一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其工藝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其工藝方法，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的圓片級(jí)封裝，先對(duì)圓片進(jìn)行劃片，將完成劃片后分離的芯片正面粘貼在載板上，再對(duì)載板粘貼芯片的一側(cè)進(jìn)行塑封，去除載板，露出芯片正面，對(duì)芯片正面電極進(jìn)行Fanout重布線制作金屬線路與產(chǎn)品電性的輸出。圓片劃片后單顆芯片排列粘貼在載板上進(jìn)行包封、制作Fanout金屬線路，一方面芯片排列對(duì)位的效率低，而且分離芯片排列對(duì)位容易產(chǎn)生位移偏差，這將造成后續(xù)芯片正面Fanout金屬線路的偏移；由于圓片F(xiàn)anout封裝在封裝廠進(jìn)行，但是對(duì)于封裝廠進(jìn)行Fanout工藝涉及的密間距線路制作，難度比較高，容易出現(xiàn)線路短路、線路剝離的問(wèn)題，良率偏低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其工藝方法，圓片上的圖面設(shè)計(jì)與引線框的圖面完全對(duì)應(yīng)，實(shí)現(xiàn)整片圓片倒裝于引線框，再進(jìn)行圓片的切割分離以及封裝，實(shí)現(xiàn)單顆芯片尺寸等同于引線框單顆Unit的晶圓級(jí)封裝。
[0004]本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，它包括引線框，所述引線框上倒裝有芯片，所述芯片正面設(shè)置有金屬凸點(diǎn)，所述金屬凸點(diǎn)與引線框之間通過(guò)錫球相連接，所述引線框、金屬凸點(diǎn)和錫球周圍包封有塑封料，所述引腳框背面電鍍有金屬層。
[0005]一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，所述方法包括以下步驟:
步驟一、取一圓片，圓片正面線路設(shè)計(jì)完全對(duì)應(yīng)于引線框圖面，單顆芯片尺寸等同于封裝尺寸；
步驟二、在圓片正面電極上制作金屬凸點(diǎn)；
步驟三、在金屬凸點(diǎn)上制作錫球；
步驟四、將圓片通過(guò)金屬凸點(diǎn)上的錫球倒裝于引線框，引線框單顆產(chǎn)品尺寸等同于單顆芯片尺寸；
步驟五、將完成倒裝的圓片與引線框放入回流焊設(shè)備進(jìn)行回流焊；
步驟六、對(duì)完成回流焊的產(chǎn)品進(jìn)行包封；
步驟七、對(duì)完成包封的產(chǎn)品進(jìn)行引線框背面電鍍；
步驟八、對(duì)完成電鍍產(chǎn)品的芯片背面被覆UV膜；
步驟九、對(duì)完成電鍍的產(chǎn)品進(jìn)行切割，分離單個(gè)產(chǎn)品；
步驟十、去除芯片背面被覆的UV膜。
[0006]所述圓片正面線路根據(jù)引線框圖面進(jìn)行Fanout設(shè)計(jì)或引線框圖面根據(jù)圓片正面線路進(jìn)行匹配設(shè)計(jì)。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
1、芯片重布線制作與封裝分別由各自擅長(zhǎng)的晶圓FAB廠與封裝廠完成，產(chǎn)品良率比較尚;
2、引線框單顆Unit尺寸等同于單獨(dú)的芯片尺寸，不僅最大化地利用了金屬引線框，而且可以縮小產(chǎn)品尺寸，提高引線框的利用率，降低材料成本；
3、整片圓片一次倒裝完成、大大提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本發(fā)明一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖2~圖11為本發(fā)明一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)工藝方法的各工序示意圖。
[0010]其中:
引線框I 芯片2
金屬凸點(diǎn)3 錫球4 塑封料5 金屬層6。
【具體實(shí)施方式】
[0011]參見圖1，本發(fā)明一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，它包括引線框1，所述引線框I上倒裝有芯片2，所述芯片2正面設(shè)置有金屬凸點(diǎn)3，所述金屬凸點(diǎn)3與引線框I之間通過(guò)錫球4相連接，所述引線框1、金屬凸點(diǎn)3和錫球4周圍包封有塑封料5，所述引腳框I背面電鍍有金屬層6o
[0012]其工藝方法如下:
步驟一、參見圖2，取一圓片，圓片正面線路設(shè)計(jì)完全對(duì)應(yīng)于引線框圖面，單顆芯片尺寸等同于封裝尺寸；
步驟二、參見圖3，在圓片正面電極上制作金屬凸點(diǎn)；
步驟三、參見圖4，在金屬凸點(diǎn)上制作錫球；
步驟四、參見圖5，將圓片通過(guò)金屬凸點(diǎn)上的錫球倒裝于引線框，引線框單顆產(chǎn)品尺寸等同于單顆芯片尺寸；
步驟五、參見圖6，將完成倒裝的圓片與引線框放入回流焊設(shè)備進(jìn)行回流焊；
步驟六、參見圖7，對(duì)完成回流焊的產(chǎn)品進(jìn)行包封；
步驟七、參見圖8，對(duì)完成包封的產(chǎn)品進(jìn)行引線框背面電鍍；
步驟八、參見圖9，對(duì)完成電鍍產(chǎn)品的芯片背面被覆UV膜；
步驟九、參見圖10，對(duì)完成電鍍的產(chǎn)品進(jìn)行切割，分離單個(gè)產(chǎn)品；
步驟十、參見圖11，去除芯片背面被覆的UV膜。
[0013]所述圓片正面線路可以根據(jù)引線框圖面進(jìn)行Fanout設(shè)計(jì)；所述引線框圖面可以根據(jù)圓片正面線路進(jìn)行匹配設(shè)計(jì)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:它包括引線框(1)，所述引線框(I)上倒裝有芯片(2)，所述芯片(2)正面設(shè)置有金屬凸點(diǎn)(3)，所述金屬凸點(diǎn)(3)與引線框(I)之間通過(guò)錫球(4)相連接，所述引線框(1)、金屬凸點(diǎn)(3)和錫球(4)周圍包封有塑封料(5)，所述引腳框(I)背面電鍍有金屬層(6)。
2.一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于所述方法包括以下步驟: 步驟一、取一圓片，圓片正面線路設(shè)計(jì)完全對(duì)應(yīng)于引線框圖面，單顆芯片尺寸等同于封裝尺寸； 步驟二、在圓片正面電極上制作金屬凸點(diǎn)； 步驟三、在金屬凸點(diǎn)上制作錫球； 步驟四、將圓片通過(guò)金屬凸點(diǎn)上的錫球倒裝于引線框，引線框單顆產(chǎn)品尺寸等同于單顆芯片尺寸； 步驟五、將完成倒裝的圓片與引線框放入回流焊設(shè)備進(jìn)行回流焊； 步驟六、對(duì)完成回流焊的產(chǎn)品進(jìn)行包封； 步驟七、對(duì)完成包封的產(chǎn)品進(jìn)行引線框背面電鍍； 步驟八、對(duì)完成電鍍產(chǎn)品的芯片背面被覆UV膜； 步驟九、對(duì)完成電鍍的產(chǎn)品進(jìn)行切割，分離單個(gè)產(chǎn)品； 步驟十、去除芯片背面被覆的UV膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于:所述圓片正面線路根據(jù)引線框圖面進(jìn)行Fanout設(shè)計(jì)或引線框圖面根據(jù)圓片正面線路進(jìn)行匹配設(shè)計(jì)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其工藝方法，所述結(jié)構(gòu)包括引線框（1），所述引線框（1）上倒裝有芯片（2），所述芯片（2）正面設(shè)置有金屬凸點(diǎn)（3），所述金屬凸點(diǎn)（3）與引線框（1）之間通過(guò)錫球（4）相連接，所述引線框（1）、金屬凸點(diǎn)（3）和錫球（4）周圍包封有塑封料（5），所述引腳框（1）背面電鍍有金屬層（6）。本發(fā)明一種圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其工藝方法，圓片上的圖面設(shè)計(jì)與引線框的圖面完全對(duì)應(yīng)，實(shí)現(xiàn)整片圓片倒裝于引線框，再進(jìn)行圓片的切割分離以及封裝，實(shí)現(xiàn)單顆芯片尺寸等同于引線框單顆Unit的晶圓級(jí)封裝。
【IPC分類】H01L23-495, H01L21-60
【公開號(hào)】CN104538378
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410827464
【發(fā)明人】王亞琴, 梁志忠
【申請(qǐng)人】江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年12月26日