9(a)及圖9(b)是表示預切割加工后的切割-管芯焊接帶的例子。圖8是表示將切割-管芯焊接帶卷繞成輥卷狀的狀態(tài)的圖；圖9(a)是切割-管芯焊接帶的俯視圖；圖9(b)是圖9(a)的線B-B的剖視圖。切割-管芯焊接帶50包括分型膜51、粘接劑層52以及粘合膜53。粘接劑層52被加工成對應晶片的形狀的圓形，且具有圓形標簽形狀。粘合膜53將對應切割用的環(huán)形框的形狀的圓形部分的周邊區(qū)域除去而成，如圖所示，具有圓形標簽部53a與包圍其外側(cè)的周邊部53b。使粘接劑層52與粘合膜53的圓形標簽部53a的中心一致并層疊，或者使粘合膜53的圓形標簽部53a覆蓋粘接劑層52且在其周圍與分型膜51接觸。在切割晶片時，從層疊狀態(tài)的粘接劑層52及粘合膜53剝離分型膜51，如圖10所示，將半導體晶片W的背面貼附在粘接劑層52上，在粘合膜53的圓形標簽部53a的外周部粘合固定切割用環(huán)形框R。在該狀態(tài)下，對半導體晶片W進行切割，之后，對粘合膜53實施紫外線照射等固化處理并拾取半導體晶片。此時，粘合膜53因固化處理而粘合力降低，因此，容易從粘接劑層52剝離，半導體晶片在背面附著了粘接劑層52的狀態(tài)下被拾取。附著于半導體晶片的背面的粘接劑層52，在之后將半導體晶片粘接于引線框或封裝基板或其他半導體芯片時，發(fā)揮作為管芯焊接膜的功能。然而，如圖8、圖9(a)及圖9(b)所示，在上述的切割-管芯焊接帶50中，粘接劑層52與粘合膜53的圓形標簽部53a層疊的部分比粘合膜53的周邊部5厚。因此，當作為產(chǎn)品卷成輥卷狀時，粘接劑層52與粘合膜53的圓形標簽部53a的層疊部分、和粘合膜53的周邊部53b的臺階相互重疊，且發(fā)生在柔軟的粘接劑層52表面轉(zhuǎn)印有臺階的現(xiàn)象，即圖11所示的轉(zhuǎn)印痕跡(也稱為標簽痕跡、皺紋或卷繞痕跡)。尤其是，在粘接劑層52以柔軟的樹脂形成的情況或具有厚的情況、以及帶50的卷數(shù)較多的情況等，這樣的轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生更為顯著。并且，當發(fā)生轉(zhuǎn)印痕跡時，因粘接劑層與半導體晶片的粘接不良，導致在晶片加工時存在產(chǎn)生不良狀況的擔心。為了抑制上述轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生，考慮了減弱帶的卷繞壓力，但在這種方法中，存在如下的擔心因產(chǎn)品的卷繞偏移，導致給例如難以對帶安裝機進行設定等帶的實際使用時帶來障礙。另外，在專利文獻1中公開了一種粘接片，其為了抑制上述那樣的標簽痕跡的發(fā)生，在剝離基材上的粘接劑層及粘合膜的外側(cè)設置具有與粘接劑層及粘合膜的合計膜厚相等或該合計膜厚以上的膜厚的支承層。在專利文獻1的粘接片中，通過具備支承層，將施加于粘接片的卷繞壓力分散或集中于支承層，抑制粘接劑層與粘合膜的層疊部分和僅有粘合膜的部分的臺階轉(zhuǎn)印于其他粘接劑層。然而，在上述專利文獻1的粘接片中，在剝離基板上的制造半導體裝置的情況等所需的粘接劑層及粘合膜以外的部分形成有支承層，因此，支承層的寬度具有限制，且支承層的寬度相對粘接劑層及粘合膜的外徑較窄，從而，轉(zhuǎn)印痕跡的抑制效果是不充分的。作為提高上述轉(zhuǎn)印痕跡的抑制效果的對策，在專利文獻2中公開了一種層疊片，其是用于在光盤的受光面層疊保護片的層疊片，在長條狀的剝離片上，分別在不同的位置層疊粘接片及保護件，保護件(支承構(gòu)件)設于剝離片的背面寬度方向兩側(cè)部(參照專利文獻2的圖11)。根據(jù)這樣將支承構(gòu)件設于背面?zhèn)鹊臉?gòu)成，由于支承構(gòu)件的寬度的限制變少，且可加寬支承構(gòu)件的寬度，所以可期待有效抑制轉(zhuǎn)印痕跡的形成。專利文獻1日本特開2007-2173號公報專利文獻2日本特開2004-35836號公報然而，由于晶片加工用帶被置于從保管時及運送時的低溫狀態(tài)(例如-20°C5°C)返回使用時的常溫狀態(tài)時或向晶片貼合的加熱時等溫度變化很大的特殊的使用環(huán)境下，所以單純地只在分型膜的背面?zhèn)仍O置支承構(gòu)件，并不適合作為晶片加工用途。即，在溫度變化大的使用環(huán)境下，支承構(gòu)件的尺寸變化因溫度變化而變大，導致在分型膜與粘合膜之間及粘接劑層與粘合膜之間侵入空氣而發(fā)生空隙(void)，存在發(fā)生對晶片的貼合不良的擔心。當發(fā)生貼合不良時，存在給之后的晶片的切割工序或帶的展延工序進而晶片的拾取工序或安裝工序的成品率帶來降低的擔心。另外，在公知的晶片加工用帶中，如圖8所示，存在若卷繞成輥卷狀作為產(chǎn)品就難以識別產(chǎn)品的種類的問題。為了解決此問題，雖然可考慮在例如圖9(a)所示的切割-管芯焊接帶50的圓形標簽部53a印刷產(chǎn)品的名稱等方法，但是為了不對上述切割工序帶來影響，印刷在沒有圓形標簽部53a的粘接劑層52的范圍為宜，因此，可印刷的空間受到限制，且文字的大小或文字數(shù)受到限制。由此，存在發(fā)生拿錯切割-管芯焊接帶等人為失誤的擔心。另外，在這種方法中，在卷繞成輥卷狀的狀態(tài)下且只從輥卷側(cè)面觀察(以紙面看圖8是從上方向或下方向觀察)，無法判別產(chǎn)品的種類。為了解決此問題，雖然可考慮針對每一產(chǎn)品種類而改變輥卷的卷心(core)的顏色等方法，但是存在如下問題著色卷心高價且關系成本提高，還需要持有較多的卷心的庫存等。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個目的，在于提供一種晶片加工用帶，當將在分型膜具有粘接劑層及粘合膜的晶片加工用帶卷繞成輥卷狀時，可充分地抑制對粘接劑層的轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生，而且可抑制起因于溫度變化的空隙的發(fā)生。本發(fā)明的另一目的，在于提供一種晶片加工用帶，當將在分型膜具有粘接劑層及粘合膜的晶片加工用帶卷繞成輥卷狀時，可充分地抑制對粘接劑層的轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生，而且可明確地識別帶的種類。本發(fā)明的晶片加工用帶的一方式，其特征在于具有長條狀的分型膜；粘接劑層(接著剤層)，其設于上述分型膜的第一表面上且具有規(guī)定的平面形狀；粘合膜，其具有標簽部與周邊部，上述標簽部以覆蓋上述粘接劑層且在上述粘接劑層的周圍與上述分型膜接觸的方式而設置且具有規(guī)定的平面形狀，上述周邊部包圍上述標簽部的外側(cè)，支承部件，其設于上述分型膜的與設有上述粘接劑層及粘合膜的第一表面相反的第二表面且位于上述分型膜的短邊方向兩端部，其中，所述支承部件的線膨脹系數(shù)為300ppm/°C以下。優(yōu)選為，上述支承構(gòu)件的線膨脹系數(shù)與上述分型膜的線膨脹系數(shù)之差為250ppm/°C以下，另外，優(yōu)選為，構(gòu)成上述粘合膜的基材膜與上述支承構(gòu)件之間的靜摩擦系數(shù)為0.22.0。另外優(yōu)選為，上述支承構(gòu)件設于上述分型膜的上述第二表面上的與設于上述第一表面的上述粘接劑層的外側(cè)對應的區(qū)域、沿著上述分型膜的長邊方向連續(xù)設置、以及具有上述粘接劑層的厚度以上的厚度。進而，上述支承構(gòu)件也可以為著色構(gòu)件，在該情況下，優(yōu)選為，上述著色構(gòu)件按照晶片加工用帶的種類或厚度而著色。另外，上述支承構(gòu)件也可以具有二層以上的層疊構(gòu)造。作為上述支承構(gòu)件，可適當?shù)厥褂迷谶x自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯及高密度聚乙烯構(gòu)成的組中的膜基材上涂敷了膠粘劑(粘接著剤)的膠粘帶(粘接著f一7°)。本發(fā)明的晶片加工用帶的另一方式，其特征在于具有長條狀的分型膜；粘接劑層，其設于上述分型膜的第一表面上且具有規(guī)定的平面形狀；粘合膜，其具有標簽部與周邊部，上述標簽部以覆蓋上述粘接劑層且在上述粘接劑層的周圍與上述分型膜接觸的方式而設置且具有規(guī)定的平面形狀，上述周邊部包圍上述標簽部的外側(cè)，著色支承構(gòu)件，其設于上述長條狀的分型膜的短邊方向兩端部。上述著色支承構(gòu)件也可以設于上述分型膜的設有上述粘接劑層及粘合膜的第一表面、及與該第一表面相反的第二表面的任一面，優(yōu)選設于第二表面。另外優(yōu)選為，上述著色支承構(gòu)件設于上述分型膜的上述第二表面上的與設于上述第一表面的上述粘接劑層的外側(cè)對應的區(qū)域、沿著上述分型膜的長邊方向連續(xù)設置、以及具有上述粘接劑層的厚度以上的厚度。另外，上述著色支承構(gòu)件也可以具有二層以上的層疊構(gòu)造。作為上述著色支承構(gòu)件也可以適當?shù)厥褂迷诰蹖Ρ蕉姿嵋叶减セ蚓埘サ哪せ纳贤糠罅四z粘劑的膠粘帶。優(yōu)選為，上述著色支承構(gòu)件基于晶片加工用帶的種類或厚度而顏色不同。根據(jù)本發(fā)明，通過在分型膜的背面設置具有特定的物性值的支承構(gòu)件，除了可獲得充分地抑制對粘接劑層的轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生的效果，也可以獲得即使在溫度變化大的使用環(huán)境下支承構(gòu)件的尺寸變化少，且可抑制空隙的發(fā)生的優(yōu)良效果。根據(jù)本發(fā)明，通過在分型膜的表面或背面設置著色支承構(gòu)件，除了可獲得抑制對粘接劑層的轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生的效果，也可以獲得可明確識別切割-管芯焊接帶的種類的優(yōu)良效果。圖1(a)是本發(fā)明實施方式的晶片加工用帶的俯視圖，(b)為(a)的線A_A的剖視圖。圖2是圖1所示的晶片加工用帶的變形例的晶片加工用帶的剖視圖。圖3是圖1所示的晶片加工用帶的另一變形例的晶片加工用帶的剖視圖。圖4(a)是本發(fā)明另一實施方式的晶片加工用帶的俯視圖；(b)為(a)的線A-A的剖視圖。圖5是本發(fā)明再一實施方式的晶片加工用帶的俯視圖。圖6是圖4所示的晶片加工用帶的變形例的晶片加工用帶的剖視圖。圖7是圖4所示的晶片加工用帶的另一變形例的晶片加工用帶的剖視圖。圖8是現(xiàn)有晶片加工用帶的立體圖。圖9(a)是現(xiàn)有晶片加工用帶的俯視圖；(b)為其剖視圖。圖10是表示貼合有晶片加工用帶與切割用環(huán)形框的狀態(tài)的剖視圖。圖11是用于說明現(xiàn)有晶片加工用帶的不正常狀況的示意圖。附圖標號說明10、20:晶片加工用帶11,21分型膜12、22粘接劑層13、23粘合膜13a、23a圓形標簽部13b,23b周邊部14、14，、14”支承構(gòu)件M、24，、24”、34著色支承構(gòu)件具體實施例方式(第1實施方式)以下根據(jù)附圖詳細說明本發(fā)明的第1實施方式。圖1(a)是本發(fā)明的第1實施方式的晶片加工用帶(切割-管芯焊接帶)10的俯視圖；圖1(b)為圖1(a)的線A-A的剖視圖。如圖1(a)及圖1(b)所示，晶片加工用帶10具有長條狀的分型膜11、粘接劑層12、粘合膜13以及支承構(gòu)件14。粘接劑層12設置在分型膜的第一表面Ila上，且具有對應晶片的形狀的圓形標簽形狀。粘合膜13具有圓形標簽部13a，其覆蓋粘接劑層12且以在粘接劑層12的周圍與分型膜接觸的方式而設置；周邊部13b，其包圍該圓形標簽部13a的外側(cè)。周邊部1包含完全地包圍圓形標簽部3a的外側(cè)的形態(tài)和如圖所示的不完全地包圍的形態(tài)。圓形標簽部13a具有對應切割用的環(huán)形框的形狀。并且，支承構(gòu)件14設于分型膜11的與設有粘接劑層12及粘合膜13的第一表面Ila相反的第二表面11b，且位于分型膜11的短邊方向兩端部。以下，對本實施方式的晶片加工用帶10的各構(gòu)成要素加以詳細說明。(分型膜)作為用于晶片加工用帶10的分型膜11，可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)系、聚乙烯、及其他可進行分型處理的膜等公知物。分型膜的厚度未被特別限定，但可適當設定，優(yōu)選為2550μπι。(粘接劑層)粘接劑層12如上述地形成于分型膜11的第一表面Ila上，且具有對應晶片的形狀的圓形標簽形狀。當半導體晶片等被貼合及切割后拾取晶片時，粘接劑層12作為附著于晶片背面且將晶片固定于基板或引線框時的粘接劑來使用。作為粘接劑層12，可優(yōu)選使用包含選自環(huán)氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、酚醛樹脂的至少一種的膠粘劑等。此外，也可使用聚酰亞胺系樹脂或硅酮系樹脂。其厚度雖可適當?shù)卦O定，但是優(yōu)選為5IOOym左右。(粘合膜)本發(fā)明的粘合膜13如上所述，具有對應切割用的環(huán)形框的形狀的圓形標簽部13a；以及包圍其外側(cè)的周邊部13b。對于這樣的粘合膜而言，能夠通過預切割加工，從膜狀粘合劑去除圓形標簽部13a的周邊區(qū)域而形成。作為粘合膜13并無特別限制，可使用在切割晶片時具有充分的粘合力以使晶片不會剝離且在切割后拾取晶片時顯示較低的粘合力以可容易從粘接劑層剝離的粘合膜。例如，可適合地使用在基材膜設有粘合劑層的粘合膜。作為粘合膜13的基材膜，優(yōu)選使用在作為后述的粘合劑層使用輻射固化性的材料時具有輻射透過性的基材膜。例如，作為其材料，可列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等α-烯烴的均聚物或共聚物或它們的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性物、以及它們的混合物。另外，基材膜也可以混合選自這些的組中的二種以上材料而成，這些材料可為單層或多層化的材料?；哪さ暮穸入m沒有特別的限定，但可適當?shù)卦O定，優(yōu)選為50200μπι。作為用于粘合膜13的粘合劑層的樹脂，沒有特別的限定，可使用用于粘合劑的公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂等。優(yōu)選在粘合劑層13的樹脂中適當?shù)嘏浜媳┧嵯嫡澈蟿?、輻射聚合性化合物、光聚合引發(fā)劑、固化劑等來配制粘合劑。對于粘合劑層13的厚度而言，雖沒有特別的限定，但可適當?shù)卦O定，優(yōu)選為530μm。將輻射聚合性化合物配合于粘合劑層并利用輻射固化，能夠容易從粘接劑層剝離。對于該輻射聚合性化合物而言，例如采用在可經(jīng)光照射三維網(wǎng)狀化的分子內(nèi)具有至少二個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物。具體而言，可適用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4_丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或寡聚酯丙烯酸酯等。另外，除了如上所述的丙烯酸酯系化合物以外，還可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物是向使多價異氰酸酯化合物(例如，2，4_亞芐基二異氰酸酯、2，6_亞芐基二異氰酸酯、1，3_苯二甲基二異氰酸酯、1，4_苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4，4-二異氰酸酯等)與聚酯型或聚醚型等多元醇化合物反應得到的末端異氰酸酯氨基甲酸酯預聚物，反應具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸-2-羥基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)而得到的。在粘合劑層中也可以混合有選自上述樹脂中的二種以上。在使用光聚合引發(fā)劑時，例如可使用異丙基苯偶姻醚、異丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米蚩酮(Michler’sKetone)、氯代噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、芐基二甲基縮酮、α-羥基環(huán)己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。這些光聚合引發(fā)劑的配合量相對于丙烯酸系共聚物100質(zhì)量份，優(yōu)選為0.015質(zhì)量份。(支承構(gòu)件)支承構(gòu)件14設于分型膜11的與設置有粘接劑12及粘合膜13的第一表面Ila相反的第二表面11b，且設于分型膜11的短邊方向兩端部。這樣，通過設置支承構(gòu)件14，在將晶片加工用帶10卷繞成輥卷狀時，由于可將施加于帶上的卷繞壓力予以分散或集中于支承構(gòu)件14，所以可抑制對粘接劑層12的轉(zhuǎn)印痕跡的形成。另外，在將支承構(gòu)件形成于設置有粘接劑12及粘合膜13的第一表面Ila時，在支承層的寬度上會有所限制，相對于此，在本實施方式的構(gòu)成中，可將支承構(gòu)件14的寬度確保較寬，且可更有效地抑制轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生。進而，通過將支承構(gòu)件14設于分型膜11的第二表面11b，則可獲得相對于支承構(gòu)件14的位置偏移的容許誤差變大的效果。優(yōu)選的是，支承構(gòu)件14設置在分型膜11的第二表面lib上的與設于第一表面的粘接劑層12的外側(cè)對應的區(qū)域、即在第二表面lib上，如圖1(a)所示的從分型膜11的端部至粘接劑層12的區(qū)域R。通過這樣的構(gòu)造，當卷繞帶10時，由于粘接劑層12與設于分型膜11的第二表面lib的支承構(gòu)件14不會重疊，所以可防止在粘接劑層12上附帶支承構(gòu)件14的痕跡。支承構(gòu)件14，雖然可沿著分型膜11的長邊方向斷續(xù)或連續(xù)設置，但是從更有效地抑制轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生的觀點來看，優(yōu)選為沿著分型膜11的長邊方向連續(xù)設置。作為支承構(gòu)件14的厚度，只要為相當于分型膜11上的粘接劑層12及粘合膜13的圓形標簽部13a的層疊部分、與粘合膜13的周邊部13b的臺階的厚度，即與粘接劑層12相同，或是該厚度以上即可。圖2是表示支承構(gòu)件14’的厚度比粘接劑層12的厚度還厚的例子的剖視圖。支承構(gòu)件具有這樣的厚度，則當卷繞帶10時，由于粘合膜13與重疊于其表面的分型膜11的第二表面lib接觸、或不接觸地在它們之間形成有空間，所以不會隔著粘合膜13將分型膜11的第二表面lib強制地按壓于柔軟的粘接劑層12。因而，可更有效地抑制轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生。本發(fā)明的支承構(gòu)件14具有300ppm/°C以下的線膨脹系數(shù)。對于晶片加工用帶而言，例如在保管時或運送時，可以保持-20°C5°C左右的低溫狀態(tài)，另外，當將晶片加工用帶的粘接劑層貼合于晶片時，為了使粘接劑加熱軟化而提高粘接性，可利用加熱器工作臺(heatertable)進行7080°C左右的加熱貼合等，晶片加工用帶被置放于溫度變化大的環(huán)境下。如果支承構(gòu)件14的尺寸隨著溫度變化而變化，則在分型膜11與粘合膜13之間以及粘接劑層12與粘合膜13之間就會侵入空氣而發(fā)生空隙，且發(fā)生對晶片的貼合不良，存在給之后的晶片的切割工序或帶的展延工序進而晶片的拾取工序或安裝工序中的成品率帶來降低的擔心。在本發(fā)明中，通過使用300ppm/°C以下的線膨脹系數(shù)較低的支承構(gòu)件，即可充分地抑制對粘接劑層12的轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生，并且即使在溫度變化大的使用環(huán)境下也可使支承構(gòu)件13的尺寸變化較少，且可抑制空隙的發(fā)生。為了更有效地抑制轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生以及空隙的發(fā)生，支承構(gòu)件14的線膨脹系數(shù)，優(yōu)選為150ppm/°C以下，更優(yōu)選為70ppm/°C以下。線膨脹系數(shù)的下限并無特別限制，通常為0.lppm/°Cο另外，支承構(gòu)件14的線膨脹系數(shù)與分型膜11的線膨脹系數(shù)之差優(yōu)選為250ppm/°C以下。在線膨脹系數(shù)的差為大于250ppm/°C時，由于會因保管時以及運送時的低溫狀態(tài)與使用時的常溫狀態(tài)的溫度變化，而發(fā)生支承構(gòu)件14與分型膜11的尺寸差，所以會有如下的各種的不佳狀況。(1)當因溫度變化而發(fā)生尺寸差時，存在如上所述的在分型膜11與粘合膜13之間、以及粘接劑層12與粘合膜13之間發(fā)生空隙的擔心。(2)在使用者以輥卷狀進行處理時，捆卷走樣的可能性增加。更具體地，例如在制造、出廠時即使正常地被卷繞，仍會從使用者側(cè)的冷藏保管至常溫使用時以及從常溫使用至冷藏保管時發(fā)生尺寸差，導致捆卷走樣的可能性增加。(3)因尺寸差而在被卷繞成輥卷狀的片之間發(fā)生間隙，導致從輥卷側(cè)面混入異物的可能性增加。(4)在晶片加工用帶的卷數(shù)較多的情況或產(chǎn)品寬度較寬的情況下，當從常溫進行冷藏保管時，在卷心側(cè)與輥卷外周側(cè)，冷卻速度不同。因此，在卷心側(cè)與輥卷外周側(cè)，起因于線膨脹差的支承構(gòu)件14與分型膜11的尺寸差不同，導致輥卷整體的形狀變化的可能性高。在本發(fā)明中，所謂線膨脹系數(shù)，是指當在恒壓下改變溫度時增加物體在空間上的擴展的比例。若將溫度設為T，將其固定的長度設為L，則該線膨脹系數(shù)α可以由如下的公式來賦予。α=(1/L)X(σL/σΤ)另外，本發(fā)明中的線膨脹系數(shù)的測定，是例如以JISΚ7191塑膠的熱機械分析的線膨脹率試驗方法為基準，并使用熱機械分析裝置(TMA)，安裝切斷成長度15mm、寬度5mm、夾頭間距IOmm的試料，可在拉伸荷重10g、升溫速度5°C/min、N2氣體環(huán)境下，以測定溫度范圍-20°C50°C的條件進行測定。另外，支承構(gòu)件14與粘合膜13的基材膜之間的靜摩擦系數(shù)優(yōu)選為0.22.0，更優(yōu)選為0.61.6。當將晶片加工用帶卷繞成輥卷狀時，由于設于分型膜11的第一表面Ila側(cè)的粘合膜13的周邊部13a、與設于分型膜11的第二表面lib側(cè)的支承構(gòu)件14會接觸，所以在支承構(gòu)件14與粘合膜13的基材膜之間的靜摩擦系數(shù)小到不足0.2的情況下，就容易在制造時或使用時發(fā)生卷繞偏移且處理性會惡化。另一方面，在大于2.0的情況下，粘合膜13的基材膜與支承構(gòu)件之間的阻力過大，而成為制造工序中的處理性惡化或高速卷繞時等蛇行的原因。因而，通過將兩者間的靜摩擦系數(shù)設定在上述范圍內(nèi)，即可防止晶片加工用帶10的卷繞偏移，且可獲得能夠高速卷繞以及使卷繞數(shù)增大的效果。在本發(fā)明中，支承構(gòu)件14與粘合膜13的基材膜之間的靜摩擦系數(shù)，是以JISK7125為基準，由如下的測定方法而獲得。使分別被切斷成25mm(寬度)X100mm(長度)的粘合膜13的基材膜與支承構(gòu)件14的兩膜取樣重合，且固定下側(cè)的膜。接著，將重量200g的配重當作荷重W載置于被層疊的膜之上，且以200mm/min的速度拉伸上側(cè)的膜，測定滑出時的力Fd(g)，從以下的公式中求出靜摩擦系數(shù)(yd)。yd=Fd/ff作為支承構(gòu)件14，例如可適合地使用在樹脂膜基材上涂敷了膠粘劑的膠粘帶。通過將這樣的膠粘帶貼附于分型膜11的第二表面lib的兩端部分的規(guī)定位置，即可形成本實施方式的晶片加工用帶10。膠粘帶也可只貼附一層，或也可如圖3所示層疊較薄的帶。作為膠粘帶的基材樹脂，雖然只要滿足上述線膨脹系數(shù)的范圍且可承受卷繞壓力則無特別限定，但是從耐熱性、平滑性以及容易取得的方面來看，優(yōu)選為選自聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯以及高密度聚乙烯。有關膠粘帶的粘合劑的組成及物性，并無特別限定，只要在帶10的卷繞工序及保管工序中，不會從分型膜11剝離即可。另外，作為支承構(gòu)件14，也可使用被著色的支承構(gòu)件。通過使用這樣的著色支承構(gòu)件，則在將晶片加工用帶卷繞成輥卷狀時，可明確地識別帶的種類。例如，通過使著色支承構(gòu)件14的顏色，隨著晶片加工用帶的種類或厚度而不同，即可容易地識別帶的種類或厚度，從而可抑制并防止人為的失誤的發(fā)生。(第2實施方式)其次，根據(jù)附圖詳細說明本發(fā)明的第2實施方式。圖4(a)是本發(fā)明第2實施方式的晶片加工用帶(切割-管芯焊接帶)20的俯視圖；圖4(b)為圖4(a)的線A-A的剖視圖。如圖4(a)及圖4(b)所示，晶片加工用帶20具有長條狀的分型膜21、粘接劑層22、粘合膜23以及著色支承構(gòu)件23。粘接劑層22設置在分型膜的第一表面上，且具有對應晶片的形狀的圓形標簽形狀。粘合膜23具有圓形標簽部23a，其覆蓋粘接劑層22且以在粘接劑層22的周圍與分型膜接觸的方式而設置；周邊部23b，其包圍該圓形標簽部23a的外側(cè)。周邊部2包含完全地包圍圓形標簽部23a的外側(cè)的形態(tài)和如圖所示的不完全地包圍的形態(tài)。圓形標簽部23a具有對應切割用的環(huán)形框的形狀。并且，著色支承構(gòu)件M設于分型膜21的與設有粘接劑層22及粘合膜23的第一表面21a相反的第二表面21b，且位于分型膜21的短邊方向兩端部。以下，對本實施方式的晶片加工用帶20的各構(gòu)成要素加以詳細說明。(分型膜)作為用于晶片加工用帶20的分型膜21，可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)系、聚乙烯、及其他可進行分型處理的膜等公知物。分型膜的厚度未被特別限定，但可適當設定，優(yōu)選為2550μπι。(粘接劑層)粘接劑層22如上所述地形成于分型膜21的第一表面21a上，且具有對應晶片的形狀的圓形標簽形狀。當半導體晶片等被貼合及切割后拾取晶片時，粘接劑層22作為附著于晶片背面且將晶片固定于基板或引線框時的粘接劑來使用。作為粘接劑層22，可優(yōu)選使用包含選自環(huán)氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、酚醛樹脂的至少一種的膠粘劑等。此外，也可使用聚酰亞胺系樹脂或硅酮系樹脂。其厚度雖可適當?shù)卦O定，但是優(yōu)選為5IOOym左右。(粘合膜)粘合膜23如上述，具有對應切割用的環(huán)形框形狀的圓形標簽部23a；以及包圍其外側(cè)的周邊部23b。對于這樣的粘合膜而言，能夠通過預切割加工，從膜狀粘合劑去除圓形標簽部23a的周邊區(qū)域而形成。作為粘合膜23并無特別限制，可使用在切割晶片時具有充分的粘合力以使晶片不會剝離且在切割后拾取晶片時顯示較低的粘合力以可容易從粘接劑層剝離的粘合膜。例如，可適合地使用在基材膜設有粘合劑層的粘合膜。作為粘合膜23的基材膜，雖然只要其為現(xiàn)有公知物則可無特別限定地使用，但是優(yōu)選使用在作為后述的粘合劑層使用輻射固化性的材料時具有輻射透過性的基材膜。例如，作為其材料，可列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等α-烯烴的均聚物或共聚物或它們的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性物、以及它們的混合物。另外，基材膜也可以混合選自這些的組中的二種以上材料而成，這些材料可為單層或多層化的材料?；哪さ暮穸入m未被特別限定，但可適當?shù)卦O定，優(yōu)選為50200μπι。作為被用于粘合膜23的粘合劑層的樹脂，并未被特別限定，可使用被用于粘合劑的公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂等。在粘合劑層23的樹脂中，優(yōu)選為適當?shù)嘏浜媳┫嫡澈蟿⑤椛渚酆闲曰衔?、光聚合引發(fā)劑、固化劑等來配制粘合劑。粘合劑層23的厚度雖未被特別限定，但可適當?shù)卦O定，優(yōu)選為530μm。將輻射聚合性化合物配合于粘合劑層并借助輻射固化，能夠容易從粘接劑層剝離。該輻射聚合性化合物例如采用，在借助光照射而能夠三維網(wǎng)狀化的分子內(nèi)具有至少二個以上的光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物。具體而言，可適用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4_丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或寡聚酯丙烯酸酯等。另外，除了如上所述的丙烯酸酯系化合物以外，還可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物是向使多價異氰酸酯化合物(例如，2，4_亞芐基二異氰酸酯、2，6_亞芐基二異氰酸酯、1，3_苯二甲基二異氰酸酯、1，4_苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4，4-二異氰酸酯等)與聚酯型或聚醚型等多元醇化合物反應得到的末端異氰酸酯氨基甲酸酯預聚物，反應具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸-2-羥基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)而得到的。在粘合劑層中也可以混合有選自上述樹脂中的二種以上。在使用光聚合引發(fā)劑時，例如可使用異丙基苯偶姻醚、異丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯代噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、芐基二甲基縮酮、α-羥基環(huán)己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。這些光聚合引發(fā)劑的配合量相對于丙烯酸系共聚物100質(zhì)量份，優(yōu)選為0.015質(zhì)量份。(著色支承構(gòu)件)通過在分型膜21的短邊方向兩端部設置支承構(gòu)件24，即可在將晶片加工用帶20卷繞成輥卷狀時，明確地識別帶的種類。例如，通過使著色支承構(gòu)件M的顏色，按照晶片加工用帶的種類或厚度而不同，即可容易地識別帶的種類或厚度，從而可抑制并防止人為的失誤的發(fā)生。對于晶片加工用帶20而言，雖然是以使用者期望的長度卷繞成輥卷狀而進行產(chǎn)品出廠，或以相當于使用者期望的切割-管芯焊接帶的片數(shù)的量卷繞成輥卷狀而進行產(chǎn)品出廠，但是由于產(chǎn)品時的長度、與用于產(chǎn)品的上述分型膜21或粘接劑層22及粘合膜等坯材的長度會有所不同，所以有時會在坯材或中間產(chǎn)品中發(fā)生剩余而降低成品率。雖然可借助串接產(chǎn)品而提高成品率，但是在所串接的產(chǎn)品與被串接的產(chǎn)品的顏色有微妙不同的情況下，從輥卷側(cè)面來看(以紙面看圖8是從上方向或下方向來看)，有時會顯著地出現(xiàn)輥卷側(cè)面的顏色差異，這些會損害產(chǎn)品的外觀，也可能因使用者而造成每一輥卷都要退貨的事態(tài)，而造成問題。這樣的問題，也可通過設置著色支承構(gòu)件對，將輥卷側(cè)面的微妙的顏色差異吸收于著色帶的顏色中，從而能夠改善外觀。另外，如圖4(b)所示，粘接劑層22與粘合膜23的圓形標簽部23a所層疊而成的部分，比粘合膜23的周邊部2還厚。因此，當作為產(chǎn)品卷繞成輥卷狀時，粘接劑層22與粘合膜23的圓形標簽部23a的層疊部分、與粘合膜23的周邊部2的臺階會相互重疊，導致發(fā)生在柔軟的粘接劑層22表面轉(zhuǎn)印有臺階的現(xiàn)象，即如圖11所示的轉(zhuǎn)印痕跡(也稱為標簽痕跡、皺紋或卷繞痕跡)。尤其是，在粘接劑層22以柔軟的樹脂所形成的情況或具有厚的情況以及帶20的卷數(shù)較多的情況等，這樣的轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生更為顯著。并且，當發(fā)生轉(zhuǎn)印痕跡時，因粘接劑層與半導體晶片的粘接不良，導致在晶片加工時存在產(chǎn)生不良狀況的擔心。這樣的問題，由于也可通過設置著色支承構(gòu)件對，使當將晶片加工用帶20卷繞成輥卷狀時施加于帶的卷繞壓力予以分散或集中于著色支承構(gòu)件24，因此，可抑制對粘接劑層22的轉(zhuǎn)印痕跡的形成。在圖4(a)及圖4(b)的例子中，雖然示出了將著色支承構(gòu)件M設于分型膜的第二表面21b側(cè)的情況，但是從使帶的種類的識別性提高的觀點來看，也可將著色支承構(gòu)件設于分型膜的第一表面21a側(cè)。例如，如圖5所示，可采用在粘合膜周邊部2上設置著色支承構(gòu)件34的構(gòu)成。另一方面，從如上所述的抑制對粘接劑層22的轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生的觀點來看，優(yōu)選為，著色支承構(gòu)件M設于分型膜21的第二表面21b側(cè)。其原因在于，在將著色支承構(gòu)件M形成于設有粘接劑層22及粘合膜23的第一表面21a的情況下，在支承層的寬度上存在限制，相對于此，當設于分型膜21的第二表面21b且位于分型膜21的短邊方向兩端部，由于可將著色支承構(gòu)件M的寬度確保較寬，所以可更有效地抑制轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生。進而，通過將著色支承構(gòu)件M設于分型膜21的第二表面21b，則也可獲得相對于著色支承構(gòu)件M的位置偏移的容許誤差增大的效果。在將著色支承構(gòu)件M設于分型膜的第二表面21b側(cè)的情況下，著色支承構(gòu)件M優(yōu)選為，設置在分型膜21的第二表面21b上的與設于第一表面21a的粘接劑層22的外側(cè)對應的區(qū)域、即在第二表面21b上，如圖4(a)所示的從分型膜21的端部至粘接劑層22的區(qū)域R。借助這樣的構(gòu)造，當卷繞帶20時，由于設于分型膜21的第一表面21a的粘合膜23的圓形標簽部23a、與設于分型膜21的第二表面21b的著色支承構(gòu)件M不會重疊，所以可防止在粘接劑層22上附帶著色支承構(gòu)件M的痕跡。著色支承構(gòu)件對，雖然可沿著分型膜21的長邊方向斷續(xù)或連續(xù)地設置，但是從更有效地抑制轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生的觀點來看，優(yōu)選為沿著分型膜21的長邊方向連續(xù)設置。作為支承構(gòu)件M的厚度，只要為相當于分型膜21上的粘接劑層22及粘合膜23的圓形標簽部23a的層疊部分、與粘合膜23的周邊部23b的臺階的厚度，即與粘接劑層22相同，或是該厚度以上即可。圖6是表示著色支承構(gòu)件24’的厚度比粘接劑層22的厚度還厚的例子的剖視圖。著色支承構(gòu)件具有這樣的厚度，則當卷繞帶20時，由于粘合膜23與重疊于其表面的分型膜21的第二表面21b接觸、或不接觸地在它們之間形成有空間，所以不會隔著粘合膜23將分型膜21的第二表面21b強制地按壓于柔軟的粘接劑層22。因而，可更有效地抑制轉(zhuǎn)印痕跡的發(fā)生。著色支承構(gòu)件M優(yōu)選具有300ppm/°C以下的線膨脹系數(shù)。在線膨脹系數(shù)大于300ppm/°C時，在后工序中的加熱時或從保管時及運送中的低溫狀態(tài)(例如-20°C5°C)返回到使用時的室溫時等，尺寸變化相對于溫度變化增大，因此其是不優(yōu)選的。另外，從防止晶片加工用帶20的卷繞偏移的觀點來看，著色支承構(gòu)件M優(yōu)選為相對于粘合膜23具有一定程度的摩擦系數(shù)的材質(zhì)。由此，可防止晶片加工用帶20的卷繞偏移，且可獲得能增大高速卷繞或卷繞數(shù)的效果。作為著色支承構(gòu)件M例如，可適合地使用在被著色的樹脂膜基材上涂敷了膠粘劑的膠粘帶。通過將這樣的膠粘帶貼附于分型膜21的第二表面21b的兩端部分的規(guī)定位置，或是貼附于分型膜的第一表面21a上的粘合膜周邊部2上的規(guī)定位置，即可形成本實施方式的晶片加工用帶20。膠粘帶也可只貼附一層，或可如圖7所示，層疊較薄的帶。作為膠粘帶的著色基材樹脂，雖然只要如上述地相對于粘合膜23具有一定程度的摩擦系數(shù)且可承受卷繞壓力則無特別限定，但是從耐熱性、平滑性以及容易取得的方面來看，優(yōu)選為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)以及聚酯。有關膠粘帶的粘合劑的組成及物性，并無特別限定，只要在帶20的卷繞工序及保管工序中，不會從分型膜21剝離即可。其次，雖然就本發(fā)明的實施例進行了說明，但是本發(fā)明并非局限于這些實施例。(1)粘合膜的制作(粘合膜1A)在作為溶劑的甲苯400g中，按照適宜地調(diào)節(jié)滴加量的方式，加入丙烯酸-η-丁酯U8g、丙烯酸-2-乙基己基酯307g、甲基丙烯酸甲酯67g、甲基丙烯酸1.5g、作為聚合引發(fā)劑的過氧化苯甲酰的混合液，調(diào)節(jié)反應溫度及反應時間，由此獲得具有官能團的化合物(1)的溶液。接著，在該聚合物溶液中，按照適宜地調(diào)節(jié)滴加量的方式，加入作為具有輻射固化性碳-碳雙鍵及官能團的化合物O)的另外由甲基丙烯酸與乙二醇合成的甲基丙烯酸-2-羥基乙酯2.5g、作為阻聚劑的對苯二酚，并調(diào)節(jié)反應溫度及反應時間，由此獲得具有輻射固化性碳-碳雙鍵的化合物(A)的溶液。接著，在化合物(A)中，加入相對于化合物(A)溶液中的化合物(A)100質(zhì)量份為1質(zhì)量份的作為聚異氰酸酯(B)的日本聚氨酯公司制的C0R0NATE(^π彳、一卜)L、0.5質(zhì)量份的作為光聚合引發(fā)劑的日本CHIBAGAIGI公司制的IRGA⑶RE(O力1二7—)184以及150質(zhì)量份的作為溶劑的乙酸乙酯并予以混合，由此配制輻射固化性的粘合劑組合物。接著，將配制好的粘合劑層組合物以干燥膜厚成為20μπι的方式涂布于厚度IOOym的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物基材膜，且以110°C干燥3分鐘，制作成粘合膜1A。(粘合膜1B)作為基材膜，除了采用厚度100μm且對一側(cè)表面進行鼓風處理后的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物基材膜以外，以與粘合膜IA相同的方式，來制作成粘合膜1B。(粘合膜1C)作為基材膜，除了采用厚度100μm且對一側(cè)表面進行分型處理后的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物基材膜以外，以與粘合膜IA相同的方式，來制作成粘合膜1C。(2)分型膜采用以下所示的分型膜2A及2B。分型膜2A厚度25μm的經(jīng)分型處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜分型膜2B厚度25μm的經(jīng)分型處理的聚丙烯膜當以熱機械分析裝置(理學電氣公司制)測定這些分型膜2A及2B的線膨脹系數(shù)時，分別為60ppm/°C、120ppm/°C。(3)粘接劑層3A的形成在由作為環(huán)氧樹脂的甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當量197、分子量1200、軟化點70°C)50質(zhì)量份、作為硅烷偶合劑的Y-巰基丙基三甲氧基硅烷1.5質(zhì)量份、γ-脲基丙基三甲氧基硅烷3質(zhì)量份、平均粒徑16nm的二氧化硅填料30質(zhì)量份構(gòu)成的組合物中，加入環(huán)己酮并予以攪拌混合，進而使用珠磨機(beadsmill)進行90分鐘的混練。在其中加入100質(zhì)量份的丙烯酸樹脂(質(zhì)均分子量80萬、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度_17°C)、5質(zhì)量份的作為6官能丙烯酸單體的二季戊四醇六丙烯酸酯、0.5質(zhì)量份的作為固化劑的六亞甲基二異氰酸酯的加合物、2.5質(zhì)量份的Curezol2PZ(四國化成公司制商品名、2-苯基咪唑)，予以攪拌混合，并進行真空脫氣，來獲得粘接劑。將上述粘接劑涂敷在分型膜2A及2B上，且以110°C進行1分鐘加熱干燥，形成膜厚20μπι的B級(stage)狀態(tài)(熱固化性樹脂的固化中間狀態(tài))的涂膜，且在分型膜2A及2B上形成粘接劑層3A，并進行冷藏保管。(4)支承構(gòu)件的制作(支承構(gòu)件4A)混合100質(zhì)量份的丙烯酸樹脂(質(zhì)均分子量60萬、玻璃轉(zhuǎn)移溫度_20°C)、10質(zhì)量份的作為硬化劑的聚異氰酸酯化合物(日本聚胺酯公司制、商品名CR0NATEL)來獲得粘合劑組合物。將上述粘合劑組合物以干燥膜厚成為25μm的方式涂布在厚度75μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜，且以110°C進行3分鐘干燥，制作成支承構(gòu)件4A。當以熱機械分析裝置(理學電氣公司制)來測定支承構(gòu)件4A的線膨脹系數(shù)時，線膨脹系數(shù)為60ppm/°C。(支承構(gòu)件4B)將上述粘合劑組合物以干燥膜厚成為25μm的方式涂布在厚度75μm的聚丙烯膜，且以110°C進行3分鐘干燥，制作成支承構(gòu)件4B。當以熱機械分析裝置(理學電氣公司制)來測定支承構(gòu)件4B的線膨脹系數(shù)時，線膨脹系數(shù)為120ppm/°C。(支承構(gòu)件4C)將上述粘合劑組合物以干燥膜厚成為50μm的方式涂布在厚度50μm的高密度聚乙烯膜，且以110°c進行3分鐘干燥，制作成支承構(gòu)件4C。當以熱機械分析裝置(理學電氣公司制)來測定支承構(gòu)件4C的線膨脹系數(shù)時，線膨脹系數(shù)為300ppm/°C。(支承構(gòu)件4D)將上述粘合劑組合物以干燥膜厚成為50μm的方式涂布在厚度50μm的低密度聚乙烯膜，且以110°C進行3分鐘干燥，制作成支承構(gòu)件4D。當以熱機械分析裝置(理學電氣公司制)來測定支承構(gòu)件4D的線膨脹系數(shù)時，線膨脹系數(shù)為350ppm/°C。(支承構(gòu)件4E)將上述粘合劑組合物以干燥膜厚成為50μm的方式涂布在厚度50μm的超高分子量聚乙烯膜，且以110°C進行3分鐘干燥，制作成支承構(gòu)件4E。當以熱機械分析裝置(理學電氣公司制)來測定支承構(gòu)件4E的線膨脹系數(shù)時，線膨脹系數(shù)為400ppm/°C。(支承構(gòu)件4F)將上述粘合劑組合物以干燥膜厚成為25μm的方式涂布在厚度75μm且對一側(cè)表面進行鼓風處理后的聚丙烯膜，且以110°C進行3分鐘干燥，制作成支承構(gòu)件4F。當以熱機械分析裝置(理學電氣公司制)來測定支承構(gòu)件4F的線膨脹系數(shù)時，線膨脹系數(shù)為120ppm/°C。(支承構(gòu)件4G)將上述粘合劑組合物以干燥膜厚成為50μm的方式涂布在厚度50μm且對一側(cè)表面進行分型處理后的高密度聚乙烯膜，且以110°C進行3分鐘干燥，制作成支承構(gòu)件4G。當以熱機械分析裝置(理學電氣公司制)來測定支承構(gòu)件4G的線膨脹系數(shù)時，線膨脹系數(shù)為300ppm/°C。(實施例1)將形成有冷藏保管者的粘接劑層3A的分型膜2A回到常溫，且相對于粘接劑層而將對分型膜的切口深度調(diào)整為IOym以下，并進行直徑220mm的圓形預切割加工。之后，去除粘接劑層的不要部份，且將粘合膜IA以其粘合劑層與粘接劑層相接的方式，在分型膜2A室溫下分層。然后，相對于粘合膜IA而將對分型膜的切口深度調(diào)整為ΙΟμπι以下，并與粘接劑層同心圓狀地進行直徑^Omm的圓形預切割加工。其次，將支承構(gòu)件4Α貼合于分型膜2Α的與設有粘接劑層及粘合膜的第一表面相反的第二表面且位于分型膜2Α的短邊方向兩端部，來制作成具有圖1所示的構(gòu)造的實施例1的晶片加工用帶。(實施例2)除了使用支承構(gòu)件4Β來取代支承構(gòu)件4Α以外，其余與實施例1同樣，制作成實施例2的晶片加工用帶。(實施例3)除了使用分型膜2Β來取代分型膜2Α，且使用支承構(gòu)件4C來取代支承構(gòu)件4Α以外，其余與實施例1同樣，制作成實施例3的晶片加工用帶。(實施例4)除了使用支承構(gòu)件4C來取代支承構(gòu)件4Α以外，其余與實施例1同樣，制作成實施例4的晶片加工用帶。(實施例5)除了使用粘合帶IB來取代粘合帶1Α，且使用支承構(gòu)件4C來取代支承構(gòu)件4Α以外，其余與實施例1同樣，制作成實施例5的晶片加工用帶。(實施例6)除了使用粘合帶IC來取代粘合帶1Α，且使用支承構(gòu)件4Β來取代支承構(gòu)件4Α以外，其余與實施例1同樣，制作成實施例6的晶片加工用帶。(實施例7)除了使用粘合膜IB來取代粘合膜1Α，且使用支承構(gòu)件4G來取代支承構(gòu)件4Α以外，其余與實施例1同樣，制作成實施例7的晶片加工用帶。(實施例8)除了使用分型膜IC來取代分型膜1Α，且使用支承構(gòu)件4F來取代支承構(gòu)件4Α以外，其余與實施例1同樣，制作成實施例8的晶片加工用帶。另外，另行對實施例18的晶片加工用帶進行測定各支承構(gòu)件與粘合膜的基材膜之間的靜摩擦系數(shù)。其結(jié)果示于表1。(比較例1)除了使用分型膜2Β來取代分型膜2k,且使用支承構(gòu)件4D來取代支承構(gòu)件4A以外，其余與實施例1同樣，制作成比較例1的晶片加工用帶。(比較例2)除了使用支承構(gòu)件4D來取代支承構(gòu)件4A以外，其余與實施例1同樣，制作成比較例2的晶片加工用帶。(比較例3)除了使用支承構(gòu)件4E來取代支承構(gòu)件4A以外，其余與實施例1同樣，制作成比較例3的晶片加工用帶。(比較例4)除了未設置支承構(gòu)件以外，其余與實施例1同樣，制作成比較例4的晶片加工用市ο另外，另行對比較例13的晶片加工用帶進行測定各支承構(gòu)件與粘合膜的基材膜之間的靜摩擦系數(shù)。其結(jié)果示于表2。[轉(zhuǎn)印痕跡(標簽痕跡、皺紋、或卷繞痕跡)以及空隙的抑制性評價]將實施例18及比較例14的晶片加工用帶，以圓形形狀的粘合膜的數(shù)目成為300片的方式，卷繞成輥卷狀，來制作成晶片加工用帶卷。將所得的晶片加工用帶卷在冷藏庫內(nèi)(5°C)保管1個月。之后，在使晶片加工用帶卷返回至室溫之后解開輥卷，以目視觀察有無轉(zhuǎn)印痕跡，按照以下的評價基準，以〇、Δ、X的三等級來評價晶片加工用帶的轉(zhuǎn)印痕跡與空隙的抑制性。其結(jié)果示于表1及表2。〇即使從各種角度以目視觀察也無法確認轉(zhuǎn)印痕跡或空隙。Δ基于角度而可確認稍微的轉(zhuǎn)印痕跡或空隙。X即使從哪個角度目視觀察也可確認膜上的轉(zhuǎn)印痕跡或空隙。[有無發(fā)生卷繞偏移]對于實施例18及比較例14的晶片加工用帶，進行了在制造時、冷藏保管時以及常溫使用時確認有無發(fā)生卷繞偏移。其結(jié)果示于表1及表2。[處理性及生產(chǎn)性的評價]對于實施例18及比較例14的晶片加工用帶，在制造時、冷藏保管時以及常溫使用時，按照以下的評價基準，并以◎、〇、X的三等級來評價處理性和生產(chǎn)性。其結(jié)果顯示于表1及表2。◎非常容易處理，且處理性及生產(chǎn)性優(yōu)異。〇容易處理，且處理性及生產(chǎn)性佳。X很難處理，且處理性及生產(chǎn)性差。[表1]權利要求1.一種晶片加工用帶，其特征在于，其具有長條狀的分型膜；粘接劑層，其設于所述分型膜的第一表面上且具有規(guī)定的平面形狀；粘合膜，其具有標簽部與周邊部，所述標簽部以覆蓋所述粘接劑層且在所述粘接劑層的周圍與所述分型膜接觸的方式而設置且具有規(guī)定的平面形狀，所述周邊部包圍所述標簽部的外側(cè)，著色支承部件，其設于所述長條狀的分型膜的短邊方向兩端部。2.如權利要求1所述的晶片加工用帶，其特征在于，所述著色支承部件設于所述分型膜的與設有所述粘接劑層及粘合膜的第一表面相反的第二表面。3.如權利要求2所述的晶片加工用帶，其特征在于，所述著色支承部件設于所述分型膜的所述第二表面上的與設于所述第一表面的所述粘接劑層的外側(cè)對應的區(qū)域。4.如權利要求13中任一項所述的晶片加工用帶，其特征在于，所述著色支承部件沿著所述分型膜的長邊方向連續(xù)設置。5.如權利要求14中任一項所述的晶片加工用帶，其特征在于，所述著色支承部件具有所述粘接劑層的厚度以上的厚度。6.如權利要求15中任一項所述的晶片加工用帶，其特征在于，所述著色支承部件具有二層以上的層疊構(gòu)造。7.如權利要求16中任一項所述的晶片加工用帶，其特征在于，所述著色支承部件為在聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚酯的膜基材上涂敷了膠粘劑的膠粘帶。8.如權利要求17中任一項所述的晶片加工用帶，其特征在于，所述著色支承部件基于晶片加工用帶的種類而顏色不同。9.如權利要求18中任一項所述的晶片加工用帶，其特征在于，所述著色支承部件基于晶片加工用帶的厚度而顏色不同。全文摘要本發(fā)明提供一種晶片加工用帶(10)，其具有長條狀的分型膜(11)；粘接劑層(12)，其設于分型膜(11)的第一表面(11a)上且具有平面形狀；粘合膜(13)，其具備具有平面形狀的標簽部(13a)與包圍標簽部(13a)的外側(cè)的周邊部(13b)；支承構(gòu)件(14)，其設于與分型膜(11)的第一表面(11a)相反的第二表面(11b)且位于分型膜(11)的短邊方向兩端部，其中，支承構(gòu)件(14)的線膨脹系數(shù)為300ppm/℃以下。文檔編號H01L21/68GK102093828SQ20101054355公開日2011年6月15日申請日期2008年7月16日優(yōu)先權日2007年9月14日發(fā)明者丸山弘光,佐久間登,田口收三,盛島泰正,石渡伸一申請人:古河電氣工業(yè)株式會社